DE4318163C2 - Verfahren zur Reparatur eines Defekts in einer Phasenschiebestrukturierung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefekts und eines Weißdefekts in einer Maske mit einer Phasenschiebemaskenstrukturierung.

Aus der EP-0 477 035 A2 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Retikels zur Verwendung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise bekannt, welches ein Substrat, eine elektrisch leitende Schicht, einen lichtabschirmenden Dünnfilm und einen auf einer Spin-on-Glas-Schicht gebildeten Photolack aufweist. Auf der Photolackschicht wird direkt durch Elektronenstrahlbelichtung eine Strukturierung ausgebildet. Nach der Entwicklung der Schicht und Herstellung einer Photolackstrukturierung werden freiliegende Abschnitte der lichtabschirmenden Schicht durch ein Ätzglasplasma zur Bildung einer lichtabschirmenden Strukturierung geätzt. Der verbleibende Photolack wird mit einem Sauer­ stoffplasma zur Ausbildung einer Photomaske behandelt. Daran anschließend wird ein transparenter Film über die Strukturierung im Schleuderverfahren aufgetragen, einer Elektronenstrahlbelichtung unterzogen, ausgebacken, und zur Ausbildung des Retikels entwickel,t welches eine Phasenver­ schiebestrukturierung besitzt.

Fig. 1 zeigt den Querschnitt der Struktur einer Phasenschiebe­ maskenstrukturierung eines "auf-dem-Phasenschieber-befind­ lichen-Typs", in welchem eine Lichtabschirmstrukturierung auf einem Phasenschieber angeordnet ist. In Fig. 1 ist ein Phasenschieber 2 auf einem Maskensubstrat gebildet, und eine Lichtabschirmstrukturierung 3 ist auf dem Phasenschieber 2 angeordnet. Die Lichtabschirmstrukturierung 3 besteht aus einem Metall wie Cr und MoSi oder Metallegierung. Da der Phasenschieber 2 die Phase von Licht um 180° verschiebt, er­ gibt sich eine abwechselnde Folge von nicht-phasenverscho­ benem Licht und Licht mit umgekehrter Phase unterhalb der Öffnung 20.

Fig. 2 ist eine Schnittansicht, welche den Aufbau einer Pha­ senschiebemaskenstrukturierung eines Typs zeigt, in welchem eine Lichtabschirmstrukturierung unterhalb eines Phasen­ schiebers angeordnet ist. In Fig. 2 ist ein strukturierter Lichtabschirmfilm auf einem Maskensubstrat 1 angeordnet, und ein Phasenschieber 2 ist so gebildet, daß er jede andere Öffnung 21 des Lichtabschirmfilms 3 bedeckt. Die Phasen­ schiebemaske von dem unterhalb des Phasenschiebers befindlichen Typ weist das gleiche Kennzeichen wie der auf dem Pha­ senschieber befindliche Typ auf, daß Lichtstrahlen durch jede zweite Öffnung 21 eine umgekehrte Phase aufweisen.

Fig. 3 ist ein Querschnitt, welcher einen Schwarzdefekt (-bereich) und einen Weißdefekt (-bereich) zeigt, wie man sie in einer Phasenschiebemaske vom auf dem Phasenschieber be­ findlichen Typ findet. Wie in Fig. 3 gezeigt, ist dieser Phasenschieber 2 ein Schwarzdefekt (-bereich), falls sich der Phasenschieber 2 dort befindet, wo er nicht vorhanden sein sollte. Im Gegensatz hierzu ist der fehlende Abschnitt des Phasenschiebers 2 ein Weißdefekt (-bereich) 7, falls der Phasenschieber 2 teilweise nicht vorhanden ist und folglich dort fehlt, wo er vorhanden sein sollte.

Fig. 4 ist ein Querschnitt, welcher einen Schwarzdefekt (-bereich) und einen Weißdefekt (-bereich) zeigt, wie man sie in einer Phasenschiebemaske vom unterhalb des Phasenschieber befindlichen Typs findet. Wie in einem Phasenschieber vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ ist der Phasenschie­ ber 2, welcher sich dort befindet, wo er nicht vorhanden sein sollte, ein Schwarzdefekt 4, während der Phasenschieber 2, welcher sich nicht dort befindet, wo er vorhanden sein sollte, ein Weißdefekt 7 ist.

Fig. 5 und 6 sind Querschnitte, die zeigen, wie ein Schwarz­ defekt einer Maske vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ, welcher eine herkömmliche Phasenschiebemaskenstruktu­ rierung aufweist, repariert werden kann. Der Schwarzdefekt 4 wie der in Fig. 5 gezeigte wird durch örtliche Bestrahlung eines Ionenstrahls 22 weggeätzt, welcher auf den den Schwarzdefekt 4 enthaltenden Bereich wie in Fig. 6 gezeigt angewendet wird. Der Ionenstrahl 22 wird aus einem fokussie­ renden Ionenstrahlapparat (FIB = focusing ion beam) abge­ strahlt, welcher in der Zeichnung nicht näher dargestellt ist. Ein Schwarzdefekt einer Phasenschiebemaske vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ wird auf die gleiche Weise repariert.

Das Reparaturverfahren verursacht jedoch zwangsweise auf der Oberfläche des Maskensubstrats 1 einen Ätzungsdefekt 11 mit einem ähnlichen Profil wie der Schwarzdefekt 4. Ein Licht­ strahl durch den Ätzungsdefekt 11 hat eine ungeordnete Phase, was zu vermeiden ist, wenn optische Lithographie mit einer hohen Auflösung gewünscht wird. Eine genaue Korrektur eines Strukturierungseffekts einer Phasenschiebemaske kann daher mit dem herkömmlichen Reparaturverfahren nicht erzielt werden.

Für einen Weißdefekt gibt es kein wirksames Reparaturverfahren.

Es ist folglich Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Ver­ fahren zur Reparatur eines Defekts zu schaffen, womit eine defekte Phasenschiebemaskenstrukturierung, welche einen Schwarzdefekt und/oder einen Weißdefekt aufweist, so repa­ riert werden kann, daß eine Phasenschiebemaske mit einer präzisen Strukturierung erhalten werden kann.

Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 und 9 gelöst.

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Repara­ tur eines Schwarzdefektbereichs in einer Maske, bei der ein Phasenschieber auf einem Maskensubstrat in der Form einer vorgegebenen Strukturierung gebildet ist, wobei der Schwarz­ defektbereich aus dem Phasenschieber besteht und sich in der Phasenschiebestrukturierung befindet, in der sie nicht vor­ handen sein sollte. Das Verfahren ist dadurch gekennzeich­ net, daß ein Reparaturphasenschieber auf einem um den Schwarzdefekt befindlichen Bereich gebildet wird, welcher den Schwarzdefektbereich mit einer Dicke einschließt, welche groß genug ist, um nachteilige optische Auswirkungen auf den Schwarzdefektbereich zu beseitigen, wobei der Korrekturpha­ senschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsin­ dex wie demjenigen des Phasenschiebers besteht.

Der Phasenschieber ist vorzugsweise von einer Oberfläche des Maskensubstrats an 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasen­ schieber.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefektbereichs in einer Maske mit einer Phasenschiebestrukturierung, welche aus einem auf einem Maskensubstrat gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf dem Phasenschieber gebildeten Lichtabschirmfilm mit einer vorge­ gebenen Strukturierung besteht, wobei der Schwarzdefektbe­ reich aus dem Phasenschieber hergestellt ist und sich in ei­ ner Oberfläche des Maskensubstrats befindet, wo er nicht vorhanden sein sollte. Das Verfahren weist auf: einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturphasenschiebers auf dem ganzen Maskensubstrat, und Einstellen der Dicke des Repara­ turphasenschiebers von der Oberfläche des Maskensubstrats an als 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem glei­ chen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht; einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeckschicht auf dem Re­ paraturphasenschieber in einem Bereich, welcher dem Schwarz­ defektbereich entspricht; und einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasenschieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

Der Phasenschieber besteht vorzugsweise aus einem Oxidsili­ ziumfilm, und der Reparaturphasenschieber besteht vorzugs­ weise aus einem im Schleuderverfahren aufgetragenen Glasma­ terial (SOG = spin-on glass).

Der Reparaturphasenschieber kann aus Oxidsilizium bestehen.

Der erste Schritt umfaßt vorzugsweise die folgenden Schritte: Bildung eines Oxidsiliziumfilmes mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber auf dem gesamten Mas­ kensubstrat, so daß der Oxidsiliziumfilm von der Oberfläche des Maskensubstrats an 2,5mal oder mehr so dick ist wie der Phasenschieber und eine flache Oberfläche aufweist; und Ät­ zen des Oxidsiliziumfilms von oben her, so daß ein resultie­ render Oxidsiliziumfilm, der ein Reparaturphasenschieber ist, eine Dicke erhält, welche 1,5- bis 2,5mal so grob ist wie die Dicke des Phasenschiebers.

Das Verfahren kann des weiteren vor dem ersten Schritt auch den Schritt umfassen, daß ein Dünnfilm auf dem gesamten Mas­ kensubstrat gebildet wird, auf dem der Phasenschieber und die Lichtabschirmstrukturierung angeordnet sind, wobei der Dünnfilm ätzresistent ist, so daß er während des Ätzens im dritten Schritt nicht weggeätzt wird.

Als Alternative kann das Maskensubstrat vollständig mit ei­ nem Dünnfilm bedeckt werden, der durch das Ätzen im dritten Schritt nicht weggeätzt wird, so daß ein Lichtstrahl durch den Dünnfilm und den Phasenschieber gegenüber einem nicht­ phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben ist.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefektbereichs in einer Maske mit einer Phasenschiebestrukturierung, welche aus ei­ nem auf einem Maskensubstrat gebildeten lichtabschirmenden Film mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf einer unbedeckten Oberfläche des Maskensubstrats gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung be­ steht, wobei der Schwarzdefektbereich aus dem Phasenschieber besteht und sich in einer Oberfläche des Maskensubstrats be­ findet, wo er nicht vorhanden sein sollte. Das Verfahren um­ faßt: einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturpha­ senschiebers auf dem gesamten Maskensubstrat, welcher aus einem Material so hergestellt ist, daß der Reparaturphasen­ schieber von einer Oberfläche des Maskensubstrats an 1,5- bis 2,5mal so dick ist wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht; einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeckschicht auf dem Reparatur­ phasenschieber in einem Bereich, welcher dem Schwarzdefekt­ bereich entspricht; und einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasenschieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Reparatur eines Weißdefektbereichs in einer Maske, bei wel­ cher ein Phasenschieber in der Form einer vorgegebenen Strukturierung auf einem Maskensubstrat gebildet ist, wobei der Weißdefektbereich als ein Abschnitt definiert ist, in dem der Phasenschieber teilweise nicht vorhanden ist. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Reparaturpha­ senschieber auf einem Bereich um einen Weißdefekt gebildet ist, welcher den Weißdefektbereich mit einer Dicke umfaßt, die groß genug ist, um einen nachteiligen optischen Effekt des Weißdefekts zu beseitigen, wobei der Reparaturphasen­ schieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie demjenigen des Phasenschiebers besteht.

Der Reparaturphasenschieber ist vorzugsweise von einer Ober­ fläche des Phasenschiebers mit dem Weißdefekt an 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasenschieber.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur eines Weißdefektbereichs in einer Maske mit einer Phasenschiebestrukturierung, welche aus einem auf einem Mas­ kensubstrat gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf dem Phasenschieber gebildeten Lichtabschirmfilm mit einer vorgegebenen Strukturierung be­ steht, wobei der Weißdefektbereich als ein teilweise fehlen­ der Abschnitt des Phasenschiebers definiert ist. Das Verfah­ ren weist auf: einen ersten Schritt der Bildung eines Repa­ raturphasenschiebers vollständig auf dem Maskensubstrat, und Einstellen der Dicke des Reparaturphasenschiebers von der Oberfläche des Maskensubstrats an als 2,5- bis 3,5mal so dick wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschie­ ber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht; einen zweiten Schritt der Bil­ dung einer Abdeckschicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Bereich, welcher dem Weißdefektbereich entspricht; und einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasenschieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur eines Weißdefektbereichs in einer Maske mit einer Phasenschiebestrukturierung, welche aus ei­ nem auf einem Maskensubstrat gebildeten lichtabschirmenden Film mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf einer unbedeckten Oberfläche des Maskensubstrats gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung be­ steht, wobei der Weißdefektbereich als ein Abschnitt defi­ niert ist, in dem der Phasenschieber teilweise fehlt. Das Verfahren umfaßt: einen ersten Schritt der Bildung eines Re­ paraturphasenschiebers auf dem gesamten Maskensubstrat, und Einstellen der Dicke des Reparaturphasenschiebers von einer Oberfläche des Maskensubstrats 2,5- bis 3,5mal so dick wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Pha­ senschieber besteht; einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeckschicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Be­ reich, welcher dem Weißdefektbereich entspricht; und einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasenschieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

Das Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefekts erfordert es also, daß der Reparaturphasenschieber, welcher aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie demjenigen des Phasenschiebers besteht, auf dem Bereich um den Schwarzde­ fekt dick genug gebildet wird, um den nachteiligen optischen Effekt des Schwarzdefekts zu beseitigen. Der Reparaturpha­ senschieber ist beispielsweise von der Oberfläche des Mas­ kensubstrats an 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasenschieber.

Hieraus ergibt sich als Ergebnis, daß ein Lichtstrahl durch den Bereich um den Schwarzdefekt um 0 ± 90° verzögert wird. Dies bedeutet, daß ein Lichtstrahl durch den Bereich um den Schwarzdefekt fast gleichwertig ist mit einem Lichtstrahl durch einen Bereich ohne den Schwarzdefekt, welcher im Ver­ gleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 90° phasenverschoben ankommt. Das Verfahren beansprucht also, daß der Bereich um den Schwarzdefekt nicht beschädigt wird, wodurch es ermöglicht wird, daß die reparierte Phasenschie­ bemaske eine präzise definierte Strukturierung aufweist.

Das Verfahren zur Reparatur eines Weißdefekts erfordert es, daß der Reparaturphasenschieber, welcher aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie demjenigen des Phasen­ schiebers besteht, auf dem Bereich um den Weißdefekt dick genug gebildet wird, um den nachteiligen optischen Effekt des Weißdefekts zu beseitigen. Der Reparaturphasenschieber ist beispielsweise von der Oberfläche des Maskensubstrats an einschließlich des Weißdefekts 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasenschieber.

Dies hat zur Folge, daß ein Lichtstrahl durch den Bereich um den Weißdefekt um α±90° phasenverschoben wird. In anderen Worten heißt dies, daß ein Lichtstrahl durch den Bereich um den Weißdefekt fast gleichwertig ist mit einem Lichtstrahl durch einen Bereich ohne den Schwarzdefekt, welcher im Ver­ gleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um α° phasenverschoben ankommt. Das Verfahren verursacht also keine Beschädigung des Bereichs um den Weißdefekt, wodurch es wiederum ermöglicht wird, daß die reparierte Phasenschie­ bemaske eine präzise definierte Strukturierung aufweist.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.

Es zeigt:

Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Phasenschiebestruk­ turierung des Phasenschiebers vom auf dem Pha­ senschieber befindlichen Typ;

Fig. 2 einen Querschnitt durch eine Phasenschiebestruk­ turierung des Phasenschiebers vom unterhalb des Phasenschiebers befindlichen Typ;

Fig. 3 einen Querschnitt durch einen Schwarzdefekt und einen Weißdefekt, welche in einer Phasenschie­ bestrukturierung vom unterhalb des Phasenschie­ bers befindlichen Typ vorhanden sind;

Fig. 4 einen Querschnitt durch einen Schwarzdefekt und einen Weißdefekt, welche in einer Phasenschie­ bestrukturierung vom auf dem Phasenschieber be­ findlichen Typ vorhanden sind;

Fig. 5 und 6 Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Phasen­ schiebestrukturierung;

Fig. 7 bis 11 Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Phasen­ schiebestrukturierung einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 11 bis 15 Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Phasen­ schiebestrukturierung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 16 bis 20 Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Phasen­ schiebestrukturierung einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 21 bis 25 Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Phasen­ schiebestrukturierung einer vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 26 bis 28 Querschnittansichten eines weiteren Ver­ fahrens zur Bildung einer Reparaturphasenmaske; und

Fig. 29 und 30 Querschnittansichten des Auftrags eines Ätzstop-Dünnfilmes.

Fig. 7 bis 10 sind Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Maske mit einer Pha­ senschiebemaskenstrukturierung vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung.

Ähnlich wie die Phasenschiebemaske nach Fig. 5 werden ein strukturierter Phasenschieber 2 und eine strukturierte Lichtabschirmungsstruktur 3 auf einem Maskensubstrat 1 ge­ bildet, welches aus Quarz besteht. Ein Schwarzdefekt(-be­ reich) 4, welcher aus dem selben Material besteht wie der Phasenschieber 2, befindet sich auf dem Maskensubstrat 1 in einer Position, in der sich der Phasenschieber 2 nicht be­ finden sollte. Dies ist auch ähnlich wie in der Phasenschie­ bemaske nach Fig. 5.

Das Material des Phasenschiebers 2 ist wie ein Oxidsilizium­ film durchlässig gegenüber einem Lichtstrahl von einer Be­ strahlungslichtquelle für optische Lithographie, ebenso wie das Maskensubstrat 1. Der Lichtabschirmungsfilm 3 besteht aus Metall wie Cr und MoSi oder Metallegierung.

Wenn die Phasenschiebemaskenstrukturierung solch einen Schwarzdefekt beinhaltet, muß bei der Korrektur des Schwarz­ defekt SOG (spin-on glass) mit dem gleichen Brechungsindex wie dem des Phasenschiebers 2 auf die Phasenschiebemasken­ strukturierung aufgebracht werden, um so einen Reparaturpha­ senschieber 5 zu bilden. Aufgrund seiner Eigenschaften la­ gert sich SOG ziemlich gleichmäßig flach auf dem Schwarzde­ fekt 4 und den ihn umgebenden Bereich ab.

Der Reparaturphasenschieber 5 ist so gebildet, daß er von der Oberfläche des Maskensubstrats 1 an die zweifache Dicke der Dicke d des Phasenschiebers 2 aufweist, d. h. der Repara­ turphasenschieber 5 muß auf der Lichtabschirmstrukturierung eine Dicke aufweisen, welche definiert ist als {(die Dicke des Phasenschiebers 2) - (die Dicke der Lichtabschirmstruk­ turierung 3)}.

Als nächstes wird eine Abdeckschicht 6 auf den Reparaturpha­ senschieber 5 aufgetragen und so strukturiert, daß die Ab­ deckschicht 6 nur in einem Bereich verbleibt, der den Schwarzdefekt 4 wie in Fig. 8 gezeigt vollständig abdeckt. Der Reparaturphasenschieber 5 wird dann unter Verwendung der Abdeckschicht 6 als Maske wie in Fig. 9 geätzt, worauf die Entfernung des Abdeckmittels 6 folgt (Fig. 10).

Somit ist es bei dem Reparaturverfahren gemäß der ersten be­ vorzugten Ausführungsform nötig, daß der Reparaturphasen­ schieber 5 wie in Fig. 10 gezeigt in der Umgebung des Schwarzdefekts 4 doppelt so dick ist wie die Dicke d des Phasenschiebers 2. Die Dicke d des Phasenschiebers 2 wird hingegen so festgelegt, daß ein durch ihn einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben wird. Folglich ist ein durch den Reparaturphasenschieber 5 einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 360° phasenverschoben, da der Reparaturphasenschieber 5 in der Nähe des Schwarzdefekts 4 eine Dicke von 2d aufweist. Da der Schwarzdefekt 4 und der Phasenschieber 2 überdies aus dem gleichen Material bestehen und der Schwarzdefekt 4 und der Reparaturphasenschieber 5 den gleichen Brechungsindex haben, kommt ein durch sowohl den Schwarzdefekt 4 und den Reparaturphasenschieber 5 einfallender Lichtstrahl im Ver­ gleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 360° phasenverschoben an. Anders ausgedrückt heißt dies, daß ein durch den Schwarzdefekt 4 und den darumliegenden Bereich einfallender Lichtstrahl im Hinblick auf die Phasendifferenz mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl äquivalent ist zu einem Lichtstrahl, welcher durch einen Bereich ohne den Schwarzdefekt 4 einfällt (und im Vergleich mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 0° phasenverschoben ankommt), wodurch ein von dem Schwarzdefekt 4 verursachter Phasenunterschied vollständig beseitigt wird.

Es wird also beansprucht, daß das Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Phasenschiebemaskenstrukturie­ rung nach der ersten bevorzugten Ausführungsform eine prä­ zise Korrektur eines Defekts erzielt, ohne daß die Oberflä­ che des Maskensubstrats 1 beschädigt wird.

Fig. 11 bis 15 sind Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Maske mit einer Phasenschiebemaskenstrukturierung vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ (zweite bevorzugte Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung).

Wie in Fig. 11 gezeigt, werden auf einem Maskensubstrat 1 aus Quarz ein strukturierter Phasenschieber 2 und eine strukturierte Lichtabschirmstrukturierung 3 gebildet, wobei teilweises Fehlen des Phasenschiebers 2 als Weißdefekt (-be­ reich) 7 identifiziert ist.

Ein erster Schritt zur Reparatur eines solchen Weißdefekts in der Phasenschiebemaskenstrukturierung ist es, SOG, mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber 2 auf die Phasenschiebemaskenstrukturierung aufzubringen, um dadurch einen Reparaturphasenschieber 8 zu bilden (Fig. 12). Auf­ grund seiner Eigenschaften lagert sich SOG ziemlich gleich­ mäßig flach auf dem Weißdefekt 7 und dem ihn umgebenden Be­ reich ab.

Der Reparaturphasenschieber 8 muß von der Oberfläche des Maskensubstrats 1 an die dreifache Dicke des Phasenschiebers 2 aufweisen, d. h. der Reparaturphasenschieber 8 muß auf der Lichtabschirmstrukturierung 3 eine Dicke aufweisen, welche definiert ist als {2x (die Dicke des Phasenschiebers 2) - (die Dicke der Lichtabschirmstrukturierung 3)}.

Als nächstes wird eine Abdeckschicht 9 auf den Reparaturpha­ senschieber 8 aufgetragen und so strukturiert, daß die Ab­ deckschicht 9 nur in einem Bereich verbleibt, der den Weiß­ defekt 4 wie in Fig. 13 gezeigt vollständig abdeckt. Der Re­ paraturphasenschieber 8 wird dann wie in Fig. 14 gezeigt durch die Abdeckschicht 9 geätzt. Die Abdeckschicht 9 wird dann entfernt (Fig. 15).

Wie es unmittelbar vorausgehend beschrieben wurde, ist der Reparaturphasenschieber 8 bei dem Verfahren zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Phasenschiebemaskenstrukturierung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform in der Umge­ bung des Weißdefekts 7 doppelt so dick wie die Dicke d des Phasenschiebers 2. Die Dicke d des Phasenschiebers 2 wird hingegen so festgelegt, daß ein durch ihn einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben wird. Folglich ist ein sowohl durch den Reparaturphasenschieber 8 als auch den Pha­ senschieber 2 einfallender Lichtstrahl in der Umgebung des Weißdefekts 7 im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° (540°) phasenverschoben. Folglich ist ein durch den Weißdefekt 7 und den darumliegenden Bereich einfallender Lichtstrahl im Hinblick auf die Phasendifferenz mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl äquivalent zu einem Lichtstrahl, welcher durch einen Bereich ohne den Weißdefekt 7 einfällt (welcher im Vergleich mit einem nicht­ phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben an­ kommt), wodurch ein von dem Weißdefekt 7 verursachter Pha­ senunterschied vollständig beseitigt wird.

Somit ist es durch das Reparaturverfahren nach der zweiten bevorzugten Ausführungsform möglich, einen Weißdefekt in ei­ ner Phasenschiebemaskenstrukturierung präzise zu korrigieren.

Fig. 16 bis 20 sind Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Schwarzdefekts in einer Maske mit einer Phasenschiebemaskenstrukturierung vom unterhalb des Phasen­ schiebers befindlichen Typ (dritte bevorzugte Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung).

In Fig. 16 wird ein strukturierter Lichtabschirmfilm 3 auf einem Maskensubstrat 1 aus Quarz aufgebracht. Ein Phasen­ schieber 2 wird auf jeden anderen Oberflächenraum des Mas­ kensubstrats 1 zwischen den Lichtabschirmfilmen 3 gebildet. Ein Schwarzdefekt 4 aus dem gleichen Material wie der Pha­ senschieber 2 befindet sich auf einem Oberflächenraum des Maskensubstrats 1 zwischen den Lichtabschirmfilmen 3, ob­ gleich er dort nicht vorhanden sein sollte.

Wenn eine Phasenschiebemaskenstrukturierung solch einen Schwarzdefekt beinhaltet, besteht ein erster zu unternehmen­ der Schritt darin, SOG (spin-on glass) mit dem gleichen Bre­ chungsindex wie dem des Phasenschiebers 2 auf die Phasen­ schiebemaskenstrukturierung aufzubringen, um so einen Repa­ raturphasenschieber 5 zu bilden. Aufgrund seiner Eigenschaf­ ten lagert sich SOG ziemlich gleichmäßig flach auf dem Schwarzdefekt 4 und dem ihn umgebenden Bereich ab.

SOG sollte so aufgebracht werden, daß der sich daraus erge­ bende Reparaturphasenschieber 5 so gebildet ist, daß er von der Oberfläche des Maskensubstrats 1 an doppelt so dick ist wie der Phasenschieber 2. Genauer gesagt muß der Reparatur­ phasenschieber 5 auf der Lichtabschirmstrukturierung 3 eine Dicke aufweisen, welche definiert ist als {2x (die Dicke des Phasenschiebers 2) - (die Dicke der Lichtabschirmstrukturie­ rung 3)}.

Als nächstes wird eine Abdeckschicht 6 auf den Reparaturpha­ senschieber 5 aufgetragen und so strukturiert, daß die Ab­ deckschicht 6 nur in einem Bereich ungeätzt bleibt, der den Schwarzdefekt 4 wie in Fig. 18 gezeigt vollständig abdeckt. Der Reparaturphasenschieber 5 wird dann unter Verwendung der Abdeckschicht 6 als Maske wie in Fig. 19 geätzt, worauf die Entfernung des Abdeckmittels 6 folgt (Fig. 20).

Somit ist der Reparaturphasenschieber 5 bei dem Reparatur­ verfahren nach der dritten bevorzugten Ausführungsform in der Umgebung des Schwarzdefekts 4 doppelt so dick ist wie die Dicke d des Phasenschiebers 2. Da die Dicke d des Pha­ senschiebers 2 so festgelegt ist, daß ein durch ihn ein­ fallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenver­ schobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben wird, ist ein durch den Reparaturphasenschieber 5 einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 360° (0°) phasenverschoben. Da der Schwarzdefekt 4 und der Phasenschieber 2 überdies aus dem gleichen Material be­ stehen, wird ein durch sowohl den Schwarzdefekt 4 als auch den Reparaturphasenschieber 5 einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl ebenfalls um 360° phasenverschoben an. Anders ausgedrückt heißt dies, daß ein durch den Schwarzdefekt 4 und den darum­ liegenden Bereich einfallender Lichtstrahl im Hinblick auf die Phasendifferenz mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl äquivalent ist zu einem Lichtstrahl, welcher durch einen Bereich ohne den Schwarzdefekt 4 einfällt (und im Vergleich mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 0° phasenverschoben ankommt). Hierdurch wird ein von dem Schwarzdefekt 4 verursachter Phasenunterschied vollständig beseitigt.

Wenn das Maskensubstrat 1 also mit der Reparaturmethode der dritten bevorzugten Ausführungsform bearbeitet wird, um einen Schwarzdefekt in einer Phasenschiebemaskenstrukturie­ rung zu reparieren, kann es auf keinen Fall beschädigt wer­ den. Die Reparatur des Schwarzdefekts in der Phasenschiebe­ maskenstrukturierung ist also präzise.

Fig. 21 bis 25 sind Querschnittansichten eines Verfahrens zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Maske mit einer Phasenschiebemaskenstrukturierung vom unterhalb des Phasen­ schiebers befindlichen Typs (vierte bevorzugte Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung).

Wie es in Fig. 21 gezeigt ist, wird ein strukturierter Lichtabschirmfilm 3 auf einem Maskensubstrat 1 aus Quarz aufgebracht. Ein Phasenschieber 2 wird auf jedem zweiten Oberflächenraum des Maskensubstrats 1 zwischen den Lichtab­ schirmfilmen 3 gebildet. Der Phasenschieber 2 beinhaltet auf seiner Oberfläche einen Weißdefekt 7.

Die Reparatur einer solchen Phasenschiebemaskenstrukturie­ rung mit einem Weißdefekt 7 erfordert es, SOG mit dem glei­ chen Brechungsindex wie dem des Phasenschiebers 2 auf die Phasenschiebemaskenstrukturierung aufzubringen, um so einen Reparaturphasenschieber 8 zu bilden. Das abgelagerte SOG weist auch auf dem Weißdefekt 7 und dem ihn umgebenden Be­ reich eine ausgezeichnete Ebenheit auf.

Der Reparaturphasenschieber 8 muß von der Oberfläche des Maskensubstrats 1 an dreimal so dick sein wie der Phasen­ schieber 2, d. h. der Reparaturphasenschieber 8 braucht auf der Lichtabschirmstrukturierung 3 eine Dicke, welche defi­ niert ist als {3x (die Dicke des Phasenschiebers 2) - (die Dicke der Lichtabschirmstrukturierung 3)}.

Als nächstes wird eine Abdeckschicht 9 auf den Reparaturpha­ senschieber 8 aufgetragen und so strukturiert, daß die Ab­ deckschicht 9 nur in einem Bereich verbleibt, der den Weiß­ defekt 7 wie in Fig. 23 gezeigt vollständig abdeckt. Der Re­ paraturphasenschieber 8 wird dann wie in Fig. 24 gezeigt durch die Abdeckschicht 9 geätzt, worauf die Abdeckschicht 9 entfernt wird (Fig. 25).

Wie es unmittelbar vorangegangen beschrieben wurde, ist der Reparaturphasenschieber 8 bei dem Verfahren zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Phasenschiebemaskenstrukturierung nach der vierten bevorzugten Ausführungsform in der Umgebung des Weißdefekts 7 doppelt so dick wie die Dicke d des Pha­ senschiebers 2. Die Dicke d des Phasenschiebers 2 hingegen ist so festgelegt, daß ein durch ihn einfallender Licht­ strahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Licht­ strahl um 180° phasenverschoben ankommt. Folglich ist in der Umgebung des Weißdefekts 7 ein sowohl durch den Reparatur­ phasenschieber 8 als auch den Phasenschieber 2 einfallender Lichtstrahl im Vergleich zu einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° (540°) phasenverschoben. Somit ist ein durch den Weißdefekt 7 und den darumliegenden Bereich ein­ fallender Lichtstrahl im Hinblick auf die Phasendifferenz mit einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl äquivalent zu einem Lichtstrahl, welcher durch einen Bereich ohne den Weißdefekt 7 einfällt (und im Vergleich mit einem nicht-pha­ senverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben an­ kommt), wodurch ein von dem Weißdefekt 7 verursachter Pha­ senunterschied vollständig beseitigt wird.

Gemäß dem Verfahren zur Reparatur eines Weißdefekts in einer Phasenschiebemaskenstrukturierung nach der vierten bevorzug­ ten Ausführungsform ist es also möglich, einen Weißdefekt in einer Phasenschiebemaskenstrukturierung präzise zu reparieren.

Im vorhergegangenen bezüglich der ersten bis vierten bevor­ zugten Ausführungsform wurde beschrieben, daß der Reparatur­ phasenschieber aus SOG besteht. Wenn SOG als solches verwen­ det wird, weist die Phasenschiebemaske auch über einem De­ fekt (sowohl Schwarz- als auch Weißdefekt) einen flachen Querschnitt auf, ebenso wie der Bereich um ihn herum.

Der Reparaturphasenschieber kann als Alternative aus einem Oxidsiliziumfilm bestehen, welcher mit dem Dampfabscheide­ verfahren (CVD) hergestellt werden kann. Es folgt eine Be­ schreibung dessen, wann der Reparaturphasenschieber aus ei­ nem Oxidsiliziumfilm hergestellt wird, am Beispiel der Repa­ ratur eines Schwarzdefekts in einer Phasenschiebemasken­ strukturierung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform. Diesbezügliche Zeichnungen sind in Fig. 26 bis 28 gezeigt.

Ein Oxidsiliziumfilm 5A wird von einem Bereich der Oberflä­ che des Maskensubstrats 1 an, in welchem der Schwarzdefekt 4 vorhanden ist, mit der doppelten Dicke der Dicke d des Pha­ senschiebers 2 auf dem Lichtabschirmfilm 3 aufgewachsen (Fig. 26). Die Oberfläche des Oxidsiliziumfilms 5A ist nicht ausreichend flach.

Um dies zu beheben, wird ein Oxidsiliziumfilm 5B mit einer ausreichenden Dicke (»2d) auf dem Oxidsiliziumfilm 5A auf­ gewachsen, so daß der Oxidsiliziumfilm 5A wie in Fig. 27 ge­ zeigt eine flache Oberfläche aufweist. Dann wird die gesamte Oberfläche des Oxidsiliziumfilms 5B geätzt (Fig. 28), wonach der Reparaturphasenschieber auch über dem Schwarzdefekt 4 und dem ihn umgebenden Bereich eine flache Oberfläche auf­ weist. Dadurch wird der Reparaturphasenschieber 5 mit exakt der Dicke 2d auf dem Maskensubstrat 1 definiert. Die Verwen­ dung eines Oxidsiliziumfilms als der Reparaturphasenschieber lädt sich auf die gleiche Weise auf die zweite bis vierte bevorzugte Ausführungsform anwenden.

Im vorangegangenen wurde auch beschrieben, daß der Phasen­ schieber 2 und der Reparaturphasenschieber 5 (8) aus Mate­ rialien bestehen, welche den gleichen Brechungsindex besit­ zen. Genauer gesagt müssen die Materialien für diese Phasen­ schieber folgende Kennzeichen aufweisen: sie müssen die Phase eines Lithographielichtstrahls verschieben; und sie müssen gleiche oder extrem ähnliche Brechungsindizes aufwei­ sen.

Um einen um 180° phasenverschobenen Lichtstrahl zu erzeugen, muß die Dicke Ts des Phasenschiebers der Beziehung Ts = λ/2(n-1) genügen, wobei λ für die Wellenlänge des Licht­ strahls und n für den Brechungsindex stehen. Um einen Schwarzdefekt oder einen Weißdefekt zu reparieren, hat ein Reparaturphasenschieber in einem Bereich in der Nähe des Schwarzdefekts oder des Weißdefekts folglich eine Dicke, die fast doppelt so groß ist wie die Dicke d des Phasenschiebers 2 (d. h. 2d). In der Praxis braucht die Dicke des Reparatur­ phasenschiebers jedoch nicht so genau so zu sein, sondern kann statt dessen im Bereich von 1,5d bis 2,5d liegen. Es ist experimentell nachgewiesen, daß der Reparaturphasenschieber einen Schwarzdefekt oder einen Weißdefekt auch dann repa­ riert, wenn die Dicke des Reparaturphasenschiebers in diesem Bereich liegt. Dies wiederum bedeutet, daß die Dicke des Re­ paraturphasenschiebers nur einer Beziehung (2id-0,5) ∼ (2id +0,5) zu genügen braucht, wobei i eine positive ganze Zahl darstellt.

Bei allen Reparaturverfahren gemäß der ersten bis vierten bevorzugten Ausführungsform ist es erforderlich, daß der Re­ paraturphasenschieber auf einem Schwarz- oder Weißdefekt und dem darumliegenden Bereich gebildet wird. Diese Verfahren weisen den Nachteil auf, daß eine nicht defekte Oberfläche des Phasenschiebers 2 mitgeätzt werden könnte, während der Reparaturphasenschieber 5 (8) durch die Abdeckschicht 6 (9) geätzt wird. In der dritten bevorzugten Ausführungsform könnte beispielsweise die Oberfläche des Phasenschiebers 2 während des Ätzens des Reparaturphasenschiebers 5 durch die Abdeckschicht 6 geätzt werden.

Ein Ätzstopper ist eine Antwort auf dieses Problem. Bei ei­ ner Phasenschiebemaske vom auf dem Phasenschieber befindli­ chen Typ, zum Beispiel, wird ein gegen Ätzen widerstandsfä­ higer Dünnfilm 10 auf dem Phasenschieber 2 als Ätzstopper gebildet (Fig. 29). Der Reparaturphasenschieber 5 wird unter Verwendung einer Abdeckschicht wie auch des Dünnfilms 10 ge­ ätzt. Es ist erstrebenswerter, wenn der Dünnfilm 10 das Mas­ kensubstrat 1, auf dem der Phasenschieber 2 und die Lichtab­ schirmstrukturierung 3 wie in Fig. 30 gezeigt vollständig bedeckt.

Der Aufbau nach Fig. 30 führt nicht zu einer Verschlechte­ rung der optischen Funktion des Phasenschiebers 2, da das Maskensubstrat 1 vollständig mit dem Dünnfilm 10 bedeckt ist. Im Aufbau nach Fig. 29 hingegen muß sichergestellt wer­ den, daß ein mit dem Phasenschieber 2 und dem Dünnfilm 10 hergestellter synthetisierter Film die Phase eines Licht­ strahls um 180° verschiebt. Obwohl es sich bei den in Fig. 29 und 30 dargestellten Beispielen um Phasenschiebemasken vom auf dem Phasenschieber befindlichen Typ handelt (erste und zweite bevorzugte Ausführungsform), lassen sich diese Ansätze auf Phasenschiebemasken vom unterhalb des Phasen­ schiebers befindlichen Typ (dritte und vierte bevorzugte Ausführungsform) anwenden.

Falls der Phasenschieber und der Reparaturphasenschieber aus geeigneten verschiedenen Materialien bestehen, wird das un­ erwünschte Ätzen des Phasenschiebers während des Ätzens des Reparaturphasenschiebers ohne die Verwendung des Ätzstoppers verhindert. Es ist auch ausreichend, den Reparaturphasen­ schieber nur örtlich begrenzt auf einem Bereich abzulagern, auf dem er gebildet werden soll, und der sich in der Umge­ bung eines (Schwarz- oder Weiß-) Defekts befindet.

Claims (11)

1. Verfahren zur Reparatur eines Schwarzdefektbereichs in einer Maske, bei der ein Phasenschieber auf einem Maskensubstrat in der Form einer vorgegebenen Struk­ turierung gebildet ist, wobei der Schwarzdefektbereich aus dem Phasenschieber besteht und sich in der Phasenschiebestrukturierung befindet, wo er nicht vorhanden sein sollte, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reparaturphasenschieber auf einem Bereich um den Schwarzdefekt gebildet wird, welcher den Schwarz­ defektbereich einschließt, wobei der Reparaturphasen­ schieber von einer Oberfläche des Maskensubstrats an 1,5mal bis 2,5mal so dick ist wie der Phasenschieber, und der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem glei­ chen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Maske eine Phasenschiebestrukturierung besitzt, welche aus einem auf einem Maskensubstrat in einer vorgegebenen Strukturierung gebildeten Phasen­ schieber sowie einem in einer vorgegebenen Struktu­ rierung auf dem Phasenschieber gebildeten Lichtab­ schirmfilm besteht, wobei das Verfahren aufweist:
einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturpha­ senschiebers auf dem ganzen Maskensubstrat, und Ein­ stellen der Dicke des Reparaturphasenschiebers von der Oberfläche des Maskensubstrats an als 1,5- bis 2,5mal so dick wie den Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht;
einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeck­ schicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Be­ reich, welcher dem Schwarzdefektbereich entspricht; und
einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasen­ schieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Phasenschieber aus einem Oxidsiliziumfilm besteht und der Reparaturphasenschieber aus im Schleuderverfahren auf getragenen Glasmaterial (SOG = spin-on glass) besteht.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Reparaturphasenschieber aus Oxidsilizium besteht.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt die folgenden Schritte umfaßt:
Bilden einer Oxidsiliziumschicht mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber auf dem ge­ samten Maskensubstrat, so daß der Oxidsiliziumfilm von der Oberfläche des Maskensubstrats an 2,5mal oder mehr so dick ist wie der Phasenschieber und eine flache Oberfläche aufweist; und
Ätzen des Oxidsiliziumfilms von oben her, so daß ein resultierender Oxidsiliziumfilm, der ein Reparatur­ phasenschieber ist, eine Dicke erhält, welche 1,5- bis 2,5mal so groß ist wie die Dicke des Phasen­ schiebers.

6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren des weiteren vor dem ersten Schritt den Schritt umfaßt, daß ein Dünnfilm auf dem gesamten Maskensubstrat gebildet wird, auf dem der Phasenschieber und die Lichtabschirmstrukturierung angeordnet sind, wobei der Dünnfilm ätzresistent ist, so daß er während des Ätzens im dritten Schritt nicht weggeätzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Maskensubstrat vollständig mit einem Dünn­ film bedeckt wird, der durch das Ätzen im dritten Schritt nicht weggeätzt wird, so daß ein Lichtstrahl durch den Dünnfilm und den Phasenschieber gegenüber einem nicht-phasenverschobenen Lichtstrahl um 180° phasenverschoben ist.

8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Maske eine Phasenschiebestrukturierung besitzt, welche aus einem auf einem Maskensubstrat ge­ bildeten lichtabschirmenden Film mit einer vorgege­ benen Strukturierung sowie einem auf einer unbe­ deckten Oberfläche des Maskensubstrats gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung besteht, wobei das Verfahren umfaßt:
einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturpha­ senschiebers auf dem gesamten Maskensubstrat, wel­ cher aus einem Material so hergestellt ist, daß der Reparaturphasenschieber von einer Oberfläche des Maskensubstrats an 1,5- bis 2,5mal so dick ist wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschie­ ber aus einem Material mit dem gleichen Brechungs­ index wie der Phasenschieber besteht und eine flache Oberfläche aufweist;
einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeck­ schicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Be­ reich, welcher dem Schwarzdefektbereich entspricht; und
einen dritten Schritt, bei dem der Reparaturphasen­ schieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

9. Verfahren zur Reparatur eines Weißdefektbereichs in einer Maske, bei der ein Phasenschieber in der Form einer vorgegebenen Strukturierung auf einem Masken­ substrat gebildet ist, wobei der Weißdefektbereich als ein Abschnitt definiert ist, in dem der Phasen­ schieber teilweise nicht vorhanden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Reparaturphasenschieber auf einem Bereich um einen Weißdefekt gebildet ist, welcher den Weiß­ defektbereich umfaßt, wobei der Reparaturphasenschieber von einer Oberfläche des Phasenschiebers mit dem Weißdefekt an 1,5- bis 2,5mal so dick wie der Phasenschieber ist, und der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie demjenigen des Phasenschiebers besteht.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske eine Phasenschiebestrukturierung besitzt, welche aus einem auf einem Maskensubstrat gebildeten Phasenschieber mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf dem Phasenschieber gebildeten Lichtabschirmfilm mit einer vorgegebenen Strukturie­ rung besteht, wobei das Verfahren aufweist:
einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturpha­ senschiebers vollständig auf dem Maskensubstrat, und Einstellen der Dicke des Reparaturphasenschiebers von der Oberfläche des Maskensubstrats an als 2,5- bis 3,5mal so dick wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber besteht;
einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeck­ schicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Be­ reich, welcher dem Weißdefektbereich entspricht; und
einen dritten Schritt, bei dem der Reparaturphasen­ schieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske eine Phasenschiebestrukturierung besitzt, welche aus einem auf einem Maskensubstrat gebildeten lichtabschirmenden Film mit einer vorgegebenen Strukturierung sowie einem auf einer unbedeckten Oberfläche des Maskensubstrats gebildeten Phasen­ schieber mit einer vorgegebenen Strukturierung be­ steht, wobei das Verfahren aufweist:
einen ersten Schritt der Bildung eines Reparaturpha­ senschiebers auf dem gesamten Maskensubstrat, und Einstellen der Dicke des Reparaturphasenschiebers von einer Oberfläche des Maskensubstrats 2,5- bis 3,5mal so dick wie der Phasenschieber, wobei der Reparaturphasenschieber aus einem Material mit dem gleichen Brechungsindex wie der Phasenschieber be­ steht;
einen zweiten Schritt der Bildung einer Abdeck­ schicht auf dem Reparaturphasenschieber in einem Be­ reich, welcher dem Weißdefektbereich entspricht; und
einen dritten Schritt, in dem der Reparaturphasen­ schieber durch die Abdeckschicht geätzt wird.