JPH0784355A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
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- JPH0784355A JPH0784355A JP22685693A JP22685693A JPH0784355A JP H0784355 A JPH0784355 A JP H0784355A JP 22685693 A JP22685693 A JP 22685693A JP 22685693 A JP22685693 A JP 22685693A JP H0784355 A JPH0784355 A JP H0784355A
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- Japan
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- Granted
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半透明位相シフト部と透過部を最適な寸法組合
せで構成することにより、実効的な暗部を形成する。暗
部に発生した欠陥も欠陥部を覆う遮光膜を最適な寸法，
位置で配置して修正する。 【効果】新たに遮光膜を形成しなくとも、実効的な暗部
を形成することができ、マスク作成工程を増やすこと無
く、欠陥の無い実用上有用な半透明位相シフトマスクを
作成することができる。
せで構成することにより、実効的な暗部を形成する。暗
部に発生した欠陥も欠陥部を覆う遮光膜を最適な寸法，
位置で配置して修正する。 【効果】新たに遮光膜を形成しなくとも、実効的な暗部
を形成することができ、マスク作成工程を増やすこと無
く、欠陥の無い実用上有用な半透明位相シフトマスクを
作成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などの製造に
用いるホトマスク、特に、照明光の位相を変える処理を
施したホトマスクに関する。
用いるホトマスク、特に、照明光の位相を変える処理を
施したホトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】マスクパターンを転写する露光装置の解
像力を向上させる従来技術の一つとして、特開平4−136
854 号公報に述べられているように、マスク内に半透明
部と透明部を設け、半透明部を通過するわずかな光と、
透明部を通過する光の位相を反転させるようにした半透
明位相シフトマスクがある。この方法では、パタンを転
写するレジストの感度以下の光を半透明膜から通過さ
せ、この光と透過部を通過してきた光の位相が反転する
ようにして、パタンのコントラストを向上させている。
像力を向上させる従来技術の一つとして、特開平4−136
854 号公報に述べられているように、マスク内に半透明
部と透明部を設け、半透明部を通過するわずかな光と、
透明部を通過する光の位相を反転させるようにした半透
明位相シフトマスクがある。この方法では、パタンを転
写するレジストの感度以下の光を半透明膜から通過さ
せ、この光と透過部を通過してきた光の位相が反転する
ようにして、パタンのコントラストを向上させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術における半透
明位相シフトマスクを用いたリソグラフィ工程では、通
常の露光領域は良好なパタン形成が可能である。しか
し、実際のウェハの露光では、ステップアンドリピート
によりマスクパタンを繰返し転写するため、実際の素子
領域より外周の半透明領域から洩れた光は、隣りの露光
領域にはみ出し、良好なパタン形成の障害となることが
問題となっていた。
明位相シフトマスクを用いたリソグラフィ工程では、通
常の露光領域は良好なパタン形成が可能である。しか
し、実際のウェハの露光では、ステップアンドリピート
によりマスクパタンを繰返し転写するため、実際の素子
領域より外周の半透明領域から洩れた光は、隣りの露光
領域にはみ出し、良好なパタン形成の障害となることが
問題となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明では素子領域より外周の領域を実効的に遮光
部として作用するようにした。特に、遮光部は遮光膜を
新たに形成するのはマスク作成工程の増加につながるの
で、半透明位相シフト部に透明部を解像度以下のピッチ
で配置することにより形成した。特に半透明位相シフト
部と透明部の面積比率を最適化して暗部を形成した。さ
らに、実効的な遮光部に発生した欠陥も、面積比率が変
わらないように、遮光膜で覆うことにより、修正も可能
にした。
め、本発明では素子領域より外周の領域を実効的に遮光
部として作用するようにした。特に、遮光部は遮光膜を
新たに形成するのはマスク作成工程の増加につながるの
で、半透明位相シフト部に透明部を解像度以下のピッチ
で配置することにより形成した。特に半透明位相シフト
部と透明部の面積比率を最適化して暗部を形成した。さ
らに、実効的な遮光部に発生した欠陥も、面積比率が変
わらないように、遮光膜で覆うことにより、修正も可能
にした。
【０００５】
【作用】半透明位相シフトパタンと透明パタンを同じ寸
法で解像度限界以下のピッチで配置するとパタンイメー
ジは消えるが、一様の光強度は０にならない。これは、
半透明位相シフト部を通過した光と透明部を通過した光
の光量に差があるため、位相反転効果による光の打ち消
し作用が効率良く行われないためである。半透明位相シ
フト部の設定透過率に応じて半透明位相シフト部の面積
と透明部の面積の比率を調整することにより光強度を０
にした。しかし、この部分に欠陥が発生すると、透過部
と半透明位相シフト部の光の打ち消しのバランスが崩
れ、光がリークしてしまう。欠陥は遮光膜で覆って修正
するが、透過部と半透明位相シフト部の面積比率が保た
れるように遮光膜の面積，位置を調整して形成した。こ
のパタンを露光装置のステップアンドリピートで被露光
面に２重露光される領域に配置することにより、ウェハ
上での二重露光が防止でき、目標通りの素子パタンを形
成することができる。従って、本マスクは半透明位相シ
フト部と透明部だけで構成されるため、新たに遮光部形
成用遮光膜を形成することが不要であり、マスク作成工
程が簡略化される。
法で解像度限界以下のピッチで配置するとパタンイメー
ジは消えるが、一様の光強度は０にならない。これは、
半透明位相シフト部を通過した光と透明部を通過した光
の光量に差があるため、位相反転効果による光の打ち消
し作用が効率良く行われないためである。半透明位相シ
フト部の設定透過率に応じて半透明位相シフト部の面積
と透明部の面積の比率を調整することにより光強度を０
にした。しかし、この部分に欠陥が発生すると、透過部
と半透明位相シフト部の光の打ち消しのバランスが崩
れ、光がリークしてしまう。欠陥は遮光膜で覆って修正
するが、透過部と半透明位相シフト部の面積比率が保た
れるように遮光膜の面積，位置を調整して形成した。こ
のパタンを露光装置のステップアンドリピートで被露光
面に２重露光される領域に配置することにより、ウェハ
上での二重露光が防止でき、目標通りの素子パタンを形
成することができる。従って、本マスクは半透明位相シ
フト部と透明部だけで構成されるため、新たに遮光部形
成用遮光膜を形成することが不要であり、マスク作成工
程が簡略化される。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の第一の実施例を説明する。図
１（ａ）に本実施例で用いたマスクの外観を示す。図１
（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。１が透明基
板、２が半透明位相シフト部と透明部が配列されている
素子パタン部である。３が半透明位相シフトパタンを解
像限界以下のピッチで配列した、ウェハ上では遮光部と
して作用する部分である。４は露光装置側で露光光を遮
光するためのマスキングブレードである。マスキングブ
レードは位置精度が悪いため、遮光部として作用する領
域３の幅の中間位置より外側を遮光するように設定し
た。
１（ａ）に本実施例で用いたマスクの外観を示す。図１
（ａ）が平面図、（ｂ）が断面図である。１が透明基
板、２が半透明位相シフト部と透明部が配列されている
素子パタン部である。３が半透明位相シフトパタンを解
像限界以下のピッチで配列した、ウェハ上では遮光部と
して作用する部分である。４は露光装置側で露光光を遮
光するためのマスキングブレードである。マスキングブ
レードは位置精度が悪いため、遮光部として作用する領
域３の幅の中間位置より外側を遮光するように設定し
た。
【０００７】図２を用いて遮光部として作用する領域３
の詳細を説明する。図２（ａ）がパタンの平面形状であ
る。半透明位相シフト部５内に透明パタン部９を形成し
た。透明パタン９の配列ピッチ６は用いる投影光学系の
解像度特性に依存して決定される。配列ピッチＰは次式
で表わされるＰ＝α・λ／ＮＡ（ただし、ＮＡは投影レ
ンズの開口数，λは露光波長，αは係数）ここで係数α
は実験により０.８ 以下にすることが望ましいが、照明
系の特性やパタン形状等によって最適値はこれに限らな
い。透明パタン９の幅７が暗部形成に大きく影響する。
の詳細を説明する。図２（ａ）がパタンの平面形状であ
る。半透明位相シフト部５内に透明パタン部９を形成し
た。透明パタン９の配列ピッチ６は用いる投影光学系の
解像度特性に依存して決定される。配列ピッチＰは次式
で表わされるＰ＝α・λ／ＮＡ（ただし、ＮＡは投影レ
ンズの開口数，λは露光波長，αは係数）ここで係数α
は実験により０.８ 以下にすることが望ましいが、照明
系の特性やパタン形状等によって最適値はこれに限らな
い。透明パタン９の幅７が暗部形成に大きく影響する。
【０００８】図２（ｂ）に透明パタン９の幅７を変えた
ときにウェハ上でえられる投影光光強度を示す。投影光
光強度は、図２（ａ）のＡ−Ｂを通過した光強度を示し
ている。透過パタン９のピッチは配列ピッチの式のα＝
０.５７を用い決定し、０.４μｍとした。
ときにウェハ上でえられる投影光光強度を示す。投影光
光強度は、図２（ａ）のＡ−Ｂを通過した光強度を示し
ている。透過パタン９のピッチは配列ピッチの式のα＝
０.５７を用い決定し、０.４μｍとした。
【０００９】半透明位相シフト部の透過率９％，１６
％，２５％の３種類について、透過パタン９の寸法を変
えて投影光光強度の変化を調べた。グラフの横軸は透過
パタン寸法とした。透過パタンの寸法に依存し透過光光
強度に極小値が存在し、この極小値は半透明位相シフト
部の透過率に依存して変化することがわかる。
％，２５％の３種類について、透過パタン９の寸法を変
えて投影光光強度の変化を調べた。グラフの横軸は透過
パタン寸法とした。透過パタンの寸法に依存し透過光光
強度に極小値が存在し、この極小値は半透明位相シフト
部の透過率に依存して変化することがわかる。
【００１０】すなわち、半透明位相シフト部５の透過率
に応じて最適な透過パタン寸法が存在することがわか
る。半透明位相シフト部寸法８に対する透過パタン寸法
７の寸法比率をＡとすると、その最適値は次式で表わさ
れる。Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半透明位相シフト部
の透過率，βは係数）許容できる投影光光強度は目的に
よって異なるが、二重露光によるレジストの感光を防止
する目的の場合は、半透明位相シフト部の半分程度の強
度にすれば良い。しかし、微細パタンを含む部分と二重
露光されるのを防止する目的の場合には、微細パタンの
寸法変動を極力抑える必要があり、許容できる投影光光
強度は０.０５ 以下にすることが望ましい。この場合の
βはおおよそ０.５〜２.０となる。
に応じて最適な透過パタン寸法が存在することがわか
る。半透明位相シフト部寸法８に対する透過パタン寸法
７の寸法比率をＡとすると、その最適値は次式で表わさ
れる。Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半透明位相シフト部
の透過率，βは係数）許容できる投影光光強度は目的に
よって異なるが、二重露光によるレジストの感光を防止
する目的の場合は、半透明位相シフト部の半分程度の強
度にすれば良い。しかし、微細パタンを含む部分と二重
露光されるのを防止する目的の場合には、微細パタンの
寸法変動を極力抑える必要があり、許容できる投影光光
強度は０.０５ 以下にすることが望ましい。この場合の
βはおおよそ０.５〜２.０となる。
【００１１】ここで求めた最適条件で図１の領域３を形
成し、実際に投影露光装置を用い、素子部２をステップ
アンドリピート露光した。その結果、領域３が二重露光
された領域でもパタンの崩れや寸法シフトの発生も無く
良好な素子パタンが形成できた。
成し、実際に投影露光装置を用い、素子部２をステップ
アンドリピート露光した。その結果、領域３が二重露光
された領域でもパタンの崩れや寸法シフトの発生も無く
良好な素子パタンが形成できた。
【００１２】本発明の第二の実施例を図３及び図４を用
いて説明する。第一の実施例同様素子部周辺に暗部を形
成した。しかし、図３（ａ）に示すようなハーフトーン
位相シフト部の欠け欠陥１０と、透明パタン９へのハー
フトーン位相シフト膜の残り欠陥１１が発生した。この
マスクを用いウェハ上にパタンの転写を行った結果、欠
陥部或いは欠陥部周辺で相対光強度が０.３ 以上とな
り、二重露光された部分では欠陥が転写されてしまう不
良が発生した。
いて説明する。第一の実施例同様素子部周辺に暗部を形
成した。しかし、図３（ａ）に示すようなハーフトーン
位相シフト部の欠け欠陥１０と、透明パタン９へのハー
フトーン位相シフト膜の残り欠陥１１が発生した。この
マスクを用いウェハ上にパタンの転写を行った結果、欠
陥部或いは欠陥部周辺で相対光強度が０.３ 以上とな
り、二重露光された部分では欠陥が転写されてしまう不
良が発生した。
【００１３】そこで、欠陥部を遮光膜で覆い修正を試み
た。修正には収束イオンビームを用いたカーボン膜の選
択形成法を用いた。修正は図３（ｂ）及び図３（ｃ）に
示す二種類の形に行った。図３（ｂ）に示す修正では欠
陥部を最低限に覆うように遮光膜１２及び１３を選択的
に形成した。図３（ｃ）に示す修正では遮光膜１４及び
１５の左右の辺を透明部に挟まれた半透明位相シフト部
の中央部に位置するようにした。このマスクを用いウェ
ハ上にパタンの転写を行った結果、図３（ｃ）に示す修
正マスクで欠陥の転写を防止できた。
た。修正には収束イオンビームを用いたカーボン膜の選
択形成法を用いた。修正は図３（ｂ）及び図３（ｃ）に
示す二種類の形に行った。図３（ｂ）に示す修正では欠
陥部を最低限に覆うように遮光膜１２及び１３を選択的
に形成した。図３（ｃ）に示す修正では遮光膜１４及び
１５の左右の辺を透明部に挟まれた半透明位相シフト部
の中央部に位置するようにした。このマスクを用いウェ
ハ上にパタンの転写を行った結果、図３（ｃ）に示す修
正マスクで欠陥の転写を防止できた。
【００１４】図４（ａ）及び（ｂ）にこの時のそれぞれ
のマスクの透過光強度分布のシミュレーション結果を示
した。レンズ投影光学系はＮＡ＝０.５２ 、露光波長３
６５ｎｍとした。図４（ａ）はマスク上の位置Ｃ−Ｄで
の光強度分布を示している。図４（ｂ）はマスク上の位
置Ｅ−Ｆでの光強度分布を示している。図中には図３
（ａ）,（ｂ）,（ｃ）マスクのそれぞれの光強度分布を
示した。
のマスクの透過光強度分布のシミュレーション結果を示
した。レンズ投影光学系はＮＡ＝０.５２ 、露光波長３
６５ｎｍとした。図４（ａ）はマスク上の位置Ｃ−Ｄで
の光強度分布を示している。図４（ｂ）はマスク上の位
置Ｅ−Ｆでの光強度分布を示している。図中には図３
（ａ）,（ｂ）,（ｃ）マスクのそれぞれの光強度分布を
示した。
【００１５】欠陥修正をしない図３（ａ）マスクでは最
も光強度は大きく、特にハーフトーン位相シフトの欠け
欠陥１０の部分では相対光強度が約０.７ と大きいこと
が判る。図３（ｂ）の修正では、光強度の減少はみられ
るものの約０.１ の光強度がリークしていることがわか
る。図３（ｃ）の修正をしたマスクではＣ−Ｄ部，Ｅ−
Ｆ部共に光強度が０になっており、良好に欠陥の修正が
できることがわかる。
も光強度は大きく、特にハーフトーン位相シフトの欠け
欠陥１０の部分では相対光強度が約０.７ と大きいこと
が判る。図３（ｂ）の修正では、光強度の減少はみられ
るものの約０.１ の光強度がリークしていることがわか
る。図３（ｃ）の修正をしたマスクではＣ−Ｄ部，Ｅ−
Ｆ部共に光強度が０になっており、良好に欠陥の修正が
できることがわかる。
【００１６】すなわち、暗部形成の条件が半透明位相シ
フトパタンの面積に対する透明パタンの面積比率をＡと
した時、Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半透明位相シフト
部の透過率、０.５≦β≦２.０）の関係で成り立ってい
るが、欠陥の発生により、面積比率が許容範囲を外れ、
暗部にならなくなる。又、欠陥を遮光膜で覆い修正する
際も、回りの暗部形成条件、すなわち、半透明位相シフ
トパタンと透明パタンの面積比率が設定範囲に保たれる
ように、遮光膜で覆う範囲，位置を決める必要がある。
フトパタンの面積に対する透明パタンの面積比率をＡと
した時、Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半透明位相シフト
部の透過率、０.５≦β≦２.０）の関係で成り立ってい
るが、欠陥の発生により、面積比率が許容範囲を外れ、
暗部にならなくなる。又、欠陥を遮光膜で覆い修正する
際も、回りの暗部形成条件、すなわち、半透明位相シフ
トパタンと透明パタンの面積比率が設定範囲に保たれる
ように、遮光膜で覆う範囲，位置を決める必要がある。
【００１７】例えば、欠陥の大きさより大きいサイズの
遮光膜が四角形であり、四角形の少なくとも二辺を半透
明パタンのほぼ中央部に配置する。
遮光膜が四角形であり、四角形の少なくとも二辺を半透
明パタンのほぼ中央部に配置する。
【００１８】或いは二辺とも透明パタンの中央部に配置
する。或いは、遮光膜の大きさが欠陥の最大寸法よりも
大きく、さらに、遮光膜の少なくとも二辺共が半透明位
相シフト部上に配置され、あるいは、遮光膜の少なくと
も二辺共が透明部上に配置され、さらに、遮光膜の少な
くとも一辺の大きさがパタンピッチより大きい、或いは
遮光膜が、少なくとも欠陥部および透明部および半透明
位相シフト部を覆い、覆った部分の、透明部と半透明位
相シフト部の面積比率（ただし、欠陥部はもとの領域と
して扱う）が、半透明位相シフトパタンの面積に対する
透明パタンの面積比率をＡとした時、Ａ＝β・√Ｔ（た
だし、Ｔは半透明位相シフト部の透過率、０.３≦β≦
２.５）の関係であり、覆った部分の中心に対して透明
部あるいは半透明位相シフト部の配置が対称である等の
少なくとも何れかが満足するようにする必要がある。
する。或いは、遮光膜の大きさが欠陥の最大寸法よりも
大きく、さらに、遮光膜の少なくとも二辺共が半透明位
相シフト部上に配置され、あるいは、遮光膜の少なくと
も二辺共が透明部上に配置され、さらに、遮光膜の少な
くとも一辺の大きさがパタンピッチより大きい、或いは
遮光膜が、少なくとも欠陥部および透明部および半透明
位相シフト部を覆い、覆った部分の、透明部と半透明位
相シフト部の面積比率（ただし、欠陥部はもとの領域と
して扱う）が、半透明位相シフトパタンの面積に対する
透明パタンの面積比率をＡとした時、Ａ＝β・√Ｔ（た
だし、Ｔは半透明位相シフト部の透過率、０.３≦β≦
２.５）の関係であり、覆った部分の中心に対して透明
部あるいは半透明位相シフト部の配置が対称である等の
少なくとも何れかが満足するようにする必要がある。
【００１９】以上のように、半透明位相シフト部と透明
部を最適な寸法組合せで構成することにより、実効的な
暗部を形成することができた。又、暗部に発生した欠陥
の修正も可能になった。
部を最適な寸法組合せで構成することにより、実効的な
暗部を形成することができた。又、暗部に発生した欠陥
の修正も可能になった。
【００２０】なお、本実施例では半透明位相シフト領域
に線状の透明パタンを形成した例を示したが、これに限
らない。例えば、島状パタンやその他のパタンとしても
特に問題は無い、Ａ＝β・√ＴのＡを半透明位相シフト
部面積に対する透明パタンの面積比率に置き換えればほ
ぼ同様の結果が得られる。
に線状の透明パタンを形成した例を示したが、これに限
らない。例えば、島状パタンやその他のパタンとしても
特に問題は無い、Ａ＝β・√ＴのＡを半透明位相シフト
部面積に対する透明パタンの面積比率に置き換えればほ
ぼ同様の結果が得られる。
【００２１】又、素子部周辺に暗部を形成したが、これ
に限らない、例えば、素子部周辺の上下，左右のそれぞ
れ何れか一方の辺に配置しても良い。或いは、問題とな
る特定の部分にのみ配置することも有効である。
に限らない、例えば、素子部周辺の上下，左右のそれぞ
れ何れか一方の辺に配置しても良い。或いは、問題とな
る特定の部分にのみ配置することも有効である。
【００２２】又、本実施例では半透明位相シフトパタン
と透明パタンの組合せで構成した暗部を、二重露光防止
に適用したが、用途はこれに限らない。暗部を必要とす
るマスク位置整合用の窓パタンや、ウェハ位置検出用の
パタン、あるいは大面積の半透明位相シフト部など、必
要な部所に適用できる。又、暗部領域に発生した欠陥の
修正には収束イオンビームでのカーボン膜の選択形成法
を用いたがこれに限らない。
と透明パタンの組合せで構成した暗部を、二重露光防止
に適用したが、用途はこれに限らない。暗部を必要とす
るマスク位置整合用の窓パタンや、ウェハ位置検出用の
パタン、あるいは大面積の半透明位相シフト部など、必
要な部所に適用できる。又、暗部領域に発生した欠陥の
修正には収束イオンビームでのカーボン膜の選択形成法
を用いたがこれに限らない。
【００２３】遮光膜はカーボンに限らず、Ｃｒ，Ａｌ，
Ｃｕ，Ｓｉなど他の材料であっても良い。又、遮光膜の
形成方法も収束イオンビームを用いる方法に限らず、選
択的に所望の場所に遮光膜を形成できる装置であれば他
の方法を用いることができる。
Ｃｕ，Ｓｉなど他の材料であっても良い。又、遮光膜の
形成方法も収束イオンビームを用いる方法に限らず、選
択的に所望の場所に遮光膜を形成できる装置であれば他
の方法を用いることができる。
【００２４】又、修正の形状は四角形にしたが、これ
は、現修正装置で修正しやすい形状に対応するからであ
り、これに限らない。円形、多角形等も可能である。ま
た、透明部に残った半透明位相シフト膜の残り欠陥も遮
光膜で修正したが、これに限らない、収束イオンビーム
で選択的に欠陥部を除去する方法も適用出来る。
は、現修正装置で修正しやすい形状に対応するからであ
り、これに限らない。円形、多角形等も可能である。ま
た、透明部に残った半透明位相シフト膜の残り欠陥も遮
光膜で修正したが、これに限らない、収束イオンビーム
で選択的に欠陥部を除去する方法も適用出来る。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、半透明位相シフト部と
透過部を最適な寸法組合せで構成することにより、新た
に遮光膜を形成しなくとも、実効的な暗部を形成するこ
とができ、さらに、暗部に発生した欠陥の修正も欠陥部
を覆う遮光膜の寸法、位置を最適化することにより可能
であり、マスク作成工程を増やすこと無く、実用上有用
な半透明位相シフトマスクを作成することができる。ま
た、本発明のマスクを用いて半導体素子を作成した結
果、二重露光部での問題も無く、半透明位相シフトマス
クの効果を十分に活かしたパタン形成ができ、素子面積
の縮小化が図れる。
透過部を最適な寸法組合せで構成することにより、新た
に遮光膜を形成しなくとも、実効的な暗部を形成するこ
とができ、さらに、暗部に発生した欠陥の修正も欠陥部
を覆う遮光膜の寸法、位置を最適化することにより可能
であり、マスク作成工程を増やすこと無く、実用上有用
な半透明位相シフトマスクを作成することができる。ま
た、本発明のマスクを用いて半導体素子を作成した結
果、二重露光部での問題も無く、半透明位相シフトマス
クの効果を十分に活かしたパタン形成ができ、素子面積
の縮小化が図れる。
【図１】本発明のマスク構成の説明図。
【図２】本発明のマスクの詳細な説明図。
【図３】本発明の実施例の説明図。
【図４】マスクの透過光強度分布図。
５…半透明位相シフト部、９…透明部、１０…半透明位
相シフト部の欠け欠陥、１１…残り欠陥、１２，１３，
１４，１５…遮光膜。
相シフト部の欠け欠陥、１１…残り欠陥、１２，１３，
１４，１５…遮光膜。
Claims (6)
- 【請求項１】露光光に対して半透明な領域と、透明な領
域とを含み、上記透明な領域を通過する光に対し、上記
半透明な領域を通過する光の位相差がおよそ１８０°と
なるようにした半透明位相シフト領域を含むホトマスク
内に、半透明位相シフトパタンと透明パタンを配列し、
投影面での光強度が、上記半透明位相シフト領域を通過
した光の投影面での光強度に対し、半分以下の強度とな
るような暗部領域を含むマスクであって、上記暗部領域
内に上記半透明位相シフトパタンの欠け欠陥、或いは上
記透明パタン内の半透明位相シフト膜の残り欠陥が有っ
た場合、少なくとも上記欠陥領域を覆う形状の遮光膜を
被着し修正した部分を含むことを特徴とするホトマス
ク。 - 【請求項２】請求項１において、欠陥の大きさより大き
いサイズの遮光膜が四角形であり、四角形の少なくとも
二辺を半透明パタンのほぼ中央部に配置するか、あるい
は、四角形の少なくとも二辺を透明パタンのほぼ中央部
に配置したホトマスク。 - 【請求項３】請求項１において、上記暗部領域が上記半
透明位相シフトパタンと上記透明パタンで構成され、上
記半透明位相シフトパタンと上記透明パタンの繰返しピ
ッチＰがＰ＝α・λ／ＮＡ（ただし、ＮＡは投影レンズ
の開口数，λは露光波長，α≦０.８)の関係であり、上
記半透明位相シフトパタンの面積に対する透明パタンの
面積比率をＡとした時、Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半
透明位相シフト部の透過率、０.５≦β≦２.０）の関係
であり、暗部領域内に存在する欠陥は、四角形の遮光膜
で覆い、上記遮光膜の一辺が欠陥の最大寸法よりも大き
く、さらに、遮光膜の少なくとも二辺が半透明位相シフ
ト部のほぼ中央部上、あるいは遮光膜の少なくとも二辺
が透明部のほぼ中央部上に配置され、さらに、遮光膜の
少なくとも一辺の大きさがＰより大きいホトマスク。 - 【請求項４】請求項１において、欠陥の大きさより大き
いサイズの遮光膜が、少なくとも欠陥部および透明部お
よび半透明位相シフト部を覆い、覆った部分の、透明部
と半透明位相シフト部の面積比率が、上記半透明位相シ
フトパタンの面積に対する上記透明パタンの面積比率を
Ａとした時、Ａ＝β・√Ｔ（ただし、Ｔは半透明位相シ
フト部の透過率、０.３≦β≦２.５）の関係にあり、覆
った部分の中心に対して透明部あるいは半透明位相シフ
ト部の配置がほぼ対称であるホトマスク。 - 【請求項５】露光光に対して半透明な領域と、透明な領
域を含み、上記透明な領域を通過する光に対し、上記半
透明な領域を通過する光の位相差がおよそ１８０°とな
るようにした半透明位相シフト領域を含むホトマスク内
に、半透明位相シフトパタンと透明パタンを配列し、投
影面での光強度が、上記半透明位相シフト領域を通過し
た光の投影面での光強度に対し、半分以下の強度となる
ような暗部領域を含むマスクの欠陥修正方法であって、
上記暗部領域が上記半透明位相シフトパタンと上記透明
パタンで構成され、上記半透明位相シフトパタンと上記
透明パタンの繰返しピッチＰが、Ｐ＝α・λ／ＮＡ（た
だし、ＮＡは投影レンズの開口数，λは露光波長、α≦
０.８)の関係であり、上記暗部領域内に存在する欠陥
は、遮光膜で覆い、上記遮光膜は少なくとも欠陥部およ
び透明部および半透明位相シフト部を覆い、覆った部分
の、上記透明部と上記半透明位相シフト部の面積比率
が、上記半透明位相シフトパタンの面積に対する上記透
明パタンの面積比率をＡとした時、Ａ＝β・√Ｔ（ただ
し、Ｔは半透明位相シフト部の透過率、０.３≦β≦
２.５)の関係にあり、覆った部分の中心に対して透明部
あるいは上記半透明位相シフト部の配置がほぼ対称であ
ることを特徴とするホトマスクの欠陥修正方法。 - 【請求項６】請求項１，２，３，または４において、上
記ホトマスクを用いて作成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22685693A JP3082529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22685693A JP3082529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | マスクの欠陥修正方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784355A true JPH0784355A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3082529B2 JP3082529B2 (ja) | 2000-08-28 |
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ID=16851646
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22685693A Expired - Lifetime JP3082529B2 (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | マスクの欠陥修正方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082529B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982628A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Canon Inc | 露光方法及び該方法を用いた露光装置 |
| EP1130467A3 (en) * | 2000-02-24 | 2001-12-05 | Sony Corporation | Photo mask pattern designing method, resist pattern fabricating method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2007171651A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク |
| TWI408494B (zh) * | 2007-02-28 | 2013-09-11 | Hoya Corp | 灰階光罩之缺陷修正方法、灰階光罩之製法及灰階光罩 |
| JP2014165275A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法及び露光システム |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP22685693A patent/JP3082529B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2014165275A (ja) * | 2013-02-22 | 2014-09-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法及び露光システム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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