JP2877193B2

JP2877193B2 - フォトマスク

Info

Publication number: JP2877193B2
Application number: JP4240296A
Authority: JP
Inventors: 伸二石田; 直生安里
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 1999-03-31
Anticipated expiration: 2016-02-29
Also published as: JPH09236904A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフイ工程
で用いられる、露光装置用のフォトマスクに関し、特
に、周期性のパターンを有するフォトマスクに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体素子の製造工程において
は、半導体基板上にパターンを形成するために、主に光
リソグラフイ技術を用いている。光リソグラフイでは、
露光装置によりフォトマスク（透明領域と遮光領域から
なるパターンが形成された露光用原板であり、縮小率が
１：１でない場合は特にレチクルとも呼ばれるがここで
はいずれもフォトマスクと呼ぶ）のパターンを感光性樹
脂の塗布された半導体基板上に転写し、現像により感光
性樹脂に所定のパターンを形成する。この感光性樹脂の
パターンは、リソグラフイの次の工程であるエッチング
あるいは不純物導入（イオン注入）におけるマスクとな
る（エッチングに耐えるという意味で、この感光性樹脂
はレジストとも呼ばれる）。

【０００３】これまでの光リソグラフイ技術において
は、おもに露光装置の開発、とりわけ投影レンズ系の高
ＮＡ化により半導体素子パターンの微細化へ対応してき
た。ここでＮＡ（開口数）とはレンズがどれだけ広がっ
た光を集められるかに対応し、この値が大きいほどより
広がった光を集められ、レンズの性能は良いことにな
る。また、一般にレーリ（Rayleigh）の式としてよく知
られているように、限界解像度Ｒ（解像できる限界の微
細パターンの寸法）とＮＡには、Ｒ＝Ｋ₁ λ／ＮＡ（ここで、Ｋ₁ は感光性樹脂の性能等のプロセスに依存
する定数）の関係があり、ＮＡを大きくするほど限界解
像度は向上し、よりよく微細化に対応することが可能に
なる。

【０００４】しかし、露光装置の高ＮＡ化により解像力
は向上するものの、逆に焦点深度（焦点位置のずれが許
容できる範囲）は減少し、焦点深度の点で更なる微細化
が困難となってきている。ここでも実際の物理的説明は
省くが、先と同様にレーリの式として、焦点深度ＤＯＦ
とＮＡには、ＤＯＦ＝Ｋ₂ ×λ／ＮＡ² （ここで、Ｋ₂ はプロセスに依存する定数）の関係が成
り立つことが知られている。すなわち、ＮＡを大きくす
る程焦点深度は狭くなり、わずかな焦点位置のずれも許
容できなくなる。

【０００５】そこで、様々な超解像手法が検討されるよ
うになってきた。一般に、超解像手法とは、照明光学
系、フォトマスク、および投影レンズ系瞳面における光
の透過率並びに位相を制御することにより、結像面での
光強度分布を改善する手法である。また、各種超解像手
法のなかでも、照明光学系の最適化による解像特性の向
上、いわゆる変形照明法は実現性が高く近年特に注目を
集めている。この変形照明法について説明する前に、ま
ず通常の露光装置（一般にはステッパーと呼ばれる）の
照明光学系に関して簡単に説明しておく。半導体素子形
成のためのリソグラフィ工程においては、パターン寸法
の半導体基板の露光領域全面で、形成されるパターン寸
法を制御するためには、フォトマスク上の露光領域全面
が均一な強度で照明される必要がある。そのため、光源
である水銀ランプからでた光をコールドミラーおよび干
渉フィルター等を通して単一波長とした後に、照度均一
性を得るための光学素子であるフライアイレンズに導い
ている。フライアイレンズは、同型の単体レンズを複数
並列に束ねた光学素子であり、フライアイレンズの各単
体レンズがそれぞれ焦点を結び独立した点光源を形成
し、この点光源群でフォトマスクを照明することにより
フォトマスク上の照度均一性向上させている。

【０００６】この点光源群は、水銀ランプを１次光源と
呼ぶのに対して、２次光源と呼ばれることもある。ま
た、このようにフライアイレンズを通して照明すると、
おおもとの光源である水銀ランプでの発光状態はフォト
マスクの照明状態には関係がなくなる。このフライアイ
レンズで形成される点光源の形状および強度分布のみが
実質的にフォトマスクの照明状態を決定し、露光特性に
影響を及ぼしている。よって、この点光源群は有効光源
とも呼ばれる。一般には、この有効光源は円形をしてお
り、その大きさはコヒーレントファクタσ（σ＝照明光
学系のＮＡ／投影レンズ系のＮＡ）で表される。以前、
このσ値は固定で、０．５〜０．７程度となっていた
が、パターン寸法の微細化にともない、σ値を可変と
し、パターン毎に０．３〜０．８の範囲で最適値を選択
するようになってきた。

【０００７】さらに、この有効光源の形状を制御し解像
特性を改善することが提案された。これが一般に変形照
明法と呼ばれる手法である。この有効光源の形状を変化
させる手段としては、通常、フライアイレンズの直後に
様々な形状の絞りあるいはフィルターを配置している。
なお、この手法は有効光源の形状（絞りの形状）により
区別され、たとえば絞りの中央部を遮光してリング型の
照明光源を用いる照明法は輪帯照明法と呼ばれている。

【０００８】次に、この変形照明法の効果について簡単
に説明する。図７に通常照明と輪帯照明の照明状態を比
較して示す。通常の照明方法では、図７（ａ）に示すよ
うな円形開口の絞り１０２ａが用いられ、このとき図７
（ｂ）に示すように、フォトマスク６にほぼ垂直に入射
する光が存在する。フォトマスク６のパターンを解像す
るには、最低でもその回折光のうち、０次光と＋１ある
いは−１次光を集めることが必要であるが、パターンが
微細になると回折角が大きくなり投影レンズ１０３系に
入らなくなる。

【０００９】そのため、微細パターンにおいては、垂直
に入射する光は解像には寄与しないノイズ成分となり、
像面での光強度分布のコントラストを低下させてしま
う。しかし、図７（ｃ）に示すようなリング形の開口部
を有する絞り１０２ｂを用いると、フォトマスク６に斜
めからのみ光が入射し、その分、＋１あるいは−１次回
折光のいずれかが投影レンズ１０３に入るようになり、
照明光の大部分がパターンを解像させるのに役立つよう
になる。このように、照明光のうち解像に寄与しない垂
直入射成分を除去することにより解像度および焦点深度
を向上させることができる。

【００１０】また、上記変形照明法の他にも、フォトマ
スク側の改善による超解像手法である、位相シフトマス
クの検討も盛んに行われている。位相シフトマスクとし
ては、渋谷−レベンソン（Levenson）方式と呼ばれる、
周期的なパターンにおいて透明領域を透過する光の位相
を交互に１８０度変える方式が初めに提案された。しか
し、この方式は周期パターンにしか効果が無く、孤立し
たパターンには適用できないという問題があった。その
ため、その後補助パターンあるいはハーフトーン方式等
の他の方式が提案されてきた。なかでも、ハーフトーン
方式の位相シフトマスクは、他の方式に比べ、マスク設
計および作製が容易なため、特に注目されている。

【００１１】これら位相シフトマスクに関して説明する
前に、比較のためまず図８に通常のフォトマスクを示
す。図８（ａ）は平面図、図８（ｂ）はそのＡ−Ａ線で
の断面図である。通常のマスクでは、図８（ａ）、
（ｂ）に示すように、石英等の透明基板１上に７０〜１
００ｎｍ厚のクロム（Ｃｒ）および酸化クロム（Ｃｒ
Ｏ）の遮光膜２が形成されている。そして、図８（ｃ）
に示すように、マスクを透過する光の振幅は開口部（透
明部）で一定値、それ以外の部分（遮光部）で零とな
る。一般に、光学系を通した結像はフーリエ変換で説明
されるが、透過照明により照明されフーリエ変換された
マスクパターンは、投影レンズ系でフーリエ逆変換され
結像面上に再び元のマスクパターンが形成される。しか
しこのとき、投影レンズ系はローパスフィルターとして
働くので、フーリエ変換の高次の成分はなくなる。よっ
て、マスク透過直後は図８（ｃ）に示すように矩形性を
有する光の振幅も、結像面ではその矩形性を失ない、振
幅の２乗で与えられる光強度の分布も図８（ｄ）に示す
ような分布となる。

【００１２】次に、ハーフトーン方式（減衰方式）の位
相シフトマスクについて説明する（例えば特開平４−１
３６８５４号公報）。この方式は本来遮光領域となって
いた部分にわずかに透過率を持たせ、その漏れた光の位
相を１８０度反転させることによりパターン境界部での
光強度分布を改善する手法である。図９（ａ）はハーフ
トーン方式の位相シフトマスクの平面図であり、図９
（ｂ）はそのＡ−Ａ線での断面図である。この方式は、
図９（ａ）および（ｂ）に示すように、透明基板１上に
酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）等からなる半透明膜３を設
けることによって形成される。この半透明膜の透過率は
一般に３〜１５％程度に設定され、また、透明領域と半
透明領域を透過する光の位相差は１８０度になるように
なされている。光が屈折率ｎの材料中を進むとさ、その
波長はλ／ｎ（ここに、λは真空中の波長）となるの
で、空気（ｎ＝１）と半透明膜の光路差により、位相差
を生じさせることができる。ここでは、半透明膜膜厚ｔ
をｔ＝λ／２（ｎ−１）（ｎは半透明膜の屈折率）とす
ることにより位相差を１８０度としている。

【００１３】図９（ｃ）に、透明領域と半透明領域を透
過した光の振幅を示す。同図に示すように、半透明膜を
漏れる光の位相を制御することにより、半透明膜３のエ
ッジ部で位相の異なった光同士の打ち消し合いが起こ
り、図９（ｄ）に示すように、メインパターンの光強度
分布を改善することができる。ただし、このハーフトー
ン方式のマスクには、マスク全面で光が漏れているた
め、このフォトマスクを用いて半導体基板上に露光を行
った場合、隣接する露光傾城の境界部ではこの漏れた光
が複数回重なるため、パターン異常（感光性樹脂の膜減
り）が生じる問題が指摘されている。

【００１４】そこで、特開平６−２８２０６３号公報に
は、露光領域周辺部の半透明領域上に遮光膜により遮光
領域の枠（以下これを遮光帯と呼ぶ）を形成し、この遮
光帯により露光領域境界部の膜減りを防止する手法が提
案されている。図１０に、この遮光帯を形成したハーフ
トーンマスクの一例を示す。図１０（ａ）に示すよう
に、遮光帯は露光額域の外周に沿っていある幅で形成さ
れ、これは図１０（ｂ）に示すように、透明基板上に形
成された半透明膜３上に遮光膜２を載せた構造となって
いる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の変形照
明法では、ラインアンドスペースパターンのような繰り
返しパターンに適用した場合、焦点位置を変化させてい
くと、外周のパターンが細り、消滅してしまう問題が生
じていた。これは、変形照明法が周期性のあるパターン
にのみ焦点深度拡大効果があり孤立パターンには効果が
ないので、周期性が乱れた外周パターンの焦点深度が低
下するためである。

【００１６】このような問題は、変形照明法にハーフト
ーン位相シフトマスクを用いた場合も同じであり、周期
パターンの中央付近のパターンは焦点深度が拡大するも
のの、外周パターンでは寸法の細りおよび膜減りが生じ
ていた。また、同様に孤立のラインパターンあるいはス
ペースパターンに対しては、変形照明およびハーフトー
ンマスクのいずれも焦点深度拡大効果は十分ではない。
したがって、本発明の解決すべき課題は、周期パターン
の外周部や孤立パターンに対しても十分に焦点深度拡大
効果を有するフォトマスクを提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題
は、周期パターンの最外周部あるいは周期パターンから
離れた孤立パターンを半透明パターンで、他の周期パタ
ーンを遮光パターンで構成することにより解決すること
ができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明によるフォトマスクは、透
明基板上に周期性を有するマスクパターンが形成された
ものであって、前記周期パターンの外周部のパターンを
半透明パターン、それ以外のパターンを遮光パターンと
し、かつ前記半透明パターンはこれを透過する光に透過
しない光に対し所定の位相差（例えば１８０度）を生じ
させるものであることを特徴としている。

【００１９】本発明によるもう一つのフォトマスクは、
透明基板上に周期性を有するマスクパターンおよび少な
くも一つの孤立マスクパターンが形成されたものであっ
て、前記孤立マスクパターンを半透明パターン、それ以
外のパターンを遮光パターンとし、かつ前記半透明パタ
ーンはこれを透過する光に透過しない光に対し所定の位
相差を生じさせるものであることを特徴としている。

【００２０】本発明のフォトマスクにおいては、周期パ
ターンの最外周部のパターンをハーフトーン位相シフト
部（２〜２０％の透過率を有し、かつその透過光と周辺
の透明部の透過光との間に１８０度の位相差を生じさせ
る）とし、それ以外のパターン（内部周期パターン）を
遮光パターンとしている。ハーフトーンのパターン部
は、位相の１８０度異なる光の打ち消し合いにより、遮
光パターンより光強度を低下させることができる。よっ
て、周期パターンの外周のみをハーフトーンとすること
により外周パターンの寸法の細りおよび膜減り（消滅）
を防止することができる。

【００２１】また、本発明のもう一つのフォトマスクに
おいては、フォトマスク上の孤立パターンをハーフトー
ン位相シフト部とし、他の周期パターンを遮光パターン
として孤立パターンの光強度を低下させている。そし
て、ハーフトーン位相シフト部の位相シフトを１８０度
から所定の量だけずらすことにより、その部分の焦点深
度範囲をシフトさせている。すなわち、変形照明下にお
いて、孤立パターンをハーフトーンとしても焦点深度自
体は拡大しないが、その範囲を露光される基板の段差に
合わせて位相差をシフトさせることにより段差の上下で
良好なパターンを形成することができる。

【００２２】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。［第１の実施例］図１（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発
明の第１の実施例の平面図と断面図である。なお、ここ
では露光装置として、縮小率１／５（マスクパターン寸
法：結像面上パターン寸法＝５：１）、ＮＡ＝０．５
５、輪帯照明（σ＝０．８、半径比８０％遮光）、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ（波長λ＝２４８ｎｍ）の縮小投影露
光装置を用いるものする。また、対象とするパターン
は、線幅０．１８μｍのラインアンドスペースパターン
（１１本ライン）である。なお、以下ではパターン形状
の寸法（遮光膜の膜厚等は除く）はすべて半導体基板上
での寸法で示すのもとする。すなわち実際のマスク上で
はその５倍となっている。

【００２３】図１（ａ）に示すように、１１本のライン
パターン（遮光パターン）のうち左右最外周の２本がハ
ーフトーンパターン（透過率４％）となっている。ま
た、マスク構造は、図１（ｂ）に示すように、石英の透
明基板１上に膜厚１２０ｎｍの酸化窒化モリブデンシリ
サイド（ＭｏＳｉＯＮ）による半透明膜３が成膜され、
さらに半透明膜３の上には膜厚５０ｎｍのクロムの遮光
膜２が形成されている。ここで、半透明膜３によって生
じる位相差は１８０度となされている。

【００２４】次に、本フォトマスクの効果について、通
常マスクと比較して説明する。まず、図２に通常マスク
（全てのラインパターンが遮光パターン）の光強度分布
のシミュレーション結果を示す。横軸は基板（結像面）
上の、図１の左右方向の位置を示しており、中央ライン
センター位置を０．０μｍとした。また、縦軸は十分広
い透明領域での光強度を１として規格化した相対光強度
を示す。図２では焦点位置を０．０〜１．０μｍまで
０．２μｍ刻みで変化させており、図中の記号ａ〜ｆは
それぞれ焦点位置０．０μｍ〜１．０μｍに対応してい
る。この図で注目されるのは、焦点位置の変化により、
特に外周部のラインパターン部分で光強度が急激に上昇
している点である。これは、感光性樹脂の塗布された基
板上に露光を行った場合、焦点位置のわずかな変動によ
り、外周部のパターンの膜減りあるいはパターンの消滅
が生じることを示している。

【００２５】図３に、この通常マスクと本発明のフォト
マスクのシミュレーション結果を比較して示す。ここで
は比較しやすいように、最外周パターン部のみを示して
いる（図２の横軸の１〜２μｍの範囲）。また、ここで
パターンの膜減りを考える際に、次の仮定を用いる。す
なわち、焦点位置０．０μｍの光強度分布においてライ
ンアンドスペースパターンの設計寸法がスライスレベル
（パターンエッジ位置の光強度）となる光強度Ｉ₀ を基
準とし、焦点を変化させた場合、Ｉｍｉｎ／Ｉ ₀ がある
値以上になるとパターンが消滅してしまうものとする。
パターンが消滅するＩｍｉｎ／Ｉ₀ の値は感光性樹脂に
依存するが、一般には０．６〜０．８の範囲であった。
そこで、ここではＩｍｉｎ／Ｉ₀ ＞２／３をパターン消
滅の条件とする。本露光条件のＩ₀ は０．３であるの
で、図３においてＩｍｉｎが０．２以上ではパターン消
滅となる。

【００２６】従来マスクにおいては、焦点位置の変化が
０．４μｍ以上ではＩｍｉｎが０．２を越え、パターン
が消滅してしまう。すなわち、変形照明法を用いても、
外周パターンの膜減り（消滅）のため、全体としては焦
点深度が拡大しないことが判る。一方、本実施例のフォ
トマスクにおいては、焦点位置０．８μｍで０．２を越
えてしまっているが、従来マスクに比較して最外層部に
安定して暗部が形成されていることが判る。よって、焦
点深度としては、従来マスクが±０．２μｍであったの
に対して、本実施例のフォトマスクでは３倍の±０．６
μｍに向上している。なお、以上の実施例ではＫｒＦリ
ソグラフイの透過型マスクについて説明したが、露光光
は上記例のＫｒＦエキシマレーザ光に限定されることは
なく水銀ランプのｇおよびｉ線あるいはＸ線等の他の波
長でも良い。

【００２７】［第２の実施例］次に、本発明の第２の実
施例について図面を参照して説明する。図４（ａ）、
（ｂ）は、本発明の第２の実施例を示す平面図と断面図
である。なお、ここでは、縮小率１／５、ＮＡ＝０．
６、輪帯照明（σ＝０．７、中央６０％遮光）のｉ線露
光装置を用いるものとする。図４に示すように、透明基
板１上には、０．３μｍのラインアンドスペースパター
ンと孤立ラインパターンが混在している。ここで、ライ
ンアンドスペースパターンは遮光パターン１２となって
おり、一方孤立ラインパターンはハーフトーンパターン
１３となっている。ここで、ハーフトーンパターン１３
の透過率は４％で、生じる位相差は２４０度となってい
る（ここでは、半透明膜の膜厚ｔが前記ｔ＝λ／２（ｎ
−１）の関係を満たすときを位相差１８０度とし、それ
より厚くなったときを位相差は１８０度以上、それより
薄いときを位相差は１８０度以下とする）。

【００２８】図５に本マスクおよび従来マスク（孤立ラ
インが遮光パターンとなっている従来マスク）のフォー
カス特性を示す。なお、ここで、焦点位置の“＋／−”
の方向は、感光性樹脂の塗布された基板がレンズに近づ
く方向を“＋”、反対に遠ざかる方向を“−”としてい
る。図５から明らかなように、ラインアンドスペースは
フォーカス特性が平坦になり、焦点深度も２．０μｍ
（−１．０μｍ〜＋１．０μｍ）と十分得られてる。一
方、従来の孤立ラインは上に凸形状の傾いたフォーカス
特性を示し、焦点深度は１．２μｍ（−０．６〜＋０．
６μｍ）と、ラインアンドスペースパターンに比べ狭く
なっている〔ここでは、焦点深度を寸法変動が目標値
（０．３μｍ）の１０％以内（０．２７μｍ〜０．３３
μｍ）の焦点位置の範囲としている）。

【００２９】次に、本発明のフォトマスクの孤立ライン
（０．３μｍ幅）のフォーカス特性を見ると、従来マス
クよりパターン寸法が太くなるとともに焦点深度が
“−”側にシフトしていることが判る。すなわち、孤立
パターンをハーフトーンとすることによりパターンの細
りを防止することができ同時に位相差を１８０度からず
らすことにより焦点位置をシフトさせることができる。
よって、図６に示すような段差のある半導体基板４上に
塗布された感光性樹脂５を露光する際に、段差部の下に
孤立パターンが露光される場合、この孤立パターンの焦
点深度を“−”側にシフトさせることにより段差部の上
下で良好なパターンが形成されるようにすることができ
る。

【００３０】このように、本発明のフォトマスクにおい
ては、焦点深度の狭い孤立パターンをハーフトーンと
し、かつその位相差を１８０度からずらすことにより焦
点深度の範囲をシフトさせ、半導体基板の段差の上下で
良好なパターンを形成することができる。ここで、焦点
深度の範囲のシフト量は、ハーフトーン部分の透過率お
よび位相差で制御され、透過率が高く、位相差が１８０
度よりずれるほどシフト量は大きくなる。また、そのシ
フトの方向は、位相差が１８０度より大きくなる（半透
明膜の膜厚が厚くなる）と“−”側にシフトし、反対に
小さくなる（膜厚が薄くなる）と“＋”側にシフトす
る。なお、この第２の実施例も、露光光は特にｉ線に限
定されるものではない。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフォトマ
スクは、周期パターンの外周部および孤立パターンのみ
をハーフトーン位相シフト部とするものであるので、そ
の部分での感光性樹脂の膜減りおよびパターンの消滅を
防止することができる。また、特にそのハーフトーンに
よる位相シフトを制御することにより、基板の段差に合
わせてハーフトーンパターンの最適焦点位置をシフトさ
せ、段差の上下で良好なパターンを形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のフォトマスクを示す平
面図と断面図。

【図２】従来例に関するラインアンドスペースパターン
の光強度布シミュレーション結果を示すグラフ。

【図３】本発明の第１の実施例のフォトマスクと従来マ
スクを比較した、光強度分布シミュレーション結果を示
すグラフ。

【図４】本発明の第２の実施例のフォトマスクを示す平
面図および断面図。

【図５】本発明の第２の実施例および従来のフォトマス
クにおけるフォーカス特性のシミュレーション結果を示
すグラフ。

【図６】本発明の第２の実施例のフォトマスクを用いた
露光状態の説明図。

【図７】従来の超解像技術の一つである、変形照明法の
説明図。

【図８】従来のフォトマスクの説明図。

【図９】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクの説
明図。

【図１０】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクの
遮光帯の説明図。

【符号の説明】

１透明基板２遮光膜３半透明膜４半導体基板５感光性樹脂６フォトマスク１２遮光パターン１３ハーフトーンパターン１０１フライアイレンズ１０２ａ、１０２ｂ絞り１０３投影レンズ

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に周期性を有するマスクパタ
ーンが形成されたフォトマスクにおいて、前記周期パタ
ーンの最外周部のパターンを半透明パターン、それ以外
のパターンを遮光パターンとし、かつ前記半透明パター
ンはこれを透過する光に透過しない光に対し所定の位相
差を生じさせるものとし、これにより最外周部での焦点
深度を拡大したことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】前記所定の位相差が１８０度であること
を特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】透明基板上に周期性を有するマスクパタ
ーンおよび孤立マスクパターンが形成されたフォトマス
クにおいて、前記孤立マスクパターンを半透明パター
ン、それ以外のパターンを遮光パターンとし、かつ前記
半透明パターンはこれを透過する光に透過しない光に対
し所定の位相差を生じさせるものとし、これにより孤立
パターンでの焦点位置をシフトさせたことを特徴とする
フォトマスク。
【請求項４】前記所定の位相差が１８０度以外の角度
であることを特徴とする請求項３記載のフォトマスク。