DE2263856C3 - Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren defekter Fotomasken - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren

zum Ausbessern einer defekten Fotomaske, die ein undurchsichtiges Filmmuster auf einer Oberfläche eines transparenten Substrats aufweist, und deren Defekte entweder aus überschüssigem oder aus fehlendem, undurchsichtigem Material bestehen, wobei ein hinsichtlich seines Lösungsvermögens unte»· Lichteinfluß veränderbarer Fotoresist verwendet wird, sowie eine Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens.

Metallfotomasken werden dadurch hergestellt, daß ein dünner Metallfilm, beispielsweise aus Chrom oder Aluminium, auf einem transparenten Substrat, beispielsweise aus Glas oder Quarz, niedergeschlagen, dieser Metallfilm sodann mit einer Fotoresistschicht überzogen, die Fotoresistschicht in einem bestimmten Muster belichtet und sodann entwickelt, und schließlich das Metall in den unbedeckten Filmbereichen durch Ätzen entfernt wird, so daß auf dem Substrat ein Film im gewünschten Muster verbleibt

Bei der Herstellung von Metallfotomasken können gewisse sichtbare Defekte auftretea. Diese Defekte können beispielsweise aus schwarzen Flecken oder aus in die transparent zu haltenden Bereiche hineinragenden Vorsprüngen des Metallfilms einerseits oder aus Löchern oder Metallfilmfehlstellen in undurchsichtig zu haltenden Bereichen der Maske bestehen. Da die Herstellung von Fotomasken zeitraubend und relativ teuer ist. ist es wesentlich ökonomischer, eine defekte Fotomaske auszubessern als sie wegzuwerfen und den gesamten Hersteüungsprozeß zu wiederholen.

In der DT-OS 2 005 495 sind Fotomasken beschrieben, die aus mehreren, übereinanderliegenden Schichten aus unterschiedlichem Material bestehen, um auf diese Weise einerseits porenbedingte Fehler zu beseitigen und andererseits bei einem späteren Verfahrensschritt entstehende Defekte zu korrigieren. Für die Herstellung der einzelnen Schichten wird ein Fotoätzverfahren benutzt, bei dem ein hinsichtlich seines Lösungsvermögens unter Lichteinfluß veränderbarer Fotoresist Verwendung findet. Im Falle des Vorhandenseins eines aus überschüssigem, undurchsichtigem Material bestehenden Defekts der Maske wird eine Fotoresistschicht in der dem gewünschten Muster entsprechenden Form aufgebracht, so daß die dann ungeschützte Defektstelle durch Behandeln mit einem Lösungsmittel entfernt werden kann.

Dieser von Wahrscheinlichkeitsüberlegungen hinsichtlich möglicher Fehldeckungen ausgehende Vorschlag ist wegen der Notwendigkeit der Anbringung dreier nahezu deckungsgleicher Schichtmuster sehr aufwendig und benötigt zudem beim Vorhandensein eines aus überschüssigem, undurchsichtigem Material bestehenden Defekts einen zusätzlichen Abdeck- und Ätzvorgang.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist ei daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art zu schaffen, die mit einem gegenüber dem bekannten Vorschlag wesentlich geringeren Aufwand ein zuverlässiges Korrigieren bzw. Ausbessern einer einschichtigen Fotomaske ermöglichen.

Basierend auf dem Gedanken, den für die Betrachtung zur Überprüfung der Fotomasken erforderlichen Lichtstrahl für die Beseitigung eines eventuell vorhandenen Defektes auszunutzen, wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Filmmuster mit einer Fotoresistschicht überzogen wird, daß dann zunächst ein Lichtstrahl, der nicht in der Lage ist, die Fotoresistschicht zu belichten, auf das Substrat gerichtet wird, daß sodann die Schicht durch das Substrat betrachtet wird, wobei das Auftreffen des Richtstrahls auf die Schicht beobachtet werden kann, daß danach der Richtstrah! fokussiert und in seinen Umrissen angepaßt sowie das Substrat und der Richtstrahl so aufeinander

S ausgerichtet werden, daß der defekte Bereich durch den fokussierten und in der gewünschten Weise begrenzten Richtstrahl abgedeckt wird, und daß schließlich die Eigenschaften des Lichtstrahls so geändert werden, daß damit eine Belichtung der Fotoresistschicht

ίο möglich ist. Mit diesen Maßnahmen wird ein Zufälligkeiten absolut vermeidendes Korrekturverfahren geschaffen.

Eine geeignete Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einem von einer

is Lichtquelle ausgesandten Lichtstrahl zum Belichten der Fotoresistschicht ist gekennzeichnet durch optische Hilfsmittel, die eine Änderung des Lichtstrahls von dem die Fotoresistschicht belichtenden Zustand in einen die Fotoresisischicht nicht beeinflussenden Zustand ermöglichen und eine Betrachtung mit dem Auge zulassen, sowie durch eine verstellbare Lichtdurchtrittsöffnung, eine Linsenanordnung, mit deren Hilfe der Lichtstrahl an einer gewünschten Stelle fokussiert und in gewünschter Weise begrenzt werden kann, durch einen

»5 verstellbaren Tisch, der das Substrat aufnimmt und in eine Position bringt, in der das Filmmuster sich im Brennpjnkt des Strahls befindet und durch das transparente Substrat betrachtet werden kann, so daß der Defekt in den Bereich des fokussierten Abbilds gelangt.

An Hand der Zeichnungen wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bevorzugte Vorrichtung, in schematische r Darstellung,

Fig. 2, 3,4 und 5 Teilansichten von Fotomasken mit unterschiedlichen Defekten, in Draufsicht.

Mit der in F i g. 1 dargestellten Vorrichtung 10 soll eine defekte Fotomaske 12 ausgebessert werden. Die Fotomaske 12 kann einen oder mehrere der in den F i g. 2 bis 5 dargestellten Defekte aufweisen.

Die in F i g. 2 dargestellte Fotomaske 12a besteht aus einem transparenten Substrat 14, beispielsweise einem Glas-, Quarz-, oder Saphir-Plättchen, mit einem Filmmuster 16, beispielsweise aus Chrom oder Aluminium,

das auf einer Oberfläche 26 der Fotomaske 12a mittels im Zusammenhang mit der Herstellung von integrierten Schaltungen bekannter fotolithografischer Verfahren aufgebracht ist. In einem Bereich, der eigentlich transparent sein sollte, befindet sich ein Defekt 18a in

Form eines zusätzlichen, unerwünschten Niederschlags von undurchsichtigem Filmmaterial. Integrierte Schaltungen, die mit Hilfe der Fotomaske 12a hergestellt werden, würden fehlerhaft sein, sofern der Defekt 18a nicht entfernt würde. Nachfolgend werden für entspre-

chende Teile der in den F i g. 2,3,4 und 5 dargestellten Masken die gleichen Bezugsziffern verwendet

Die in Fig.3 dargestellte Fotomaske 12f> weist einen Defekt 18/> auf, der aus einem unerwünschten Loch an einer Stelle des Filmmusters 16 besteht, die eigentlich undurchsichtig sein sollte.

In F i g. 4 ist eine Fotomaske 12c dargestellt, bei der der Defekt 18c aus einem unerwünschten, undurchsichtigen Vorsprung des Filmmusters 16 besteht.
Die in F i g. 5 dargestellte Fotomaske 12«/ besitzt einen Defekt Hd, der durch Fehlen undurchsichtigen Materials des Filmmusters 16 charakterisiert ist Sämtliche zuvor genannten Defekte 18a bis I8d können im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens mit Hilfe

der erfindungsgemäßen Vorrichtung 10 behoben werden.

Die in F i g. 1 dargestellte Vorrichtung 10 besteht im wesentlichen aus einem Projektionssystem 20 und einer Mikroskopiereinrichtung 22.

Der erste Schritt zum Beheben von Fotomaskendefekten der genannten Art besteht darin, eine Fotoresistschicht 24 auf das auf der Oberfläche 26 der Fotomaske befindliche Filmmuster 16 zu bringen. Die Fotomaske 12 wird sodann über einer öffnung 28 angeordnet (als gestricheltes Rechteck dargestellt), und zwar derart, daß sie mittels eines verstellbaren Tisches 30 in X- y-Koordinaten ausgerichtet werden kann. Die Fotomaske 12 kann somit in zwei senkrecht zueinander verlaufenden Richtungen bewegt werden, wie dies durch die Doppelpfeile 32 und 34 angedeutet ist. Hierzu dienen bekannte Kontrollknöpfe 36 bzw. 38. Die Fotoresistschicht 24 wird direkt auf die öffnung 28 im Tisch 30 gelegt, so daß von unten durch den Koordinatentisch 30 nach oben projiziertes Licht direkt auf die Fläche der Fotoresistschicht 24 fokussiert werden kann. Wenn der Defekt in der Fotomaske 12 aus unerwünschtem, undurchsichtigem Material besteht, daß sich in einem Bereich befindet, der an und für sich durchsichtig sein sollte, wie beispielsweise die Defekte 18a oder 18c der Fotomasken 12a bzw. 12c, sollte die Fotoresistschicht 24 positiv sein. Der Grund hierfür wird später erläutert. Andererseits wird ein geeigneter negativer Fotoresistüberzug dann gewählt, wenn der Defekt entweder aus unerwünschten Löchern oder fehlenden Filmteilen in Bereichen besteht, die eigentlich undurchsichtig sein sollten, wie dies beispielsweise für die Defekte 18/) oder 18c/ in den Fotomasken 126 bzw. 12t/ gilt Für die negative Fotoresistschicht kann z. B. ein aus noch zu erläuternden Gründen rot gefärbter Fotoresist Verwendung finden.

Das Projektionssystem 20 ist in der Lage, einen Lichtstrahl bestimmter Form auf dem Fotoresist 24 im Bereich des auszubessernden Defekts zu fokussieren. Zu diesem Zweck wird eine Lichtquelle 40, auf deren Licht die Fotoresistschicht 24 reagiert, vorzugsweise eine Quelle für intensives, nahezu ultraviolettes Licht, wie eine punktförmige, Hochdruck-Quecksilber-Lichtbogenlampe, derart angeordnet, daß ein Lichtstrahl über ein geeignetes Lichtleiterbündel 42, ein Blaufilter 44, einen (Membran-)Lichtverteiler 46, eine Kondensorlinsenanordnung 48, einen Strahlformer, der aus zwei verstellbaren, koplanaren, sich schneidenden, und zwar vorzugsweise senkrecht zueinander verlaufenden Schlitzen 50 und 52 besteht, über Prismen 54 und 56 und über eine in den Richtungen des Doppelpfeiles 59 verstellbaren Linsenanordnung 58 projiziert werden kann. An Stelle der beiden koplanaren Schlitze 50 und 52 kann als Strahlformer in Abhängigkeit von der Form des abzudeckenden Defekts jede in gewünschter Weise geformte öffnung in einem undurchsichtigen Plättchen Verwendung finden.

Beim dargestellten Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 10 besitzt der fadenförmige Lichtleiter 42 einen Durchmesser von ungefähr 63 mm und erstreckt sich Ober einen Raumwinkel von 1,5 Sterad zur Lichtquelle 40 (General Hectric USA H 110A4/T long arc mercury lamp), wodurch die Intensität der Lichtquelle geschwächt and mn- ungefähr 12% der verfügbaren LJchtenergie durch den Lichtverteiler 46 geleitet wird. Das Blattfilter 44 ist ein Schwarzlicht-{ultraviolett)-Absorptionsfüter (Corning 7-59). Die gesamte Licht Schwächung durch das Filter 44 and den Lichtverteiler 46 be trägt ungefähr 83 %. Nur wenig mehr als 2 % der zur Verfügung stehenden Lichtenergie gelangt durch die einstellbaren, koplanaren Schlitze 50 und 52. Der durch den Lichtleiter 42, das Filter 44 und den Lichtverteiler 46 gelangende Lichtstrahl ist zwar hell genug, um das fokussierte Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52, das auf die Fotoresistschicht 24 der Fotomaske 12 projiziert wird, zu erleuchten, jedoch besitzt er hinsichtlich Wellenlänge und Lichtintensität nicht die Eigenschaften, um die Fotoresistschicht 24 unter normalen Bedingungen, d. h. innerhalb annehmbarer Zeit im fototechnischen Sinne zu belichten.

Die Mikroskopiereinrichtung 22 besteht aus einem Okular 60, das mit Markierungen, wie einer Skala 62 versehen ist, und aus einer Reflexionsbeleuchtung. Die Reflexionsbeleuchtung weist eine Lampe 64, ein Grünfilter 66, eine Kondensorlinse 68 und einen Lichtverteiler 70 auf, um einen relativ großen Bereich der oberen Oberfläche 72 der Fotomaske 12 durch das aus mehreren Linsen bestehende Objektiv 74 zu erleuchten. Die Mikroskopiereinrichtung 22 wird benutzt, um den Lichtstrahl zu betrachten, der durch die koplanaren Schlitze 50 und 52 geformt und mit Hilfe der verstellbaren Linsenanordnung 58 auf die Fotoresistschicht 24

*5 fokussiert wird.

Die Fotomaske 12 wird mit Hilfe der durch die Lampe 64 und das Filter 66 grün gefilterten Reflexionsbeleuchtung betrachtet. Nachdem der Defekt in der Fotomaske 12 in der Mitte des mikroskopischen Feldes mit Hilfe des verstellbaren Tisches 30 lokalisiert ist, wird das projizierte Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52 auf die Fotoresistschicht 24 fokussiert. Das Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52 wird mittels Mikrometern 75 und 77 des Strahlformers so justiert, daß ein Lichtrechteck entsteht, das den auszubessernden Defekt vollständig abdeckt. Durch Einstellen des Linsensystems 58 wird das Abbild auf die Fotoresistschicht 24 fokussiert. Da der auszubessernde Bereich der Fotomaske 12 durch grünes Licht vom Grünfilter 66 beleuchtet ist und das projizierte Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52 wegen des Blaufilters 44 blau ist, ist für die Betrachtung ein guter Kontrast garantiert.

Das Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52 wird durch das Mikroskop nur sichtbar, wenn lichtdurchlässige Bereiche der Fotomaske 12 betrachtet werden. Die im Okular 60 angeordnete Skala 62 wird dazu verwandt, um das projizierte (rechteckige) Abbild der Schlitze 50 und 52 über dem auszubessernden Defekt auszurichten, wenn undurchsichtige Bereiche der Foto-

maske 12 betr^rhtet werden, was nachstehend noch erläutert werden wird. Nach Beendigung des Ausrichtvorgangs kann die Belichtung der Fotoresistschicht 24 durchgeführt werden. Die Quecksilberlichtbogenlampe der Lichtquelle 40,

die zum Ausrichten der Schlitze 50 und 52 auf den auszubessernden Defekt benutzt wird, findet auch für die Belichtung der Fotoresistschicht 24 Verwendung. Dazu ist ein Reflektor 74a vorgesehen, der Licht der Lichtquelle 40 zu dieser zurückwirft Außerdem wird der Lichtstrahl der Lichtquelle 40 durch eine Öffnung 78 in einem zylindrischen Verschluß 80 auf eine reflektierende Oberfläche 76 des Lichtverteilers 46 geleitet Der Verschluß 80 besitzt nahe seinem oberen Ende einen ringförmigen, nach außen gerichteten Zahnkranz 82, mit dem ein Stirnrad 84 kämmt, das im Bedarfsfall durch einen Motor 86 in Drehung versetzt werden kann. Somit kann mitteis der Lichtquelle 40 ein Abbild der kopianaren Schlitze 50 und 52 auf die Fotoresist-

schicht 24 projiziert werden, wenn sich der Verschluß 80 in einer Position befindet, in der das Licht die öffnung 78 passieren kann. Wenn die Lichtquelle 40 für den zum Ausrichten erforderlichen Lichtstrahl (Richtstrahl), der dann den Lichtleiter 42 und das Blaufilter 44 passiert, benutzt wird, wird der Verschluß so gedreht, daß von der Lichtquelle kein Licht durch die Öffnung 78 gelangen kann. In diesem Fall befindet sich die öffnung 78 in der gestrichelt dargestellten Position 78a.

Nachdem der Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung 10 erläutert ist, wird nunmehr das erfindungsgemäße Verfahren am Beispiel des Entfernens von undurchsichtigen Flecken bzw. undurchsichtigen Vorsprüngen, beispielsweise Defekten 18a und 18c in den Fotomasken 12a (Fig. 2) bzw. 12c (F ig. 4), in Bereichen, die in der endgültig zu verwendenden Fotomaske transparent sein sollen, erläutert. Die Oberfläche 26, auf der sich das Filmmuster 16 befindet, wird einschließlich dem Filmmuster 16 gleichförmig mit einer positiven Fotoresistschicht 24 überzogen. Mit einer »positiven Fotoresistschicht« ist eine solche gemeint, die nach Belichten und Entwickeln an den Stellen verbleibt, die nicht belichtet wurden. Durch Betätigen des Motors 86 wird der Verschluß 80 so weit gedreht, daß kein Licht von der Lichtquelle 40 durch die öffnung 78 gelangt und somit auch nicht auf die reflektierende Oberfläche 76 des Lichtverteilers 46 auftrifft. Ein der Ausrichtung dienender Lichtstrahl (Richtstrahl) wird nunmehr auf die Fotoresistschicht 24 der Fotomaske 12 gerichtet, nachdem die Fotomaske 12 auf dem Tisch 30 über der öffnung 28 angeordnet wurde. Die koplanaren Schlitze 50 und 52 werden derart aufeinander ausgerichtet (geformt), daß der Richtstrahl, der durch das Linsensystem 58 auf die Fotoresistschicht 24 fokussiert wird, ein rechteckiges Abbild liefert, das groß genug ist, um den zu entfernenden Defekt abzudecken. Der Betrachter justiert nunmehr mittels der Kontrollknöpfe 36 und 38 den Tisch 30 so, daß das projizierte Abbild (rechteckiger Bereich) der koplanaren Schlitze 50 und 52 die Defekte (18a oder 18c) gerade abdeckt. Der das Mikroskop 22 benutzende Betrachter kann beispielsweise den Richtstrahl beobachten und so ausrichten, daß ein projiziertes und fokussiertes Abbild 88a (in F i g. 2 als Rechteck gestrichelt dargestellt) der koplanaren Schlitze 50 und 52 den Defekt 18a der Fotomaske 12a gerade abdeckt. Um den Defekt 18c der Fotomaske 12c zu entfernen, projiziert der fokussierte Richtstrahl gemäß F i g. 4 ein rechteckiges Abbild 88c der koplanaren Schlitze 50 und 52.

Sobald der Ausrichtvorgang beendet ist, werden dl: Eigenschaften des Richtstrahls durch Erhöhen seiner Intensität (und Ändern seiner Wellenlängen) derart verändert, daß er in der Lage ist zu belichtea Dies wird dadurch erreicht, daß der Verschluß 80 mit Hilfe des Motors 86 und der Verzahnung 84 und 82 so weit gedreht wird, daß Licht der Lichtquelle 40 durch die öffnung 78 in den Verschluß 80 gelangt und von der Oberfläche 76 des Lichtverteilers 46 in den vorigen Strahlengang des Richtstrahls reflektiert wird Die Länge des Lichtstrahls zwischen der Lichtquelle 40 und den Kondensorlinsen 48 ist genau gleich der Entfernung zwischen dem Lichtaustrittsende 90 des Lichtleiters 42 und den Kondensorlinsen 48, so daß sowohl der Richtstrahl als auch der Belichtungsstrahl den gleichen Weg zum Fotoresistüberzug 24 der Fotomaske 12 zurücklegen. Der Fotoresistüberzug 24, sofern positiv, wird dem Belichtungsstrahl so lange ausgesetzt, wie es der Art des verwendeten Fotoresists entspricht, und mit einem geeigneten Entwickler behandelt, um den belichteten Bereich zu entfernen. Auf diese Weise wird der Bereich

ίο des Fotoresists entfernt, der dem Abbild 88a oder 88c der Fotomasken 12a bzw. 12c entspricht, wodurch der Defekt 18a bzw. 18c freigelegt wird, während der Rest des Filmmusters 16 abgedeckt bleibt. Die Defekte 18a oder 18c können nunmehr mit Hilfe geeigneter Ätzmittel entfernt werden. Die für die jeweiligen Materialzusammensetzungen der Defekte 18a und 18c geeigneten Ätzmittel sind bekannt. Nachdem der Defekt entfernt ist, wird auch der Rest des Fotoresistüberzuges mit ebenfalls bekannten Lösungen entfernt.

ao Nachfolgend wird das Ausbessern von Löchern, d. h. von Fehlstellen im undurchsichtigen Material des Filmmusters 16, wie sie beispielsweise durch die Defekte 18f> oder 18c/ der Fotomaske 12ö bzw. Md dargestellt sind, beschrieben. Zunächst wird die Oberfläche 26 sowie das auf ihr befindliche Filmmuster 16 mit einer negativen Fotoresistschicht 24 überzogen, die mit einem roten Farbstoff getönt ist, der für ultraviolettes Licht undurchlässig ist. Der Verschluß 80 wird so eingestellt, daß Licht der Lichtquelle 40 ein für das Ausrichten geeignetes Abbild 88c der koplanaren Schlitze 50 und 52 liefert, und zwar über den Lichtleiter 42 und das blaue Filter 44. Das Abbild 88c wird auf die Fotoresistschicht 24 fokussiert. Sodann wird das fokussierte und in seiner Form einstellbare Abbild der koplanaren Schlitze 50 und 52 mittels des Mikroskops 22 (durch einen transparenten Bereich der Fotomaske) betrachtet und seine Lage auf der Fotoresistschicht 24 vermerkt sowie mittels der Skala 62 im Okular 60 geortet. Der Tisch 30 wird sodann so eingestellt, daß der Defekt 18öoder 18g der Fotomaske \2b bzw. \2d innerhalb des Abbilds 88t bzw. 88d liegt (vgl. F i g. 3 und 5), wobei die Skala 62 zur präzisen Ausrichtung verwendet wird.

Nach dem Ausrichtvorgang wird der Verschluß 80 mit Hilfe des Motors 86 so weit gedreht, daß die Lichtquelle 40 ihr Licht durch die öffnung 78 direkt auf die Oberfläche 76 des Lichtverteilers 46 senden kann. Der Lichtstrahl nimmt von da ab denselben Verlauf wie der zuvor verwendete Richtstrahl, wodurch die Fotoresistschicht 24 belichtet wird. Die negative Fotoresist-

M^schicht 24 wird nach genügend langer Belichtungszeit mit einem geeigneten Entwickler behandelt, so daß mit Ausnahme der belichteten Teile die gesamte Fotoresistschicht 24 entfernt werden kann. Der verbleibende, rotgefärbte, entwickelte, negative Fotoresist 24 ist füT Licht in der Nähe des ultravioletten Bereichs, wie es bei Gebrauch der Fotomasken 12b und i2d zur Anwendung kommt, undurchlässig. Eine erfindungsgemäß ausgebesserte Fotomaske 12 kann daher ohne weiteres bei Herstellungsverfahren Verwendung finden, bei denen Fotoresiste mit nahezu ultraviolettem Licht belichtet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

509 619/25

Claims (15)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Ausbessern einer defekten Fotomaske, die ein undurchsichtiges Filramuster auf S einer Oberfläche eines transparenten Substrats aufweist, und deren Defekte entweder aus überschüssigem oder aus fehlendem, undurchsichtigem Material bestehen, wobei ein hinsichtlich seines Lösungsvermögens unter Lichteinfluß veränderbarer Foto- resist verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Filmmuster (16) mit einer Fotoresistschicht (24) überzogen wird, daß dann zunächst ein Lichtstrahl, der nicht in der Lage ist, die Fotoresistschicht (24) zu belichten, auf das Substrat (12) gerichtet wird, daß sodann die Schicht (24) durch das Substrat (12) betrachtet wird, wobei das Anftreffen des Richtstrahls auf die Schicht (24) beobachtet werden kann, daß danach der Richtstrahl fokussiert und in seinen Umrissen angepaßt ao sowie das Substrat (14) und der Richtstrahl so aufeinander ausgerichtet werden, daß der defekte Bereich (18) durch den fokussierten und in der gewünschten Weise begrenzten Richtstrahl abgedeckt wird, und daß schließlich die Eigenschaften des Lichtstrahls so geändert werden, daß damit eine Belichtung der Fotoresistschicht (24) möglich ist

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Falle des Bestehens der Defekte bus undurchsichtigem Material (18a oder 18c) eine positive Fotoresistschicht (24) verwendet wird, so daß die Fotoresistschicht (24) durch Entwickeln selektiv in den vom Lichtstrahl getroffenen Bereichen (88a. 88c) entfernt werden kann, um nachfolgend den Defekt beispielsweise in an sich bekannter Weise durch Ätzen zu beseitigen.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Falle des Bestehens der Defekte aus fehlendem undurchsichtigem Material (186 oder 18c/) eine undurchsichtige, negative Fotoresistschicht verwendet wird, die nach Belichten und Entwickeln in den vom Lichtstrahl getroffenen Bereichen (88ft, SSd) verbleibt und dort die fehlenden Bereiche der Maske ersetzt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß die negative Fotoresistschicht (24) für Licht nahe dem ultravioletten Bereich undurchlässig ist.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Belichten des Fotoresists Intensität und Wellenlänge des Richtstrahls geändert werden.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von ultraviolettem Licht zum Belichten des Fotoresists (24) das von einer Lichtquelle (40) ausgesandte, sowohl Wellenlängen aus dem ultravioletten Bereich als auch aus anderen Bereichen aufweisende Licht durch einen Ultraviolettfilter (44) und einen Lichtleiter (42) geführt wird, um dem Strahl Belichtungseigenschaften zu nehmen.

7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abstimmen der Strahlumrisse auf die Defektformen eine oder mehrere einstellbare Durchtrittsöffnungen, z. B. im Winkel zueinander verlaufende Schlitze (50,52) verwendet werden.

8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis, 7, dadurch gekennzeichnet, daß zum Beleuchten der Rückseite des Filmmusters (16) durch das Substrat Licht ariderer Wellenlänge benutzt wird, und daß sowohl die Rückseite des TiImmusters als auch das Richtstrahlabbild auf der Fotoresistschicht (24) vco der Seite des transparenten Substrats her durch ein Mikroskop betrachtet werden.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet daß das mittels des Richtstrahls erzeugte, fokussierte Abbild (88) mittels einer im Okular (60) des Mikroskops angeordneten Skala (62) als Bezugspunkt zum Ausrichten der Maske verwendet wird, so daß das Abbild (88) den Defekt (18) abdeckt

10. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens gemäß einem odsr mehreren der Ansprüche 1 bis 9, mit einem von einer Lichtquelle ausgesandten Lichtstrahl zum Belichten der Fotoresistschicht, gekennzeichnet durch optische Hilfsmittel (76 bis 86), die eine Änderung des Lichtstrahls von dem die Fotoresistschicht (24) belichtenden Zustand in einen die Fotoresistschicht (24) nicht beeinflussenden Zustand ermöglichen und eine Betrachtung mit dem Auge zulassen, sowie durch eine verstellbare Lichtdurchtrittsöffnung, eine Linsenanordnung (58), mit deren Hilfe der Lichtstrahl an einer gewünschten Stelle fokussiert und in gewünschter Weise begrenzt werden kann, durch einen verstellbaren Tisch (30), der das Substrat (12) aufnimmt und in eine Position bringt, in der das Filmmuster (16) sich im Brennpunkt des Strahls befindet und durch das transparente Substrat (12) betrachtet werden kann, so daß der Defekt (18) in den Bereich des fokussierten Abbilds gelangt

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung einer Lichtquelle für ultraviolettes Licht während des Ausrichtvorgangs ein Ultraviolett-Absorptionsfilter (44) und ein diesem Filter vorgeschalteter Lichtleiter (42) vom Lichtstrahl passiert werden.

12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtleiter (42) aus einem optischen Faserbündel besieht.

13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekenni.eichnet, daO die einstellbare Lichtdurchtrittsöffnung aus zwei senkrecht zueinander verlaufenden Schlitzen (50 52) besteht.

14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 13, gekennzeichnet durch ein die Betrachtung des Filmmusters (16) ermöglichendes Okular (60) mit einer Skala (62) sowie eine diesem zugeordnete Lichtquelle (64), die Licht mit vom Richtstrahl unterschiedlichen Wellenlängen über Filter, Linsen und optische Umlenkeinrichtungen (66 bis 70) durch das Substrat (12) auf das Filmmuster (16) projiziert.

15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 14, gekennzeichnet durch Verschluß- und Reflexionseinrichtungen, mit deren Hilfe Intensität und Wellenlängen des Richtstrahls geändert werden können.