CN113671790B - 掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括：对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率；根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器；通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除；通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案，不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
Description
技术领域
本发明涉及芯片生产技术领域，具体涉及一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质。
背景技术
光刻掩模版(也称作“掩模版”、“光掩模版”、“光罩”，英文名称为M a s k或Photomask，以下统一用“掩模版”叙述)是含有电子线路显微图像的精密镀膜玻璃基板，是信息技术产业中电子产品制造过程中的核心部件，其作用是将设计者的电路图形通过光刻的方式转移到下游产品所用的玻璃基板或半导体晶圆上，然后进行后续制程，直至封装、测试合格后成为最终产品。掩模版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩模版上的任何缺陷都会对最终图形精度都会有较大影响，并直接影响最终制品的优品率。
掩模版的结构主要由玻璃基板和玻璃基板表面的图形化的铬金属膜组成，铬膜厚度约为150nm。其生产流程可简要描述如下：在玻璃基板(Blanks)上依次沉积铬膜、涂布光阻材料，利用激光直写光刻设备描绘出所需的各种设计图形，通过显影制程，去除掉基板上不需要的光阻材料，再通过蚀刻制程，去除掉不被光阻覆盖的铬膜，再通过脱膜液去除残留下来的光阻，最后在基板上形成所设计图形效果，其图形就包含了透光部分和不透光的部分。在TFT或半导体用光掩模版制作流程中，还需要在光掩模版表面密着用来防尘的光学保护膜(Pellicle)。
在掩模版的生产制造过程中有一定概率会存在一个或多个产品缺陷，而产品缺陷大致被分为三类：黑缺陷、白缺陷、基板缺陷。黑缺陷形成的主要原因是在曝光前或显影前有灰尘或异物落到光阻层上，阻挡了本该被曝光的区域未被曝光或本该被显影的区域未被显影，从而使的本该被刻蚀的区域未被刻蚀，脱膜后便形成为黑缺陷。
当掩模版产生缺陷后，需对这些缺陷进行修复，常用的黑缺陷修复方法是：使用毫秒脉冲激光器或纳秒激光器形成的聚焦激光束对黑缺陷进行去除。当激光器发出的脉冲相干光经过一组光学聚焦系统汇聚在形成黑缺陷的金属层上时，金属层因吸收激光束所带能量瞬速升温熔化并被蒸发，从而实现了黑缺陷的“去除”。
但实际在这个过程中并不只是存在金属层被激光蒸发的物理反应，还存在被蒸发的金属受激光加热再次沉积的化学反应。同时原黑缺陷区域的玻璃基板表面也会因聚光激光束影响而受到损伤。不论是金属的再沉积还是玻璃表面的损伤都会降低这区域的光学透过率和产生光学相位差，这就掩模版行业所说的“激光印痕”。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质。
第一方面，本申请实施例提供了一种掩模版缺陷无痕去除方法，，该方法至少包括以下步骤：
1)对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到所述掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
2)根据各所述缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
3)根据所述第一脉冲频率选用去除需要的激光器，所述去除需要的激光器上第二脉冲频率为所述第一脉冲频率的1-1.5倍；
4)通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
5)通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
6)对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T1和空白区面积B的透光率T2，其中，面积A等于面积B；
当T1＜T2时，则重复步骤1)到步骤5)，当T1＝T2时，结束整体过程。
进一步，所述根据各所述缺陷的所述尺寸信息确定第一脉冲频率，包括：
计算所述缺陷的尺寸面积C；
当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节所述纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节所述纳秒脉冲信号源发射出低频激光；
当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，选取第一脉冲频率为皮秒脉冲信号源，同时调节所述皮秒脉冲信号源发射出高频激光。
进一步，所述通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除，包括：
根据各所述缺陷的尺寸信息确定感光胶量；
根据感光胶量设定所述去除需要的激光器的工作时间，利用设定好时间的去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除。
进一步，所述通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，包括：
确定已去除感光胶的缺陷是否为规则图形；
当已去除感光胶的缺陷为不规则图形时，通过控制已经稀释1/3的刻蚀液按照预设的流速对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀；
当已去除感光胶的缺陷为规则图形时，通过高压等离子按照预设轨迹对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀。
进一步，所述通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液之后，该方法还包括：清洗设备。
进一步，所述对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测之前，该方法还包括：
对所述掩模版进行曝光和显影。
第二方面，本申请实施例提供了一种掩模版缺陷无痕去除装置，该装置包括：
检测单元，用于对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到所述掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
确定单元，用于根据各所述缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
选用单元，用于根据所述第一脉冲频率选用去除需要的激光器，所述去除需要的激光器上第二脉冲频率为所述第一脉冲频率的1-1.5倍；
去除单元，用于通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
刻蚀单元，用于通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
对比单元，用于对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T1和空白区面积B的透光率T2，其中，面积A等于面积B；
当T1＜T2时，则重复步骤1)到步骤5)，当T1＝T2时，结束整体过程。
进一步，所述确定单元包括：
计算单元，用于计算所述缺陷的尺寸面积C；
判断单元，用于当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节所述纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节所述纳秒脉冲信号源发射出低频激光；
当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，选取第一脉冲频率为皮秒脉冲信号源，同时调节所述皮秒脉冲信号源发射出高频激光。
第三方面，本申请实施例提供了一种计算机设备包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时实现如本申请实施例描述的方法。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序用于：
计算机程序被处理器执行时实现如本申请实施例描述的方法。
本发明的有益效果包括：
本申请通过缺陷尺寸确定第一脉冲频率，然后再根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器，此时调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，然后用去除需要的激光器射出的激光聚焦在非金属材料的感光胶层，由于第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，所以射出的激光只对感光胶进行去除作用，并不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的掩模版缺陷无痕去除方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的又一掩模版缺陷无痕去除方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的一个掩模版缺陷无痕去除装置300的示例性结构框图；
图4为本发明实施例提供的又一个掩模版缺陷无痕去除装置400的示例性结构框图；
图5示出了适于用来实现本申请实施例的计算机系统的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1，图1示出了本申请实施例提供的一种掩模版缺陷无痕去除方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤110：对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
步骤120：根据各缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
步骤130：根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器，去除需要的激光器上第二脉冲频率为第一脉冲频率的1-1.5倍；
步骤140：通过去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
步骤150：通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
步骤160：对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T1和空白区面积B的透光率T2，其中，面积A等于面积B；
当T1＜T2时，则重复步骤1)到步骤5)，当T1＝T2时，结束整体过程。
本申请实施例中，应用于掩模版缺陷无痕去除，在经过一些列的处理后，使得掩模版上的缺陷去除且没有痕迹。现有技术中，当掩模版产生缺陷后，需对这些缺陷进行修复，常用的黑缺陷修复方法是：使用毫秒脉冲激光器或纳秒激光器形成的聚焦激光束对黑缺陷进行去除。当激光器发出的脉冲相干光经过一组光学聚焦系统汇聚在形成黑缺陷的金属层上时，金属层因吸收激光束所带能量瞬速升温熔化并被蒸发，从而实现了黑缺陷的“去除”。但实际在这个过程中并不只是存在金属层被激光蒸发的物理反应，还存在被蒸发的金属受激光加热再次沉积的化学反应。同时原黑缺陷区域的玻璃基板表面也会因聚光激光束影响而受到损伤。不论是金属的再沉积还是玻璃表面的损伤都会降低这区域的光学透过率和产生光学相位差，这就掩模版行业所说的“激光印痕”。
为了克服现有技术中产生的极光印痕，本申请实施例提供了一种掩模版缺陷无痕去除方法，该方法通过缺陷尺寸确定第一脉冲频率，然后再根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器，此时调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，然后用去除需要的激光器射出的激光聚焦在非金属材料的感光胶层，由于第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，所以射出的激光只对感光胶进行去除作用，并不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
为了更好的确定第一脉冲频率，避免第一脉冲频率与实际偏差过大，请参考图2，图2示出了本申请又一实施例提供的掩模版缺陷无痕去除方法的流程示意图。
如图2所示，该方法包括：
步骤210：计算缺陷的尺寸面积C；
步骤220：当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节纳秒脉冲信号源发射出低频激光；
当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，选取第一脉冲频率为皮秒脉冲信号源，同时调节皮秒脉冲信号源发射出高频激光。
本申请实施例中，缺陷的尺寸面积C和预设参考尺寸面积D的面积单位相同，当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，调节纳秒脉冲信号源射出高频激光，此时，纳秒脉冲信号源射出的高频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节纳秒脉冲信号源射出低频激光，此时，纳秒脉冲信号源射出的低频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，调节皮秒脉冲信号源射出高频激光，此时，皮秒脉冲信号源射出的高频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；
上述根据缺陷的尺寸面积C和预设参考尺寸面积D之比来选择第一脉冲频率，然后利用第一脉冲频率选用去除需要的激光器，此时调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，然后用去除需要的激光器射出的激光聚焦在非金属材料的感光胶层，由于第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，所以射出的激光只对感光胶进行去除作用，并不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用。
在一些实施例中，通过去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除，包括：根据各缺陷的尺寸信息确定感光胶量；根据感光胶量设定去除需要的激光器的工作时间，利用设定好时间的去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除。通过设定激光器的工作时间，从而可以有效避免激光器工作时间过长或者不足而引起的失误，进而可以有效确保激光器清除完缺陷表面上的感光胶。
在一些实施例中，通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，包括：确定已去除感光胶的缺陷是否为规则图形；当已去除感光胶的缺陷为不规则图形时，通过控制已经稀释1/3的刻蚀液按照预设的流速对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀；当已去除感光胶的缺陷为规则图形时，通过高压等离子按照预设轨迹对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀。
本实施例中，通过区分已去除感光胶的缺陷是否为规则图形，从而可以更好的进行定点化学刻蚀，在已去除感光胶的缺陷为不规则图形时，此时，利用刻蚀液进行刻蚀，然后控制刻蚀液的流速，确保刻蚀液有效的落入到缺陷上，避免刻蚀液大量落到缺陷上，若是通过激光对不规则图形进行刻蚀，就需要设计复杂的激光路线，从而不可避免的影响了整体工作的效率，在当已去除感光胶的缺陷为规则图形时，由于规则图形本身的激光路线方便设计，此时，利用高压等离子按照预设轨迹对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀即可。
在一些实施例中，通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液之后，该方法还包括：清洗设备。。
在一些实施例中，对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测之前，该方法还包括：对掩模版进行曝光和显影。
应当注意，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明方法的操作，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些操作，或是必须执行全部所示的操作才能实现期望的结果。附加地或备选地，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，和/或将一个步骤分解为多个步骤执行。
进一步地，参考图3，图3示出了根据本申请一个实施例的掩模版缺陷无痕去除装置300，该装置应用于掩模版的缺陷去除，包括：
检测单元310，用于对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
确定单元320，用于根据各缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
选用单元330，用于根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器，去除需要的激光器上第二脉冲频率为第一脉冲频率的1-1.5倍；
去除单元340，用于通过去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
刻蚀单元350，用于通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
对比单元360，用于对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T1和空白区面积B的透光率T2，其中，面积A等于面积B；
当T1＜T2时，则重复步骤1)到步骤5)，当T1＝T2时，结束整体过程。
本申请实施例中，应用于掩模版缺陷无痕去除，在经过一些列的处理后，使得掩模版上的缺陷去除且没有痕迹。现有技术中，当掩模版产生缺陷后，需对这些缺陷进行修复，常用的黑缺陷修复方法是：使用毫秒脉冲激光器或纳秒激光器形成的聚焦激光束对黑缺陷进行去除。当激光器发出的脉冲相干光经过一组光学聚焦系统汇聚在形成黑缺陷的金属层上时，金属层因吸收激光束所带能量瞬速升温熔化并被蒸发，从而实现了黑缺陷的“去除”。但实际在这个过程中并不只是存在金属层被激光蒸发的物理反应，还存在被蒸发的金属受激光加热再次沉积的化学反应。同时原黑缺陷区域的玻璃基板表面也会因聚光激光束影响而受到损伤。不论是金属的再沉积还是玻璃表面的损伤都会降低这区域的光学透过率和产生光学相位差，这就掩模版行业所说的“激光印痕”。
为了克服现有技术中产生的极光印痕，本申请实施例提供了一种掩模版缺陷无痕去除装置，该装置通过缺陷尺寸确定第一脉冲频率，然后再根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器，此时调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，然后用去除需要的激光器射出的激光聚焦在非金属材料的感光胶层，由于第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，所以射出的激光只对感光胶进行去除作用，并不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
为了更好的确定第一脉冲频率，避免第一脉冲频率与实际偏差过大，请参考图4，图4示出了本申请又一实施例提供的掩模版缺陷无痕去除装置400的示例性结构框图。
如图4所示，该装置包括：
计算单元410，用于计算缺陷的尺寸面积C；
判断单元420，用于当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节纳秒脉冲信号源发射出低频激光；
当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，选取第一脉冲频率为皮秒脉冲信号源，同时调节皮秒脉冲信号源发射出高频激光。
本申请实施例中，缺陷的尺寸面积C和预设参考尺寸面积D的面积单位相同，当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，调节纳秒脉冲信号源射出高频激光，此时，纳秒脉冲信号源射出的高频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节纳秒脉冲信号源射出低频激光，此时，纳秒脉冲信号源射出的低频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；当缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，调节皮秒脉冲信号源射出高频激光，此时，皮秒脉冲信号源射出的高频激光与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；
上述根据缺陷的尺寸面积C和预设参考尺寸面积D之比来选择第一脉冲频率，然后利用第一脉冲频率选用去除需要的激光器，此时调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，然后用去除需要的激光器射出的激光聚焦在非金属材料的感光胶层，由于第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配，所以射出的激光只对感光胶进行去除作用，并不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用。
应当理解，装置300-400中记载的诸单元或模块与参考图1-2描述的方法中的各个步骤相对应。由此，上文针对方法描述的操作和特征同样适用于装置300-400及其中包含的单元，在此不再赘述。装置300-400可以预先实现在电子设备的浏览器或其他安全应用中，也可以通过下载等方式而加载到电子设备的浏览器或其安全应用中。装置300-400中的相应单元可以与电子设备中的单元相互配合以实现本申请实施例的方案。
下面参考图5，其示出了适于用来实现本申请实施例的终端设备或服务器的计算机系统500的结构示意图。
如图5所示，计算机系统500包括中央处理单元(CPU)501，其可以根据存储在只读存储器(ROM)502中的程序或者从存储部分508加载到随机访问存储器(RAM)503中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 503中，还存储有系统500操作所需的各种程序和数据。CPU 501、ROM 502以及RAM 503通过总线504彼此相连。输入/输出(I/O)接口505也连接至总线504。
以下部件连接至I/O接口505：包括键盘、鼠标等的输入部分506；包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出部分507；包括硬盘等的存储部分508；以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分509。通信部分509经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器510也根据需要连接至I/O接口505。可拆卸介质511，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器510上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分508。
特别地，根据本公开的实施例，上文参考图1-2描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括有形地包含在机器可读介质上的计算机程序，计算机程序包含用于执行图1-2的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分509从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质511被安装。
附图中的流程图和框图，图示了按照本发明各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，前述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本申请实施例中所涉及到的单元或模块可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现。所描述的单元或模块也可以设置在处理器中，例如，可以描述为：一种处理器包括第一子区域生成单元、第二子区域生成单元以及显示区域生成单元。其中，这些单元或模块的名称在某种情况下并不构成对该单元或模块本身的限定，例如，显示区域生成单元还可以被描述为“用于根据第一子区域和第二子区域生成文本的显示区域的单元”。
作为另一方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是上述实施例中前述装置中所包含的计算机可读存储介质；也可以是单独存在，未装配入设备中的计算机可读存储介质。计算机可读存储介质存储有一个或者一个以上程序，前述程序被一个或者一个以上的处理器用来执行描述于本申请的应用于透明窗口信封的文本生成方法。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离前述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (6)
1.一种掩模版缺陷无痕去除方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
1)对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到所述掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
2)根据各所述缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
3)根据所述第一脉冲频率选用去除需要的激光器，所述去除需要的激光器上第二脉冲频率为所述第一脉冲频率的1-1.5倍；同时，调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；
4)通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
5)通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
6)对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T 1 和空白区面积B的透光率T 2 ，其中，面积A等于面积B；
当T 1 ＜T 2 时，则重复步骤1)到步骤5)，当T 1 ＝T 2 时，结束整体过程；
所述根据各所述缺陷的所述尺寸信息确定第一脉冲频率，包括：计算所述缺陷的尺寸面积C；当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节所述纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节所述纳秒脉冲信号源发射出低频激光；当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于1时，选取第一脉冲频率为皮秒脉冲信号源，同时调节所述皮秒脉冲信号源发射出高频激光；
所述通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除，包括：根据各所述缺陷的尺寸信息确定感光胶量；根据感光胶量设定所述去除需要的激光器的工作时间，利用设定好时间的去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
所述通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，包括：
确定已去除感光胶的缺陷是否为规则图形；
当已去除感光胶的缺陷为不规则图形时，通过控制已经稀释1/3的刻蚀液按照预设的流速对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀；
当已去除感光胶的缺陷为规则图形时，通过高压等离子按照预设轨迹对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀。
2.根据权利要求1所述的掩模版缺陷无痕去除方法，其特征在于，所述通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液之后，该方法还包括：清洗设备。
3.根据权利要求1所述的掩模版缺陷无痕去除方法，其特征在于，所述对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测之前，该方法还包括：
对所述掩模版进行曝光和显影。
4.一种掩模版缺陷无痕去除装置，其特征在于，该装置包括：
检测单元，用于对刻蚀后但未退去保护层感光胶的掩模版进行缺陷检测，得到所述掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；
确定单元，用于根据各所述缺陷的位置信息和尺寸信息确定第一脉冲频率，当尺寸信息大于100um时，选择第一脉冲频率射出的能量为预设能量的5％-10％；
选用单元，用于根据所述第一脉冲频率选用去除需要的激光器，所述去除需要的激光器上第二脉冲频率为所述第一脉冲频率的1-1.5倍；同时，调节去除需要的激光器上的第二脉冲频率，以使得第二脉冲频率射出的能量与去除非金属材料的感光胶层所需要的能量相匹配；
去除单元，用于通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
刻蚀单元，用于通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，并回收反应液；
对比单元，用于对比已去除感光胶的缺陷的尺寸面积A的透光率T 1 和空白区面积B的透光率T 2 ，其中，面积A等于面积B；
当T 1 ＜T 2 时，则重复步骤1)到步骤5)，当T 1 ＝T 2 时，结束整体过程；
所述确定单元包括：计算单元，用于计算所述缺陷的尺寸面积C；判断单元，用于当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比大于0.5小于1时，选取第一脉冲频率为纳秒脉冲信号源，同时调节所述纳秒脉冲信号源发射出高频激光，当所述缺陷的尺寸面积C与预设参考尺寸面积D之比小于0.5时，调节所述纳秒脉冲信号源发射出低频激光；
所述通过所述去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除，包括：根据各所述缺陷的尺寸信息确定感光胶量；根据感光胶量设定所述去除需要的激光器的工作时间，利用设定好时间的去除需要的激光器对缺陷表面已经被显影固化的感光胶进行定点物理蒸发去除；
所述通过已经稀释1/3的刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀，包括：确定已去除感光胶的缺陷是否为规则图形；当已去除感光胶的缺陷为不规则图形时，通过控制已经稀释1/3的刻蚀液按照预设的流速对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀；当已去除感光胶的缺陷为规则图形时，通过高压等离子按照预设轨迹对已去除感光胶的缺陷进行定点化学刻蚀。
5.一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1-3中任一所述的方法。
6.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序用于：
所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-3中任一所述的方法。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| EP0165685A2 (en) * | 1984-06-20 | 1985-12-27 | Gould Inc. | Laser-based system for the total repair of photomasks |
| US6582857B1 (en) * | 2000-03-16 | 2003-06-24 | International Business Machines Corporation | Repair of masks to promote adhesion of patches |
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