JPS62278554A - パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法 - Google Patents
パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法Info
- Publication number
- JPS62278554A JPS62278554A JP61121883A JP12188386A JPS62278554A JP S62278554 A JPS62278554 A JP S62278554A JP 61121883 A JP61121883 A JP 61121883A JP 12188386 A JP12188386 A JP 12188386A JP S62278554 A JPS62278554 A JP S62278554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- flaw
- correction
- corrected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
く産業上の利用分野〉
この発明は、平行光線を用いてパターンを形成する露光
機にて行なう露光方法における修正傷の補修方法に関す
るものである。
機にて行なう露光方法における修正傷の補修方法に関す
るものである。
〈従来の技術〉
現在のパターン形成用露光機としては、一般的に散乱光
を利用したものが多用化されており、ハレーションを防
止するため、露光時に画像形成材料とフォトマスクを真
空引きすることにより、画像形成材料面とフォトマスク
乳剤面とが強固に密着するようにして露光を行なってい
る。
を利用したものが多用化されており、ハレーションを防
止するため、露光時に画像形成材料とフォトマスクを真
空引きすることにより、画像形成材料面とフォトマスク
乳剤面とが強固に密着するようにして露光を行なってい
る。
しかし、このような散乱光線を用いる露光方式では、光
の回折現象のため、フォトマスクに忠実な画像が得られ
にくく、フォトマスク原稿のパターンよりも太めのパタ
ーンが臂られるため、100μL以下の超ファインパタ
ーンを再現することが比較的困難であり、又、画像形成
材料とフォトマスク乳剤面とを強固に密着させる必要が
あり、その真空引きに要する時間が長く、更にウェット
状態の画像形成材料を露光する場合にはフォトマスクを
密着させることができないなどの問題がある。
の回折現象のため、フォトマスクに忠実な画像が得られ
にくく、フォトマスク原稿のパターンよりも太めのパタ
ーンが臂られるため、100μL以下の超ファインパタ
ーンを再現することが比較的困難であり、又、画像形成
材料とフォトマスク乳剤面とを強固に密着させる必要が
あり、その真空引きに要する時間が長く、更にウェット
状態の画像形成材料を露光する場合にはフォトマスクを
密着させることができないなどの問題がある。
このため、近年では平行光線を用いる露光方式が工業的
に使用されるようになってきている。
に使用されるようになってきている。
この平行光線を用いる露光方式は、回折光の影響もなく
、高精度のパターンが再現でき、又、敗乱光を用いた場
合のように、画像形成材料とフォトマスク乳剤面を強固
に密着させる必要がなく、オフコンタクト又はセミオフ
コンタクトによるパターン形成が可能であり、フォトマ
スク乳剤面側を画像形成材料と密着させる必要がないこ
とから、フォトマスクの乳剤を汚損することがないなど
多くの長所を有している。
、高精度のパターンが再現でき、又、敗乱光を用いた場
合のように、画像形成材料とフォトマスク乳剤面を強固
に密着させる必要がなく、オフコンタクト又はセミオフ
コンタクトによるパターン形成が可能であり、フォトマ
スク乳剤面側を画像形成材料と密着させる必要がないこ
とから、フォトマスクの乳剤を汚損することがないなど
多くの長所を有している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の平行光線を用いる露光方式の場合、パターンを形
成するためのフォトマスクに、パターン修正時に切削傷
を生じさせた場合、その偏部分の形状により、平行光を
散乱してしまい、本来フォトマスクのパターン部にて遮
光されるべき部分が露光されてしまい、画像形成材料の
パターン画線の太り等のパターン不良を発生するという
問題があった。
成するためのフォトマスクに、パターン修正時に切削傷
を生じさせた場合、その偏部分の形状により、平行光を
散乱してしまい、本来フォトマスクのパターン部にて遮
光されるべき部分が露光されてしまい、画像形成材料の
パターン画線の太り等のパターン不良を発生するという
問題があった。
〈問題点を解決するための手段〉
この発明は上記のような平行光線を用いる露光方式に生
じる問題点を解決するためなされたもので、画像形成材
料パターン画線の太りを生じるフォトマスクのパターン
修正傷の影響をなくすために、フォトマスクの傷のある
面に、該フォトマスクに類似した屈折率を有し、且つ乳
剤を犯さなり速硬化性の透明な樹脂、例えば水溶性アク
リル樹脂(株式会社アサヒペン製水性ニス)を均一に塗
布して硬化させ、修正傷によりパターン露光時に生じる
画像形成材料パターン画線の太りを容易に防止する補修
方法を提供するものである。
じる問題点を解決するためなされたもので、画像形成材
料パターン画線の太りを生じるフォトマスクのパターン
修正傷の影響をなくすために、フォトマスクの傷のある
面に、該フォトマスクに類似した屈折率を有し、且つ乳
剤を犯さなり速硬化性の透明な樹脂、例えば水溶性アク
リル樹脂(株式会社アサヒペン製水性ニス)を均一に塗
布して硬化させ、修正傷によりパターン露光時に生じる
画像形成材料パターン画線の太りを容易に防止する補修
方法を提供するものである。
なお、フォトマスクは、ポリエチレンテレフタレート等
の透明なベースフィルムの片面上にパターン状の乳剤の
塗布層を設けたものが用いられる。
の透明なベースフィルムの片面上にパターン状の乳剤の
塗布層を設けたものが用いられる。
〈実施例〉
第2図は、パターン修正傷が生じたフォトマスクに平行
光線が照射され、該光線がフォトマスクを透過していく
状態を示したものである。図中aはフォトマスクを構成
する透明なベースフィルム、bはベースフィルムaの片
面にパターン状に設けられた乳剤である。この図でパタ
ーン修正偏部すに照射された光は偏部すにより反射され
るか、若しくは散乱され、フォトマスクパターンで遮光
されるe部を露光してしまい、そのためe部の幅だけ画
像形成材料のパターン画線に太りを生じる。
光線が照射され、該光線がフォトマスクを透過していく
状態を示したものである。図中aはフォトマスクを構成
する透明なベースフィルム、bはベースフィルムaの片
面にパターン状に設けられた乳剤である。この図でパタ
ーン修正偏部すに照射された光は偏部すにより反射され
るか、若しくは散乱され、フォトマスクパターンで遮光
されるe部を露光してしまい、そのためe部の幅だけ画
像形成材料のパターン画線に太りを生じる。
第1図はこの発明の方法を実施したもので、パターン修
正1部b′にフォトマスクのベースフィルムa′の屈折
率に類似した屈折率を有し、且つ、乳剤C′を犯さない
速硬化性の透明な樹脂d、例えば水溶性アクリル樹脂(
株式会社アサヒペン製水性ニス)を充填し、更にフォト
マスク乳剤面全体に均一で平滑な薄層を形成したもので
ある。
正1部b′にフォトマスクのベースフィルムa′の屈折
率に類似した屈折率を有し、且つ、乳剤C′を犯さない
速硬化性の透明な樹脂d、例えば水溶性アクリル樹脂(
株式会社アサヒペン製水性ニス)を充填し、更にフォト
マスク乳剤面全体に均一で平滑な薄層を形成したもので
ある。
ここで、光透過率は、透明な樹脂dを介在しているため
、幾分、低下はするが、修正偏部b′に照射された光は
、殆んど散乱しなくなるため、フォトマスクパターンで
遮光される部分まで露光してしまうようなことは殆んど
なくなる。
、幾分、低下はするが、修正偏部b′に照射された光は
、殆んど散乱しなくなるため、フォトマスクパターンで
遮光される部分まで露光してしまうようなことは殆んど
なくなる。
〈効果〉
この発明の露光方法は、上記のように、平行光線方式の
露光礪の欠点である修正傷による光の散乱の問題を解決
できるものである。
露光礪の欠点である修正傷による光の散乱の問題を解決
できるものである。
即ち、この発明によればフォトマスクの幅のある面に、
該フォトマスクのベースフィルムの屈折率に類似した屈
折率を有し、且つ乳剤を犯さない速硬化性の透明な樹脂
を均一に塗布して硬化させるだ□けの極めて簡単な方法
によって、容易に修正傷の影響を低減することができる
。
該フォトマスクのベースフィルムの屈折率に類似した屈
折率を有し、且つ乳剤を犯さない速硬化性の透明な樹脂
を均一に塗布して硬化させるだ□けの極めて簡単な方法
によって、容易に修正傷の影響を低減することができる
。
第1図はこの発明方法を実施したフォトマスクの修正傷
の部分に照射した平行光の透過状態を示す縦断側面図、
第2図はこの発明の方法を実施する前のフォトマスクの
修正傷部分に照射した平行光の透過状態を示す縦断側面
図である。
の部分に照射した平行光の透過状態を示す縦断側面図、
第2図はこの発明の方法を実施する前のフォトマスクの
修正傷部分に照射した平行光の透過状態を示す縦断側面
図である。
Claims (1)
- 平行光線を用いたパターン形成用露光機において、画像
形成材料パターン画線の太りを生じるフォトマスクのパ
ターン修正傷の影響をなくすために、フォトマスクの修
正傷のある面に、該フォトマスクのベースフィルムに類
似した屈折率を有し、且つ乳剤を犯さない速硬化性の透
明な樹脂を均一に塗布して硬化させ、修正傷によりパタ
ーン露光時に生じる画像形成材料パターン画線の太りを
容易に防止することを特徴とするパターン露光方法にお
ける修正傷の補修方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61121883A JPS62278554A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61121883A JPS62278554A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278554A true JPS62278554A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14822277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61121883A Pending JPS62278554A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278554A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333533A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61121883A patent/JPS62278554A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333533A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03209479A (ja) | 露光方法 | |
JPS5852646A (ja) | フレキソ版の製造方法 | |
JPS62278554A (ja) | パタ−ン露光方法における修正傷の補修方法 | |
JP2882233B2 (ja) | 補助パターン付き位相シフトマスクの製造方法 | |
JPS59121033A (ja) | 透過形投射スクリ−ンの製造方法 | |
JP2603935B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPH02140787A (ja) | ホログラムの作成方法 | |
JPH06230375A (ja) | 導光板の網点パターン形成方法 | |
JPH0635167A (ja) | プリント回路基板露光用フォトマスク | |
JPS63303736A (ja) | スクリ−ン印刷版の製造方法 | |
JPH039354A (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
JPH023043A (ja) | 露光焦点の検査方法 | |
JP3256313B2 (ja) | レリーフパターン複製方法 | |
JPS5543542A (en) | Exposure method and exposure mask used for this | |
JPH0458245A (ja) | 微細パターン形成用マスク及びその製造方法 | |
JPH03133683A (ja) | 画像形成方法 | |
JPS5754322A (en) | Inspecting method for photomask | |
JPS60166949A (ja) | フオトマスク | |
JPS58144880A (ja) | ホログラム作成方法 | |
JPS59117117A (ja) | ペリクル保護膜用フレ−ム | |
JPS5793349A (en) | Method for exposure by projection | |
JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
JPH0225851A (ja) | 露光方法 | |
JPH02230178A (ja) | パターニングホログラムの作製方法 | |
JPH01205135A (ja) | フォーカシングスクリーン用母型の作製方法 |