KR0141433B1 - 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정방법 - Google Patents

위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정방법

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KR0141433B1 KR1019940024097A KR19940024097A KR0141433B1 KR 0141433 B1 KR0141433 B1 KR 0141433B1 KR 1019940024097 A KR1019940024097 A KR 1019940024097A KR 19940024097 A KR19940024097 A KR 19940024097A KR 0141433 B1 KR0141433 B1 KR 0141433B1
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구니히로 호소노
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기따지마 요시도시
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기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 의하면 위상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6이 광투과부 4와 위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역에 형성되고 위상 쉬프터 결함부 6이 위상 쉬프터부 2와 같은 투과율을 갖고 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 수정부재 8에 의해 보충되어 있고 이것에 의해 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계부 또는 그 근방에 발생한 위상 쉬프트 마스크의 결함수정에 있어서 위상 쉬프트 마스크로서의 기능을 다하지 못하는 위상 쉬프터부의 수정을 실시할 수 있게 된다.

Description

위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법
제1도는 본 발명에 의한 제1의 실시예에서의 위상 쉬프트마스크 및 위상 쉬프트 마스크 결함 수정방법을 설명하기 위한 평면도이다.
제2도는 제1도중 A-A선 단면에 의한 단면도이다.
제3도는 수정부재의 투과율과 광강도의 윤곽과의 관계를 보인 도면이다.
제4도는 수정부재의 위상차와 광강도의 윤곽과의 관계를 보인 도면이다.
제5도는 제1도중 A-A선 단면에 의한 다른 결함수정의 구조를 보인 단면도이다.
제6도는 제1도중 A-A선 실시단면에서의 노광광의 광강도 윤곽을 보인 도면이다.
제7도는 제1도에 보인 위상 쉬프트 마스크를 사용한 경우의 레지스트막 위에 형성된 패턴형상을 보인 평면도이다.
제8도는 본 발병에 의한 제2의 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크 결함 수정방법을 설명하기 위한 평면도이다.
제9도의 ⒜는 제8도중 B-B선 단면도이다.
⒝는 제8도중 B-B선 단면에 의한 광강도 윤곽을 보인 도면이다.
제10도는 본 발병에 의한 제3의 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크 결함 수정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
제11∼17도는 본 발명에 의한 제4실시예에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법을 보인 제1∼제7공정을 보인 단면도이다.
제18∼20도는 본 발명에 의한 제5실시예에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 제1∼제3공정을 보인 평면도이다.
제21도는 제20도중 X-X선 단면도이다.
제22도의 ⒜는 마스크 패턴과 결함 패턴과의 관계를 보인 평면도이다.
⒝는 마스크 패턴을 투과한 노광광의 웨이퍼위에서의 광강도를 보인 그래프이다.
제23도는 결함 크기와 마스크 패턴과 결함과의 거리와의 관계를 보인 그래프이다.
제24도의 ⒜는 종래 기술의 포토 마스크의 단면도이다.
⒝는 종래 기술의 포토 마스크를 사용한 경우의 포토 마스크위의 전계를 표시한 그래프이다.
⒞는 종래 기술의 포토 마스크를 사용한 경우의 레지스트막 위의 광강도를 표시한 그래프이다.
⒟는 종래 기술의 포토 마스크를 사용한 경우의 레지스트막 위의 전사 패턴의 단면도이다.
제25도의 ⒜는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 단면도이다.
⒝는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 포토 마스크 위의 전계를 표시한 그래프이다.
⒞는 종래 기술의 포토 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위에서의 빛의 진폭을 표시한 그래프이다.
⒟는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크를 사용한 경우의 레지스트막 위의 광강도를 표시한 그래프이다.
⒠는 종래 기술에서의 포토 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위의 전사 패턴의 단면도이다.
제26도의 ⒜는 종래 기술에서의 감쇠형 위상 쉬프트 마스크의 단면도이다.
⒝는 종래 기술에서의 감쇠형 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 포토 마스크의 전계를 표시한 그래프이다.
⒞는 종래 기술의 포토 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위에서의 빛의 진폭을 표시한 그래프이다.
⒟는 종래 기술에서의 감쇠형 위상 쉬프트 마스크의 레지스트막 위의 광강도를 표시한 그래프이다.
⒠는 종래 기술의 포토 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위의 전사 패턴의 단면도이다.
제27도는 출원평 4-335523에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크의 구조를 표시한 단면도이다.
제28도의 ⒜는 출원평 4-335523에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크의 단면도이다.
⒝는 출원평 4-335523에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 위상 쉬프트 마스크 위의 전계를 표시한 그래프이다.
⒞는 출원평 4-335523에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위에서의 빛의 진폭을 표시한 그래프이다.
⒟는 출원평 4-335523에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위의 광강도를 표시한 그래프이다.
⒠는 감쇠형 위상 쉬프트 마스크를 이용한 경우의 레지스트막 위의 전사 패턴을 표시한 단면도이다.
제29도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법을 표시한 단면 개념도이다.
제30∼33도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 문제점을 표시한 제1∼제4의 평면도이다.
제34도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 문제점을 표시한 광강도 윤곽을 표시한 제1의 그래프이다.
제35도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 문제점을 표시한 광강도 윤곽을 표시한 제2의 그래프이다.
제36도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 문제점을 표시한 제5의 평면도이다.
제37도는 종래 기술에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 문제점을 표시한 제6의 평면도이다.
[발명의 이용 분야]
본 발명은 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 관한 것으로 특히 위상 쉬프터의 결함부가 광 투과부와 위상 쉬프터부와의 경계 부근에 발생된 경우의 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
최근 반도체 집적회로에서의 고집적화 및 소형화는 눈부시게 발전되어 왔다.
따라서 반도체 기판 위에 형성되는 회로 패턴의 소형화도 급속도로 발전하고 있다.
그중에서도 특히 사진 석판 기술은 패턴 형성을 위한 기본 기술로서 널리 알려져 오늘날까지 다양하게 발전되고 개량되어졌다.
그러나 패턴의 소형화 요구는 그칠 줄을 모르고 패턴의 해상도 향상에의 요구도 더 한층 강해진 것을 알 수 있다.
일반적으로 축소 노광방법을 이용한 사진 석판 기술에서의 해상 한계 R(nm)은
R=k1·λ/(NA)......(1)
로 표현된다.
여기서 λ는 사용하는 광의 파장(nm), NA는 렌즈의 개구수, k1은 레지스트 프로세서에 의존하는 정수이다.
위 식에서 알 수 있는 바와 같이, 해상한계의 향상을 예측하기 위해서는 k1과 λ의 값은 작게 하고 NA의 값은 크게 하면 적당하다.
즉 레지스트 프로세스에 의존하는 정수를 작게함과 동시에 파장을 짧게 하고(단파장화) NA를 증가시키면(고NA화) 좋을 것이다.
그러나 광원이나 렌즈의 개량은 기술적으로 어렵고 또 단파장화 및 고NA화를 진행시키는 것에 의존하는 경우 광의 초점심도σ (σ=k2·λ/(NA)2)......(1)
를 얕게 만들기 때문에 해상도의 저하를 초래하는 문제도 발생된다.
여기서 제24도를 참조하여 종래 포토 마스크의 단면, 포토 마스크 위의 전계, 레지스트 막위의 광강도 및 레지스트 막위에 전사된 패턴을 설명해 나가겠다.
우선 제24도⒜를 참조하여 포토 마스크 30의 구조에 대해서 설명한다.
이 포토 마스크 30은 투명 유리 기판 32 위에 소정 형상을 갖는 마스크 패턴 38이 형성되어 있다.
이 마스크 패너 38은 크롬(Cr)등으로 된 차광부 34와 투명 유리 기판 32을 노출한 광투과부 36를 포함한다.
다음에 제24도 ⒝를 참조하면 포토 마스크 30의 노광광의 전계는 포토 마스크 패턴에 따라 규정된다.
다음에 제24도 ⒞를 참조하면 반도체 웨이퍼위의 광강도에 대해서 설명한다.
미세한 패턴에 전사되는 경우에 포토 마스크를 투과한 노광광의 빔이 이웃하는 패턴상의 빛이 증첩되는 부분에 있어서 광 회절현상 및 광 간섭효과에 의해 서로 격렬해진다.
그러므로 반도체 웨이퍼 위의 광강도의 차이가 줄고 해상도가 저하된다. 그 결과 레지스터 막위에 전사된 패턴은 제24도 ⒟에 도시된 것처럼 포토 마스크 위의 패턴을 정확하게 반영할 수 없다.
이 문제를 해결하기 위해서 예컨대 특개소 57-62052호 공보 및 특개소 58-173744호 공보에 의한 위상 쉬프트 마스크를 이용한 위상 쉬프트 노광법이 제안되고 있다.
여기서 제25도를 참고하여 특개소 58-173744호 공보에 개시된 위상 쉬프트 마스크를 이용한 위상 쉬프트 노광법에 대해서 설명한다.
제25도 ⒜는 위상 쉬프트 마스크 40의 단면을 표시하고 있다.
제25도 ⒝는 포토 마스크 위의 전계를 표시하고 있다.
제25도 ⒞는 레지스트 막위의 광 진폭을 표시하고 있다.
제25도 ⒟는 레지스터 막위의 광강도를 표시하고 있다.
제25도 ⒠는 레지스터 막위에 전사된 패턴을 표시하고 있다.
우선 제25도 ⒜를 참조하면 위상 쉬프트 마스크 40의 구조에 대해서 설명한다.
투명 유리기판 42위에 소정 형상을 갖는 마스크 패턴 50이 형성되어 있다.
이 마스크 패턴 50은 크롬등으로 된 차광부 44와, 투명 유리 기판 42를 노출한 광투과부 46을 포함하고 있다.
게다가 투명 유리 기판 42를 노출한 각각의 광투과부 46에는 실리콘 산화막 등의 투명 절연막으로 된 위상 쉬프터부 48이 설계되어 있다.
다음에 제25도 ⒝를 참고하면 위상 포토 마스크 40을 투과한 광의 빔에 의한 포토 마스크 위의 전계에서는 투과빔들이 180°로 번갈아 반전된 위상을 갖는다.
그러므로 이웃한 패턴 상에서 위상 쉬프트 마스크 40을 투과한 노광광의 중첩 빔들은 각자가 반전된 위상을 갖는다.
그러므로 레지스트 막위의 빛의 진폭은 제25도 ⒞에 규정된다.
따라서 레지스트막 위에서의 광강도는 빛의 간섭효과에 의해 빛이 중첩되는 부분에서는 서로 상쇄되고 제25도 ⒟에 표시된 바와 같이 된다.
그 결과 레지스트막 위에서의 노광광의 광강도의 차이가 충분하게 되고 해상도 향상을 예측할 수 있게 되며 제25도 ⒠에 표시된 바와 같이 마스크 패턴 50에 따른 패턴을 레지스터 막에 전사할 수 있게 된다.
그러나 상기 위상 쉬프트 마스크에 의한 위상 쉬프트 노광법에 의하면 라인과 스페이스 등의 주기적인 패턴에 대해서는 대단하게 효과가 있지만 패턴이 복잡한 경우에는 위상 쉬프터의 배치등이 대단히 곤란하게 되므로 따라서 패턴에 임의로 설정할 수 없다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 위상 마스크로서 예를 들면 「JJAP Series Proc. of 1991 Intern. Microprocess Conference pp.3-9」 및 「특개평 4-136854호공보」에서 감쇠형 위상 쉬프트 마스크가 개시되고 있다.
이하, 이 특개평 4-136854호 공보에 개시된 감쇠형 위상 쉬프트 마스크에 대해 설명한다.
제26도 ⒜는 상기 감쇠형 위상 쉬프트 마스크 52의 단면 구조를 보인 도면이다.
제26도 ⒝는 포토 마스크 위의 전계를 보인 도면이다.
제26도 ⒞는 레지스터막 위의 빛의 진폭을 보인 도면이다.
제26도 ⒟는 레지스터막 위의 광강도를 표시하는 도면이다.
제26도 ⒠는 레지스트막 위에 전사된 패턴을 표시하고 있다.
우선 제26도 ⒜를 참고하여 감쇠형 위상 쉬프트 마스크의 구조에 대해 설명한다.
이 위상 쉬프트 마스크 52의 구조는 투명 석영 기판 54와 이 투명 석영 기판 54 위에 소정 패턴 형상을 가진 위상 쉬프트 패턴 64를 포함한다.
이 위상 마스크 패턴 64는 투명 석영 기판을 노출한 광투과부 62와 이 광투과부 62보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 62를 투과한 노광광의 위상차가 180°로 된 투명 석영 기판 54 위에 형성된 위상 쉬프터부 60을 구비하고 있다.
이 위상 쉬프터부 60은 광투과부 62를 투과한 노광광에 대해 투과율이 5∼40%인 크롬층 56과 광투과부 62를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 된 쉬프터층 58과의 2층 구조로 되어 있다.
다음에 상기 구조로 된 위상 쉬프트 마스크 52를 투과한 노광광의 포토 마스크 위의 전계는 노광 패턴의 에지부분에서 노광광의 위상이 반전된다.
이 때문에 레지스터막에서의 노광광의 빛의 진폭은 제26도 (c)에 도시된 바와 같이 한다.
따라서 레지스터막 위의 광강도는 제26도 ⒟에 도시된 바와 같이 노광패턴의 에지부분에서 반드시 0으로 된다.
그결과 광투과부 62와 위상 쉬프터부 60과의 노광패턴의 전계 차이는 충분하게 되고 따라서 높은 해상도를 얻을 수 있으며 제26도 ⒠에 도시된 바와 같이 위상 쉬프트 패턴에 따른 패턴을 레지스트막에 전사할 수 있다.
우선 본 발명의 출원인은 출원평 4-335523에서의 위상 쉬프트 마스크의 문제점을 해결하기 위한 위상 쉬프트 마스크를 개발하고 있다.
제26도에 도시한 위상 쉬프트 마스크 52가 크롬층 56과 쉬프터층 58과의 2층 구조를 갖는 위상 쉬프터부 60을 포함하고 있는 것에 대해 출원평 4-335523에서의 위상 쉬프트 마스크 66의 구조는 제27도를 참조하여 위상 쉬프터부 70을 위상 쉬프터부 60과 동일한 위상차와 크롬층 56과 동일한 투과율을 가진 단일 재료로 형성되어 있다.
이 위상 쉬프트 마스크 66을 상세하게 설명하면 투명 석영 기판 68 위에 소정 형상의 패턴을 가진 위상 쉬프트 패턴이 형성되어 있다.
이 위상 쉬프트 패턴 74는 투명 석영 기판 68을 노출한 광투과부 72와 단일 재료로 된 위상 쉬프터부 70를 구비하고 있다.
이 위상 쉬프터부 70의 재료로서는 MoSi의 산화 질화막, MoSi산화막, Cr의 산화막, Cr의 산화 질화막, Cr의 산화 질화 탄화막이 사용된다.
이 위상 쉬프트 마스크 66을 이용한 경우의 포토 마스크위의 전계, 레지스트막 위의 빛의 진폭, 레지스트막 위의 광강도, 및 레지스트막의 전사패턴은 제28도 ⒜, ⒝, ⒞, ⒟, ⒠에 도시된 바와 같이 제28도 ⒜∼⒠에 도시된 경우와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
다음에 이 위상 쉬프트 마스크 66의 위상 쉬프트 패턴 74에 결함이 발생한 경우의 결함수정방법에 대해서 설명한다.
우선 제29도를 참고로 하면 위상 쉬프트 패턴 74에 발생한 결함에는 잔류결함(불확실한 결함) 78과 핀홀결함(확실한 결함) 76이 존재한다.
이 결함 검사에는 예를 들면 광투과형 결함검사장치(KLA사 239HR형) 등을 사용하고 칩 비교방식의 결함검사를 실시한다.
이 결함검사장치는 통상 수온램프를 광원으로 하는 빛으로 검사를 실시한다.
검사결과 위상 쉬프트 패턴 74이 에칭되는 장소에 위상 쉬프터부가 남아서 생긴 잔류결함 78과 핀홀 또는 남겨진 위상 쉬프터부에서 발생한 부족한 부분에 의한 핀홀결함 76을 검출한다.
다음에 이런 잔류결함 78과 핀홀결함 76을 수정한다.
잔류결함 78에 대해서는 종래의 포토 마스크에서 사용되는 YAG레이저 82를 사용한 레이저 빔 수정장치에 의해 수정된다.
또한 잔류결함을 제거하기 위한 다른 방법으로서는 FIB(Focused Ion Beam : 집속 이온 빔)를 사용하는 가스-보조에 의한 에칭에 의해서도 가능하다.
다음에 핀홀결함 76의 수정에 대해서는 일반적으로 종래의 포토 마스크에서 사용하고 있는 방향족 계열의 가스를 사용한 FIB 보조 침전에 의한 카본계열막 80을 핀홀결함 부분에 가득 채워 수정을 행한다.
이 FIB 보조 침전방식은 프로세스가 용이하고 수정비용을 줄일 수 있다.
이와 같이 하여 수정된 위상 쉬프트 마스크는 다음 단계에서의 세정되는 경우에 의해서도 카본계막이 이탈하지 않고 양호한 위상 쉬프트 마스크를 얻을 수 있게 된다.
그렇지만 위에 기술한 종래의 기술에는 이하에 설명되는 문제점을 가지고 있다.
제30도는 감쇠형 위상 쉬프트 마스크 84의 평면도로서 위상 쉬프터부 86과 광투과부 88를 가지고 있다.
또한 위상 쉬프터부 86의 영역에만 발생한 핀홀결함 90과 광투과부 88과 위상 쉬프터부 86과의 경계 부근에 형성된 핀홀결함 92을 갖고 있다.
이들 핀홀결함 90과 핀홀결함 92이 수정되는 경우에 대해서 이하에 설명한다.
핀홀결함 90의 수정 경우는 대체적으로 제29도에 도시된 바와 같이 카본계막 80이 사용된다.
이에 반하여 핀홀결함 92의 수정의 경우는 이 영역에서의 노광광의 투과율이 고려되어야 한다.
예를 들면 제31도를 참고하여 핀홀 결함 92를 FIB보조침전방법에 의한 카본계막 94의 충전에 의해 수정된 경우에 대해서 고찰한다.
어떠한 핀홀결함 92도 없는 위상 쉬프터부 86 및 광투과부 88을 포함한 위상 쉬프트 마스크를 사용하여 정상적으로 노광을 실시한 경우는 포지티브형 레지스트막의 에칭 후의 형상은 제32도에 도시된 바와 같이 레지스터막 96에 완전한 원형패턴 98이 형성된다.
이때의 A-A선 및 B-B선에 따른 노광광의 레지스트막 위에서의 광강도가 제34도 및 제35도에 표시된다.
그러나 제31도에 표시한 것처럼 결함이 수정된 위상 쉬프트 마스크를 노광한 경우는 제33도에 도시된 바와 같이 레지스트막 96에 비대칭 패턴 100이 형성되어 버린다.
이때의 C-C선 및 D-D선에 따른 노광광의 레지스트막 위에서의 광강도는 제34도 및 제35도에 표시된다.
제34도 및 제35도를 참고하여 제32도에 표시한 정상적인 레지스트 패턴이 형성된 경우에 레지스트막 위에서의 광강도는 실선 a 및 실선 b로 보인 것처럼 중심축 L에 대하여 대칭인 형상으로 된다.
이에 반해서 제33도에 보인 패턴의 레지스트막 위에서의 광강도는 점선 c로 보인 것처럼 광강도의 윤곽이 외측으로 확장된 타원 형상의 패턴으로 된다.
이유는 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계부근에 불투명한 카본계막을 형성했기 때문이며 이 부분에서는 위상 쉬프트 마스크로서의 역할을 다하지 못하기 때문에 앞에 설명한 제24에 보인 포토 마스크 30과 동일한 현상을 발생시킨다.
이처럼 반도체 장치에 소형화가 강력하게 요구되는 오늘날에 있어서 레지스터막의 패턴에 치수오차가 발생한다면 예를 들면 반도체 기억장치의 메모리부에서의 전기적인 변형을 발생시키기도 하고 또한 비트선의 접촉 불량이나 배열마진 부족에 의한 회로단락을 발생시키기도 한다.
또한 제36도에 도시된 바와 같이 광투과부 104와 위상 쉬프터부 102의 라인과 스페이스로 형성된 위상 쉬프트 패턴의 위상 쉬프터부 102에 발생한 핀홀결함 106을 카본계막 108로 수정한 경우도 제37도에 도시한 바와 같이 레지스트막의 패턴 110에 보인 것처럼 패턴 110이 얇게 된 부분 114이 발생한다.
그 결과 이 레지스트막을 이용한 배선층 등의 패턴을 실시하면 배선층이 얇게 형성되기 때문에 그 부분에서의 저항이 증가되거나 단선을 발생시키게 되어 반도체 장치의 성능을 저하시키는 원인이 되어 왔다.
[발명의 개요]
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서 광투과부와 위상 쉬프트부의 경계부에 발생한 위상 쉬프트부의 결함 수정에 있어서 위상 쉬프트 마스크로서의 기능을 저하시키지 않는 위상 쉬프터부의 광투과부와 위상 쉬프트부의 경계에서 발생한 결함을 수정하는 것을 가능하게 한 위상 쉬프트 마스크 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크의 한가지 국면에 있어서는 투명기판의 표면을 노출한 광투과부와 광투과부보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 투명기판 위에 형성된 위상 쉬프터부를 구비하고 위상 쉬프터부의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부를 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계를 포함하는 영역에 갖으며 위상 쉬프터 결함부에 위상 쉬프터부와 거의 동일한 투과율과 거의 동일한 위상차를 갖는 수정부재를 배치하고 있다.
바람직하게는 상기 수정부재의 위상차는 120°∼240°이다.
더욱 바람직하게는 상기 수정부재의 투과율은 4∼15%이다.
더욱 바람직하게는 수정부재는 위상 쉬프터부와 같은 재질로 형성된다.
더욱 바람직하게는 상기 수정부재는 금속의 산화물, 금속의 산화질화물, 금속실리사이드의 산화물, 및 금속실리사이드의 산화질화물로 된 그룹으로부터 선택되는 1종류의 재료이다.
더욱 바람직하게는 수정부재는 카본, 크롬의 산화물, 크롬의 산화질화물, 크롬의 산화 질화 탄화물, 몰리브덴 실리사이드의 산화물 및 몰리브덴 실리사이드의 산화 질화물로 된 그룹으로부터 선택되는 1종류의 재료이다.
더욱 바람직하게는 수정부재는 위상 쉬프터부와 거의 같은 투과율을 갖는 제1의 수정막과 위상 쉬프터부와 거의 동일한 위상차를 갖는 제2의 수정막을 포함하고 있다.
다음에 본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 한가지 국면에 있어서는 투명 기판의 표면을 노출한 광투과부와 광투과부보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 투명기판 위에 형성된 위상 쉬프터부를 포함하고 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계를 포함하는 영역에 위상 쉬프터부의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부를 형성하는 단계와 위상 쉬프터 결함부가 위상 쉬프터 결함부와 거의 동일한 투과율과 거의 동일한 위상차를 갖는 수정부재에 의해 보충하는 단계를 포함한다.
이 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 의하면 수정부재가 보충된 위상 쉬프터 결함부의 영역과 위상 쉬프터부에서 동일한 광학적 특성을 얻을 수 있게 된다.
그러므로 위상 쉬프터 결함부의 수정 영역을 투과한 노광광에 있어서도 위상 쉬프트 마스크와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
그 결과 위상 쉬프터 결함부를 수정한 위상 쉬프트 마스크를 사용하여도 결함이 없는 위상 쉬프트 마스크와 같이 고정밀도의 노광을 실시할 수 있게 된다.
다음에 본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크의 다른 국면에 있어서는 투명 기판의 표면을 노출한 광투과부와 광투과부보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 투명기판 위에 형성된 위상 쉬프터부를 포함하고 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계를 포함하는 영역에 위상 쉬프터부의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부를 갖으며 위상 쉬프터 결함부와 위상 쉬프터 결함부를 포함하는 위상 쉬프터부와 광투과부와의 경계로부터 소정 길이만큼 광투과부쪽으로 돌출된 영역에 차광막이 배치된다.
본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정방법의 다른 국면에 있어서는 투명 기판의 표면을 노출한 광투과부와 광투과부보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 투명기판 위에 형성된 위상 쉬프터부를 포함하고 위상 쉬프터부의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부를 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계를 포함하는 영역에 형성하는 단계와 위상 쉬프터 결함부와 위상 쉬프터 결함부가 포함된 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계에서 소정 길이 만큼 광투과부쪽으로 돌출된 영역에 차광막을 형성하는 단계를 포함한다.
이 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 다른 국면에 의하면 광투과부와 차광막과의 경계영역을 투과한 노광광의 회절현상에 의해 확장된 소정 길이만큼 투과 영역쪽으로 돌출하여 차광막이 형성되기 때문에 투과영역쪽으로 돌출한 길이만큼 내부방향으로 이동된다.
따라서 실질적으로는 노광광의 확장이 제한되고 광투과부의 형상에 대응한 소정형상의 노광패턴을 형성할 수 있게 된다.
그 결과 위상 쉬프터 결함부를 수정한 위상 쉬프트 마스크를 사용하여서도 결함이 없는 위상 쉬프트 마스크와 같은 고정밀도의 노광을 실시할 수 있게 된다.
다음에 본 발명에 의한 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법의 다른 국면에 있어서는 이하의 공정을 포함한다.
우선 투명 기판의 표면을 노출한 광투과부와 광투과부보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 위상 쉬프터부를 포함하는 위상 쉬프트 패턴이 투명 기판 위에 형성된다.
다음에 위상 쉬프트 패턴의 전 표면에 레지스트막이 형성된다.
그 후 위상 쉬프터부의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부의 광투과부와 위상 쉬프터부와의 경계를 포함한 영역 및 그 부근위에 형성된 레지스트막이 제거된다.
다음에 위상 쉬프트 패턴위에 위상 쉬프터부와 동일한 투과율과 거의 동일한 위상차를 갖는 수정막이 형성된다.
그 후 레지스트막이 에칭에 의해 제거되고 위상 쉬프터 결함부의 영역에 수정막이 잔재한다.
이 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 의하면 수정을 필요로 하는 위상 쉬프트 결함부에 정확하게 수정막을 형성할 수 있게 된다.
그 결과 이처럼 위상 쉬프터 결함부의 수정이 실시된 위상 쉬프트 마스크를 사용하는 것에 의해서 결함이 없는 위상 쉬프트 마스크를 사용하는 경우와 같이 고정밀도의 노광을 실시할 수 있게 된다.
이하에서 본 발명에 의한 다른 목적, 특징, 국면, 및 유리한 장점들이 첨부도면에 의거하여 설명되는 본 발명의 상세한 설명으로부터 더 명백히 드러날 수 있을 것이다.
[바람직한 실시예의 발명]
이하 본 발명에 의한 제1의 실시예에 대하여 제1도 및 제2도를 참고하여 설명한다.
투명 석영 기판 16의 표면을 노출한 광투과부 4와 이 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 투명기판위에 형성된 위상 쉬프터부 2를 구비한 감쇠형의 위상 쉬프트 마스크 1이 표시되고 있다.
이 위상 쉬프터부 2의 재질은 예를 들면 Mosi의 산화 질화막, Mosi의 산화막, 크롬의 산화질화막, 크롬의 산화 질화 탄화막 등으로 형성되어 있다.
더우기 위상 쉬프터 결함부 6에는 위상쉬프터 2와 거의 동일한 투과율과 거의 동일한 위상차를 닺는 수정부재 8에 의해 충전되어 있다.
여기서 수정부재 8의 투과율과 위상차와의 범위에 대하여 기술한다.
우선 제3도를 참고로 하면 위상 쉬프터 2의 투과율과 광강도의 윤곽과의 관계에 대하여 설명한다.
역시 도면에 도시된 바와 같이 광강도의 윤곽은 2.25㎛의 광투과부 4를 10.0㎛피치로 배치한 위상 쉬프트 마스크에서의 위상쉬프터의 위상차가 180°, 노광광이 i선(365㎚), NA=0.57, σ=0.4의 조건에서 측정한 것이다.
도면 중 굵은 선 a, 가는 선 b, 점선 c, 일점쇄선 d는 각각 0%, 5%, 10%, 15%의 투과율을 갖는 수정부재 8의 광강도 윤곽을 표시하고 있다.
위상 쉬프터 2의 투과율이 증가함에 따라서 광강도의 윤곽의 바닥 폭 W는 작아지게 된다.
이것은 노광광에 의한 해상도가 향상되고 있는 것을 표시하고 있다.
그러나 광강도 윤곽의 양측 모두에서의 광강도도 바닥 폭 W이 감소함에 따라 증가하고 있다.
이 때문에 위상 쉬프터 2의 투과율을 15% 이상으로 하면 이 양측의 광강도를 무시할 수 없게 된다.
따라서 수정부재의 투과율은 5∼15% 정도가 바람직하다고 볼 수 있다.
다음에 제4도를 참고하여 수정부재의 위상차와 광강도의 윤곽과의 관계에 대하여 설명한다.
광강도의 윤곽은 2.25㎛의 광투과부 4를 10.0㎛ 피치로 배치한 위상 쉬프트 마스크에서의 위상쉬프터의 위상차가 180°, 노광광이 i선(365㎚), NA=0.57, σ=0.4의 조건에서 측정한 것이다.
역시 도면에 표시한 광강도의 윤곽은 2.25㎛의 광투과부 4를 10.0㎛ 피치로 배치한 위상 쉬프트 마스크에서의 위상쉬프터의 위상차가 180°, 노광광이 i선(365㎚), NA=0.57, σ=0.4의 조건에서 측정한 것이다.
도면 중 굵은 선 a, 실선 b, 가는 선 c, 점선 d, 일점 쇄선 e, 이점 쇄선 f는 위상차가 180°, 160°, 140°, 90°, 0°인 수정부재 8의 강도의 윤곽을 표시하고 있다.
위상 쉬프터 2의 위상차가 증가함에 따라 광강도의 윤곽의 바닥 폭 W는 작아진다.
이것은 노광광에 의한 해상도가 향상되고 있는 것을 표시하고 있다.
도면에서 알 수 있는 바와 같이 위상 쉬프터 2의 위상차가 120°∼180°의 범위에 있으면 바람직한 광강도의 윤곽을 얻을 수 있다.
이것은 위상 쉬프터 2의 위상차가 180°∼240°의 경우에도 같을 것이라고 말할 수 있다. 따라서 수정부재의 위상차는 120°∼240° 정도에 있는 것이 바람직하다고 볼 수 있다.
여기서 이 수정부재 8의 재질은 위상 쉬프터부 2와 동일한 재질로 보아도 무방하다.
또한 제5도에 표시된 바와 같이 불투명하지만 소정의 투과율을 갖는 예를 들면 CrOx, CrOxN, MoSiO, MoSiN 등 또는 완전하게 투명한 SiO2 등의 제1수정막 5와 FIB 조력침전방식에 의해 형성한 카본막이나 크롬막 등의 제2수정막 7을 갖는 2층 구조로 되어도 무방하다.
역시 제5도는 제1도중 A-A선 단면에 따른 도면이다.
이처럼 위상 쉬프터 결함부 6이 수정된 위상 쉬프트 마스크 1은 위상차와 투과율이 위상 쉬프터부 2와 거의 동일하기 때문에 위상 쉬프터 결함부의 수정영역과 위상 쉬프터부와의 광학적 특성이 동일하게 된다.
따라서 위상 쉬프터 결함부 수정영역을 투과한 노광광에 의해서도 위상 쉬프트 마스크와 같은 효과를 얻을 수 있게 된다.
따라서 제1도의 A-A선 단면 및 B-B선 단면에 표시한 노광광의 레지스트막 위에서의 광강도 윤곽은 제6도의 실선 a로 표시한 것처럼 중심축 L에 대하여 대칭이고 동시에 날카로운 작은 산형태의 형상으로 된다.
그 결과 이와 같은 위상 쉬프터 결함부가 수정된 위상 쉬프트 마스크를 사용하여 레지스터막을 노광한 경우 제7도에 표시된 바와 같이 레지스트막 10에 원하는 레지스트 패턴 12를 형성할 수 있게 된다.
이상 이런 제1의 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크 및 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 의하면 결함이 없는 위상 쉬프트 마스크와 동등한 고정 밀도의 노광을 실시하는 것이 가능하게 된다.
다음에 본 발명에 의한 제 2의 실시예에 대하여 제 8 도를 참고하여 설명한다.
이 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크 1회 구성 및 재질은 제 1의 실시예와 같이 되고 위상 쉬프터 결함부 6도 제 1의 실시예와 같은 위치에 발생하고 있다.
이 실시예에서의 위상 쉬프터 결함부 6의 수정 방법은 위상 쉬프터 결함부 6 과 위상 쉬프터 결함부 6에 포함된 광투과부 4와 위상 쉬프터부 2와의 경계에서 소정 길이만큼 (H1)튀어나온 영역의 광투과부 4외에 크롬, 카본, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 실리콘등으로 된 차광막 14이 형성되어 있다.
예컨대 본 실시예에 의하면 레지스터막에 형성된 레지스터 패턴의 직경이 0.4㎛ 정도의 경우 차광막 14의 돌출량(H1)은 레지스터 막 10 위에 약 0.1~0.2㎛ 정도로 된다.
또한 레지스터 패턴의 직경이 0.35㎛ 정도의 경우 차광막 14의 돌출량(H1)은 레지스터막 10위에 약 0.05~0.15㎛정도로 되고 레지스트 패턴의 직경이 0.3㎛ 정도의 경우에는 차광막 14의 돌출량(H1)은 레지스트막 10 위에 0.05∼0.1㎛ 정도로 된다.
이 제8도에 도시한 위상 쉬프트 마스크 11을 사용한 경우에 B-B선 실시 단면에서의 레지스트막 위에서의 광강도 윤곽은 제9도에 도시한 바와 같이 된다.
제9도 ⒝를 참고하여 차광막 14를 광투과부 4의 영역에 소정 길이 만큼 돌출시켜 형성한 것에 의하면 실선 a로 표시한 바와 같이 노광광의 회절현상에 의한 확장됨이 내부 방향으로 이동한다.
점선 b는 H1 = 0의 경우의 광강도의 윤곽을 표시하고 있다.
따라서 실질적으로 노광광의 확장이 제한되고 광투과부의 형상에 대응한 소정형상의 노광 패턴이 형성되고 본 실시예에 의해서도 실선 a로 표시한 것처럼 거의 중심축 L에 대하여 대칭이면서 날카로운 작은 산모양의 광강도 윤곽을 형성하는 것이 가능하다.
다음에 본 발명에 의한 제3의 실시예에 대하여 제10도를 참고하여 설명한다.
이 실시예에 의하면 제5도에 표시된 제2의 실시예와 비교하여 위상 쉬프터 결함부에 형성된 차광막 18의 폭 W1이 위상 쉬프터 결함부의 폭 W2보다도 작게 형성되어 있다.
요컨대 (W1-W2)/2 ≤ 0.1㎛ 정도로 함으로써 석판인쇄의 해상이 불가능하기도 하며 레지스트막 위의 전사에 영향을 나타낼 수 없기 때문이기도 하다.
따라서 본 실시예에서의 차광부 18은 그 차광부 18의 폭 W1을 필요 최소한으로까지 가늘게 하는 것이 가능한 것을 표시하고 있다.
본 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크를 사용하여서도 제9도 ⒝의 실선 a에 표시한 광강도 윤곽을 얻을 수 있게 된다.
다음에 본 발명에 의한 제4의 실시예에 대하여 제11∼17도를 참고하여 설명한다.
제11도부터 제17도는 본 발명에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법에 의한 제조공정도이다.
우선 제11도를 참고하여 투명 석영 기판 16의 표면을 노출한 광투과부 4와 이 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 위상 쉬프트부 2를 포함한 위상 쉬프트 패턴 3을 투명 석영 기판 16위에 형성한다.
이때 위상 쉬프터부 2에는 위상 쉬프터부 2와 광투과부 4와의 경계를 일부 포함한 위상 쉬프터 결함부 6이 발생되어 있다.
다음에 제12도를 참고하여 위상 쉬프트 패턴 3의 위전면에 레지스트막 20을 형성한다.
그 후 제13도를 참고하여 위상 쉬프터 결함부 6의 영역위 및 그 근방에 형성된 레지스트막 20을 에칭에 의해 제거한다.
다음에 제14도를 참고하여 위상 쉬프트 패턴 3의 위전면에 위상 쉬프터부 2와 동일한 투과율을 갖고 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 수정막 22 예컨대 CrOx, CrOxN, MoSiO, MoSiN 등을 형성한다.
다음에 제15도를 참고하여 레지스트막 20을 에칭에 의해 제거하고 소위 리프트-오프(lift-off) 방식을 이용하여 위상 쉬프터 결함부 6에 수정막 22를 남긴다.
그후 제16도를 참고하여 위상 쉬프터부 2위에 남긴 수정막 22를 위상 쉬프터부 4와의 과학 특성을 조정하기 위해 화학적 기계적인 에칭에 의해 제거한다.
다음에 제17도를 참고하여 FIB에 의한 트리밍을 사용하여 수정막 22를 소정 형상으로 가공한다.
이상에 의해 본 실시예에서의 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법이 완료된다.
이상 본 발명에 의하면 이른바 리프트-오프 방식을 사용하여 위상 쉬프트 결함부에 수정막을 형성하고 있다.
이것에 의해 수정을 필요로 하는 위상 쉬프터 결함부에 정하게 수정막을 형성하는 것이 가능하다.
다음에 본 발명에 의한 제5의 실시예에 대하여 제18도부터 제21도까지를 참고하여 설명한다.
우선 제18도를 참고하여 위상 쉬프터 결함부 6a, 6b의 형상은 도면에 표시된 바와 같이 일반적으로 복잡한 형상을 가진 경우가 많다.
그 때문에 그 형상에 따라서 위상 쉬프터 결함부를 수정하는 것은 특별한 노력을 갖는 경우가 많다.
그런 까닭으로 제19도를 참고하여 위상 쉬프터 결함부 6a, 6b의 수정을 실시하기 쉽게 하기 위해 소정 형상 (대부분 사각형)에 미리 가공을 실시한다.
그후 제20도 및 제21도에 표시된 바와 같이 위상 쉬프터 결함부 6a, 6b에 수정부재 24, 26을 보충한다.
이것에 의해 위상 쉬프터 결함부의 수정 작업성을 향상시킬 수 있게 된다.
다음에 제22도 및 제23도를 참고하여 위상 쉬프트 마스크의 패턴과 결함 패턴과의 위치관계에 대해서 설명한다.
우선 제22도 ⒜는 패턴의 크기가 0.5의 마스크 패턴 21과 결함패턴 23과의 평면도를 나타낸다.
제22도 ⒝는 마스크 패턴 21을 투과한 노광광의 웨이퍼 위에서의 광강도를 표시하고 있다.
다음에 제23도는 제22도 ⒜에서의 결함패턴 23의 크기 ⒳를 가로축으로 취하고 마스크 패턴 21과 결함패턴 23과의 거리 ⒣를 세로축으로 취한 경우의 관계를 나타낸 도면이다.
여기서, 제22도 ⒝의 점선에 표시한 윤곽은 결함 패턴 23의 크기 및 마스크 패턴과의 거리 h와의 관계에서 마스크 패턴의 빛 윤곽(실선 a)이 결함패턴측에 쉬프트된 상태를 나타내고 있다.
원하는 마스크 패턴의 광강도 윤곽을 얻기 위해서는 이 쉬프트량을 약 10% 이하로 할 필요가 있다.
다음에 제23도는 이 쉬프트 량이 10% 이하되는 경우에 결함 패턴이 수정되는지의 여부를 표시하고 있으며 A에 표시된 영역에 있어서는 종래에서 결함패턴의 수정을 불필요로 하고 있는 영역을 표시하고 있다.
B는 종래에서 수정을 필요로 하고 있는 것의 결함패턴을 종래의 방법에 의해 수정이 가능한 영역이다.
C는 종래의 수정이 불가능한 영역을 표시하지만 상술한 것처럼 각 실시예의 수정을 사용하는 것에 의해 종래 불가능한 영역도 수정이 가능하게 된 것을 표시하고 있다.
이처럼 예를 들면 결함 크기가 1.5㎛이고 결함 패턴과 마스크 패턴의 거리가 0.25㎛ 경우에도 위상 쉬프트 마스크의 수정이 가능하게 되고 일드의 향상을 도시하는 것이 가능하게 된다.
비록 본 발명이 특정의 실시에와 한정예에 의해서 실시 설명되고는 있을지라도 이 발명은 실시예와 한정예에 의해 국한되는 것이 아니고 본 발명의 사용 용도와 범위가 첨부한 청구위의 여러항들에 의해서만 제한됨이 명백히 이해된다.

Claims (15)

  1. 투명기판 16의 표면이 노출된 광투과부 4와; 상기 광투과부 4보다도 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180로 되는 상기 투명기판 16 위에 형성된 위상 쉬프터부 2를 구비하고, 상기 위상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6을 상기 광투광부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역에 갖고, 상기 위상 쉬프터 결함부 6에 상기 위상 쉬프터부 2와 거의 동일한 투과율과 거의 동일한 위상차를 갖는 수정부재 8을 배치한 위상 쉬프트 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8의 위상차가 120°∼240°인 위상 쉬프트 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8의 투과율이 4∼15%인 위상 쉬프트 마스크,
  4. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8은 상기 위상 쉬프터부와 같은 재료로 된 위상 쉬프트 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8은 금속의 산화물, 금속의 산화질화물, 금속 실리사이드의 산화물 및 금속 실리사이드의 산화 질화물로 된 그룹으로부터 선택되는 1종류로 만들어진 위상 쉬프트 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8은 크롬의 산화물, 크롬의 산화 질화물, 크롬의 산화 질화 탄화물, 몰리브덴 실리사이드의 산화물 및 몰리브덴 실리사이드의 산화 질화물로 된 그룹으로부터 선택되는 1종류의 재료로 만들어진 위상 쉬프트 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 수정부재 8은 상기 위상 쉬프터부와 동일한 투과율을 갖는 제1의 수정막 7과, 상기 위상 쉬프터부와 동일한 위상차를 갖는 제2의 수정막 5를 포함한 위상 쉬프트 마스크.
  8. 상기 투명기판 16의 표면이 노출된 광투과부 4와, 상기 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 상기 투명기판 16 위에 형성된 위상 쉬프터부 2를 구비하고, 상기 위상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6을 상기 광투광부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역에 갖고, 상기 위상 쉬프터 결함부 6과 상기 위상 쉬프터 결함부 6에 포함된 상기 광투과부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계에서 소정 길이만큼 상기 광투과부 4쪽으로 돌출된 영역의 상기 광투과부 4에 차광막 14, 18이 구비된 위상 쉬프트 마스크.
  9. 투명기판 16의 표면을 노출한 광투과부 4와, 상기 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 상기 광투과부를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 된 상기 투명기판 16위에 형성된 위상 쉬프터부 2부를 구비하고 ; 상기 이상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6이 상기 광투과부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역에 형성되고 ; 상기 위상 쉬프터 결함부 6이 상기 위상 쉬프터 결함부 6와 거의 동일한 투과율과 거의 같은 위상차를 갖는 수정부재 8에 의해 보충되는 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 수정부재 8의 위상차는 120°∼240°인 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 수정부재 8의 투과율은 4∼15%인 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 위상 쉬프터 결함부 6의 결함 형상을 소정 형상으로 수정한 후에 상기 위상 쉬프터 결함부 6에 상기 수정부재 8를 보충한 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 수정부재 8의 상기 보충 단계는 상기 위상 쉬프터부 2와 거의 동일한 투과율을 갖는 제1의 수정막 7을 형성하는 공정과, 상기 위상 쉬프터부 2와 거의 동일한 위상차로 된 제2의 수정막 5를 집속 이온 빔 방식에 의해 형성하는 공정을 포함하는 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  14. 투명기판 16의 표면이 노출된 광투과부 4와, 상기 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 상기 투명기판 16 위에 형성된 위상 쉬프터부 2를 형성하고 ; 상기 위상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6을 상기 광투과부 4와 상기위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역에 형성시키고 ; 상기 위상 쉬프터 결함부 6와 상기 위상 쉬프터 결함부 6에 포함된 상기 광투과부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계에서 소정 길이 만큼 상기 광투과부 4쪽으로 돌출된 영역의 상기 광투과부 4에 차광막 14, 18을 형성시킨 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
  15. 투명기판 16의 표면이 노출된 광투과부 4와, 상기 광투과부 4보다도 노광광의 투과율이 작고 동시에 광투과부 4를 투과한 노광광과의 위상차가 180°로 되는 위상 쉬프터부 2를 포함한 위상 쉬프트 패턴3을 상기 투명기판 16위에 형성하는 공정과 ;
    상기 위상 쉬프트 패턴 3의 위전면에 레지스트막 20을 형성하는 공정과 ; 상기 위상 쉬프터부 2의 일부가 결손된 위상 쉬프터 결함부 6의 상기 광투과부 4와 상기 위상 쉬프터부 2와의 경계를 포함한 영역위 및 그 근방에 형성된 상기 레지스트막 20을 제거하는 공정과 ; 상기 위상 쉬프트 패턴 3위에 상기 위상 쉬프터부 2와 같은 투과율과 거의 같은 위상차를 갖는 수정막 22를 형성하는 공정과 ; 상기 레지스트막 20을 에칭에 의해 제거하고 상기 위상 쉬프터 결함부 6의 영역에 상기 수정막 22를 잔존시키는 공정으로 이루어진 위상 쉬프트 마스크의 결함 수정 방법.
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