CN103219256A - 发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法 - Google Patents

发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法 Download PDF

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Abstract

本发明是关于一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，借此以方便工程人员有效监控磊晶设备腔室内的变化，进而改善生产良率。该方法包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；以及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。

Description

发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法
技术领域
本发明是关于一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法。
背景技术
在发光二极体的制造期间，一般会将多个磊晶片配置在磊晶载盘(susceptor)上，然后再将此磊晶载盘置入沉积系统(例如有机金属化学气相沉积(MOCVD，metal-organic chemical vapor deposition)系统)中进行沉积处理，以制造发光二极体磊晶片。在进行沉积处理之后，经常需要对各批发光二极体磊晶片进行量测，以了解各批发光二极体磊晶片的物性是否落在规范之内。然而，发光二极体磊晶片一般是以单片方式进行量测，在量测结束之后再将单片发光二极体磊晶片的物性数据一一输入到电脑中并绘制成数据图表(例如物性曲线图)，然后再将这些无法显示出发光二极体磊晶片的批与批间的关系的数据图表逐一比对，以期找出各批发光二极体磊晶片间的制造条件变异。此种数据整合与数据图表比对的方式乃极为耗时与耗力，并且不易观察出单批磊晶片的物性在沉积腔体内的分布情形，以及随腔体使用时间而变异的状态与趋势。因此，亟需一种可让使用者便于观察各批发光二极体磊晶片间的物性差异以及制造条件变异的方法。
发明内容
为解决上述问题，依照本发明的实施例，提供一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；以及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。该方法可更包含下列步骤：在该显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
本发明的其他实施样态以及优点可从以下与用以例示本发明原理范例的随附图式相结合的详细说明而更显明白。此外，为了不对本发明造成不必要的混淆，在本说明书中将不再赘述为人所熟知的元件与原理。
附图说明
在本发明的随附图式中，相同的元件是借由相同的参考符号加以标示。
图1显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图。
图2显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图。
图3显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的一呈现方法的示意图。
图4A-4F显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的另一呈现方法的连续示意图。
元件符号说明：
1显示介面
3发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
5发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
7发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
9发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
11发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
13发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
31磊晶载盘图像
100流程图
101对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列
103依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像
105在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
200流程图
201对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行光激发光量测，以获得每一量测位置的光激发光量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列
203依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的光激发光量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像
205在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像
具体实施方式
依照本发明的实施例，图1显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图100。流程图100是起始于步骤101，于其中对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列。第一序列可包含量测时间序列，而第二序列亦可包含量测时间序列。此量测资料可包含但不限于例如薄膜厚度、发光波长、发光强度、反射率等等的相关物性的量测资料。
在步骤103中，依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像。例如，所谓「颜色标度(color scale)」是指利用不同的颜色来表示不同的物性数值范围。由于人类对颜色比对数字或线条更具有强烈的视觉反应，因此我们可利用此种颜色标度来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像，如此俾能让使用者更便于观察在各发光二极体磊晶片上的物性分布差异。
在步骤105中，在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。以此种重叠依序显示的方式，我们可更清楚地观察到发光二极体磊晶片的批与批之间的制造条件变异。此外，此方法可更包含下列步骤：在此显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
依照本发明的更为具体的实施例，图2显示发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的流程图200。图2是将本发明的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法应用在发光二极体磊晶片的光激发光物性量测的具体范例。流程图200是起始于步骤201，于其中对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行光激发光(photoluminescence)量测，以获得每一量测位置的光激发光量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列。第一序列可包含量测时间序列，而第二序列亦可包含量测时间序列。
在步骤203中，依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的光激发光量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像。
在步骤205中，在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。此外，此方法可更包含下列步骤：在此显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
依照本发明的范例，图3显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的示意图。如图3所示，在显示介面1上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像，举例来说，其中，参考符号「3」是指在第一周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像、「5」是指在第二周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像、「7」是指在第三周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像、「9」是指在第四周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像、「11」是指在第五周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像、以及「13」是指在第六周所生产的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
以图3中的对应磊晶载盘位置量测分布图像3为例，对应磊晶载盘位置量测分布图像3可呈现出各磊晶片在实际磊晶载盘上的配置位置图像、以及各量测位置在各实际磊晶片上的物性分布图像。例如，对应磊晶载盘位置量测分布图像3可呈现出19个发光二极体磊晶片配置在实际磊晶载盘上的位置图像(如图所示，即标示1号到19号的圆形图案)，亦即，可呈现出装载有19个磊晶片的磊晶载盘图像31，此是借由下列方式达成：对每一磊晶片赋予对应于实际磊晶载盘上的配置位置的第一序列，如此即可在建立对应磊晶载盘位置量测分布图像3时，依据第一序列定位出每一磊晶片在磊晶载盘图像31上的位置。再者，对应磊晶载盘位置量测分布图像3可呈现出在实际磊晶载盘上所配置的19个发光二极体磊晶片的物性分布图像，以对应磊晶载盘位置量测分布图像3中的第15号磊晶片图像为例，此是借由下列方式达成：对第15号实际磊晶片上的每一量测位置赋予对应于在第15号实际磊晶片上的相关地址的第二序列，如此即可在量测物性数据之后，依据第二序列并借由颜色标度方式以量测到的数据在磊晶载盘图像31的第15号磊晶片图像上建立物性分布图像。
在本发明的另一实施例中，第一序列及/或第二序列可包含量测时间序列。以磊晶载盘图像31为例，在依序量测第1号到第19号实际磊晶片时，即可对第1号到第19号实际磊晶片产生不同的量测时间序列；以磊晶载盘图像31上的第15号磊晶片图像为例，在依序量测第15号实际磊晶片上的各个位置时，即可对第15号实际磊晶片上的各个位置产生不同的量测时间序列。
依照本发明的另一范例，图4A-4F显示依照本发明的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法的连续示意图。如图4A-4F所示，在显示介面1上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。虽然图4A-4F是显示分开的图像，但实际上图4A-4F的图像是以重叠方式连续显示，以利使用者观察发光二极体磊晶片的批与批之间的制造条件变异。此种重叠且依序显示图像的方式可让使用者「追踪(tracking)」多批产品的物性变异，俾能让使用者判定是否需要修改制程条件。
在本发明的图式中所显示的磊晶片图像数量以及磊晶载盘图像数量乃是为了示范的目的而提出，其不应被视为限制，我们可依实际情况来设定这些磊晶片图像与磊晶载盘图像的数量。
依照本发明的方法，我们可清楚且方便地观察到在不同时期所生产的发光二极体磊晶片的物性分布差异以及制造条件变异。例如，磊晶工程师可使用雷射光激发光光谱仪来「追踪」多批发光二极体磊晶片对应于有机金属化学气相沉积(MOCVD)磊晶设备中的磊晶载盘位置的磊晶结果分布，以获得用来诊断制程条件的资讯，磊晶工程师可依照此种资讯来判定是否需要修改制程条件，以期提高产品良率。
虽然本发明已参考较佳实施例及图式详加说明，但熟习本项技艺者可了解在不离开本发明的精神与范畴的情况下，可进行各种修改、变化以及等效替代，然而这些修改、变化以及等效替代仍落入本发明所附的申请专利范围内。

Claims (9)

1.一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，包含下列步骤：
对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；
依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；及
在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
2.如权利要求1权利要求1所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，更包含下列步骤：
在该显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
3.如权利要求1所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其中该第一序列包含量测时间序列。
4.如权利要求1所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其中该第二序列包含量测时间序列。
5.如权利要求1所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其中该量测资料包含薄膜厚度、发光波长、发光强度、以及反射率的相关物性的量测资料。
6.一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，包含下列步骤：
对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行光激发光量测，以获得每一量测位置的光激发光量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；
依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的光激发光量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；及
在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
7.如权利要求6所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，更包含下列步骤：
在该显示介面上同时显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
8.如权利要求6所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其中该第一序列包含量测时间序列。
9.如权利要求6所述的发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，其中该第二序列包含量测时间序列。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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