JPH0732109B2 - 光露光方法 - Google Patents
光露光方法Info
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- JPH0732109B2 JPH0732109B2 JP58187025A JP18702583A JPH0732109B2 JP H0732109 B2 JPH0732109 B2 JP H0732109B2 JP 58187025 A JP58187025 A JP 58187025A JP 18702583 A JP18702583 A JP 18702583A JP H0732109 B2 JPH0732109 B2 JP H0732109B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光露光方法、特に原画パターンを投影レンズを
介して被露光体に投影し、かつ被露光体に形成されてい
る位置合わせ用マークを投影レンズを介して検出する光
露光方法に関する。
介して被露光体に投影し、かつ被露光体に形成されてい
る位置合わせ用マークを投影レンズを介して検出する光
露光方法に関する。
原画パターンを投影レンズを介して被露光体に投影して
転写する光露光装置においては、複数個の原画パターン
を被露光体に順次投影して転写するという重ね合わせ露
光がひんぱんに行われる。このような重ね合わせ露光に
おいてはその重ね合わせ精度は厳格であることから、各
原画パターン間の位置ずれを補正することが必須であ
る。
転写する光露光装置においては、複数個の原画パターン
を被露光体に順次投影して転写するという重ね合わせ露
光がひんぱんに行われる。このような重ね合わせ露光に
おいてはその重ね合わせ精度は厳格であることから、各
原画パターン間の位置ずれを補正することが必須であ
る。
この位置補正のためには被露光体に位置合わせ用のマー
クを形成し、このマークを投影レンズを介して検出する
技術が多く用いられる。この技術においては、マークは
電気信号波形として検出され、したがってマークの位置
はその電気信号波形から決定される。
クを形成し、このマークを投影レンズを介して検出する
技術が多く用いられる。この技術においては、マークは
電気信号波形として検出され、したがってマークの位置
はその電気信号波形から決定される。
しかし、本発明者の実験研究によれば、実際に検出され
る電気信号波形はマークの真の電気信号波形から大きく
ずれ、このためマークの正確な位置を決定することが極
めて困難であり、これが重ね合わせ精度の低下をもたら
すことがわかった。その原因を更に究明した結果、露光
の解像力を向上させるべく投影レンズとしては単色光専
用レンズが用いられ、したがってまたそのレンズに適す
る単色光がマーク検出用の光として用いられることか
ら、この単色光が被露光体表面に形成されている光の波
長程度の薄いレジスト膜の厚さ分布により干渉を起こ
し、これがマークの電気信号波形を大きく乱しているこ
とがわかった。
る電気信号波形はマークの真の電気信号波形から大きく
ずれ、このためマークの正確な位置を決定することが極
めて困難であり、これが重ね合わせ精度の低下をもたら
すことがわかった。その原因を更に究明した結果、露光
の解像力を向上させるべく投影レンズとしては単色光専
用レンズが用いられ、したがってまたそのレンズに適す
る単色光がマーク検出用の光として用いられることか
ら、この単色光が被露光体表面に形成されている光の波
長程度の薄いレジスト膜の厚さ分布により干渉を起こ
し、これがマークの電気信号波形を大きく乱しているこ
とがわかった。
本発明の目的は高い重ね合わせ精度が得られる光露光方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、原画パターン
を単色光専用の縮小投影レンズを介して被露光体に投影
し、単色光専用の縮小投影レンズを介して被露光体に設
けられた位置合わせマークを検出器により検出して位置
合わせマークの位置を求め、原画パターンと被露光体の
相対的位置を合わせる光露光方法において、第１の波長
の光及び第２の波長の光を含んだ合成光で位置合わせマ
ークを照射し、初めに、第１の波長による位置合わせマ
ークの像が縮小投影レンズにより検出器に結像するよう
に被露光体を上下し、合成光による位置合わせマークの
像から第１の波長以外の光によるゴースト像を第１のバ
ンドパスフィルタにより除去し、このゴースト像が除去
された第１の波長による像の信号を制御用計算機に取り
込み、その後、第２の波長による位置合わせマークの像
が縮小投影レンズにより検出器に結像するように被露光
体を上下し、合成光による位置合わせマークの像から第
２の波長以外の光によるゴースト像を第２のバンドパス
フィルタにより除去し、このゴースト像が除去された第
２の波長の像による信号を制御用計算機に取り込み、制
御用計算機に取り込まれた第１の波長による位置合わせ
マークの像の信号、及び、制御用計算機に取り込まれた
第２の波長による位置合わせマークの像の信号を合成し
た信号を発生し、合成信号に基づいて位置合わせマーク
の位置を検出し、原画パターンと被露光体の相対的位置
を合わせるように構成した。
を単色光専用の縮小投影レンズを介して被露光体に投影
し、単色光専用の縮小投影レンズを介して被露光体に設
けられた位置合わせマークを検出器により検出して位置
合わせマークの位置を求め、原画パターンと被露光体の
相対的位置を合わせる光露光方法において、第１の波長
の光及び第２の波長の光を含んだ合成光で位置合わせマ
ークを照射し、初めに、第１の波長による位置合わせマ
ークの像が縮小投影レンズにより検出器に結像するよう
に被露光体を上下し、合成光による位置合わせマークの
像から第１の波長以外の光によるゴースト像を第１のバ
ンドパスフィルタにより除去し、このゴースト像が除去
された第１の波長による像の信号を制御用計算機に取り
込み、その後、第２の波長による位置合わせマークの像
が縮小投影レンズにより検出器に結像するように被露光
体を上下し、合成光による位置合わせマークの像から第
２の波長以外の光によるゴースト像を第２のバンドパス
フィルタにより除去し、このゴースト像が除去された第
２の波長の像による信号を制御用計算機に取り込み、制
御用計算機に取り込まれた第１の波長による位置合わせ
マークの像の信号、及び、制御用計算機に取り込まれた
第２の波長による位置合わせマークの像の信号を合成し
た信号を発生し、合成信号に基づいて位置合わせマーク
の位置を検出し、原画パターンと被露光体の相対的位置
を合わせるように構成した。
上記の構成によれば、第１の波長による位置合わせマー
クの像が検出器に結像するように被露光体を移動し、そ
の後、第２の波長による位置合わせマークの像が検出器
に結像するように被露光体を移動しているので、第１の
波長による位置合わせマークの像及び第２の波長による
位置合わせマークの像の両方の電気信号波形により、原
画パターンと被露光体の相対的位置合わせをおこなうこ
とができる。そのため、例えば、第１の波長が被露光体
のレジストにより干渉を起こしたとしても、第２の波長
による位置合わせマークの像の電気信号波形により位置
合わせマークの位置を検出することができる。また、異
なる波長の位置合わせマークの像による信号を別々に制
御用計算機に取り込んでいるので、それぞれの信号を別
々に制御して位置合わせマークの位置を検出することが
でき、例えば、それぞれの波長の特性に応じた制御が可
能となり、より、細かな原画パターンと被露光体の相対
的位置合わせが可能となる。
クの像が検出器に結像するように被露光体を移動し、そ
の後、第２の波長による位置合わせマークの像が検出器
に結像するように被露光体を移動しているので、第１の
波長による位置合わせマークの像及び第２の波長による
位置合わせマークの像の両方の電気信号波形により、原
画パターンと被露光体の相対的位置合わせをおこなうこ
とができる。そのため、例えば、第１の波長が被露光体
のレジストにより干渉を起こしたとしても、第２の波長
による位置合わせマークの像の電気信号波形により位置
合わせマークの位置を検出することができる。また、異
なる波長の位置合わせマークの像による信号を別々に制
御用計算機に取り込んでいるので、それぞれの信号を別
々に制御して位置合わせマークの位置を検出することが
でき、例えば、それぞれの波長の特性に応じた制御が可
能となり、より、細かな原画パターンと被露光体の相対
的位置合わせが可能となる。
また、第１の波長の光及び第２の波長の光を含んだ合成
光で位置合わせマークを照射しており、一方の波長によ
る位置合わせマークの像が検出器に結像するように被露
光体を移動すると、他方の波長による位置合わせマーク
の像は検出器に結像されず、ゴースト像として電気信号
波形に含まれる。上記の構成によれば、ゴースト像をバ
ンドパスフィルタにより除去し、ゴースト像が除去され
た電気信号波形を制御用計算機に取り込んでいるので、
ゴースト像によるコントラストの低下を避けることがで
きる。
光で位置合わせマークを照射しており、一方の波長によ
る位置合わせマークの像が検出器に結像するように被露
光体を移動すると、他方の波長による位置合わせマーク
の像は検出器に結像されず、ゴースト像として電気信号
波形に含まれる。上記の構成によれば、ゴースト像をバ
ンドパスフィルタにより除去し、ゴースト像が除去され
た電気信号波形を制御用計算機に取り込んでいるので、
ゴースト像によるコントラストの低下を避けることがで
きる。
このように、レジスト膜の干渉に起因するマークの電気
信号波形の乱れを補正して、原画パターンと被露光体の
相対的位置合わせの精度を向上させることができる。
信号波形の乱れを補正して、原画パターンと被露光体の
相対的位置合わせの精度を向上させることができる。
第１図は本発明を実施するのに適した光露光装置の概念
図である。同図において、１は被露光体であるウエハ２
が載置され、XY方向にステップアンドリピート駆動され
るステージで、駆動モータ３および４によってXY方向に
駆動され、レーザ測長系５によって位置制御されるよう
になっており、0.05μｍ程度の位置決め精度をもってい
る。６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は投影
レンズとしての縮小レンズで、９は原版載置台10に設置
され、かつ原画パターンが形成されている原版（レチク
ル）である。11および12はパターン検出系であり、11a,
12aは検出系照明系、11b,12bはパターン検出器、11c,12
cはハーフミラー、11d,12dはミラー、11e,12eはコリメ
ータである。
図である。同図において、１は被露光体であるウエハ２
が載置され、XY方向にステップアンドリピート駆動され
るステージで、駆動モータ３および４によってXY方向に
駆動され、レーザ測長系５によって位置制御されるよう
になっており、0.05μｍ程度の位置決め精度をもってい
る。６は露光照明系、７はコンデンサレンズ、８は投影
レンズとしての縮小レンズで、９は原版載置台10に設置
され、かつ原画パターンが形成されている原版（レチク
ル）である。11および12はパターン検出系であり、11a,
12aは検出系照明系、11b,12bはパターン検出器、11c,12
cはハーフミラー、11d,12dはミラー、11e,12eはコリメ
ータである。
投影露光を行うに当っては、XYステージ１上にウエハ２
が載置され、原版載置台10に最初のレチクル９が設置さ
れる。この状態で露光照明系６により発生し、コンデン
サレンズ７を通り集光された光が、レチクル９を通り、
縮小レンズ８を経て、ステージ１のウエハ２上にレチク
ル９のパターンが投影され、転写される。
が載置され、原版載置台10に最初のレチクル９が設置さ
れる。この状態で露光照明系６により発生し、コンデン
サレンズ７を通り集光された光が、レチクル９を通り、
縮小レンズ８を経て、ステージ１のウエハ２上にレチク
ル９のパターンが投影され、転写される。
このようにして、ウエハ２上にレチクル９のパターンが
転写された後、この上に異なるレチクル９のパターンの
転写が行われるが、このウエハ２上に転写されているレ
チクル９のパターン上に次段のレチクル９のパターンを
精度良く重ね合わせて転写可能にするために、検出系照
明系11および12よりの光をそれぞれハーフミラー11c,12
c、ミラー11d,12dを介してレチクル９に設けられた基準
窓穴から縮小レンズ８を通してウエハ２に照射し、ウエ
ハ２上の位置検出用マークとしての検出パターン13X,13
Yの像をレチクル９上に結像させ、この像を拡大したも
のをそれぞれミラー11d,12d、ハーフミラー11c,12cを介
してパターン検出器11b,12bに導き、パターン検出器11
b,12bによって、ウエハ検出パターンの位置のX,Y座標を
求めて、ウエハ２とレチクル９の位置の相対誤差を知
り、この相対誤差をXYステージ１を制御して補正する。
転写された後、この上に異なるレチクル９のパターンの
転写が行われるが、このウエハ２上に転写されているレ
チクル９のパターン上に次段のレチクル９のパターンを
精度良く重ね合わせて転写可能にするために、検出系照
明系11および12よりの光をそれぞれハーフミラー11c,12
c、ミラー11d,12dを介してレチクル９に設けられた基準
窓穴から縮小レンズ８を通してウエハ２に照射し、ウエ
ハ２上の位置検出用マークとしての検出パターン13X,13
Yの像をレチクル９上に結像させ、この像を拡大したも
のをそれぞれミラー11d,12d、ハーフミラー11c,12cを介
してパターン検出器11b,12bに導き、パターン検出器11
b,12bによって、ウエハ検出パターンの位置のX,Y座標を
求めて、ウエハ２とレチクル９の位置の相対誤差を知
り、この相対誤差をXYステージ１を制御して補正する。
第２図は本発明の光露光装置の要部の一実施例の概念図
を示す。ステージ１は±600μｍの範囲内で上下が可能
であり、この範囲内で±0.2μｍの位置決め精度を持っ
ている。縮小レンズ８はｇ線光（4358Å）露光専用レン
ズであり、ｅ線についてはｇ線のフォーカス位置より13
0μｍ下位置にフォーカス面を持つレンズである。つま
り通常では、ｇ線フォーカスのステージ位置において、
ウエハ２の検出パターン13の像はレチクル９の下面側
（クロムパターン側）に結像する。またｇ線フォーカス
のステージレベルより下位置130μｍにおいては、ｅ線
の像がレチクル９下面側に結像する。パターン検出器19
は、レチクル18に結像した検出パターン13の像を光学系
により導きスリット21上に再結像させ、この像をスリッ
トにてスキャンし、スリットの位置に応じた光強度をホ
トマルチプライヤ23にて光電変換する機能を持ってい
る。スリット21の位置計測はリニアエンコーダ22により
行われる。また、水銀灯照明系29はｇ線,e線,d線が混在
した光を放出するので、検出光20中のｇ線光の像を検出
するときには、他の波長光によるゴースト像を除去する
ため、ｇ線バンドパスフィルタ24を光路中に挿入する機
能が付加されている。ｅ線光の像の検出をするときは、
同じようにｅ線バンドパスフィルタ25が光路中に挿入さ
れる機能がついている。このフィルタ挿入機能は、制御
用計算機28よりフィルタ選択モータ26に命令をあたえる
ことで行われる。このフィルタリング機能は、水銀灯照
明系29とオプチカルファイバ30よりなる検出光供給光学
系中に付加しても同等の効果を得ることができる。また
ステージ１の上下動の制御も、制御用計算機28よりステ
ージ駆動モータ51に命令をあたえることにより行われ
る。Ｚステージ１の上下動の位置計測は、位置計測器52
で行われる。ホトマルチプライヤ23により得られた電気
出力は、A/D変換器27によりA/D変換され制御用計算器に
入力される。
を示す。ステージ１は±600μｍの範囲内で上下が可能
であり、この範囲内で±0.2μｍの位置決め精度を持っ
ている。縮小レンズ８はｇ線光（4358Å）露光専用レン
ズであり、ｅ線についてはｇ線のフォーカス位置より13
0μｍ下位置にフォーカス面を持つレンズである。つま
り通常では、ｇ線フォーカスのステージ位置において、
ウエハ２の検出パターン13の像はレチクル９の下面側
（クロムパターン側）に結像する。またｇ線フォーカス
のステージレベルより下位置130μｍにおいては、ｅ線
の像がレチクル９下面側に結像する。パターン検出器19
は、レチクル18に結像した検出パターン13の像を光学系
により導きスリット21上に再結像させ、この像をスリッ
トにてスキャンし、スリットの位置に応じた光強度をホ
トマルチプライヤ23にて光電変換する機能を持ってい
る。スリット21の位置計測はリニアエンコーダ22により
行われる。また、水銀灯照明系29はｇ線,e線,d線が混在
した光を放出するので、検出光20中のｇ線光の像を検出
するときには、他の波長光によるゴースト像を除去する
ため、ｇ線バンドパスフィルタ24を光路中に挿入する機
能が付加されている。ｅ線光の像の検出をするときは、
同じようにｅ線バンドパスフィルタ25が光路中に挿入さ
れる機能がついている。このフィルタ挿入機能は、制御
用計算機28よりフィルタ選択モータ26に命令をあたえる
ことで行われる。このフィルタリング機能は、水銀灯照
明系29とオプチカルファイバ30よりなる検出光供給光学
系中に付加しても同等の効果を得ることができる。また
ステージ１の上下動の制御も、制御用計算機28よりステ
ージ駆動モータ51に命令をあたえることにより行われ
る。Ｚステージ１の上下動の位置計測は、位置計測器52
で行われる。ホトマルチプライヤ23により得られた電気
出力は、A/D変換器27によりA/D変換され制御用計算器に
入力される。
ここで、ステージ１をｇ線フォーカス位置にしてパター
ン検出すると、第３図に示す波形データが得られる。こ
れは、ウエハ２上のパターン段差上をグレーンサイズの
大きな（約１μｍ）アルミニウム蒸着膜でおおい、パタ
ーン近くには、段差の大きなロコス（LOCOS）があり、
レジストの平均膜厚は14000Å、膜厚分布は約±1000Å
と大きな場合のデータである。
ン検出すると、第３図に示す波形データが得られる。こ
れは、ウエハ２上のパターン段差上をグレーンサイズの
大きな（約１μｍ）アルミニウム蒸着膜でおおい、パタ
ーン近くには、段差の大きなロコス（LOCOS）があり、
レジストの平均膜厚は14000Å、膜厚分布は約±1000Å
と大きな場合のデータである。
同様に第４図にステージ位置をｅ線フォーカス位置にお
いて検出した波形データを示す。各々のデータをX
g（Ｉ），Xe（Ｉ）とし、ハイパス処理したものをX
gh（Ｉ），Yeh（Ｉ）とする。ハイパス処理とは波形の
傾きや大きなうねりを除去するための波形整形処理で以
下に示すものである。
いて検出した波形データを示す。各々のデータをX
g（Ｉ），Xe（Ｉ）とし、ハイパス処理したものをX
gh（Ｉ），Yeh（Ｉ）とする。ハイパス処理とは波形の
傾きや大きなうねりを除去するための波形整形処理で以
下に示すものである。
Xgh（Ｉ）＝Xga（Ｉ）−Xgb ただし、 また、 Xeh（Ｉ）＝Xea（Ｉ）−Xeb（Ｉ） ただし、 このようにして得られたハイパス処理波形Xgh（Ｉ），X
eh（Ｉ）により、 なるデータを得ることができる。Ｉは波形の横軸であり
本例においては第２図に示すリニアエンコーダ22により
測定されるスリット21の位置である。本例の場合のＩの
最小分解能は0.04μｍである。
eh（Ｉ）により、 なるデータを得ることができる。Ｉは波形の横軸であり
本例においては第２図に示すリニアエンコーダ22により
測定されるスリット21の位置である。本例の場合のＩの
最小分解能は0.04μｍである。
このような処理の後、検出パターンが可変基準レベルML
と一致する各点をI1〜I4とすると、検出パターンの中心
Iwは という計算式で求められる。
と一致する各点をI1〜I4とすると、検出パターンの中心
Iwは という計算式で求められる。
以上のことをフロー形式で示すと第５図のようになる。
このようにして得られる２つの波形データの平均値の結
果は、１つの単色光データに比べ膜厚依存性が小さい。
その理由を以下に説明する。
果は、１つの単色光データに比べ膜厚依存性が小さい。
その理由を以下に説明する。
ウエハ上のホトレジストのような光の波長程度の薄い透
明膜は光学的薄膜と呼ばれており、第６図に示すよう
に、透明膜表面またはウエハ基板からの反射光および透
明膜中での繰り返し反射による反射光が互いに干渉す
る。このときの反射光強度Ｅは次式で示される。
明膜は光学的薄膜と呼ばれており、第６図に示すよう
に、透明膜表面またはウエハ基板からの反射光および透
明膜中での繰り返し反射による反射光が互いに干渉す
る。このときの反射光強度Ｅは次式で示される。
ただし、 1:入射光強度 n0：空気の屈折率 n:ホトレジストの屈折率 ng：基盤の屈折率 λ：波長 t:ホトレジスト厚さ シリコンウエハ上にホトレジストAZ1350Jを塗布したと
し、空気の屈折率をn0＝1,基板の屈折率をng＝4.86と
し、縦軸はホトレジストのないときのミラーウエハの反
射強度E0＝｛（n0−ng）／（n0＋ng）｝2に対する相対
強度で示し、横軸をホトレジスト膜厚ｔとすると、ｇ線
の相対反射強度は第７図に示すごとく周期関数となり、
１つの単色光をウエハパターンの検出に使用した例とし
て、パターン周辺のレジスト膜厚分布に検出波形が影響
を受けやすいことがわかる。第８図にｅ線の相対反射強
度とホトレジスト膜厚ｔの関係を示す。ｅ線による検出
もｇ線の検出と同様のことがいえることがわかる。
し、空気の屈折率をn0＝1,基板の屈折率をng＝4.86と
し、縦軸はホトレジストのないときのミラーウエハの反
射強度E0＝｛（n0−ng）／（n0＋ng）｝2に対する相対
強度で示し、横軸をホトレジスト膜厚ｔとすると、ｇ線
の相対反射強度は第７図に示すごとく周期関数となり、
１つの単色光をウエハパターンの検出に使用した例とし
て、パターン周辺のレジスト膜厚分布に検出波形が影響
を受けやすいことがわかる。第８図にｅ線の相対反射強
度とホトレジスト膜厚ｔの関係を示す。ｅ線による検出
もｇ線の検出と同様のことがいえることがわかる。
第7,8図中のEg0（ｔ）とEe0（ｔ）の平均値つまり を第９図に示す。相対反射強度は、特定膜厚を除き膜厚
依存性が小さくなっていることがわかる。
依存性が小さくなっていることがわかる。
このように２つの波長による検出データの平均値をとっ
たデータをパターン認識することにより膜厚分布による
干渉の影響を小さくすることができ、その結果として、
干渉にもとづく重ね合わせ精度の低下が防止される。
たデータをパターン認識することにより膜厚分布による
干渉の影響を小さくすることができ、その結果として、
干渉にもとづく重ね合わせ精度の低下が防止される。
本発明は、２つもしくはそれ以上の波長の光による検出
データの加算もしくは平均化を施したデータをパターン
認識に用いるということであり、使用する波長やその数
を限定するものではない。また、本発明者の実験ではｉ
線,h線,g線,e線,d線等において自由に組み合わせた場合
においても同様の効果も確認されている。
データの加算もしくは平均化を施したデータをパターン
認識に用いるということであり、使用する波長やその数
を限定するものではない。また、本発明者の実験ではｉ
線,h線,g線,e線,d線等において自由に組み合わせた場合
においても同様の効果も確認されている。
更に、かならずしも、縮小レンズは、単色光専用レンズ
でなくてもよく、使用されるデータもたとえばｇ−ｈ色
消しレンズの場合であればｇ線とｈ線混在検出光による
検出データとｅ線波長光による検出データの組合わせで
も可能である。
でなくてもよく、使用されるデータもたとえばｇ−ｈ色
消しレンズの場合であればｇ線とｈ線混在検出光による
検出データとｅ線波長光による検出データの組合わせで
も可能である。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、投影
露光において高い重ね合わせ精度が実現される。
露光において高い重ね合わせ精度が実現される。
第１図は本発明を実施するのに適した光露光装置の一実
施例の概念図、第２図は本発明にもとづく光露光装置の
要部の一実施例の概念図、第３図はｇ線光による検出パ
ターンの波形図、第４図はｅ線光による検出パターンの
波形図、第５図は本発明の実施例の検出パターンの波形
処理フローを示す図、第６図は光の干渉を説明するため
の説明図、第７図はｇ線光による干渉効果を示す図、第
８図はｅ線光による干渉効果を示す図、第９図は平均化
による干渉効果軽減を示す図である。 ２…被露光体であるウエハ、８…投影レンズとしての縮
小レンズ、９…レチクル、19,31,32…パターン検出器。
施例の概念図、第２図は本発明にもとづく光露光装置の
要部の一実施例の概念図、第３図はｇ線光による検出パ
ターンの波形図、第４図はｅ線光による検出パターンの
波形図、第５図は本発明の実施例の検出パターンの波形
処理フローを示す図、第６図は光の干渉を説明するため
の説明図、第７図はｇ線光による干渉効果を示す図、第
８図はｅ線光による干渉効果を示す図、第９図は平均化
による干渉効果軽減を示す図である。 ２…被露光体であるウエハ、８…投影レンズとしての縮
小レンズ、９…レチクル、19,31,32…パターン検出器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 国▲吉▼ 伸治 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭53−105376（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−17019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−112019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−54056（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】原画パターンを単色光専用の縮小投影レン
ズを介して被露光体に投影し、前記単色光専用の縮小投
影レンズを介して前記被露光体に設けられた位置合わせ
マークを検出器により検出して前記位置合わせマークの
位置を求め、前記原画パターンと前記被露光体の相対的
位置を合わせる光露光方法において、第１の波長の光及
び第２の波長の光を含んだ合成光で前記位置合わせマー
クを照射し、初めに、前記第１の波長による前記位置合
わせマークの像が前記縮小投影レンズにより前記検出器
に結像するように前記被露光体を上下し、前記合成光に
よる位置合わせマークの像から前記第１の波長以外の光
によるゴースト像を第１のバンドパスフィルタにより除
去し、このゴースト像が除去された前記第１の波長によ
る像の信号を制御用計算機に取り込み、その後、前記第
２の波長による前記位置合わせマークの像が前記縮小投
影レンズにより前記検出器に結像するように前記被露光
体を上下し、前記合成光による位置合わせマークの像か
ら前記第２の波長以外の光によるゴースト像を第２のバ
ンドパスフィルタにより除去し、このゴースト像が除去
された前記第２の波長の像による信号を制御用計算機に
取り込み、前記制御用計算機に取り込まれた第１の波長
による位置合わせマークの像の信号、及び、前記制御用
計算機に取り込まれた第２の波長による位置合わせマー
クの像の信号を合成した信号を発生し、前記合成信号に
基づいて前記位置合わせマークの位置を検出し、前記原
画パターンと前記被露光体の相対的位置を合わせること
を特徴とする光露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187025A JPH0732109B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光露光方法 |
| PCT/JP1984/000467 WO1985001834A1 (en) | 1983-10-07 | 1984-10-03 | Optical exposure apparatus |
| US06/741,800 US4690529A (en) | 1983-10-07 | 1984-10-03 | Optical exposer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58187025A JPH0732109B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7002385A Division JP2699902B2 (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 光露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080223A JPS6080223A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH0732109B2 true JPH0732109B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=16198872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58187025A Expired - Lifetime JPH0732109B2 (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4690529A (ja) |
| JP (1) | JPH0732109B2 (ja) |
| WO (1) | WO1985001834A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0787173B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 面位置検知方法 |
| JPS62208630A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Canon Inc | 露光装置 |
| US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
| US5137363A (en) * | 1986-06-04 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| US4869999A (en) * | 1986-08-08 | 1989-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
| JPH0789536B2 (ja) * | 1986-08-28 | 1995-09-27 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPS63215039A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Hitachi Ltd | アライメント装置 |
| US4969200A (en) * | 1988-03-25 | 1990-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Target autoalignment for pattern inspector or writer |
| DE69013790T2 (de) * | 1989-08-04 | 1995-05-04 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung. |
| US5552891A (en) * | 1994-10-31 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Automated mask alignment for UV projection expose system |
| JP2699902B2 (ja) * | 1995-01-11 | 1998-01-19 | 株式会社日立製作所 | 光露光方法 |
| TWI227814B (en) * | 2002-09-20 | 2005-02-11 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3844655A (en) * | 1973-07-27 | 1974-10-29 | Kasper Instruments | Method and means for forming an aligned mask that does not include alignment marks employed in aligning the mask |
| JPS5454056A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Canon Inc | Photoelectric detector |
| US4414749A (en) * | 1979-07-02 | 1983-11-15 | Optimetrix Corporation | Alignment and exposure system with an indicium of an axis of motion of the system |
| FR2472208A1 (fr) * | 1979-12-18 | 1981-06-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme |
| JPS57112019A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Detection of pattern position |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58187025A patent/JPH0732109B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-10-03 US US06/741,800 patent/US4690529A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-03 WO PCT/JP1984/000467 patent/WO1985001834A1/ja unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6080223A (ja) | 1985-05-08 |
| US4690529A (en) | 1987-09-01 |
| WO1985001834A1 (en) | 1985-04-25 |
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