JPH0797545B2

JPH0797545B2 - 投影露光装置用の光学的位置合わせ装置

Info

Publication number: JPH0797545B2
Application number: JP61157650A
Authority: JP
Inventors: 寿和芳野; 徹東条; 光雄田畑
Original assignee: Toshiba Corp; Topcon Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Topcon Corp
Priority date: 1986-07-04
Filing date: 1986-07-04
Publication date: 1995-10-18
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPS6314430A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、マスクあるいはレチクルのパターンをウェハ
上に転写する時等にマスクとウェハの相対的位置合わせ
すなわちアライメントを行うために使用する光学的位置
合わせ装置に関する。

〔従来技術〕

近年、LSI等の半導体素子回路パターンの微細化に伴
い、パターン転写手段として、高解像性能を有する光学
式投影露光装置が広く使用されている。この光学式投影
露光装置は、1/5ないし1/10倍の縮小露光方式が一般的
であり、その露光面積は10mm^□ないし15mm^□であり、１
辺が127.0ないし152.4mmのウェハに順次露光位置を変え
てマスクパターンを転写する。このマスクパターンの転
写は、10ないし20回にわたり種々異なったパターンが前
回転写されたウェハ上に重ねて順次転写されていく。従
って、この装置を使用して転写を行う場合には、露光に
先立ってマスクとウェハとを高精度で位置合わせするこ
との必要性が生じてくる。

このマスクとウェハのアライメントを行う方法として
は、マスク投影光学系と異なる他の光学系、すなわちオ
フアクシス（OFF−axis）顕微鏡を用い、ウェハ上に予
め形成したマークを検出してウェハの位置決めを行い、
その後ウェハを投影光学系の視野内の所定の位置に高精
度に移動させて予め位置決めされたマスクとの位置合わ
せを行うオフアクシス方式と、ウェハに予め形成された
位置合わせマークを投影光学系を通して検出し、マスク
とウェハを直接位置合わせするTTL（Through The Len
s）方式が知られている。

ところで、上記オフアクシス方式では、ウェハに形成さ
れた各チップの露光毎に位置合わせを行わず、露光処理
速度が速いという利点を有するが、位置合わせされたウ
ェハを転写位置まで所定距離だけ正確に移動させなけれ
ばならず、絶対測長系が必要である。しかし、絶対測長
系はウェハの移動に伴う誤差発生を防ぐことができず、
オフアクシス方式の位置合わせ精度には限界があった。

そこで、最近は、該位置合わせをより高精度に行う要望
が強くなり、TTL方式のように投影光学系を通してマス
ク及びウェハの位置合わせ用マークを検出してマスクと
ウェハを光学的に重ね合わせて位置合わせする方式が多
く採用されるようになっている。

TTL方式の位置合わせ方法としては、（１）マスクとウ
ェハの位置合わせ用マークを光学的に重ね合わせ、その
相対的位置関係をビデオ信号に変換し、これを演算処理
する方法、（２）CCD等のセンサーを使用して各々の位
置を検出して、これらの検出信号により位置合わせする
方法、（３）ウェハマークとマスクマークの像を微細ス
リットで走査し、該微細スリットの透過光量から位置合
わせを行う方法、（４）ウェハマークとマスクマークを
レーザービームでスキャンし、両マークの縁部で発生す
る反射散乱光の変化を検出して、両者の相対的位置関係
を検出する方法、（５）ウェハパターン、マスクパター
ンを光学式格子状に形成し、これらの像を重ね合わせて
両格子による回折光の強度の変化から位置合わせを行う
方法等が知られている。

本発明は上述の従来技術のうち（５）に記載のものに関
連するものであり、これについてさらに詳しく説明す
る。特開昭56−94744号公報に記載された位置合わせ方
法は、第８図に示すように、マスク基板110には、格子1
12、114を位相をずらして配置し、ウェハ116には、第９
図に示すように、２次元格子118が設けられる。そし
て、位置合わせ光学系は、第10図に示すように、光源ラ
ンプ120、反射鏡122、光学変調器124による照明系128、
同一光軸上に配置された集光レンズ126、マスク基板11
0、投影レンズ130、及びウェハ116からなる。マスク基
板110とウェハ116は、投影レンズ130に関し共役に配置
される。照明系128からの照明光束はマスク基板110の格
子112、114を交互に照明し、格子112、114の像を投影レ
ンズ130を通して２次元格子118上に結像させる。投影レ
ンズ130はウェハ116側がテレセントリック光学系となる
片テレセントリック光学系である。

２次元格子118で反射回折された光束は投影レンズ130の
瞳Ｐ上に、第11図に示すように、９個のスポット光C₀R₀
次、C₀R₁次、C₀R_-1次、C₁R₀次、C₁R₁次、C₁R_-1次C_-1R₀
次、C_-1R₁次、C_-1R_-1次を形成する。この従来技術にお
いてはC₀R₁次回折光の強度をオプトエレクトロニクス手
段により検出して前記２つの格子パターンの相対位置を
求めている。

上記の（５）に示す従来技術の他の例として、特開昭55
−117240号公報に記載されたものがあるが、これはマス
クの投影光学系からマスク及びウェハに設けた回折格子
による回折光を取出すために該投影光学系にハーフミラ
ーを配置して構成される。

〔従来技術の問題点〕

高精度の位置合わせを行うためには、TTL方式が優れて
いることは上述の通りであるが、実際にはウェハ上に10
数mm^□のチップをいわゆる「ステップアンドリピー
ト」で露光し、露光及び処理の終ったウェハはチップ毎
に切断される。従ってチップ間隔すなわちダイシングラ
インはなるべく細く、例えば数10ミクロンにして１つの
ウェハからできるだけ多くのチップを得ることが要求さ
れる。

一方、TTL方式に使用されるマークはこのダイシングラ
インに設けられるが、このダイシングラインは細くマー
クがチップと近接して配置されることから位置合わせ光
としてマークからの検出光を取出すためのミラーが投影
露光光束を遮えぎる問題が発生する。これを避けるため
に、検出光取出し用ミラーを投影する光学系に挿脱自在
に設けているが、これは作動効率の向上を妨げるだけで
なく、挿脱によるミラー配置の再現性の不正確さにより
位置合わせ精度を高く出来ない問題がある。また、検出
光取出し用ハーフミラーを投影光学系に配置すると、投
影光学系の解像力の低下が避けられずサブミクロンリソ
グラフイには利用できない。

また、位置合わせのために投影露光光束と同一波長の光
を使用すると、位置合わせ時にウェハが位置合わせ光に
よって感光してしまう問題がある。一方、アライメント
光と露光光束との波長を異ならせると、投影レンズによ
るマスク像の収差を悪化させることは許されないから、
投影レンズを露光光束について収差補正し、したがって
アライメント像の収差が悪化することが避けられず、ア
ライメント精度の低下をもたらすこととなる。

さらに、近時は、露光時のウェハ表面からの反射光によ
るゴースト等の悪影響を避けるため、ウェハのレジスト
は露光光束を吸収する性質を有する材料が使用されてお
り、ウェハに設けられた２次元回折格子による反射回折
光の光量を十分に得難い問題もある。

〔発明の目的〕

本発明は従来の光学的位置合わせ装置の上述の問題点に
鑑みなされたものであって、露光光束と異なる波長のア
ライメント光を用い、アライメント光のための光学部材
が露光光束を遮えぎらない位置に配置でき、かつ投影光
学系の結像性能を悪化させることのない投影露光装置用
の光学的位置合わせ装置を提供することを目的とする。

また投影光学系光軸からアライメント光が通過する透明
部までの距離が異なる各種のマスク基板についても光学
的位置合わせが容易である投影露光装置用の光学的位置
合わせ装置を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上述の目的を達成するため、以下の構成上の
特徴を有する。すなわち、本発明の光学的位置合わせ装
置は、アライメント光束に対して相当量の色収差を有
し、結像側がテレセントリックである投影レンズによ
り、基板に設けられた投影パターンを露光光束により結
像物体上に投影する投影光学系と、上記基板と上記結像
物体とが上記投影レンズの光軸の方向及びこれに直交す
る方向に相対的に変位するように上記物体の少なくとも
一方を移動させる物体移動部と、上記結像物体に設けた
２次元グレーティングパターンと、上記基板に設けた１
次元グレーティングパターンと、上記露光光束の波長と
異なる波長のアライメント光を上記投影レンズにその瞳
中心に収斂するように入射させ、上記２次元グレーティ
ングパターンを平行光で照明するアライメント照明光学
系と、上記露光光束を遮えぎらない位置に配置され、上
記アライメント照明光学系で照明された上記２次元グレ
ーティングパターンからの回折光を上記１次元グレーテ
ィングパターンに導く光学部材を有する導光光学系と、
上記１次元グレーティングパターンからの回折光を受光
する受光部からなるアライメント検出光学系と、上記受
光部の出力に応じて上記物体移動部を制御して、上記基
板と上記結像物体とを所定位置関係に位置決めする制御
部により構成される。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。第１図
は、本発明の適用した縮小投影露光装置を示す概略図で
ある。縮小投影露光装置は、投影光学系と、アライメン
ト光学系と、制御部とから構成される。

投影光学系は、投影パターンＰを設けた基板であるマス
クＭと、投影レンズ２と、投影レンズ２の光軸O₁上に投
影レンズ２に関してマスクＭと共役や位置に配置された
結像物体としてのウェハＷからなる投影系１、及び反射
鏡６を設けた光源ランプ８と、反射鏡10と、透過光を光
軸と直交する面内で平均化するインテグレータ12と、ダ
イクロイックミラー14と、コンデンサレンズ16とからな
るマスク照明系４で構成される。

投影光学系は、ウェハＷに対してテレセントリックな光
学系であり、またマスク照明系４の開口数NA′より投影
系１の開口数NAを大きくとったいわゆるパーシャルコヒ
ーレンシー照明系とされ、投影像の解像力を高めてい
る。また、後述するように、マスク照明光とアライメン
ト照明光は異なる波長のものが選ばれるが、投影レンズ
２はマスク照明光に関して種々の収差を極力少なくする
一方、アライメント照明光に関しては色収差が相当量生
ずるように構成されている。ここで相当量とは、後述す
るように反射鏡54が露光光束が遮えぎらず、ウェハＷの
２次元グレーティングパターン20からの回折光を取り出
せるように配置できる位の収差量を意味する。光源ラン
プ８が発する光の波長は短波長のものでｇ−線（436n
m）、ｈ−線（405nm）、ｉ−線（365nm）等が選ばれ
る。

ウェハＷは載置台18に載置され、この載置台18が後述す
る制御装置によって光軸O₁方向及びこれと直交する方向
に移動させられて位置合わせが行われる。なお、載置台
18の光軸方向の位置の制御は図示しない光てこ方式等の
フォーカス検出手段の出力によって行われる。投影光学
系は上記構成により均一に照明されたマスクＭの投影パ
ターンＰの像をウェハＷ上に結像させてウェハＷを露光
する。

アライメント光学系は、ウェハＷ上に形成された反射型
２次元グレーティングパターン20を照明するアライメン
ト照明系30と、２次元グレーティングパターン20による
回折光の一部をマスクＭ上に形成された透過型１次元グ
レーティングパターン22上に導く導光系50と、１次元グ
レーティングパターン22による回折光を受光して光電変
換するとアライメント検出系70とからなる。

２次元グレーティングパターン20は、第２図（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、ウェハＷのマスクパター
ンMPの周囲にアライメント方向に1/3ピッチ位相差をも
つ１組のマーク20a、20bとしてウェハＷのダイシングラ
イン28上に形成される。また、１次元グレーティングパ
ターン24は、第３図に示すように、アライメント方向に
スリットが並らべてマスクＭ上に形成され、両パターン
20、24とも投影レンズ２の投影倍率を考慮すると等ピッ
チとなるように設けられる。

上記アライメント照明系30は、第１図に示すように、レ
ーザ光源32、レーザ光源32の光軸O₂上に順次配置される
リレーレンズ34、光束シフト装置たる音響光学偏向器3
6、リレーレンズ38、40、及び反射鏡42を有する。

レーザ光源32の発するアライメント光の波長は、露光光
束となる光源８の発する光の波長よりも長いものが選ら
ばれる。上記したダイクロイックミラー14は、光源８か
らの光を反射し、レーザ光源30からの光を透過させるも
のである。従って、レーザ光源32から発したアライメン
ト光は、リレーレンズ34で音響光学偏向器36に集斂さ
れ、音響光学偏向器36によりウェハＷ上のマーク20a又
は20bに交互に向かうように光束が偏向された後、リレ
ーレンズ38で再びアライメント光軸O₂に平行な光束とな
り、反射鏡42で反射され、投影レンズ２の光軸O₁に平行
となってリレーレンズ40に入射する。りれーレンズ40を
射出したアライメント光は、ダイクロイックミラー14を
透過した後、コンデンサレンズ16で集斂させられてマス
クＭに達する。

マスクＭには、投影パターン26と１次元グレーティング
パターン22の間にアライメント光を透過させる透明部44
が形成されている。そして、アライメント照明系30にお
いては、透明部44を透過したアライメント光が投影レン
ズ２の入射瞳46の中心を透過するように構成されるの
で、アライメント光がウェハＷ側にテレセントリックな
投影レンズ２から平行な光束となってウェハＷ上の２次
元グレーティングパターン20を照明する。

反射鏡42は、投影レンズ光軸O₂から透明部44までの距離
の異なるマスクＭに対してもアライメント照明ができる
ようにするため、第１図に図示する矢印43で示すよう
に、投影レンズ光軸O₁に平行なアライメント光軸上の位
置でレーザ光源32の方向へ移動可能に構成するととも
に、アライメント光の波長に関し、反射鏡42より基板側
の光学要素であるリレーレンズ40及びコンデンサレンズ
16が球面収差を有しないように構成する。これによって
光軸O₁から透明部44までの距離がマスクＭの交換によっ
て変化しても、矢印43で示す方向に、すなわち光軸O₁に
対し直角方向に反射鏡42を単に移動させるだけで（アラ
イメント光は光軸O₁に平行に移動する）、アライメント
光を光軸O₁からの距離の変ったマスクＭの透明部を透過
させ、かつ投影レンズ２の入射瞳46の中心に向かわせる
ことができる。従って、相変わらずアライメント光がウ
ェハＷ上のグレーティングパターン20を平行光で照明す
ることができる。

導光系50は、第４図に示すように、アライメント光によ
って照明された２次元グレーティングパターン20に反射
回折された反射回折光52a、52b、52cを投影レンズ２で
収斂した後、反射鏡54で投影レンズ光軸O₁から離れる方
向へ反射させ、これを再び反射鏡56で反射させ１次元グ
レーティングパターン22へ導くものである。

２次元グレーティングパターン20で反射回折されたアラ
イメント光は、±１次のものを考えると、投影レンズ２
の瞳Ｐ上で、第５図に示すように、（0,0）次の回折光
（0,0）を対称中心としてこれを含めて９個の（1,1）、
（1,0）、（1,−１）、（0,1）、（0,0）、（0,−
１）、（−1,1）、（−1,0）、（−1,−１）次の回折光
が現われる。ところで、第４図に示す回折光52aは（−
1,1）、（−1,−０）、（−1,−１）次の３つの回折光
に相当し、回折光52bは（0,1）、（0,0）、（0,−１）
次の３つの回折光に相当し、回折光53cは（1,1）、（1,
0）、（1,−１）次の３つの回折光に相当する。なお回
折光52bはアライメント光と同じ経路を逆進する。

前述したように、投影レンズ２はアライメント光に関し
て相当量の正の色収差を有しているので、投影レンズ２
についてウェハＷを共役となるのは、マスクＭより距離
ｌだけ前方の共役面Ｍ′である。従って、回折光52a、5
3b、53cは、共役面Ｍ′上の共役点Ｑに向って収斂して
いく。

一方、マスクＭの投影パターン26を露光する際に投影パ
ターン26の外縁付近にある透明部44を通過する露光光束
は線58a、58bで囲まれた光束である。投影レンズ２がア
ライメント光に関して色収差を有するため、第４図に示
すように、回折光52cはマスクＭの付近では光軸O₁に対
し透明部44を通過する露光光束58の外側を通過する。回
折光52cが露光光束58から離れるマスクＭの付近の回折
光52cの光路上に、マスクＭと平行に反射鏡54を配置す
れば、露光光束58を遮えぎることなく回折光58を取り出
すことができる。さらに、反射鏡54が投影パターン26の
外縁付近にあり、透明部44を通過する露光光束を遮えぎ
らない位置に配置されているから、反射鏡54はこれより
光軸側にある投影パターン26上からの露光光束について
もこれを一切遮えぎらない。

また、反射鏡56は反射鏡54から光軸O₁の方向に距離l/2
だけ離してマスクＭと平行に配置され、反射鏡54で反射
された回折光52cをマスクＭ上に配置された１次元グレ
ーティングパターン22へ向わせる。反射鏡54と反射鏡56
との距離l/2は、アライメント光に関する投影レンズ２
の色収差量ｌの半分に相当しているため、反射鏡54、56
で反射される回折光52cにおいてウェハＷとマスクＭと
は投影レンズ２に関して光学的に共役となる。

アライメント検出系70は反射鏡72、リレーレンズ74及び
光電変換素子76からなり、光電変換素子76はリレーレン
ズ74に関し投影レンズ２の瞳Ｐと略共役となるように配
置されている。従って、反射鏡56から１次元グレーティ
ングパターン22に向けられる回折光52cは１次元グレー
ティングパターン22で透過回折された後、少なくともそ
の０次回折光が反射鏡72及びリレーレンズ74を介して光
電変換素子76に入射する。

光電変換素子76は、入射光を電気信号に変換し後述する
制御系80に出力する。なお、理論解析によれば、マスク
ＭとウェハＷとが適正作動距離に保たれるときに光電変
換素子76に入射する０次回折光の強度I₀は、で示される。

ここでA:グレーティングパターンの解折効率で決まる定数 P:ウェハＷ上のグレーティングパターンのアライメント方向のピッチ d:マスクＭとウェハＷとの相対位置ずれ（投影レンズ２の光軸O₁ に直交する方
向）制御系80は、第６図に示すように、発振器82、アンプ8
4、同期検波部86及びアンプ88から構成される。発振器8
2の出力は音響光学偏向器36及び同期検波部86へ出力さ
れ、この出力を受けとった音響光学偏向器36は同期検波
部86の出力に応じてアライメント照明光をウェハ上のマ
ーク20aとマーク20bとへ交互に向かわせる。音響光学偏
向器36のこの作動によって、光電検出素子76からはマー
ク20aで回折された信号V_Aと、マーク20bで解折された信
号V_Bの２種類の信号が発振器82の出力に同期した信号と
して出力される。これを相対位置ずれｄとの関係におい
て検討すると、第７図（ａ）のように波形V_Aと波形V_Bと
なる。ここで、第７図（ａ）、（ｂ）で示すグラフの横
軸はアライメントずれ量を示し、縦軸は受光素子76の出
力を示し、d₀は適正アライメント位置を示す。また、ε
P_cはマーク20aとマーク20bとの位相差に相当し、P_cはマ
ーク20aの１ピッチに相当する。

同期検波部86は、発振器82からの信号に基づいてアンプ
84を介して入力する光電検出素子76の信号を同期検波す
る。同期検波部86の出力ΔVuは相対位置ずれ量ｄに対し
て、第７図（ｂ）に示すように、Ｓ字状曲線200とな
り、特に位置ずれ量ゼロを示すグラフを横切る直線とな
るため、非常に高精度な位置合わせを可能する信号とな
る。この信号はアンプ88を介して載置台18に送られこの
信号を受とった載置台18はこの入力信号に基づいてマス
クＭとウェハＷとの位置合わせを行う。

〔発明の効果〕

以上説明した通り、本発明によれば投影レンズで相当量
の色収差を生ずる露光光束と異なる波長のアライメント
光を用いて、露光光束を遮えぎらない位置に配置された
光学部材によって結像物体の２次元グレーティングパタ
ーンからの解折光を基板上の１次元グレーティングパタ
ーンに導びくことができる。従って、回折光を取り出す
ための光学部材を可動することなく、また投影パターン
と結像物体間にハーフミラーを設ける必要もないため、
投影光学系の光学特性を悪化させることのない投影露光
装置用の光学的位置合わせ装置を得ることができる。

さらに、アライメント光学系において投影光学系の光軸
とアライメント光学系の光軸とが平行となる位置に、ア
ライメント光をアライメント光軸と平行に移動させる光
路変更手段を設け、アライメント光に対し光路変更手段
の前方の光学要素が球面収差を補正されているように構
成されるから、透明部位置の異なる基板に変換しても光
路変更手段によってアライメント光を単に平行移動させ
るだけで光学的位置合わせを行うことができる利点を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の縮小投影露光装置の構成説明
図、第２図（Ａ）は２次元グレーティングパターンを有
するウェハの平面図で、同（Ｂ）は同（Ａ）でＢで示す
範囲の拡大平面図、同（Ｃ）は同（Ａ）でＣで示す範囲
の拡大平面図、第３図（Ａ）は１次元グレーティングパ
ターンを有するマスクの平面であり、同（Ｂ）は同
（Ａ）でＢで示した範囲の拡大図、第４図は第１図に示
す装置の光学図、第５図は本実施例における２次元回折
パターンの説明図、第６図は第１図に示す装置の制御系
のブロック図、第７図は受光素子の出力から適正アライ
メント位置を検出する原理説明図、第８図は１次元グレ
ーティング回折格子の平面図、第９図は１次元グレーテ
ィング回折格子の平面図、第10図は従来の光学位置合わ
せ装置の構成説明図、第11図は２次元回折パターンの説
明図である。Ｗ……ウェハＭ……マスク１……投影系２……投影レンズ８……光源ランプ 14……ダイクロイックミラー 18……載置台 30……アライメント照明系 22……１次元グレーティングパターン 26……投影パターン 36……音響光学偏向器 44……透明部 70……アライメント検出系 80……制御系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田畑光雄神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝総合研究所内 (56)参考文献特開昭56−122128（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アライメント光束に対して相当量の色収差
を有し、結像側がテレセントリックである投影レンズに
より、基板に設けられた投影パターンを露光光束により
結像物体上に投影する投影光学系と、上記基板と上記結像物体とが上記投影レンズの光軸の方
向及びこれに直交する方向に相対的に変位するように上
記基板と結像物体の少なくとも一方を移動させる物体移
動部と、上記結像物体に設けた２次元グレーティングパターン
と、上記基板に設けた１次元グレーティングパターンと、上記露光光束の波長と異なる波長のアライメント光を上
記投影レンズにその瞳中心に収斂するように入射させ、
上記２次元グレーティングパターンを平行光で照明する
アライメント照明光学系と、上記露光光束を遮えぎらない位置に配置され、上記アラ
イメント照明光学系で照明された上記２次元グレーティ
ングパターンからの回折光を上記１次元グレーティング
パターンに導く光学部材を有する導光光学系と、上記１次元グレーティングパターンからの回折光を受光
する受光部からなるアライメント検出光学系と、上記受光部の出力に応じて上記物体移動部を制御して、
上記基板と上記結像物体とを所定位置関係に位置決めす
る制御部とから成ることを特徴とする投影装置用の光学的位置合わ
せ装置。
【請求項２】上記基板が、上記投影パターンと上記１次
元グレーティングパターンの間にアライメント光が通過
する透明部を有し、上記アライメント照明光学系がレー
ザー光源を有し、かつ上記露光光束を遮えぎらないよう
に構成され、また上記光学部材が、アライメント光の色
収差に相当する距離だけ上記２次元グレーティングパタ
ーンからの回折光の集束位置を上記２次元グレーティン
グパターン側へ移動させるように配置された２枚のミラ
ーで構成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の
装置。
【請求項３】上記基板が、上記透明部の投影パターンに
対する相対位置を異にした複数のものと交換可能であ
り、上記アライメント照明光学系において、上記アライ
メント照明光学系の光軸と上記投影レンズの光軸とが平
行となる箇所を設け、該箇所において上記アライメント
光が異なった位置の上記透明部を透過するようにするた
めに、上記アライメント照明光学系の光軸と投影レンズ
の光軸との平行を維持したままこれと直交する方向に移
動させる光路変更手段を有し、上記光路変更手段より基
板側のアライメント照明光学系の光学要素が上記アライ
メント光に対し球面収差を補正されていることを特徴と
する特許請求の範囲第（２）項に記載の装置。