JPH05333533A - 位相シフトパターンの欠陥修正方法 - Google Patents
位相シフトパターンの欠陥修正方法Info
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- JPH05333533A JPH05333533A JP14124892A JP14124892A JPH05333533A JP H05333533 A JPH05333533 A JP H05333533A JP 14124892 A JP14124892 A JP 14124892A JP 14124892 A JP14124892 A JP 14124892A JP H05333533 A JPH05333533 A JP H05333533A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 黒欠陥、白欠陥が発生しても、高精度な位相
シフトマスクパターンに修正することができる位相シフ
トパターンの欠陥修正方法を得る。 【構成】 黒欠陥４及びその近傍領域における修正用位
相シフタ５の膜厚を、位相シフタ２の膜厚シフタ２の膜
厚ｄの２倍にして形成する。 【効果】 黒欠陥近傍領域を透過する光の位相のずれ
を、一律に０゜に近い角度に設定することにより、黒欠
陥が発生しても、高精度な位相シフトマスクパターンに
修正することができる。同様にして、白欠陥近傍領域を
透過する光の位相のずれを、一律に１８０゜に近い角度
に設定することにより、白欠陥が発生しても、高精度な
位相シフトマスクパターンに修正することができる。
シフトマスクパターンに修正することができる位相シフ
トパターンの欠陥修正方法を得る。 【構成】 黒欠陥４及びその近傍領域における修正用位
相シフタ５の膜厚を、位相シフタ２の膜厚シフタ２の膜
厚ｄの２倍にして形成する。 【効果】 黒欠陥近傍領域を透過する光の位相のずれ
を、一律に０゜に近い角度に設定することにより、黒欠
陥が発生しても、高精度な位相シフトマスクパターンに
修正することができる。同様にして、白欠陥近傍領域を
透過する光の位相のずれを、一律に１８０゜に近い角度
に設定することにより、白欠陥が発生しても、高精度な
位相シフトマスクパターンに修正することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は位相シフトマスクパタ
ーンを有するマスクに生じる黒欠陥及び白欠陥を修正す
る方法に関する。
ーンを有するマスクに生じる黒欠陥及び白欠陥を修正す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２５は、位相シフタ下置きタイプの位
相シフトマスクパターンの構成を示す断面図である。同
図に示すように、マスク基板１上に位相シフタ２が形成
され、位相シフタ２上に、Ｃr ，MoSi等の金属及び金属
化合物から形成された遮光膜３が形成される。位相シフ
タ２は、遮光膜３の開口部２０において、マスク基板１
上に交互に残される。位相シフタ２は、透過する光の位
相を１８０゜シフトさせる性質があるため、開口部２０
を透過する光の位相が交互に反転する。
相シフトマスクパターンの構成を示す断面図である。同
図に示すように、マスク基板１上に位相シフタ２が形成
され、位相シフタ２上に、Ｃr ，MoSi等の金属及び金属
化合物から形成された遮光膜３が形成される。位相シフ
タ２は、遮光膜３の開口部２０において、マスク基板１
上に交互に残される。位相シフタ２は、透過する光の位
相を１８０゜シフトさせる性質があるため、開口部２０
を透過する光の位相が交互に反転する。
【０００３】図２６は、位相シフタ上置きタイプの位相
シフトマスクパターンの構成を示す断面図である。同図
に示すように、マスク基板１上にパターニングされた遮
光膜３が形成され、遮光膜３の開口部２１を交互に覆う
ように位相シフタ２が形成される。位相シフタ上置きタ
イプも位相シフタ下置きタイプと同様、開口部２１を透
過する光の位相が交互に反転する。
シフトマスクパターンの構成を示す断面図である。同図
に示すように、マスク基板１上にパターニングされた遮
光膜３が形成され、遮光膜３の開口部２１を交互に覆う
ように位相シフタ２が形成される。位相シフタ上置きタ
イプも位相シフタ下置きタイプと同様、開口部２１を透
過する光の位相が交互に反転する。
【０００４】図２７は、位相シフタ下置きタイプの位相
シフトマスクパターンの黒欠陥（領域）及び白欠陥（領
域）の例を示す断面図である。図２７に示すように、本
来、位相シフタ２が存在しない箇所に位相シフタ２の一
部が存在するのが黒欠陥４であり、位相シフタの表面が
一部欠落し、本来、存在すべき箇所に位相シフタ２が存
在しないのが白欠陥７である。
シフトマスクパターンの黒欠陥（領域）及び白欠陥（領
域）の例を示す断面図である。図２７に示すように、本
来、位相シフタ２が存在しない箇所に位相シフタ２の一
部が存在するのが黒欠陥４であり、位相シフタの表面が
一部欠落し、本来、存在すべき箇所に位相シフタ２が存
在しないのが白欠陥７である。
【０００５】図２８は、位相シフタ上置きタイプの位相
シフトマスクパターンの黒欠陥及び白欠陥の例を示す断
面図である。図２８に示すように、位相シフタ下置きタ
イプ同様、本来、位相シフタ２が存在しない箇所に位相
シフタ２の一部が存在するのが黒欠陥４であり、位相シ
フタ２が存在すべき箇所に位相シフタ２が存在しないの
が白欠陥７である。
シフトマスクパターンの黒欠陥及び白欠陥の例を示す断
面図である。図２８に示すように、位相シフタ下置きタ
イプ同様、本来、位相シフタ２が存在しない箇所に位相
シフタ２の一部が存在するのが黒欠陥４であり、位相シ
フタ２が存在すべき箇所に位相シフタ２が存在しないの
が白欠陥７である。
【０００６】図２９及び図３０は、位相シフタ下置きタ
イプの従来の位相シフトマスクパターンを有するマスク
における黒欠陥修正方法を示す断面図である。図２９に
示すように、黒欠陥４が発生した場合、図３０に示すよ
うに、黒欠陥４の存在する領域に対し局所的にイオンビ
ーム２２を照射することにより、黒欠陥４をエッチング
除去する。なお、イオンビーム２２は図示しない集束イ
オンビーム（ＦＩＢ）装置より照射される。また、シフ
タ上置きタイプの位相シフタマスクパターンの黒欠陥の
修正も同様に行われる。
イプの従来の位相シフトマスクパターンを有するマスク
における黒欠陥修正方法を示す断面図である。図２９に
示すように、黒欠陥４が発生した場合、図３０に示すよ
うに、黒欠陥４の存在する領域に対し局所的にイオンビ
ーム２２を照射することにより、黒欠陥４をエッチング
除去する。なお、イオンビーム２２は図示しない集束イ
オンビーム（ＦＩＢ）装置より照射される。また、シフ
タ上置きタイプの位相シフタマスクパターンの黒欠陥の
修正も同様に行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフタマス
クパターンの黒欠陥修正方法は以上のように行われてお
り、図３０に示すように、マスク基板１の表面に、黒欠
陥４のプロファイルを反映した形状のエッチング欠陥１
１が残ってしまう。このため、エッチング欠陥１１を透
過する光の位相が乱れてしまい、解像力の高い光リソグ
ラフィに適応せず、精度良く位相シフタマスクパターン
の修正を行うことができないという問題点があった。
クパターンの黒欠陥修正方法は以上のように行われてお
り、図３０に示すように、マスク基板１の表面に、黒欠
陥４のプロファイルを反映した形状のエッチング欠陥１
１が残ってしまう。このため、エッチング欠陥１１を透
過する光の位相が乱れてしまい、解像力の高い光リソグ
ラフィに適応せず、精度良く位相シフタマスクパターン
の修正を行うことができないという問題点があった。
【０００８】一方、位相シフタマスクパターンの白欠陥
修正方法としては、有効な方法はなかった。
修正方法としては、有効な方法はなかった。
【０００９】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、黒欠陥あるいは白欠陥が発生しても、高
精度な位相シフタマスクパターンに修正することができ
る位相シフタマスクパターンの欠陥修正方法を得ること
を目的とする。
されたもので、黒欠陥あるいは白欠陥が発生しても、高
精度な位相シフタマスクパターンに修正することができ
る位相シフタマスクパターンの欠陥修正方法を得ること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法は、マスク
基板上に所定のパターンで形成された位相シフタを有す
るマスクにおいて、本来、存在すべきでない領域に形成
された位相シフタである黒欠陥領域を修正する方法であ
って、前記黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、前記
位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、
前記欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響を取り除
く程度の膜厚で形成する。
１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法は、マスク
基板上に所定のパターンで形成された位相シフタを有す
るマスクにおいて、本来、存在すべきでない領域に形成
された位相シフタである黒欠陥領域を修正する方法であ
って、前記黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、前記
位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、
前記欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響を取り除
く程度の膜厚で形成する。
【００１１】この発明にかかる請求項２記載の位相シフ
トパターンの欠陥修正方法は、マスク基板上に所定のパ
ターンで形成された位相シフタを有するマスクにおい
て、前記位相シフタの表面の一部が欠落することにより
生じた白欠陥領域を修正する方法であって、前記白欠陥
領域を含む白欠陥近傍領域上に、前記位相シフタと屈折
率が同じ材質の修正用位相シフタを、前記白欠陥領域の
存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜厚で
形成する。
トパターンの欠陥修正方法は、マスク基板上に所定のパ
ターンで形成された位相シフタを有するマスクにおい
て、前記位相シフタの表面の一部が欠落することにより
生じた白欠陥領域を修正する方法であって、前記白欠陥
領域を含む白欠陥近傍領域上に、前記位相シフタと屈折
率が同じ材質の修正用位相シフタを、前記白欠陥領域の
存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜厚で
形成する。
【００１２】
【作用】この発明における請求項１記載の位相シフトパ
ターンの欠陥修正方法は、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍
領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用位相
シフタを、黒欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響
を取り除く程度の膜厚で形成する。例えば、黒欠陥が発
生した場合、黒欠陥近傍領域上に、前記位相シフタと屈
折率が同じ材質の修正用位相シフタを形成する際、該修
正用位相シフタのマスク基板表面からの膜厚を、前記位
相シフタの膜厚の１．５〜２．５倍に設定する。
ターンの欠陥修正方法は、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍
領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用位相
シフタを、黒欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響
を取り除く程度の膜厚で形成する。例えば、黒欠陥が発
生した場合、黒欠陥近傍領域上に、前記位相シフタと屈
折率が同じ材質の修正用位相シフタを形成する際、該修
正用位相シフタのマスク基板表面からの膜厚を、前記位
相シフタの膜厚の１．５〜２．５倍に設定する。
【００１３】その結果、黒欠陥近傍領域を透過する光の
位相のずれは一律に、０゜±９０゜の範囲内の角度に設
定される。すなわち、黒欠陥近傍領域を透過する光の位
相のずれは、黒欠陥が生じなかった場合における透過す
る光の位相のずれである０゜に近い値に一律に修正され
る。
位相のずれは一律に、０゜±９０゜の範囲内の角度に設
定される。すなわち、黒欠陥近傍領域を透過する光の位
相のずれは、黒欠陥が生じなかった場合における透過す
る光の位相のずれである０゜に近い値に一律に修正され
る。
【００１４】この発明における請求項２記載の位相シフ
トパターンの欠陥修正方法は、白欠陥領域を含む白欠陥
近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用
位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光学的悪
影響を取り除く程度の膜厚で形成する。例えば、白欠陥
が発生した場合、白欠陥近傍領域上に、前記位相シフタ
と屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを形成し、白欠
陥が生じた位相シフタ表面からの修正用位相シフタの膜
厚を、位相シフタの膜厚の１．５〜２．５倍に設定す
る。
トパターンの欠陥修正方法は、白欠陥領域を含む白欠陥
近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の修正用
位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光学的悪
影響を取り除く程度の膜厚で形成する。例えば、白欠陥
が発生した場合、白欠陥近傍領域上に、前記位相シフタ
と屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを形成し、白欠
陥が生じた位相シフタ表面からの修正用位相シフタの膜
厚を、位相シフタの膜厚の１．５〜２．５倍に設定す
る。
【００１５】その結果、白欠陥近傍領域を透過する光の
位相のずれは一律に、位相シフタによる位相のずれ角α
±９０゜の範囲内の角度に設定される。すなわち、白欠
陥近傍領域を透過する光の位相のずれは、白欠陥が生じ
なかった場合における透過する光の位相のずれであるα
に近い値に一律に修正される。
位相のずれは一律に、位相シフタによる位相のずれ角α
±９０゜の範囲内の角度に設定される。すなわち、白欠
陥近傍領域を透過する光の位相のずれは、白欠陥が生じ
なかった場合における透過する光の位相のずれであるα
に近い値に一律に修正される。
【００１６】
【実施例】図１〜図４は、この発明の第１の実施例であ
る位相シフタ下置きタイプの位相シフタマスクパターン
を有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断面図で
ある。
る位相シフタ下置きタイプの位相シフタマスクパターン
を有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断面図で
ある。
【００１７】従来例で示した図２９に示すように、石英
からなるマスク基板１上に、パターニングされた位相シ
フタ２及び遮光膜３が形成されており、本来、存在する
必要のないマスク基板１の表面に、位相シフタ２と同素
材の黒欠陥４が形成されている。
からなるマスク基板１上に、パターニングされた位相シ
フタ２及び遮光膜３が形成されており、本来、存在する
必要のないマスク基板１の表面に、位相シフタ２と同素
材の黒欠陥４が形成されている。
【００１８】位相シフタ２は、酸化シリコン膜等のよう
に、マスク基板１と同様に、光リソグラフィの露光用光
源に対して透明な材質で構成される。また、遮光膜３
は、Cr，MoSi等の金属もしくは金属化合物から構成され
る。
に、マスク基板１と同様に、光リソグラフィの露光用光
源に対して透明な材質で構成される。また、遮光膜３
は、Cr，MoSi等の金属もしくは金属化合物から構成され
る。
【００１９】このような黒欠陥を有する位相シフタマス
クパターンが存在する場合、図１に示すように、修正用
位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯ
Ｇ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒欠陥４
の存在する領域においても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図１に示すように、修正用
位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯ
Ｇ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒欠陥４
の存在する領域においても平坦性よく堆積される。
【００２０】この際、マスク基板１の表面からの修正用
位相シフタ５の膜厚を、位相シフタ２の膜厚ｄの２倍に
設定する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シ
フタ２の膜厚を、｛（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
位相シフタ５の膜厚を、位相シフタ２の膜厚ｄの２倍に
設定する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シ
フタ２の膜厚を、｛（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
【００２１】次に、図２に示すように、黒欠陥４を確実
に覆う領域に対応する修正用位相シフタ５上にレジスト
６を堆積して、レジスト６をパターニングする。そし
て、レジスト６をマスクとして、図３に示すように、修
正用位相シフタ５に対しエッチング処理を行う。その
後、図４に示すように、レジスト６を除去する。
に覆う領域に対応する修正用位相シフタ５上にレジスト
６を堆積して、レジスト６をパターニングする。そし
て、レジスト６をマスクとして、図３に示すように、修
正用位相シフタ５に対しエッチング処理を行う。その
後、図４に示すように、レジスト６を除去する。
【００２２】第１の実施例の位相シフタマスクパターン
の黒欠陥修正方法によれば、図４に示すように、黒欠陥
４の近傍領域における修正用位相シフタ５の膜厚は、位
相シフタ２の膜厚シフタ２の膜厚ｄの２倍となる。一
方、位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１８０゜ずれ
るように設定されている。したがって、黒欠陥４の近傍
領域における修正用位相シフタ５の膜厚は２ｄであるた
め、透過する光の位相のずれは３６０゜となる。また、
黒欠陥４の材質は位相シフタ２と同じ材質であり、修正
用位相シフタ５と同じ屈折率であるため、黒欠陥４及び
修正用位相シフタ５を透過する光の位相のずれも３６０
゜となる。すなわち、黒欠陥４及びその近傍領域におい
ての光の位相のずれは、黒欠陥が全く存在しない状態
（０゜）と等価になるため、黒欠陥４の存在による光の
位相のズレは全くなくなる。
の黒欠陥修正方法によれば、図４に示すように、黒欠陥
４の近傍領域における修正用位相シフタ５の膜厚は、位
相シフタ２の膜厚シフタ２の膜厚ｄの２倍となる。一
方、位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１８０゜ずれ
るように設定されている。したがって、黒欠陥４の近傍
領域における修正用位相シフタ５の膜厚は２ｄであるた
め、透過する光の位相のずれは３６０゜となる。また、
黒欠陥４の材質は位相シフタ２と同じ材質であり、修正
用位相シフタ５と同じ屈折率であるため、黒欠陥４及び
修正用位相シフタ５を透過する光の位相のずれも３６０
゜となる。すなわち、黒欠陥４及びその近傍領域におい
ての光の位相のずれは、黒欠陥が全く存在しない状態
（０゜）と等価になるため、黒欠陥４の存在による光の
位相のズレは全くなくなる。
【００２３】このように、第１の実施例の位相シフタマ
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１の表面
を全く傷つけることなく、黒欠陥の修正を行うことがで
きるため、位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正を精
度よく行うことができる。
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１の表面
を全く傷つけることなく、黒欠陥の修正を行うことがで
きるため、位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正を精
度よく行うことができる。
【００２４】図５〜図９は、この発明の第２の実施例で
ある位相シフタ下置きタイプの位相シフタマスクパター
ンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断面図
である。
ある位相シフタ下置きタイプの位相シフタマスクパター
ンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断面図
である。
【００２５】図５に示すように、石英からなるマスク基
板１上に、パターニングされた位相シフタ２及び遮光膜
３が形成されており、位相シフタ２上の一部に白欠陥７
が形成されている。
板１上に、パターニングされた位相シフタ２及び遮光膜
３が形成されており、位相シフタ２上の一部に白欠陥７
が形成されている。
【００２６】このような白欠陥を有する位相シフタマス
クパターンが存在する場合、図６に示すように、修正用
位相シフタ８として位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯＧ
を塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域におい
ても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図６に示すように、修正用
位相シフタ８として位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯＧ
を塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域におい
ても平坦性よく堆積される。
【００２７】この際、マスク基板１表面からの修正用位
相シフタ８の膜厚を位相シフタ２の膜厚の３倍に設定す
る。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ２
の膜厚を、｛２×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜３
の膜厚）｝に設定する。
相シフタ８の膜厚を位相シフタ２の膜厚の３倍に設定す
る。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ２
の膜厚を、｛２×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜３
の膜厚）｝に設定する。
【００２８】次に、図７に示すように、白欠陥７を確実
に覆う領域に対応する修正用位相シフタ８上にレジスト
９を堆積して、レジスト９をパターニングする。そし
て、レジスト９をマスクとして、図８に示すように、修
正用位相シフタ８に対しエッチング処理を行う。その
後、図９に示すように、レジスト９を除去する。
に覆う領域に対応する修正用位相シフタ８上にレジスト
９を堆積して、レジスト９をパターニングする。そし
て、レジスト９をマスクとして、図８に示すように、修
正用位相シフタ８に対しエッチング処理を行う。その
後、図９に示すように、レジスト９を除去する。
【００２９】第２の実施例の位相シフタマスクパターン
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域上にお
ける修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚
ｄの２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が
１８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の
近傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透
過する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。
したがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の
位相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０
゜）と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相
のズレは全くなくなる。
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域上にお
ける修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚
ｄの２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が
１８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の
近傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透
過する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。
したがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の
位相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０
゜）と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相
のズレは全くなくなる。
【００３０】このように、第２の実施例の位相シフタマ
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフタマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフタマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
【００３１】図１０〜図１４は、この発明の第３の実施
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフタマスクパ
ターンを有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断
面図である。
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフタマスクパ
ターンを有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断
面図である。
【００３２】図１０に示すように、石英からなるマスク
基板１上に、パターニングされた遮光膜３が形成され、
遮光膜３，３間のマスク基板１上に交互に位相シフタ２
が形成されており、本来、存在する必要のない遮光膜
３，３間のマスク基板１の表面に、位相シフタ２と同素
材の黒欠陥４が存在する。
基板１上に、パターニングされた遮光膜３が形成され、
遮光膜３，３間のマスク基板１上に交互に位相シフタ２
が形成されており、本来、存在する必要のない遮光膜
３，３間のマスク基板１の表面に、位相シフタ２と同素
材の黒欠陥４が存在する。
【００３３】このような黒欠陥を有する位相シフタマス
クパターンが存在する場合、図１１に示すように、修正
用位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率であ
るＳＯＧ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒
欠陥４の存在する領域においても平坦性よく堆積され
る。
クパターンが存在する場合、図１１に示すように、修正
用位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率であ
るＳＯＧ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒
欠陥４の存在する領域においても平坦性よく堆積され
る。
【００３４】この際、マスク基板１の表面からの修正用
位相シフタ５の膜厚を位相シフタ２の膜厚の２倍に設定
する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ
２の膜厚を、｛２×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
位相シフタ５の膜厚を位相シフタ２の膜厚の２倍に設定
する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ
２の膜厚を、｛２×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
【００３５】次に、図１２に示すように、黒欠陥４を確
実に覆う領域に対応する修正用位相シフタ５上にレジス
ト６を堆積して、レジスト６をパターニングする。そし
て、レジスト６をマスクとして、図１３に示すように、
修正用位相シフタ５に対しエッチング処理を行う。その
後、図１４に示すように、レジスト６を除去する。
実に覆う領域に対応する修正用位相シフタ５上にレジス
ト６を堆積して、レジスト６をパターニングする。そし
て、レジスト６をマスクとして、図１３に示すように、
修正用位相シフタ５に対しエッチング処理を行う。その
後、図１４に示すように、レジスト６を除去する。
【００３６】第３の実施例の位相シフタマスクパターン
の黒欠陥修正方法によれば、黒欠陥４の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ５の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、黒欠陥４の近
傍領域での修正用位相シフタ５を透過する光の位相のず
れは３６０゜（０゜）となる。また、黒欠陥４の材質
は、修正用位相シフタ５と同じ屈折率の材質を用いてい
るため、黒欠陥４及び修正用位相シフタ５を透過する光
の位相のずれも３６０゜となる。すなわち、黒欠陥４及
びその近傍領域においての光の位相のずれは、黒欠陥が
全く存在しない状態（０゜）と等価になるため、黒欠陥
４の存在による光の位相のズレは全くなくなる。
の黒欠陥修正方法によれば、黒欠陥４の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ５の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、黒欠陥４の近
傍領域での修正用位相シフタ５を透過する光の位相のず
れは３６０゜（０゜）となる。また、黒欠陥４の材質
は、修正用位相シフタ５と同じ屈折率の材質を用いてい
るため、黒欠陥４及び修正用位相シフタ５を透過する光
の位相のずれも３６０゜となる。すなわち、黒欠陥４及
びその近傍領域においての光の位相のずれは、黒欠陥が
全く存在しない状態（０゜）と等価になるため、黒欠陥
４の存在による光の位相のズレは全くなくなる。
【００３７】このように、第３の実施例の位相シフタマ
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１を全く
傷つけることなく黒欠陥の修正を行うことができるた
め、位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正を精度よく
行うことができる。
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１を全く
傷つけることなく黒欠陥の修正を行うことができるた
め、位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正を精度よく
行うことができる。
【００３８】図１５〜図１９は、この発明の第４の実施
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフタマスクパ
ターンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断
面図である。
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフタマスクパ
ターンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断
面図である。
【００３９】図１５に示すように、石英からなるマスク
基板１上に、パターニングされた遮光膜３が形成されて
おり、遮光膜３，３間のマスク基板１の表面に交互に位
相シフタ２が形成されており、位相シフタ２の表面の一
部に白欠陥７が存在する。
基板１上に、パターニングされた遮光膜３が形成されて
おり、遮光膜３，３間のマスク基板１の表面に交互に位
相シフタ２が形成されており、位相シフタ２の表面の一
部に白欠陥７が存在する。
【００４０】このような白欠陥を有する位相シフタマス
クパターンが存在する場合、図１６に示すように、修正
用位相シフタ８として、位相シフタ２と屈折率が同じＳ
ＯＧを塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域に
おいても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図１６に示すように、修正
用位相シフタ８として、位相シフタ２と屈折率が同じＳ
ＯＧを塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域に
おいても平坦性よく堆積される。
【００４１】この際、マスク基板１の表面からの修正用
位相シフタ８の膜厚を位相シフタ２の膜厚の３倍に設定
する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ
２の膜厚を、｛３×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
位相シフタ８の膜厚を位相シフタ２の膜厚の３倍に設定
する。すなわち、遮光膜３上における修正用位相シフタ
２の膜厚を、｛３×（位相シフタ２の膜厚）−（遮光膜
３の膜厚）｝に設定する。
【００４２】次に、図１７に示すように、白欠陥７を確
実に覆う領域に対応する修正用位相シフタ８上にレジス
ト９を堆積して、レジスト９をパターニングする。そし
て、レジスト９をマスクとして、図１８に示すように、
修正用位相シフタ８に対しエッチング処理を行う。その
後、図１９に示すように、レジスト９を除去する。
実に覆う領域に対応する修正用位相シフタ８上にレジス
ト９を堆積して、レジスト９をパターニングする。そし
て、レジスト９をマスクとして、図１８に示すように、
修正用位相シフタ８に対しエッチング処理を行う。その
後、図１９に示すように、レジスト９を除去する。
【００４３】第４の実施例の位相シフタマスクパターン
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の近
傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透過
する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。し
たがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の位
相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０゜）
と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相のズ
レは全くなくなる。
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の近
傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透過
する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。し
たがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の位
相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０゜）
と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相のズ
レは全くなくなる。
【００４４】このように、第４の実施例の位相シフタマ
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフタマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフタマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
【００４５】第１〜第４の実施例において、修正用位相
シフタとしてＳＯＧを用いた。ＳＯＧを塗布した場合、
欠陥（黒欠陥、白欠陥）及びその近傍領域上でも平坦化
された断面形状を得ることができる。
シフタとしてＳＯＧを用いた。ＳＯＧを塗布した場合、
欠陥（黒欠陥、白欠陥）及びその近傍領域上でも平坦化
された断面形状を得ることができる。
【００４６】また、修正用位相シフタとして、ＣＶＤ法
により形成された酸化シリコン膜を用いることもでき
る。以下、酸化シリコン膜で修正用位相シフタを形成す
る場合について、図２０〜図２２を参照して、第１の実
施例の位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正方法を例
に上げて説明する。
により形成された酸化シリコン膜を用いることもでき
る。以下、酸化シリコン膜で修正用位相シフタを形成す
る場合について、図２０〜図２２を参照して、第１の実
施例の位相シフタマスクパターンの黒欠陥修正方法を例
に上げて説明する。
【００４７】図２０に示すように、遮光膜３上で、黒欠
陥４の存在するマスク基板１表面からの膜厚が、位相シ
フタ２の膜厚ｄの２倍の膜厚で、酸化シリコン膜５Ａを
堆積しても、平坦化が不十分である。
陥４の存在するマスク基板１表面からの膜厚が、位相シ
フタ２の膜厚ｄの２倍の膜厚で、酸化シリコン膜５Ａを
堆積しても、平坦化が不十分である。
【００４８】そこで、図２１に示すように、酸化シリコ
ン膜５Ｂを表面が平坦化可能な膜厚（＞＞２ｄ）で形成
する。そして、図２２に示すように、酸化シリコン膜５
Ｂ全面をエッチングすることにより、黒欠陥４の近傍領
域上においても平坦化され、マスク基板１上の膜厚を正
確に２ｄに設定した修正用位相シフタ５を得ることがで
きる。なお、第２〜第４の実施例においても、同様に酸
化シリコン膜で修正用位相シフタを形成することができ
る。
ン膜５Ｂを表面が平坦化可能な膜厚（＞＞２ｄ）で形成
する。そして、図２２に示すように、酸化シリコン膜５
Ｂ全面をエッチングすることにより、黒欠陥４の近傍領
域上においても平坦化され、マスク基板１上の膜厚を正
確に２ｄに設定した修正用位相シフタ５を得ることがで
きる。なお、第２〜第４の実施例においても、同様に酸
化シリコン膜で修正用位相シフタを形成することができ
る。
【００４９】第１〜第４の実施例において、位相シフタ
２と修正用位相シフタ５（８）とが、屈折率が等しい材
質を用いた場合について説明した。これは、リソグラフ
ィに用いる光の位相を変えることができる材質で、屈折
率が等しい、もしくは極めて近いことを意味する。
２と修正用位相シフタ５（８）とが、屈折率が等しい材
質を用いた場合について説明した。これは、リソグラフ
ィに用いる光の位相を変えることができる材質で、屈折
率が等しい、もしくは極めて近いことを意味する。
【００５０】また、光の位相を１８０゜変える場合、位
相シフタの膜厚Ｔs は、Ｔs ＝λ／２（ｎ−１）とな
る。なお、λは光の波長、ｎは屈折率である。したがっ
て、黒欠陥及び白欠陥を修正するには、黒欠陥及び白欠
陥近傍の領域上に、膜厚が位相シフタ２の膜厚ｄの２倍
（２ｄ）に近い膜厚の修正用位相シフタを形成すること
が望ましい。しかしながら、実際には、修正用位相シフ
タの膜厚は、１．５ｄ〜２．５ｄの範囲で形成すれば、
黒欠陥及び白欠陥の修正としての効果を有することが実
験等で認められている。また、この理論を応用すること
により、修正用位相シフタの膜厚は、（２ｉｄ−０．
５）〜（２ｉｄ＋０．５）（ｉは正の整数）を満足すれ
ばよいことになる。
相シフタの膜厚Ｔs は、Ｔs ＝λ／２（ｎ−１）とな
る。なお、λは光の波長、ｎは屈折率である。したがっ
て、黒欠陥及び白欠陥を修正するには、黒欠陥及び白欠
陥近傍の領域上に、膜厚が位相シフタ２の膜厚ｄの２倍
（２ｄ）に近い膜厚の修正用位相シフタを形成すること
が望ましい。しかしながら、実際には、修正用位相シフ
タの膜厚は、１．５ｄ〜２．５ｄの範囲で形成すれば、
黒欠陥及び白欠陥の修正としての効果を有することが実
験等で認められている。また、この理論を応用すること
により、修正用位相シフタの膜厚は、（２ｉｄ−０．
５）〜（２ｉｄ＋０．５）（ｉは正の整数）を満足すれ
ばよいことになる。
【００５１】第１〜第４の実施例において、黒欠陥及び
白欠陥並びにその近傍領域上に修正用位相シフタを形成
する方法を説明したが、この方法では、レジスト６
（９）をマスクとして、修正用位相シフタ５（８）をエ
ッチングする際、欠陥のない位相シフタ２の表面をエッ
チングしてしまう危険性がある。第３の実施例を例に上
げれば、図１２で示した修正用位相シフタ５に対して、
レジスト６をマスクとしたエッチング処理を施す場合
に、位相シフタ２の表面をエッチングしてしまう危険性
があるということである。
白欠陥並びにその近傍領域上に修正用位相シフタを形成
する方法を説明したが、この方法では、レジスト６
（９）をマスクとして、修正用位相シフタ５（８）をエ
ッチングする際、欠陥のない位相シフタ２の表面をエッ
チングしてしまう危険性がある。第３の実施例を例に上
げれば、図１２で示した修正用位相シフタ５に対して、
レジスト６をマスクとしたエッチング処理を施す場合
に、位相シフタ２の表面をエッチングしてしまう危険性
があるということである。
【００５２】このため、位相シフタ２のエッチングスト
ッパとして、位相シフタ下置きタイプの場合、図２３に
示すように、修正用位相シフタ５のエッチング処理の際
にエッチングされない材質の薄膜１０を位相シフタ２上
に形成したり、図２４に示すように、位相シフタ２及び
遮光膜３が形成されたマスク基板１上の全面に、上記材
質の薄膜１０を形成することが望ましい。
ッパとして、位相シフタ下置きタイプの場合、図２３に
示すように、修正用位相シフタ５のエッチング処理の際
にエッチングされない材質の薄膜１０を位相シフタ２上
に形成したり、図２４に示すように、位相シフタ２及び
遮光膜３が形成されたマスク基板１上の全面に、上記材
質の薄膜１０を形成することが望ましい。
【００５３】なお、図２４の構成では、マスク基板１の
全面に薄膜１０を堆積するため、位相シフタ２の光学的
機能を損ねなることはない。また、図２３の構成では、
位相シフタ２と薄膜１０との合成膜により、光の位相を
１８０゜変えるようにする必要がある。図２３及び図２
４はシフタ下置きタイプ（第１及び第２の実施例）の例
であるが、同様にしてシフタ上置きタイプ（第３及び第
４の実施例）でも適用可能である。
全面に薄膜１０を堆積するため、位相シフタ２の光学的
機能を損ねなることはない。また、図２３の構成では、
位相シフタ２と薄膜１０との合成膜により、光の位相を
１８０゜変えるようにする必要がある。図２３及び図２
４はシフタ下置きタイプ（第１及び第２の実施例）の例
であるが、同様にしてシフタ上置きタイプ（第３及び第
４の実施例）でも適用可能である。
【００５４】また、エッチングストッパを用いることな
く、位相シフタと修正用位相シフタの材質を変えること
により、修正用位相シフタのエッチングの際、位相シフ
タが誤ってエッチングされないようにすることもでき
る。あるいは、修正用位相シフタを形成する必要があ
る、欠陥（黒欠陥あるいは白欠陥）近傍領域のみに局所
的に修正用シフタを堆積することも考えられる。
く、位相シフタと修正用位相シフタの材質を変えること
により、修正用位相シフタのエッチングの際、位相シフ
タが誤ってエッチングされないようにすることもでき
る。あるいは、修正用位相シフタを形成する必要があ
る、欠陥（黒欠陥あるいは白欠陥）近傍領域のみに局所
的に修正用シフタを堆積することも考えられる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法によ
れば、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、位相シフ
タと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、黒欠陥領
域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜
厚で形成するため、黒欠陥領域周辺に何らダメージを与
えることなく修正することができ、黒欠陥が発生して
も、高精度な位相シフタマスクパターンに修正すること
ができる。
請求項１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法によ
れば、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、位相シフ
タと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、黒欠陥領
域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜
厚で形成するため、黒欠陥領域周辺に何らダメージを与
えることなく修正することができ、黒欠陥が発生して
も、高精度な位相シフタマスクパターンに修正すること
ができる。
【００５６】この発明における請求項２記載の位相シフ
トパターンの欠陥修正方法によれば、白欠陥領域を含む
白欠陥近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の
修正用位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光
学的悪影響を取り除く程度の膜厚で形成するため、白欠
陥領域周辺に何らダメージを与えることなく修正するこ
とができ、白欠陥が発生しても、高精度な位相シフタマ
スクパターンに修正することができる。
トパターンの欠陥修正方法によれば、白欠陥領域を含む
白欠陥近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の
修正用位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光
学的悪影響を取り除く程度の膜厚で形成するため、白欠
陥領域周辺に何らダメージを与えることなく修正するこ
とができ、白欠陥が発生しても、高精度な位相シフタマ
スクパターンに修正することができる。
【図１】この発明の第１の実施例である位相シフトパタ
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例である位相シフトパタ
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図３】この発明の第１の実施例である位相シフトパタ
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図４】この発明の第１の実施例である位相シフトパタ
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図５】この発明の第２の実施例である位相シフトパタ
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図６】この発明の第２の実施例である位相シフトパタ
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図７】この発明の第２の実施例である位相シフトパタ
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図８】この発明の第２の実施例である位相シフトパタ
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図９】この発明の第２の実施例である位相シフトパタ
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ーンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１０】この発明の第３の実施例である位相シフトパ
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１１】この発明の第３の実施例である位相シフトパ
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１２】この発明の第３の実施例である位相シフトパ
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１３】この発明の第３の実施例である位相シフトパ
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１４】この発明の第３の実施例である位相シフトパ
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの黒欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１５】この発明の第４の実施例である位相シフトパ
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１６】この発明の第４の実施例である位相シフトパ
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１７】この発明の第４の実施例である位相シフトパ
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１８】この発明の第４の実施例である位相シフトパ
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図１９】この発明の第４の実施例である位相シフトパ
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
ターンの白欠陥修正方法を示す断面図である。
【図２０】修正用位相マスクの他の形成方法を示す断面
図である。
図である。
【図２１】修正用位相マスクの他の形成方法を示す断面
図である。
図である。
【図２２】修正用位相マスクの他の形成方法を示す断面
図である。
図である。
【図２３】エッチングストッパ用薄膜の利用方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図２４】エッチングストッパ用薄膜の利用方法を示す
断面図である。
断面図である。
【図２５】位相シフタ下置きタイプの位相シフトパター
ンを示す断面図である。
ンを示す断面図である。
【図２６】位相シフタ上置きタイプの位相シフトパター
ンを示す断面図である。
ンを示す断面図である。
【図２７】位相シフタ下置きタイプの位相シフトパター
ンにおける黒欠陥及び白欠陥の例を示す断面図である。
ンにおける黒欠陥及び白欠陥の例を示す断面図である。
【図２８】位相シフタ上置きタイプの位相シフトパター
ンにおける黒欠陥及び白欠陥の例を示す断面図である。
ンにおける黒欠陥及び白欠陥の例を示す断面図である。
【図２９】従来の位相シフトパターンの黒欠陥修正方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３０】従来の位相シフトパターンの黒欠陥修正方法
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ マスク基板 ２ 位相シフタ ３ 遮光膜 ４ 黒欠陥 ５ 修正用位相シフタ ６ レジスト ７ 白欠陥 ８ 修正用位相シフタ ９ レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】図２９及び図３０は、位相シフタ下置きタ
イプの従来の位相シフトマスクパターンを有するマスク
における黒欠陥修正方法を示す断面図である。図２９に
示すように、黒欠陥４が発生した場合、図３０に示すよ
うに、黒欠陥４の存在する領域に対し局所的にイオンビ
ーム２２を照射することにより、黒欠陥４をエッチング
除去する。なお、イオンビーム２２は図示しない集束イ
オンビーム（ＦＩＢ）装置より照射される。また、シフ
タ上置きタイプの位相シフトマスクパターンの黒欠陥の
修正も同様に行われる。
イプの従来の位相シフトマスクパターンを有するマスク
における黒欠陥修正方法を示す断面図である。図２９に
示すように、黒欠陥４が発生した場合、図３０に示すよ
うに、黒欠陥４の存在する領域に対し局所的にイオンビ
ーム２２を照射することにより、黒欠陥４をエッチング
除去する。なお、イオンビーム２２は図示しない集束イ
オンビーム（ＦＩＢ）装置より照射される。また、シフ
タ上置きタイプの位相シフトマスクパターンの黒欠陥の
修正も同様に行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クパターンの黒欠陥修正方法は以上のように行われてお
り、図３０に示すように、マスク基板１の表面に、黒欠
陥４のプロファイルを反映した形状のエッチング欠陥１
１が残ってしまう。このため、エッチング欠陥１１を透
過する光の位相が乱れてしまい、解像力の高い光リソグ
ラフィに適応せず、精度良く位相シフトマスクパターン
の修正を行うことができないという問題点があった。
クパターンの黒欠陥修正方法は以上のように行われてお
り、図３０に示すように、マスク基板１の表面に、黒欠
陥４のプロファイルを反映した形状のエッチング欠陥１
１が残ってしまう。このため、エッチング欠陥１１を透
過する光の位相が乱れてしまい、解像力の高い光リソグ
ラフィに適応せず、精度良く位相シフトマスクパターン
の修正を行うことができないという問題点があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】一方、位相シフトマスクパターンの白欠陥
修正方法としては、有効な方法はなかった。
修正方法としては、有効な方法はなかった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、黒欠陥あるいは白欠陥が発生しても、高
精度な位相シフトマスクパターンに修正することができ
る位相シフトパターンの欠陥修正方法を得ることを目的
とする。
されたもので、黒欠陥あるいは白欠陥が発生しても、高
精度な位相シフトマスクパターンに修正することができ
る位相シフトパターンの欠陥修正方法を得ることを目的
とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【実施例】図１〜図４は、この発明の第１の実施例であ
る位相シフタ下置きタイプの位相シフトマスクパターン
を有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断面図で
ある。
る位相シフタ下置きタイプの位相シフトマスクパターン
を有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断面図で
ある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】このような黒欠陥を有する位相シフトマス
クパターンが存在する場合、図１に示すように、修正用
位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯ
Ｇ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒欠陥４
の存在する領域においても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図１に示すように、修正用
位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯ
Ｇ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒欠陥４
の存在する領域においても平坦性よく堆積される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】第１の実施例の位相シフトマスクパターン
の黒欠陥修正方法によれば、図４に示すように、黒欠陥
４の近傍領域における修正用位相シフタ５の膜厚は、位
相シフタ２の膜厚シフタ２の膜厚ｄの２倍となる。一
方、位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１８０゜ずれ
るように設定されている。したがって、黒欠陥４の近傍
領域における修正用位相シフタ５の膜厚は２ｄであるた
め、透過する光の位相のずれは３６０゜となる。また、
黒欠陥４の材質は位相シフタ２と同じ材質であり、修正
用位相シフタ５と同じ屈折率であるため、黒欠陥４及び
修正用位相シフタ５を透過する光の位相のずれも３６０
゜となる。すなわち、黒欠陥４及びその近傍領域におい
ての光の位相のずれは、黒欠陥が全く存在しない状態
（０゜）と等価になるため、黒欠陥４の存在による光の
位相のズレは全くなくなる。
の黒欠陥修正方法によれば、図４に示すように、黒欠陥
４の近傍領域における修正用位相シフタ５の膜厚は、位
相シフタ２の膜厚シフタ２の膜厚ｄの２倍となる。一
方、位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１８０゜ずれ
るように設定されている。したがって、黒欠陥４の近傍
領域における修正用位相シフタ５の膜厚は２ｄであるた
め、透過する光の位相のずれは３６０゜となる。また、
黒欠陥４の材質は位相シフタ２と同じ材質であり、修正
用位相シフタ５と同じ屈折率であるため、黒欠陥４及び
修正用位相シフタ５を透過する光の位相のずれも３６０
゜となる。すなわち、黒欠陥４及びその近傍領域におい
ての光の位相のずれは、黒欠陥が全く存在しない状態
（０゜）と等価になるため、黒欠陥４の存在による光の
位相のズレは全くなくなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】このように、第１の実施例の位相シフトマ
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１の表面
を全く傷つけることなく、黒欠陥の修正を行うことがで
きるため、位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正を精
度よく行うことができる。
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１の表面
を全く傷つけることなく、黒欠陥の修正を行うことがで
きるため、位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正を精
度よく行うことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】図５〜図９は、この発明の第２の実施例で
ある位相シフタ下置きタイプの位相シフトマスクパター
ンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断面図
である。
ある位相シフタ下置きタイプの位相シフトマスクパター
ンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断面図
である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】このような白欠陥を有する位相シフトマス
クパターンが存在する場合、図６に示すように、修正用
位相シフタ８として位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯＧ
を塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域におい
ても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図６に示すように、修正用
位相シフタ８として位相シフタ２と同じ屈折率のＳＯＧ
を塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域におい
ても平坦性よく堆積される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】第２の実施例の位相シフトマスクパターン
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域上にお
ける修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚
ｄの２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が
１８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の
近傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透
過する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。
したがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の
位相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０
゜）と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相
のズレは全くなくなる。
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域上にお
ける修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚
ｄの２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が
１８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の
近傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透
過する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。
したがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の
位相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０
゜）と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相
のズレは全くなくなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】このように、第２の実施例の位相シフトマ
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフトマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフトマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】図１０〜図１４は、この発明の第３の実施
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフトマスクパ
ターンを有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断
面図である。
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフトマスクパ
ターンを有するマスクにおける黒欠陥修正方法を示す断
面図である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】このような黒欠陥を有する位相シフトマス
クパターンが存在する場合、図１１に示すように、修正
用位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率であ
るＳＯＧ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒
欠陥４の存在する領域においても平坦性よく堆積され
る。
クパターンが存在する場合、図１１に示すように、修正
用位相シフタ５として、位相シフタ２と同じ屈折率であ
るＳＯＧ（Spin On Glass ）を塗布する。ＳＯＧは、黒
欠陥４の存在する領域においても平坦性よく堆積され
る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】第３の実施例の位相シフトマスクパターン
の黒欠陥修正方法によれば、黒欠陥４の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ５の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、黒欠陥４の近
傍領域での修正用位相シフタ５を透過する光の位相のず
れは３６０゜（０゜）となる。また、黒欠陥４の材質
は、修正用位相シフタ５と同じ屈折率の材質を用いてい
るため、黒欠陥４及び修正用位相シフタ５を透過する光
の位相のずれも３６０゜となる。すなわち、黒欠陥４及
びその近傍領域においての光の位相のずれは、黒欠陥が
全く存在しない状態（０゜）と等価になるため、黒欠陥
４の存在による光の位相のズレは全くなくなる。
の黒欠陥修正方法によれば、黒欠陥４の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ５の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、黒欠陥４の近
傍領域での修正用位相シフタ５を透過する光の位相のず
れは３６０゜（０゜）となる。また、黒欠陥４の材質
は、修正用位相シフタ５と同じ屈折率の材質を用いてい
るため、黒欠陥４及び修正用位相シフタ５を透過する光
の位相のずれも３６０゜となる。すなわち、黒欠陥４及
びその近傍領域においての光の位相のずれは、黒欠陥が
全く存在しない状態（０゜）と等価になるため、黒欠陥
４の存在による光の位相のズレは全くなくなる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】このように、第３の実施例の位相シフトマ
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１を全く
傷つけることなく黒欠陥の修正を行うことができるた
め、位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正を精度よく
行うことができる。
スクパターンの黒欠陥修正方法は、マスク基板１を全く
傷つけることなく黒欠陥の修正を行うことができるた
め、位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正を精度よく
行うことができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】図１５〜図１９は、この発明の第４の実施
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフトマスクパ
ターンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断
面図である。
例である位相シフタ上置きタイプの位相シフトマスクパ
ターンを有するマスクにおける白欠陥修正方法を示す断
面図である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】このような白欠陥を有する位相シフトマス
クパターンが存在する場合、図１６に示すように、修正
用位相シフタ８として、位相シフタ２と屈折率が同じＳ
ＯＧを塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域に
おいても平坦性よく堆積される。
クパターンが存在する場合、図１６に示すように、修正
用位相シフタ８として、位相シフタ２と屈折率が同じＳ
ＯＧを塗布する。ＳＯＧは、白欠陥７の存在する領域に
おいても平坦性よく堆積される。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】第４の実施例の位相シフトマスクパターン
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の近
傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透過
する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。し
たがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の位
相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０゜）
と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相のズ
レは全くなくなる。
の白欠陥修正方法によれば、白欠陥７の近傍領域におけ
る修正用位相シフタ８の膜厚は、位相シフタ２の膜厚ｄ
の２倍となる。位相シフタ２の膜厚ｄは、光の位相が１
８０゜ずれるように設定されているため、白欠陥７の近
傍領域での修正用位相シフタ８及び位相シフタ２を透過
する光の位相のずれは１８０゜（５４０゜）となる。し
たがって、白欠陥７及びその近傍領域においての光の位
相のずれは、白欠陥が全く存在しない状態（１８０゜）
と等価になるため、白欠陥７の存在による光の位相のズ
レは全くなくなる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】このように、第４の実施例の位相シフトマ
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフトマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
スクパターンの白欠陥修正方法は、位相シフトマスクパ
ターンの白欠陥修正を精度よく行うことができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】また、修正用位相シフタとして、ＣＶＤ法
により形成された酸化シリコン膜を用いることもでき
る。以下、酸化シリコン膜で修正用位相シフタを形成す
る場合について、図２０〜図２２を参照して、第１の実
施例の位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正方法を例
に上げて説明する。
により形成された酸化シリコン膜を用いることもでき
る。以下、酸化シリコン膜で修正用位相シフタを形成す
る場合について、図２０〜図２２を参照して、第１の実
施例の位相シフトマスクパターンの黒欠陥修正方法を例
に上げて説明する。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法によ
れば、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、位相シフ
タと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、黒欠陥領
域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜
厚で形成するため、黒欠陥領域周辺に何らダメージを与
えることなく修正することができ、黒欠陥が発生して
も、高精度な位相シフトマスクパターンに修正すること
ができる。
請求項１記載の位相シフトパターンの欠陥修正方法によ
れば、黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、位相シフ
タと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、黒欠陥領
域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程度の膜
厚で形成するため、黒欠陥領域周辺に何らダメージを与
えることなく修正することができ、黒欠陥が発生して
も、高精度な位相シフトマスクパターンに修正すること
ができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】この発明における請求項２記載の位相シフ
トパターンの欠陥修正方法によれば、白欠陥領域を含む
白欠陥近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の
修正用位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光
学的悪影響を取り除く程度の膜厚で形成するため、白欠
陥領域周辺に何らダメージを与えることなく修正するこ
とができ、白欠陥が発生しても、高精度な位相シフトマ
スクパターンに修正することができる。
トパターンの欠陥修正方法によれば、白欠陥領域を含む
白欠陥近傍領域上に、位相シフタと屈折率が同じ材質の
修正用位相シフタを、白欠陥領域の存在により生じる光
学的悪影響を取り除く程度の膜厚で形成するため、白欠
陥領域周辺に何らダメージを与えることなく修正するこ
とができ、白欠陥が発生しても、高精度な位相シフトマ
スクパターンに修正することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク基板上に所定のパターンで形成さ
れた位相シフタを有するマスクにおいて、本来、存在す
べきでない領域に形成された位相シフタである黒欠陥領
域を修正する位相シフトパターンの欠陥修正方法であっ
て、 前記黒欠陥領域を含む黒欠陥近傍領域上に、前記位相シ
フタと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、前記黒
欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程
度の膜厚で形成することを特徴とする位相シフトパター
ンの欠陥修正方法。 - 【請求項２】 マスク基板上に所定のパターンで形成さ
れた位相シフタを有するマスクにおいて、前記位相シフ
タの表面の一部が欠落することにより生じた白欠陥領域
を修正する位相シフトパターンの欠陥修正方法であっ
て、 前記白欠陥領域を含む白欠陥近傍領域上に、前記位相シ
フタと屈折率が同じ材質の修正用位相シフタを、前記白
欠陥領域の存在により生じる光学的悪影響を取り除く程
度の膜厚で形成することを特徴とする位相シフトパター
ンの欠陥修正方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14124892A JP2922715B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
| US08/043,523 US5468337A (en) | 1992-06-02 | 1993-04-06 | Method of mending a defect in a phase shift pattern |
| DE4318163A DE4318163C2 (de) | 1992-06-02 | 1993-06-01 | Verfahren zur Reparatur eines Defekts in einer Phasenschiebestrukturierung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14124892A JP2922715B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333533A true JPH05333533A (ja) | 1993-12-17 |
| JP2922715B2 JP2922715B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15287529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14124892A Expired - Fee Related JP2922715B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5468337A (ja) |
| JP (1) | JP2922715B2 (ja) |
| DE (1) | DE4318163C2 (ja) |
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Also Published As
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