JPH0227811B2 - - Google Patents
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- JPH0227811B2 JPH0227811B2 JP60271455A JP27145585A JPH0227811B2 JP H0227811 B2 JPH0227811 B2 JP H0227811B2 JP 60271455 A JP60271455 A JP 60271455A JP 27145585 A JP27145585 A JP 27145585A JP H0227811 B2 JPH0227811 B2 JP H0227811B2
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Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Holders For Sensitive Materials And Originals (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置の改良に関するもの
である。
である。
〔発明の背景〕
従来、縮小投影露光装置で形成される縮小像は
全く観測されず、焦点合せやパターン検出におい
てレジスト像形成によつてその調整程度を評価し
てきた。このため、長時間を費いやすとともに間
接的であることより高精度が望めず、特に特殊な
技術者による評価が必要となるという欠点があ
る。
全く観測されず、焦点合せやパターン検出におい
てレジスト像形成によつてその調整程度を評価し
てきた。このため、長時間を費いやすとともに間
接的であることより高精度が望めず、特に特殊な
技術者による評価が必要となるという欠点があ
る。
このような従来評価手段として、例えば、ソリ
ツドステートテクノロジー（Solid State
Technology）の1979年８月号の第101頁から第
108頁において論じられている。
ツドステートテクノロジー（Solid State
Technology）の1979年８月号の第101頁から第
108頁において論じられている。
したがつて、本発明の目的は、上述の欠点を除
くために縮小投影像を直接検出可能にし得る縮小
投影露光装置を提供することにある。
くために縮小投影像を直接検出可能にし得る縮小
投影露光装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明において
は評価用パターンとこのパターン上に形成される
縮小投影像とを拡大するための拡大光学系と、検
出系とを具備させて縮小投影露光装置を構成した
ことを特徴としている。
は評価用パターンとこのパターン上に形成される
縮小投影像とを拡大するための拡大光学系と、検
出系とを具備させて縮小投影露光装置を構成した
ことを特徴としている。
以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。第１図は本発明による縮小投影露光装置にお
ける載物台付近の基本構成を示したものである。
同図において、装置は載物台３上に被露光物であ
る試料２（たとえばウエハ）を設置するととも
に、載物台３上の試料２の近傍に、遮光材より成
る評価用パターン１２とこれを支持する光透過可
能な光学材料からなる基板４とにより構成される
マスク１７を有し、さらに、前記載物台３には反
射ミラー５と、評価用パターン１２と同一平面上
に結像された縮小投影像と評価用パターン１２と
を拡大するための光学系６とが埋設されている。
この光学系６で拡大された合成光学像を像検出器
７で電気信号に変換し、パターン位置検出等の処
理回路に転送する。第１図には、拡大光学系６に
凸レンズ、および像検出器７にテレビカメラを使
用した例を示している。さらに、同図において、
１は縮小投影レンズ、８はテレビカメラ用信号ケ
ーブル、９は試料２の真空チヤツク用エアホー
ス、１０はレーザ測定用ミラーおよび１１は測長
レーザ光を示す。
る。第１図は本発明による縮小投影露光装置にお
ける載物台付近の基本構成を示したものである。
同図において、装置は載物台３上に被露光物であ
る試料２（たとえばウエハ）を設置するととも
に、載物台３上の試料２の近傍に、遮光材より成
る評価用パターン１２とこれを支持する光透過可
能な光学材料からなる基板４とにより構成される
マスク１７を有し、さらに、前記載物台３には反
射ミラー５と、評価用パターン１２と同一平面上
に結像された縮小投影像と評価用パターン１２と
を拡大するための光学系６とが埋設されている。
この光学系６で拡大された合成光学像を像検出器
７で電気信号に変換し、パターン位置検出等の処
理回路に転送する。第１図には、拡大光学系６に
凸レンズ、および像検出器７にテレビカメラを使
用した例を示している。さらに、同図において、
１は縮小投影レンズ、８はテレビカメラ用信号ケ
ーブル、９は試料２の真空チヤツク用エアホー
ス、１０はレーザ測定用ミラーおよび１１は測長
レーザ光を示す。
上述した構成の縮小投影露光装置における焦点
合せやパターン検出の較正は以下のようにして行
なわせることができる。縮小投影レンズ１で形成
される縮小投影像を評価用パターン１２上に投影
すると、第２図に示したような光学像がテレビカ
メラ７上に結像する。同図において、１３が評価
パターン１２の像であり、１４が縮小投影像であ
る。この像より、XX′上の位置と光量との関係
（信号）が第３図のように求まり、この信号より、
焦点合せやパターン検出器の較正が可能となる。
すなわち、第３図において、縮小投影像１４によ
るエツヂ１６の形状が評価用パターン像１３によ
るエツヂ１５の形状に最も近くなるように、縮小
投影レンズ１の光軸方向に縮小投影レンズ１を含
む鏡筒系あるいは載物台３を調整し、ベストフオ
カス点を決定する。また、第２および第３図の信
号処理により縮小投影像１４の重心位置と評価用
パターン１３の重心位置とが求まり、これによ
り、載物台３の設定誤差量まで含めた縮小投影像
１４の位置が算出される。従つて、従来より用い
られている検出器、たとえば、被縮小投影パター
ン上で縮小投影レンズを通して得られる試料上の
位置検出用マークと被縮小投影パターンとの位置
誤差等を検出するためのパターン検出器の精度や
誤差等が測定でき、このパターン検出器の欠陥等
を検査することができる。
合せやパターン検出の較正は以下のようにして行
なわせることができる。縮小投影レンズ１で形成
される縮小投影像を評価用パターン１２上に投影
すると、第２図に示したような光学像がテレビカ
メラ７上に結像する。同図において、１３が評価
パターン１２の像であり、１４が縮小投影像であ
る。この像より、XX′上の位置と光量との関係
（信号）が第３図のように求まり、この信号より、
焦点合せやパターン検出器の較正が可能となる。
すなわち、第３図において、縮小投影像１４によ
るエツヂ１６の形状が評価用パターン像１３によ
るエツヂ１５の形状に最も近くなるように、縮小
投影レンズ１の光軸方向に縮小投影レンズ１を含
む鏡筒系あるいは載物台３を調整し、ベストフオ
カス点を決定する。また、第２および第３図の信
号処理により縮小投影像１４の重心位置と評価用
パターン１３の重心位置とが求まり、これによ
り、載物台３の設定誤差量まで含めた縮小投影像
１４の位置が算出される。従つて、従来より用い
られている検出器、たとえば、被縮小投影パター
ン上で縮小投影レンズを通して得られる試料上の
位置検出用マークと被縮小投影パターンとの位置
誤差等を検出するためのパターン検出器の精度や
誤差等が測定でき、このパターン検出器の欠陥等
を検査することができる。
以上述べたように、本発明によつて、レジスト
への露光・現像および観察等を用いず、短時間
で、かつ、精度よく焦点合せおよびパターン検出
器の較正などを行うことができる。
への露光・現像および観察等を用いず、短時間
で、かつ、精度よく焦点合せおよびパターン検出
器の較正などを行うことができる。
第１図は本発明による縮小投影露光装置の載物
台付近の基本構成図、第２図は第１図の装置にお
いて評価用パターンと縮小投影像とを重ね合せ拡
大してテレビカメラ上に結像した時の像関係図、
第３図は第２図のXX′軸上の光量の変化を電気信
号に変換した時の波形図である。 １……縮小投影レンズ、２……試料、３……載
物台、４……光透過基板、５……反射ミラー、６
……光学系（凸レンズ）、７……像検出器（テレ
ビカメラ）、８……テレビカメラ用信号ケーブル、
９……真空チヤツク用エアホース、１０……レー
ザ測定用ミラー、１１……測長レーザ光、１２…
…評価用パターン、１３……評価用パターン像、
１４……縮小投影像、１７……マスク。
台付近の基本構成図、第２図は第１図の装置にお
いて評価用パターンと縮小投影像とを重ね合せ拡
大してテレビカメラ上に結像した時の像関係図、
第３図は第２図のXX′軸上の光量の変化を電気信
号に変換した時の波形図である。 １……縮小投影レンズ、２……試料、３……載
物台、４……光透過基板、５……反射ミラー、６
……光学系（凸レンズ）、７……像検出器（テレ
ビカメラ）、８……テレビカメラ用信号ケーブル、
９……真空チヤツク用エアホース、１０……レー
ザ測定用ミラー、１１……測長レーザ光、１２…
…評価用パターン、１３……評価用パターン像、
１４……縮小投影像、１７……マスク。
Claims (1)
- １ 被露光物を保持すべき載物台上に載置され
た、遮光材によるパターンを光透過可能な基板上
に形成してなる評価用パターンを有するマスク
と、縮小投影レンズによつて上記評価用パターン
上に形成される縮小投影パターンの光像を上記マ
スクを介して、上記マスクの面方向の位置に対応
した光量の変化として検出する検出器とを有し、
上記検出器は上記載物台内に埋設してなることを
特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271455A JPS61143760A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271455A JPS61143760A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61143760A JPS61143760A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH0227811B2 true JPH0227811B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=17500268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271455A Granted JPS61143760A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61143760A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318960U (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-25 | ||
| JP3181050B2 (ja) * | 1990-04-20 | 2001-07-03 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法およびその装置 |
| JP3513842B2 (ja) * | 1994-12-15 | 2004-03-31 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271455A patent/JPS61143760A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61143760A (ja) | 1986-07-01 |
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