DE2619873A1

DE2619873A1 - Ueberpruefung von masken und (halbleiter-)scheiben mittels bildzerlegung

Info

Publication number: DE2619873A1
Application number: DE19762619873
Authority: DE
Inventors: Martin Feldman; Donald Lawrence White
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1975-05-05
Filing date: 1976-05-05
Publication date: 1976-11-18
Also published as: NL173111B; GB1532901A; FR2310596B1; NL7604735A; JPS5324783B2; US3963354A; DE2619873C3; NL173111C; CA1045252A; DE2619873B2; JPS51137379A; FR2310596A1

Description

BLUMBACH · WESER . BERGEN · KRAMER ZWIRNER . H₁RSCH

PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN

Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237

Western Electric Company, Incorporated Feldman 12-22 New York, N. Y., USA

Überprüfung von Masken und (Halbleiter-) Scheiben mittels Bildzerlegung

Die Erfindung betrifft automatische Musterüberprüfungsvsrfahren und insbesondere die automatische überprüfung von mikrominiaturisierten Masken und Scheiben^, die vielfach wiederholte Muster tragen,,

Fehler in Masken, die beim lithographischen Prozeß zur I-I©r-= stellung mikrominiaturisierter Komponenten_s wi© integrierter Siliciumschaltungen, können die bei der Herstellung solcher Komponenten erzielte Ausbeute ernsthaft beeinflussen. Mit abnehmender Größe und zuneimender Kompliziertheit dieser Komponenten wird das Problem der Überprüfung der Masken und der Komponenten selbst zur Sicherstellung einer angemessenen

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München: Kramer. Dr. Weser · Hirsch — Wiesbaden: 8lumbach · Dr. Berasn · Zwirner

Qualität zunehmend schwierig. Die visuelle Überprüfung einer Maske oder einer Scheibe mit vielfach wiederholten mikrominiaturisierten Mustern durch eine Person ist ein zeitraubender, stupider und oft unangemessener Vorgang. Als Folge sind beträchtliche Anstrengungen zur Entwicklung automatischer Überprüfungsanlagen gemacht worden. Bei einer solchen bekannten Anlage werden Muster auf benachbarten Chips einer Maskenstruktur durch optisches Abtasten entsprechender Teil© zweier benachbarter Muster automatisch verglichen und dl© beiden resultierenden Ausgangssignale subtrahiert, um eine Anzeige irgendwelcher üntarseiiiede zwischen de:i beiden ver- «rlioiten^-i T^tl'hTi su ©r-fes.lt-ear Eine solche zwei Chips ver— fleie-IisMe äil- sis^ Ist beschrieben auf den Seiten 49 - 52 des "Proceedings of the Microelectronics Seminar" (Interface '73), 29» und 30, Oktober 1973, Atlanta, Georgia, veranstaltet von f^;:' °I^:sgtssri Kodak Company.

In '/ielen praktisch wichtigen Fallen können über der Oberfläche -finer Maske oder einer Komponenten-Scheibe von Muster zu Muster graduelle geometrische Änderungen auftreten. Solch® ,Änderungen entstehen, beispielsweise aus sich kumulierenden Fehlausriclitunges oder von graduellen Diekenäsiieriaagen von Muster zu Muster₀ Solsfes graäii©ll©n Inderiaigsa können sich I¹Li eiasm derart starh^j" [c ^z^:\Z 7~uo-^mli®i?ia_t daß die Muster

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an beispielsweise entgegengesetzten Enden einer Musterreihe so stark voneinander abweichen, daß es nicht akzeptabel ist-» Andererseits können von Muster zu Muster längs einer Muster=-» reihe akzeptable graduelle Änderungen auftreten. Wenn ein Fehler als eindeutiges Ereignis in einem Muster definiert wäre, würde ein Überprüfungsschema, das solche kleineren graduellen Änderungen als Fehler identifiziert, falsche Fehleranzeigen erzeugen.

Bei einer Überprüfung durch einen einfachen Vergleich zweier Chips kann es passieren, daß schwerwiegende kumulative Änderungen nicht festgestellt werden. Bei einem solchen Überprüfungsverfahren kann es auch sein, daß akzeptable graduelle Änderungen nicht als solche identifiziert werden und daß als Folge solche Änderungen fälschlicherweise als Fehler eingestuft werden.

Somit ist das Bedürfnis nach einer automatisierten Überprüfungsmethode entstanden, die eine mikroskopische Prüfung einzelner Muster vorsieht, während gleichzeitig eine Gesamtdarstellung der Vielzahl verglichener Muster erzeugt wird, so daß Änderungen, die entlang der Fläche einer Maske oder Scheibe auftreten, richtig eingestuft werden können.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer automatischen

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Überprüfling sick wMerliolsnäer mikrominiaturisierter Muster.

Im Ralimen dieser Aufgabe soll eine Anordnung und ein Verfahren -/'srfüg'oar gedacht werden zur automatischen Überprüfung sich wiederholender Masken™ oder Scheibenmuster durch Erzeugen irine™¹ Auggangssign&l&arstellung, die die Vielzahl verglichener Muster zeigt.

Diese Aufgabe wird srfindungsgemäß gelöst mit einem Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und einer Anordnung gemäß Patent- ' ansprach 8. Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens, und dsr erfindungsgenlßsa Zuordnung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Bei einem erfindimgsgemäßeii Ausführungsbeispiel werden entsprechende Element© aller Muster, die längs einer- Reihe einer sich wiederholende Muster aufweisenden Maske oder Scheibe liegen, nacheinander in ineinandergreifender oder ineinandergeschobener Weise auf einem Speichermedium abgebildet. Nach Vervollständigung eines Überprüfungszyklus sind Gruppen entsprechender Elemente von allen diesen Mustern im Speichermedium jeweils Seite bei Seife angeordnet. Auf diese Weise werden einseine Muster mikroskopisch überprüft, während gleichzeitig Elemente von vielen Mustern geprüft werden, um einen umfassenden Vergleich von Mustern entlang der gesamten Ausdehnung der Maske oder Scheibe zu bilden.

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Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen näher erläutert. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine Darstellung einer Vielfachmustermaske oder

-Scheibe, die auf einem beweglichen x-y-Tisch angeordnet ist;

Fig. 2 ein spezielles Beispiel einer Maskenüberprüfungsari,«= lage gemäß den Prinzipien der Erfindimg;

Fig. 3 ein spezielles Beispiel einer Scheibenüberprüfungsanlage gemäß den Prinzipien der Erfindung;

Fig. 4 einen Teil eines zu überprüfenden Masken- oder Seheibenmusters ;

Fig. 5 eine vergrößerte Darstellung einer mit Öffnungen versehenen Platte, die in den Anordnungen der Fig. £ und 3 enthalten ist;

Fig. 6 und 7 schematisclie Darstellungen der Fläche eines in den Anordnungen der Fig. 2 und 3 enthaltenen Bildspeichermediums während aufeinanderfolgender Überprüfungszyklen ;

Fig. 8 eine modifizierte Version der in Fig. 3 gezeigten Scheibenüberprüfungsanordnung;

Fig. 9 eine vergrößerte Darstellung einer in der Anordnung nach Fig. 8 enthaltenen Filterplatte;.

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Fig. 10 und 11 vergrößerte Darstellungen von Kleinlinsen-Anordnungen, die zur Einfügung in die Anordnung der Fig. 8 geeignet sind; und

Fig. 12 verschiedene Ausgangssignalformen, die von den nach den erfindungsgemäßen Prinzipien aufgebauten Überprüfungsanlagen erzeugt worden sind.

Eine sich wiederholende Musterstruktur der Art, wie si© 6x.Toh eine erfindungsgemäße Anordnung überprüft werden soll, ist in Fig* 1 gezeigt. Bie Struktur soll entweder eise Maske oder eins Hslbleitsrs-siigifcs darstellen, die auf einem herkömmli-■>hen_s motorgetriebenen Tisch 11 angeordnet ist, der mit hoher Genauigkeit sowohl in x- als auch in y-Richtung mechanisch verschiebbar ist.

Es sei beispielsweise angenommen, daß die auf dem Tisch 11 in Fig. 1 angeordnete Struktur 13 eine Maske der Art ist, wie sie bei der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet wird. Eine solche als Beispiel dienende bekannte Maske umfaßt ein aus Glas hergestelltes Substrat 12, das eine Schicht 14 aus optisch undurchlässigem Material aufweist, wie auf dem Substrat niedergeschlagenes €hrom_a Durch selektives Ätzen, Schleifen odsr- Eaä&zvreitiges Estfernen spezieller Teile der Chromschicht 14 können ¥ielfach-Mikrominiaturmuster

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mit transparenten und undurchlässigen Bereiehem ia der dargestellten Struktur gebildet werden. Diese durchlässigen wiä undurchlässigen Bereiche sind in Fig. 1 nicht wirklich gezeigt, ihre Natur und Anordnung Ist jedoch bekannt.

In vielen Fällen sollen die in der Maskenstruktur der Fig. 1 gebildeten Vielfachmuster ideal und exakte oder nahezu exakte Abbildungen oder Kopien voneinander sein. Es wird angenommen, daß sich jedes Muster innerhalb eines der in Fig. 1 gezeigten und in einem Feld aus Reihen und Spalten angeordneten Quadrates befindet. Die das Feld bildenden Linien existieren in der Maskenstruktur nicht wirklich, sonders si© sind in Fig. 1 enthalten, damit man sich dl© Placierung der einzelnen Muster innerhalb der vielen Ifetsr !©i'sat©^ vorstellen kann. Beispielsweise ist jedes Muster aas transparenten und undurchlässigen Bereichen in der Struktur der Fig. 1 etwa 5 mm mal 5 mm groß. Und wie Fig. 1 geigt., sind 10 solcher Muster längs der Reihen und längs ämr Spalten des dargestellten Feldes vorhanden.

Wie weiter unten ausführlich beschrieben ist, wird die Überprüfung einer Maskenstruktur, die viele Muster mit je durchlässigen und undurchlässigen Bereichen umfasst , erfindungsgemäß dadurch ausgeführt, daß Lieht auf die untere Oberfläche der Struktur gerichtet wird. Der durch die transparenten

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Bereiche der Struktur übertragene Teil des auftreffenden Lichtes wird anschließend verarbeitet und abgetastet, um eine Anzeige für die Qualität der Maske zu erzeugen.

Alternativ ist die auf Tisch 11 in Fig. 1 angebrachte Struktur 13 eine Scheibe mit mehreren Chips, von denen jeder eine oder mehrere mikrominiaturisierte Bauelemente oder Schaltungen aufweist. In vielen Fällen sollen die in den einzelnen Chips gebildeten Muster einander exakt oder nahezu exakt gleich sein. Bei einer solchen speziellen Struktur ist das Substrat 12 beispielsweise aus Silicium hergestellt, und die Schicht 14 weist Siliciumdioxid auf. Durch selektives Entfernen von Teilen der Schicht 14 und durch Diffundieren oder Implantieren von Dotierstoffen durch die dadurch erzeugten Öffnungen werden die Bestandteile herkömmlicher elektronischer Komponenten erzeugt. Dann werden Verbindungen zwischen diesen in bekannter Art durch Verwendung geeignet gemusterter Einfach- oder Vielfach-Metallisierungsniveaus hergestellt.

Wie weiter unten ausführlich b ischrieben ist, wird eine Überprüfung einer Scheibenstruktur, die Vielfachmuster umfaßt, erfindungsgemäß dadurch ausgeführt, daß Licht auf die obere Oberfläche der Struktur gerichtet wird. Das auftreffende Licht wird von den Scheibenkonturen selektiv reflek-

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tiert und anschließend verarbeitet, um eine Anzeige für die Scheibenqualität zu erzeugen.

Ein spezielles Beispiel eines nach den erfindungsgemäßen Prinzipien hergestellten Maskenüberprüfungssystems ist schematisch in Fig. 2 gezeigt. Der eine Maskenstruktur 13 tragende x-y-Tisch 11 der Figo 1 ist in Fig. 2 enthalten. Licht, das durch die transparenten Bereiche der Maske 13 geschickt werden soll, wird von einer herkömmlichen Blitzlampe 16 erzeugt, deren Strahlung mittels einer Linse 18 so gerichtet wird, daß sie auf einen Bereich der Maske fällt ₉ der einem einzigen der in Fig. 1 gezeigten Quadratmuster entspricht_s

Damit Licht von der Lampe 16 in Fig. 2 auf die untere Oberfläche der Maske 13 fallen kann, kann der Tisch 11 aus einem geeigneten lichtdurchlässigen Material, wie Glas, hergestellt sein. Andererseits kann die Maske 13 direkt oberhalb einer (nicht gezeigten) Öffnung im Tisch 11 angebracht sein.

Während eines Maskenüberprüfungszyklus werden Steuersignale von einem zentralen Prozessor 20 einem mechanischen x-y-Antrieb 22 zugeführt, um den Tisch 11 in eine Position zu bringen, in der eine Abtastung in x-Richtung beginnen kann. Es wird beispielsweise angenommen, daß die Reihe aus 10 Mustern überprüft werden soll, die in Fig. 1 mit 1 bis 10 ge-

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kennzeichnet sind. In diesem Fall wird der Tisch 11 in Fig. 2 durch den Antrieb 22 ganz nach rechts in eine Anfangsposition verschoben, in welcher sich das Muster Nr. 1 der Maskenstruktur 13 direkt oberhalb der Linse 18 befindet. Dem Prozessor 20 wird von einer herkömmlichen Kodeplatte oder einem (nicht gezeigten) Interferometer, die dem Tisch 11 zugeordnet sind, signalisiert, daß sich der Tisch in derjenigen Position befindet, in welcher ein Abtastzyklus beginnen kann. Als Reaktion darauf wird vom Prozessor 20 ein Startsignal auf eins Aktiv!erungsschaltung 34 gegeben, um die Blitzlampe Ii !-:urszsitig mit Energie zu versorgen« Als Folge davon wird das liustsr IJr. 1 beleuchtet, und eine durch eine Linse 36 erzeugte Aöildung dieses Musters wird auf eine mit Öffnungen versehene Platte 38 projiziert, die Schlitze in einem undurchsichtigen Teil aufweist. Auf diese Weise werden, wie ausführlich nachfolgend beschrieben ist, im Abstand voneinander angeordnete senkrechte Reihen im Muster Nr. 1 auf die Oberfläche eines herkömmlichen BildsjBichermediums 40 abgebildet. Das Medium 40 umfaßt beispielsweise ein quadratisch ausgebildetes Vidikon, das eine Reihe von 500 Elementen sowohl in der x- als auch der y-Jtichtung auflösen kann.

Als Beispiel sei angeführt, daß das Medium 40 vorteilhafterweise eine lineare ladungsgekoppelt© Abbildungsvorrichtung aufweisen kann. Diese Vorrichtung umfaßt einen Siliciumchip,

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längs dessen Länge und Breite viele lichtempfindliche Elemente vorhanden sind, die dasjenige Licht messen, welches durch hier spezifizierte Stellen der Maske 13 hindurchgelangt ist. Die Lichtabsorption durch ein einzelnes lichtempfindliches Element bewirkt, daß sich an dem Element ein Paket von Elektronen sammelt. Jedes Paket gesammelter Ladung ist proportional zur Intensität des durch einen einzelnen elementaren Bereich der Maske hindurchgelangten Lichtes.

Auf der Oberfläche des Siliciumchips einer solchen ladungsgekoppelten Vorrichtung befinden sich Elektroden, welche die periodische Übertragung dieser Ladungspakete der Reihe nach zu einer Ausgangselektrode ermöglichen. Der von der Ankunft der Ladungspakete an der Ausgangselektrode resultierende Strom liefert deshalb ein analoges Maß für das auf einen Elementarbereich der Vorrichtung auf treffende Licht. (Für weitere Einzelheiten hinsichtlich Aufbau und Arbeitsweise ladungsgekoppelter Abbildungsvorrichtungen siehe "Charge-Coupling Technology Leads to Compact Video Cameras", Bell Laboratories Record, Oktober 1973, Seiten 266 - 271.)

Fig. 4 zeigt eine vergrößerte Ansicht des Musters Nr. 1 der Fig. 1. (Um ein übermäßiges Überladen der Zeichnung zu vermeiden, ist in Fig. 4 ein aus transparenten und undurchlässigen Bereichen zusammengesetztes herkömmliches Maskenmuster

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wiederum nicht wirklich dargestellt. Solche Muster sind wohlbekannt und können verschiedene Formen haben.) Die einzelnen strichpunktierten Kästchen in Fig. 6 repräsentieren in etwa die maßgebenden Bestandteilsbereiche des Musters, die aufgrund der zuvor erwähnten Beleuchtung des Musters Nr. 1 nach den erfindungsgemäßen Prinzipien auf der Oberfläche des Speichermediums 40 (Fig. 2) abgebildet werden.

Um ein spezielles Beispiel der Arbeitsweise der Maskenüberprüfungsanordnung nach Fig. 2 zu geben, ist es hilfreich, weitere spezielle beispielsweise Dimensionen des in Fig. dargestellten Maskenmusters festzusetzen. Es sei beispielsweise angenommen, daß das Muster Nr. 1 eines von vielen "identischen" Mustern ist, die je in einem Bereich von 5 mm mal 5 mm enthalten sind (siehe die in Fig. 4 angegebenen Abmessungen). Die in einem Abstand voneinander angeordneten strichpunktierten senkrechten Reihen des Musters Nr. 1 messen je 5 um mal 2 500 pn. Diese senkrechten Reihen sind in 50-Mikrometer-Intervallen im Abstand voneinander angeordnet, und es sind 50 solcher senkrechter Reihen vorhanden.

Um die nachstehend zu beschreibende Korrespondenz zwischen den das Muster Nr. 1 zusammensetzenden Elementen und dem auf dem Speichermedium 40 der Fig. 2 erzeugten Bild leichter erkennbar zu machen, ist jedes der Musterelemente, die in

fi π q P L 7 / η 7 U 2

den strichpunktierten senkrechten Reihen in Fig. 4 enthalten sind, mit einer drei ganze Zahlen aufweisenden Bezeichnung versehen. Die erste Zahl kennzeichnet die Musternummer, die zweite Zahl kennzeichnet die Position der senkrechten Reihe (im folgenden Spalte genannt) in dem Muster und die dritte Zahl repräsentiert die Position der waagrechten Reihe (im folgenden Reihe genannt) im Muster. Polglich gibt die Bezeichnung 1-1-1 im oberen linken Element in Fig. 4 an, daß dieses Element ein Teil des Musters Nr. 1 ist und daß es sich in der ersten (am weitesten links gelegenen) Spalte und in der ersten (am weitesten oben gelegenen) Reihe des Musters Nr. 1 befindet. Dementsprechend ist das unterste Element in der ersten Spalte des Musters Nr. 1 mit 1-1-500 bezeichnet. Die nächste, einen Abstand aufweisende Spalte des Musters Nr. 1, die anfangs auf dem Speichermedium 40 abgebildet wird, ist in Wirklichkeit die 11., 5 ρ breite Spalte von links. Dementsprechend ist das oberste Element dieser Spalte mit 1-11-1 und das unterste Element dieser Spalte mit 1-11-500 bezeichnet. Ein Teil der am weitesten rechts gelegenen von den 50 Spalten des Musters Nr. 1, die anfangs auf dem Medium 40 abgebildet werden, ist ebenfalls in Fig. 4 gezeigt. Das oberste Element dieser Spalte ist mit 1-491-1 und das untere Element dieser Spalte mit 1-491-500 bezeichnet.

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Wie bereits erwähnt, wird der gesamte Bereich des Musters Nr. 1 auf die Aktivierung der Blitzlampe 16 in Fig. 2 momentan beleuchtet. Aufgrund der Wirkung der mit Öffnungen versehenen Platte 38 werden jedoch lediglich im Abstand voneinanderliegende Spslten des Musters Nr. 1 auf der Oberfläche des Speichers 40 abgebildet. Eine spezielle, beispielsweise Darstellung einer Platte, die zur Erzielung dieses Ergebnisses geeignet ist, ist in Fig. 5 gezeigt.

DIs In Fig. 5 dargestellte Platte 38 umfaßt mehrere Schlitze, eis in einem 'undurchsichtigen Teil 42 gebildet sind. Im speziellen Fall, in welchem 50 einen Abstand voneinander aufweisende Spalten eines jeden Musters gleichzeitig auf das Speichermedium 40 abgebildet werden sollen, umfaßt die Platte 38 50 Schlitze 101, 102, 103, ... 148, 149, 150. Jeder solche Schlitz ist so angeordnet, daß ihn eine Abbildung eines entsprechend positionierten der in Fig. 4 dargestellten strichpunktierten Spaltenbereiche passieren kann. Somit gelangen beispielsweise die Abbildungen der 500 Elemente, welche die erste in Fig. 4 gezeigte strichpunktierte Spalte aufweist, durch den Schlitz 101, und die Abbildungen der 500 Elemente der 50. Spalte in Fig. 4 werden durch den Schlitz 150 übertragen. Die Abbildungen der 48 anderen zuvor beschriebenen, im Abstand angeordneten Spalten des

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Musters Nr. 1 werden durch die in Fig. 5 gezeigten weiteren Schlitze 102, 103, ..·, 148, 149 hindurchgeschickt.

Ein beispielsweiser Satz ungefährer Abmessungen für die Platte 38 ist in Fig. 5 angegeben. Bei einer speziellen Anordnung, die entsprechend den erfindungsgemäßen Prinzipien hergestellt ist, entsprechen diese Abmessungen jenen, wie sie zuvor für das Muster Nr. 1 angegeben worden sind. Die entsprechenden Abbildungen der in jeder strichpunktierten Spalte der Fig. 4 enthaltenen 500 einzelnen 5-Mikrometermal-5-Mikrometer-Elemente sind je beispielsweise auf eine Größe von etwa 25 Mikrometer mal 25 Mikrometer ausgedehnt, wenn sie durch den zugeordneten der Schlitze in Fig. 5 gelangen.

Aufgrund der Beleuchtung des Musters Nr. 1 zur Zeit t^ gelangen die Abbildungen der 50 zuvor spezifizierten, im Abstand angeordneten Spalten dieses Musters durch die Platte (Fig. 5), um auf die Oberfläche des Speichermediums 40 aufzutreffen, (Fig. 2). Diese Abbildungen sind in Fig. 6 gezeigt, welche die Oberfläche des Mediums repräsentiert. Die einzelnen Abbildungselemente der Fig. 6 sind mit den gleichen aus drei Zahlen bestehenden Kennzeichnungen, wie sie in Fig. 4 enthalten sind, versehen, und entsprechen diesen jeweils.

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Zudem sind in Fig. 6 Angaben enthalten, um zu zeigen, zu welchen Zeiten die dargestellten Abbildungen auf die Oberfläche des Speichermediums 40 gelangen. Wie Fig. 6 zeigt, werden 50 im Abstand angeordnete Spaltenbereiche vom Muster Nr. 1 auf dem Medium 40 zur Zeit t^ abgebildet, welche der anfänglichen momentanen Periode entspricht, während welcher das Muster Nr. 1 von der Lampe 16 beleuchtet worden ist.

Beispielsweise wird während der aufeinanderfolgenden momentanen Beleuchtungen der Muster 1 bis 10 eine kontinuierliche Bewegung des Tisches 1o der Fig. 2 in der x-Richtung bewirkt. Die Aktivierung der Blitzlampe 16 zur Beleuchtung des gesamten Bereiches des Musters Nr. 2 wird vom Prozessor 20 so gesteuert, daß sie zur Zeit to auftritt, wenn sich das Muster Nr. 2 in Ausrichtung mit der Lampe 16 und der Linse 18 befindet.

Im Anschluß an die Beleuchtung des Musters Nr. 1 zur Zeit t* und vor der Beleuchtung des Musters Nr. 2 zur Zeit tp wird das Speichermedium 40 nach links in einer zur x-Achse parallelen Richtung schrittartig verschoben. Genauer gesagt wird das Medium 40 uui eine Distanz nach links verschoben, die gleich der Breite eines der in Fig. 6 gezeigten strichpunktierten Abbildungselemente ist. Dies wird dadurch bewirkt, daß geeignete Steuersignale vom Prozessor 20 einem

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normalen mechanischen Antrieb oder Mikropositionierer 46 (Fig. 2) zugeführt werden, der mit dem Medium 40 gekoppelt ist.

Als Folge der genannten Verschiebung des Speichermediums 40 bewirkt die Beleuchtung des Musters Nr. 2 zur Zeit ±2» daß 50 im Abstand angeordnete Spalten des Musters Nr. 2 auf der Oberfläche des Mediums 40 an Stellen abgebildet werden, die jeweils den zuvor beschriebenen 50 im Abstand angeordneten Spalten des Musters Nr. 1 benachbart sind. Dies ist in Fig. 6 dargestellt, in welcher beispielsweise die 500 Elemente in der ersten Spalte des Musters Nr. 2 (mit 2-1-1 bis 2-1-500 bezeichnet) jeweils den 500 Elementen in der ersten Spalte des Musters Nr. 1 (1-1-1 bis 1-1-500) benachbart gezeigt sind. Ferner sind die 500 Elemente der 11. und der 491. Spalte des Musters Nr. 2 jeweils an die 500 Elemente in der 11. und der 491. Spalte des Musters Nr. 1 angrenzend dargestellt. Diese speziellen Spalten, wie auch 47 weitere im Abstand angeordnete Spalten des Musters Nr. 2, werden zur Zeit tg auf dem Medium 40 abgebildet, wie es in Fig. 6 gezeigt ist.

Als nächstes wird zwischen den Bei euchtungs Intervall en t₂ und t-2 das Speichermedium 40 der Fig. 2 wieder um einen Schritt nach links verschoben, der gleich der Breite eines Abbildungselementes ist. Demzufolge bewirkt die momentane Beleuchtung

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des Musters Nr. 3 zur Zeit t·*, daß 50 im Abstand angeordnete Spalten des Musters Nr. 3 auf der Oberfläche des Mediums an Stellen abgebildet werden, die jeweils den zuvor beschriebenen 50 im Abstand angeordneten Spalten des Musters Nr. 2 benachbart sind. Dies ist in Fig. 6 dargestellt, welche zeigt, daß beispielsweise zur Zeit t^ die erste Spalte des Musters Nr. 3 direkt neben der ersten Spalte des Musters Nr. 2 abgebildet wird.

In gleicher Weise werden 50 entsprechende Spalten eines jeden der Muster 4 bis 10 der Reihe nach auf der Oberfläche des Speichermediums 40 abgebildet. Diese im Abstand angeordneten Spalten von jedem der Muster 4 bis 10 werden während der entsprechenden Zeitintervalle t^ bis t^Q als Gruppe auf das Medium 40 projiziert, wie es Fig. 6 zeigt. Somit sind nach 10 maligem Blitzen der Lampe 16 in Fig. 2 die entsprechenden 10 am weitesten links gelegenen Spalten der Muster 1 bis 10 Seite an Seite direkt nebeneinander auf der Oberfläche des Bildspeichermediums angeordnet. Außerdem sind die weiteren 49 Spalten eines jeden der 10 Reihen Muster je miteinander in Sätzen von 10 auf dem Medium 40 gruppiert.

Zu diesem Zeitpunkt des Überprüfungszyklus (d. h., nach t^₀) ist das Medium 40 der Fig. 2 vollständig belichtet. Demzufolge ist ein Bildfeld von 500 mal 500 Elementen in diesem

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Medium gespeichert. Es beginnt dann das Auslesen aus dem Medium 40. Dies wird durch eine herkömmliche Detektorschaltung 50 bewirkt, die durch den Prozessor 20 gesteuert ist. Signale von der Schaltung 50 werden beispielsweise zur visuellen Prüfung direkt auf eine Anzeigevorrichtung 52 gegeben und/ oder dem Prozessor 20 zugeführt, und zwar zur halbpermanenten Speicherung in diesem und/oder zur Durchführung verschiedener Signalumformungen.

Die Detektorschaltungsanordnung 50 wird beispielsweise so gesteuert, daß sie gleichzeitig 10 Reihen Elemente des im Medium 40 gespeicherten Feldes abtastet. So werden beispielsweise Signale, die 10 Elemente repräsentieren und in Fig. 1 mit 1-1-1, 2-1-1, ... 10-1-1 bezeichnet sind, seriell aus dem Medium 40 entnommen. Diese 10 Signale sind je repräsentativ für den selben Elementarbereich eines jeden der Muster 1 bis 10. Im Idealfall sind diese Bereiche identisch und damit auch die von ihnen abgeleiteten elektrischen Signale. Die oberste Wellenform 54 der Fig. 12 zeigt eine solche Situation. Wie dort gezeigt ist, sind die Amplituden der von den Bereichen 1-1-1, 2-1-1, ... 10-1-1 abgeleiteten Signale konstant und einander gleich. Eine solche Wellenform kann auf der Vorrichtung 52 der Fig. 2 zur visuellen Überprüfung durch eine Person dargestellt werden.

Ein wirklicher Fehler in einem der elementaren Bereich 1-1-1,

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2-1-1, ... 10-1-1 ist durch die mittlere Wellenform 56 in Fig.12 dargestellt. Ein Fehler im Bereich 6-1-1 ist deutlich angezeigt. Diese Anzeige kommt daher, daß die Intensität des durch den oberen linken Bereich des Musters Nr. 6 gelangten Lichtes sich beträchtlich von der Intensität desjenigen Lichtes unterscheidet, welches durch jeden der entsprechenden Bereiche der Muster 1-5 und 7-10 gelangt ist.

Ben Nachweis, daß das vom Bereich 6-1-1 stammende und auf der Vorrichtung 52 angezeigte Signal ein wirkliches Fehlersignal ist, kann man dadurch erhalten, daß man (beispielsweise im Prozessor 20) das 6-1-1-Signal vergleicht mit dem Mittelwert der von den Bereichen 5-1-1 und 7-1-1 erhaltenen Signale oder mit irgendeinem anderen gewichteten Mittelwert all der anderen Signale. Oder die zehn Signale können verarbeitet werden, um zu bestimmen, ob die zusammengesetzte Darstellung 56 ihrer Natur nach gleichförmig ist oder nicht. Oder durch Standardsignalverarbeitungsmethoden können die die Wellenform 56 bildenden Signale im Prozessor 20 geprüft werden, um nachzuweisen, daß das 6-1-1 Signal nicht dicht mit wenigstens einem der 5-1-1- und 7-1-1-Signale übereinstimmt.

Die unterste Wellenform 58 der Fig. 12 zeigt den Fall, in welchem entlang der Fläche der überprüften Maske gleichförmige

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graduelle Änderungen von Muster zu Muster auftreten. Wie zuvor erwähnt, können solche graduellen Änderungen akzeptabel sein. Wenn sie akzeptabel sind, sollte die Überprüfungsanordnung natürlich nicht das Auftreten eines Fehlers signalisieren. Durch einen Vergleich des Signals, das beispielsweise vom Bereich 7-1-1 stammt, mit dem Mittelwert der Signale von den Bereichen 6-1-1 und 8-1-1 würde der Prozessor 20 der Fig. 2 bestimmen, daß das 7-1-1-Signal der Wellenform nicht auf einen Fehler hinweist. Die Signalvergleiche im Prozessor 20 zwischen einem jeden Komponentensignal der Wellenform 58 und dem Mittelwert der benachbarten Signale dient dazu, die abgetasteten Signale korrekt einzustufen.

Bei einem einfachen herkömmlichen, zwei Chips vergleichenden System kann der Unterschied zwischen dem 7-1-1- und dem 8-1-1-Signal falsch als von einem Fehler herrührend eingestuft werden. Um sich gegen eine solche falsche Anzeige zu schützen, könnte der Schwellenwert des herkömmlichen Systems so eingestellt werden, daß er den Differenzwert zwischen den entsprechenden Punkten des 7-1-1- und des 8-1-1-Signals überschreitet. Eine solche Einstellung würde jedoch offensichtlich die Empfindlichkeit des Überprüfungsprozesses beeinträchtigen« Im Gegensatz dazu kann entsprechend der Bildzerlegungsmethode der vorliegenden Erfindung als Schwellenwert die Differenz zwischen einem Punkt des 7-1-1-Signals und dem Mittelwert der entsprechenden Punkte des 6-1-1- und des

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8-1-1-Signals festgesetzt werden. Für eine Wellenform der in Fig. 12 mit 58 gekennzeichneten Art ist dies ein niedrigerer Wert als der Schwellenwert, der zuvor für das herkömmliche System mit dem Vergleich zweier Chips spezifiziert worden ist. Die hier betrachtete Überprüfungsmethode ist folglich gekennzeichnet durch die Möglichkeit, Fehler auf empfindlichere Weise festzustellen, und, wie zuvor erwähnt, durch eine größere Immunität gegenüber Falschfeststellung.

In exakt gleicher Weise wird nachfolgend das Auslesen - von Jeweils zehn Elementen - des in Fig. 6 gezeigten Bildfeldes durchgeführt, bis die Signale, die von allen 500 Elementen in der ersten Reihe stammen, angezeigt und/oder verarbeitet sind. Dann werden die weiteren 499 Reihen des Feldes in Fig. 6 der Reihe nach auf gleiche Weise abgetastet» Während des Abtastens des gespeicherten Feldes wird der Tisch 11 der Fig. durch den Antrieb 22 zu seiner Ausgangsstellung verschoben. Nach Durchführung des Auslesens des im Medium 40 gespeicherten gesamten Feldes aus 500 mal 500 Elementen wird das Medium 40 (falls erforderlich) gelöscht und mechanisch zu seiner Anfangsstellung zurückgeführt.

Zu diesem Zeitpunkt ist das System der Fig. 2 für den Beginn eines weiteren Arbeitszyklus bereit. Während dieses nächsten

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Zyklus wird der Tisch 11 wieder auf kontinuierliche Weise in der x-Richtung von rechts nach links bewegt. Die Aktivierung der Blitzlampe 16 zur Beleuchtung der Muster 1 bis 10 wird jedoch der Reihe nach so gesteuert, daß sie zeitlich versetzt gegenüber der zuvor beschriebenen ersten Beleuchtung dieser Muster auftritt. Genauer gesagt, Muster Nr. 1 wird nicht beleuchtet, bis sich der Tisch 11 von seinem Startpunkt aus um die Breite (beispielsweise 5 Mikrometer) einer der zuvor spezifizierten und in Fig. 4 gezeigten elementaren Spalten nach links bewegt hat. Als Folge dieser Versetzung sind die 50 im Abstand angeordneten Spalten des Musters Nr. 1, die auf der Oberfläche des Mediums 40 abgebildet werden, die 2., 12., 22., ... 492. Spalte des Musters Nr. 1. Die Muster 2 bis 10 werden anschließend auf diese gleiche versetzte Weise beleuchtet. Das im Medium 40 gespeicherte resultierende Feld aus 500 Elementen mal 500 Elementen ist in Fig. 7 dargestellt. Das Auslesen aus dem Medium 40 findet dann in der zuvor beschriebenen Weise statt. Danach werden in 8 aufeinanderfolgenden gleichen Arbeitszyklen die restlichen Elemente im unteren linken Viertel eines jeden der Muster 1 bis 10 auf dem Medium 40 abgebildet. Als nächstes werden die Elemente im oberen rechten Viertel eines jeden der Muster 1 bis 10 in der hier beispielsweise beschriebenen Art überprüft. Dann wird der Tisch 11 der Fig. 2 in der Zeichnungsebene in der y-Richtung verschoben (beispielsweise um

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2,5 mm), um die untere Hälfte eines jeden der Muster 1 bis 10 in eine Position zur Überprüfung durch die zuvor beschriebene und im System der Fig. 2 enthaltene Bildzerlegungsmethode zu bringen.

Wie bereits erwähnt wurde, sind die erfindungsgemäßen Prinzipien auch auf eine Scheibenüberprüfung anwendbar. Tatsächlich ist die Anwendung dieser Prinzipien auf die Überprüfung von Scheiben besonders bedeutsam. Der Grund dafür ist die praktische Notwendigkeit, eine Scheibenüberprüfungsmethode auf Änderungen anzupassen, die typischerweise bei der Chipgeometrie entlang der Fläche einer Scheibe auftreten. Diese Änderungen entstehen beispielsweise durch Verfahrensvariationen und durch eine Fehlausrichtung unterschiedlicher Niveaus während der Chipherstellung.

Ein spezielles Beispiel eines nach den erfindungsgemäßen Prinzipien aufgebauten Scheibenüberprüfungssystems ist in Fig. 3 gezeigt. Eine Anzahl der in Fig. 3 enthaltenen Komponenten kann mit zuvor beschriebenen und in Fig. 2 gezeigten Einheiten identisch sein. Dies 3 Komponenten sind in Fig. 3 mit denselben Bezugsziffern gekennzeichnet, wie entsprechende Komponenten in Fig. 2.

Das Scheibenüberprüfungssystem der Fig. 3 umfaßt das Reflektie-

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ren von Licht von der oberen Oberfläche der vom beweglichen Tisch 11 getragenen Scheibe 13. (In Fig. 2 wird Licht durch die transparenten Teile der Maske 13 durchgelassen.) Demgemäß ist in Fig. 3 die Blitzlampe 16 gegenüber einem herkömmlichen Strahlenbündelteiler 60 und einer Linse 36 so positioniert, daß sie Licht auf die obere Oberfläche der Scheibe richtet. Von den Oberflächenkonturen der Scheibe reflektiertes Licht wird mit Hilfe der Linse 36 abgebildet und durch den Strahlenbündelteiler 60 auf die mit Öffnungen versehene Platte 38 übertragen. In gleicher Weise, wie sie zuvor in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben worden ist, dient die Pikt.= te 38 der Fig. 3 dazu, lediglich im Abstand voneinander abgeordnete Spalten des auftreffenden Lichtes auf die Oberfläche des Bildspeichermediums 40 gelangen zu lassen.

Die Menge des von einem elementaren Bereich der Scheibe reflektierten Lichtes ändert sich als Funktion der Wellenlänge. Überdies ändert sich die Menge des bei einer bestimmten Wellenlänge von einem Bereich reflektierten Lichtes beispielsweise mit den Dickenänderungen eines in dem Bereich enthaltenen Metalls oder Oxids. Folg.'.ich kann man durch systematisches Überwachen der Menge des bei verschiedenen Wellenlängen von einem bestimmten Bereich reflektierten Lichtes bedeutsame Daten über die Kontur und die Zusammensetzung des Bereichs erhalten. Eine herkömmliche Verarbeitung solcher Daten

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kann wichtige Diagnoseinformation hinsichtlich einer überprüften Scheibe geben.

Ein beispielsweises spezielles Scheibenüberwachungssystem, bei welchem jeder Elementarbereich der Scheibe tatsächlich gleichzeitig bei drei verschiedenen Wellenlängen optisch überprüft wird, ist in Fig. 8 gezeigt. Zuvor beschriebene Komponenten sind in Fig. 8 mit den selben Bezugszeichen gekennzeichnet, die zuvor in den Fig. 2 und 3 verwendet worden sind. In. FIgc 8 sind nachfolgend zu beschreibende zusätzliche Elements 64 isna 66 enthalten.

Licht Ύοη der Lampe 16 in Fig. 8 wird vom Strahlenbündelteiler 60 nach unten durch das Element 64 gerichtet. Beispielsweise umfaßt das Element 64 ein Teil, das drei Filter trägt. Eine schematische Draufsicht auf die Filter ist in Fig. 9 gezeigt. Von links nach rechts sind die von einem undurchsichtigen Teil 73 getragenen drei Filter 70, 71 und 72 so gewählt, daß sie lediglich rotes, grünes bzw. blaues Licht passieren lassen. Das durch die einzelnen Filter gelangende Licht wird durch die Linse 36 (Fig. 8) so gerichtet, daß es parallel jeweils auf ein einziges der im Teil 13 enthaltenen Muster fällt. Wie zuvor erwähnt, wird demzufolge jedes Muster effektiv bei drei verschiedenen Farben überprüft.

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Das von der oberen Oberfläche der Scheibe 13 reflektierte Licht wird durch die Linse 36 so gerichtet, daß es durch das Element 64 und den Strahlenbündelteiler 60 gelangt und auf dem Element 66 eine Abbildung erzeugt. Eine Draufsicht auf eine spezielle beispielsweise Form des Elementes 66 ist in Fig. 10 gezeigt. Wie Fig. 10 zeigt, enthält das Element 66 beispielsweise einzelne senkrechte Reihen herkömmlicher Miniaturlinschen . Der Abstand zwischen benachbarten senkrechten Reihen wie auch die Breite und Höhe einer jeden senkrechten Reihe kann beispielsweise etwa dem Abstand und den Abmessungen der Schlitze entsprechen, die in der mit öffnungen versehenen Platte 38 der Fig. 3 enthalten sind.

Das von jedem Elementarbereich eines Musters auf der Scheibe 13 der Fig. 8 reflektierte rote, grüne und blaue Licht wird durch ein einziges Linschen in einer senkrechten Reihe von Linschen gerichtet. Dieses einzige Linschen bewirkt, daß auf der Oberfläche des Speichermediums 40 drei Abbildungen der Elementarfläche erzeugt werden. Wie es in Fig. 10 gezeigt ist, wird beispielsweise von einem einzigen elementaren Musterbereich reflektiertes rotes, grünes und blaues Licht durch ein Linschen 76 gerichtet und erzeugt blaue, grüne und rote Abbildungen, die durch gestrichelte Kreise 77, 78 bzw. 79 dargestellt sind. Jedes andere Linschen in Fig. 10 ist dazu bestimmt, längs einer senkrecht zur Linschenspalte verlau-

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fenden Linie drei verschiedene Abbildungen zu erzeugen. Dementsprechend ist für eine Überprüfung einer Scheibe in der zuvor beschriebenen speziellen Art das hinter dem Element 66 der Fig. 10 positionierte Speichermedium 40 so gewählt, daß es eine Kapazität aufweist, die die Abbildung von 1 500 getrennten Elementen längs seiner Horizontalabmessung und von 500 Elementen längs seiner Vertikalabmessung ermöglicht.

Alternativ dazu können die drei von jedem elementaren Musterbereich stammenden drei Abbildungen des Scheibenüberprüfungssystems nach Fig. 8 so angeordnet sein, daß sie auf der Oberfläche des Speichermediums 40 parallel zu den Linschenspalten auftreten. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, daß die einzelnen Linschen in jeder Spalte so angeordnet werden, wie es in Fig. 11 gezeigt ist. Beispielsweise wird rotes, grünes und blaues Licht von einem einzigen Elementarbereich auf ein Linschen 80 gerichtet. Das Linschen 80 formt drei Abbildungen auf der Oberfläche des Mediums 40, die durch gestrichelte Kreise 81, 82 und 83 dargestellt sind. Bei dieser Arbeitsweise ist das Medium 40 folglich so ausgelegt, daß auf ihm ein Feld von 500 horizjntalen Elementen mal 1500 vertikalen Elementen abgebildet werden kann.

Die Bildzerlegungsmethode, wie sie in den hier beschriebenen speziellen beispielsweisen Systemen verwendet wird, ist eine

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wirkungsvolle Lösung für das Problem der Überprüfung von Masken und Scheiben. Wie zuvor erwähnt liegt ein Hauptvorteil dieser Methode in ihrer Fähigkeit, graduellen geometrischen und farblichen Änderungen entlang einer Gruppe von Mustern zu folgen und solche Änderungen von durch Fehler verursachten abrupten Änderungen zu unterscheiden.

Im Rahmen der Erfindung sind zalilreielie ilwandlimgen möglich. Beispielsweise kann das Filterelement 64 in F£g_c 8 in eine Position zwischen dem Strahlenbündelteiler βθ und dem Element 66 verschoben werden,, Bei dieser AnsfuhrwagsioT-m. wird die Scheibe 13 durch das ungefilterte Licht der Lao-pe 16 "Dsler--.- tet, und die Farbtrennung wird erst d'aroligefüLr-t_r nachdem das auftreffende Licht von der Oberfläche der Scheibe 13 reflektiert ist.

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Claims

BLUMBÄCH . WESER . BERGEN · KRAMER

ZWiRNER . HIRSCH \ _ _Λ _ _n

2b1BH

PATENTANWÄLTE !N MÜNCHEN UND WIESBADEN

Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsuit 62 Wiesbaden Sonnenbergsr Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237

Western Electric Company;, incorporated Feldman 12-2^.

Patentansprüche

mgsvsrfsliren zur Ul^^rüiiung eines TeIIs₉ das τΐ-.-.. ϊ Kus'tsr enthält5 die zueinander identisch sein sol·=· Isii- enroll einen Vergleich iron zwei oder raeiir Mustern, dadurch gekennzeichnet , daß von den vielen Küstern „jeweils eines momentan bestrahlt wird und daß Abbildungen lediglich von In einem Abstand angeordneten Teilen .nacheinander bestrahlter Muster auf einem Bildspeicheriaediuzü in Ineinandergeschobener Weise Seite bei Seite abgebildet werden, um entsprechende Teile der Muster im Medium nebeneinander anzuordnen_o
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gehe a η zeichnet, daß die vialen Muster sukzessiv benachbarte Musterbereiche aufweisen* die aus transparenten

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und undurchlässigen Teilen eines zu überprüfenden Maskenteils "bestehen, und daß im Rahmen der Bestrahlung Licht durch die transparenten Teile des Maskenteils auf das Bildspeichermedium übertragen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vielen Muster sukzessiv benachbarte Musterbereiche eines zu überprüfenden (Halbleiter-) Scheibenteils enthalten, und daß im Rahmen der Bestrahlung Licht auf die obere Oberfläche des Scheibenteils gerichtet wird, so daß von der Oberfläche des Scheibenteils reflektiertes Licht auf das Bildspeichermedium gerichtet wird.
4_C Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der Vergleich durchgeführt wird durch das Auslesen des Bildspeichermediums in sequentiellen Signalgruppen, von denen jede Signale enthält, die je für entsprechende Musterteile repräsentativ sind, und durch Verarbeiten der aus dem Bildspeichermedium ausgelesenen Signale zur Bestimmung, ob irgendwelche der Signale einer Gruppe einen Fehler im Maskenteil anzeigen oder nicht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß im Rahmen des Licht auf die obere

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Oberfläche des Scheibenteils Richtens Licht verschiedener spezifizierter Wellenlängen gleichzeitig jeweils auf einen der Scheibenteilmusterbereiche gerichtet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß im Rahmen des Übertragens lediglich von in einem Abstand angeordneten Teilen der Abbildung eines beleuchteten Scheibenteilmusterbereichs auf das Bildspeichermedium die verschiedenen von einem Elementarbereich eines beleuchteten Scheibenteilmusterbereichs reflektierten Wellenlängen auf das Bildspeichermedium übertragen v/erden, um im Bildspeichermedium verschiedene in einem Abstand auftretende Abbildungen zu erzeugen, die je für denselben Elementarbereich repräsentativ sind.
7. Bildzerlegungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einer Einrichtung zum sequentiellen und momentanen Bestrahlen aufeinanderfolgender benachbarter Musterbereiche eines zu überprüfenden Teils und mit einer Einrichtung zum Projizieren einer Abbildung eines bestrahlten Musterbereichs auf eine Bildspeichereinrichtung, gekennzeichnet durch eine zwischen der Projektionseinrichtung und der Bildspeichereinrichtung angeordnete Vorrichtung zur übertragung

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lediglich im Abstand angeordneter Teile des Bildes eines bestrahlten Musterbereichs auf die Bildspeichereinrichtung, und

eine Vorrichtung zur Verschiebung der Bildspeichereinrichtung zwischen aufeinanderfolgenden Bestrahlungen benachbarter Musterbereiche, so daß entsprechende Teile aufeinanderfolgender Musterbereiche auf der Bildspeichereinrichtung Seite an Seite abgebildet werden.
8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch g e k e η η *· zeichnet , daß die Übertragungsvorrichtung eras undurchlässige Platte mit im Abstand angeordneten Schll*·": ; aufweist, durch welche die im Abstand befindlichen Teile des Bildes des Musterbereichs je auf die Bildspeichereinrichtung übertragen werden.
9. Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungseinrichtung eine Filtervorrichtung umfaßt, die zwischen der Strahlungsquelle und dem zu überprüfenden Teil angeordnet ist, um mehrere unterschiedliche Wellenlängen gleichzeitig jeweils auf die Scheibenmusterbereiche zu richten.
10. Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnetdurch eine in der Bahn des von der oberen Ober-

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fläche des Teils reflektierten Lichtes angeordnete Filtervorrichtung, mit welcher Licht lediglich einiger verschiedener Wellenlängen gleichzeitig auf die Übertragungsvorrichtung gerichtet werden kann.
11. Anordnung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , daß die Übertragungsvorrichtung eine Reihe von Linschen aufweist, die je so angeordnet sind, daß sie auf die von einem Elementarbereich des Mi;jderbereichs reflektierten mehreren unterschiedlichen Wellenlängen anspricht, um auf der Bildspeichervorrichtiiag: mehrere unterschiedliche, im Abstand auftretende Abbildungen zu erzeugen, die je für denselben Elementarbereich repräsentativ sind.
12. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Bestrahlungsvorrichtung einen Zentralprozessor umfaßt sowie eine Aktivierungsschal tungsanordnung, die auf Zeitsteuerungssignale vom Prozessor anspricht, um die Bestrahlung zu steuern.
13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlungsvorrichtung einen in x-y-Richtung verschieblichen Tisch umfaßt, auf welchem die Maske gehalten wird, und einen mechanischen Antrieb,

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der mit dem Tisch gekuppelt ist und auf Signale vom Prozessor anspricht, um den Tisch zu verschieben.
14. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 13, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung, die
auf die in der Bildspeichereinrichtung gespeicherten Abbildungen anspricht und den Speicherinhalt der Speichereinrichtung in sequentiellen Signalgruppen ausliest, von denen jede Signale aufweist, die je entsprechende Teile
aufeinanderfolgender Musterbereiche repräsentieren.

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