JP3256313B2 - レリーフパターン複製方法 - Google Patents
レリーフパターン複製方法Info
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- JP3256313B2 JP3256313B2 JP3196193A JP3196193A JP3256313B2 JP 3256313 B2 JP3256313 B2 JP 3256313B2 JP 3196193 A JP3196193 A JP 3196193A JP 3196193 A JP3196193 A JP 3196193A JP 3256313 B2 JP3256313 B2 JP 3256313B2
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- resist
- resin
- relief
- relief pattern
- stripping solution
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレリーフパターンの複製
方法に関し、特にポジ型レジストからなるレリーフパタ
ーン原版を紫外線硬化性樹脂または電子線硬化性樹脂を
用いて複製する際に、レジストの付着による欠陥をなく
すようにしたレリーフパターン複製方法に関するもので
ある。
方法に関し、特にポジ型レジストからなるレリーフパタ
ーン原版を紫外線硬化性樹脂または電子線硬化性樹脂を
用いて複製する際に、レジストの付着による欠陥をなく
すようにしたレリーフパターン複製方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板等の基板上にパターン
状にレジストが形成されたレジストレリーフ原版と複製
用基板との間に未硬化樹脂を介在させて密着させ、ＵＶ
露光または電子線露光して樹脂を硬化させた後、複製用
基板をレジストレリーフ原版から剥離することにより複
製することが行われている。
状にレジストが形成されたレジストレリーフ原版と複製
用基板との間に未硬化樹脂を介在させて密着させ、ＵＶ
露光または電子線露光して樹脂を硬化させた後、複製用
基板をレジストレリーフ原版から剥離することにより複
製することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レリーフパターンの複製においては、剥離した際にレジ
ストレリーフパターン原版の方に樹脂が付着して残存
し、複製した版の方に欠陥が生じていた。また、複製し
た版の微細なパターンのエッジ等に原版のレジストが付
着し、これを除去するのが困難であった。さらに原版か
ら付着したレジストを複製版から除去する際、図３に示
すように、複製した版３０を剥離液３２が満たされた剥
離槽３１に入れて振動させ、これを取り出し、水で洗浄
することが行われているが、レジストの剥離が不完全な
場合や異物が混じったり、あるいは液から取り上げた際
の乾燥ムラが発生する等の問題があった。また、一般に
使用されている剥離液はアルカリ水溶液で皮膚等に付着
すると危険であり、取扱に注意する必要があった。
レリーフパターンの複製においては、剥離した際にレジ
ストレリーフパターン原版の方に樹脂が付着して残存
し、複製した版の方に欠陥が生じていた。また、複製し
た版の微細なパターンのエッジ等に原版のレジストが付
着し、これを除去するのが困難であった。さらに原版か
ら付着したレジストを複製版から除去する際、図３に示
すように、複製した版３０を剥離液３２が満たされた剥
離槽３１に入れて振動させ、これを取り出し、水で洗浄
することが行われているが、レジストの剥離が不完全な
場合や異物が混じったり、あるいは液から取り上げた際
の乾燥ムラが発生する等の問題があった。また、一般に
使用されている剥離液はアルカリ水溶液で皮膚等に付着
すると危険であり、取扱に注意する必要があった。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、欠陥のないレリーフパターンを容易かつ安全に
複製することができるレリーフパターンの複製方法を提
供することを目的とする。
であり、欠陥のないレリーフパターンを容易かつ安全に
複製することができるレリーフパターンの複製方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】図１に示すように、パタ
ーン５が形成されたクロムマスク４とガラス基板１にホ
ジ型レジスト２を積層した乾板３とを対向して密着さ
せ、ＵＶ光６で照射して現像することにより（図１
（ａ））、レリーフパターン７が形成されたレジストレ
リーフ原版を形成する（図１（ｂ））。次いで、このレ
ジストレリーフ原版を未硬化樹脂９を介在させ、複製用
基板８を対向させて押しあてた後、ＵＶ光または電子線
を照射して樹脂を硬化させる（図１（ｃ））。このＵＶ
光または電子線の照射は、樹脂が硬化すると同時にポジ
型レジスト７が溶媒で易溶となるように化学変化し、剥
離の際に破損する程度とする。その結果、レジストレリ
ーフ原版から複製した基板を剥離した際、硬化した樹脂
レリーフパターン１０は全く破損せず、むしろレジスト
の方が化学変化して脆くなり、破損してレジスト１１と
して被複製品の微細なパターンのエッジ等に付着し（図
１（ｄ））、剥離液により容易に除去することができ、
欠陥のない複製レリーフ版が得られる（図１（ｅ））。
ーン５が形成されたクロムマスク４とガラス基板１にホ
ジ型レジスト２を積層した乾板３とを対向して密着さ
せ、ＵＶ光６で照射して現像することにより（図１
（ａ））、レリーフパターン７が形成されたレジストレ
リーフ原版を形成する（図１（ｂ））。次いで、このレ
ジストレリーフ原版を未硬化樹脂９を介在させ、複製用
基板８を対向させて押しあてた後、ＵＶ光または電子線
を照射して樹脂を硬化させる（図１（ｃ））。このＵＶ
光または電子線の照射は、樹脂が硬化すると同時にポジ
型レジスト７が溶媒で易溶となるように化学変化し、剥
離の際に破損する程度とする。その結果、レジストレリ
ーフ原版から複製した基板を剥離した際、硬化した樹脂
レリーフパターン１０は全く破損せず、むしろレジスト
の方が化学変化して脆くなり、破損してレジスト１１と
して被複製品の微細なパターンのエッジ等に付着し（図
１（ｄ））、剥離液により容易に除去することができ、
欠陥のない複製レリーフ版が得られる（図１（ｅ））。
【０００６】なお、複製版に付着したレジストの剥離
は、図２に示すように、複製版１３をスピンナー２０に
パターン面を上にしてセットし、ここに数秒間レジスト
剥離液またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）２１を
滴下しながら、スピンナーチャック台を回転せた後、滴
下を止めてさらに回転する。このようにすると、図３に
示したように剥離液に浸して揺する程度では除去困難な
微細なパターンのエッジ部分等に付着したレジストも完
全に除去することが可能である。また、剥離液に浸して
いる際に混入しやすいゴミ等の異物の混入も防ぎ、剥離
後の乾燥ムラも防止することができる。
は、図２に示すように、複製版１３をスピンナー２０に
パターン面を上にしてセットし、ここに数秒間レジスト
剥離液またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）２１を
滴下しながら、スピンナーチャック台を回転せた後、滴
下を止めてさらに回転する。このようにすると、図３に
示したように剥離液に浸して揺する程度では除去困難な
微細なパターンのエッジ部分等に付着したレジストも完
全に除去することが可能である。また、剥離液に浸して
いる際に混入しやすいゴミ等の異物の混入も防ぎ、剥離
後の乾燥ムラも防止することができる。
【０００７】なお、一般に使用されている剥離の代わり
に、ポジ型フォトレジストおよびＵＶ硬化性樹脂を使用
した際はＩＰＡを、ポジ型ＥＢレジストおよびＥＢ硬化
性樹脂を使用した際はＭＥＫ（メチルエチルケトン）を
それぞれ使用すると、安全かつ容易にムラなく完全に付
着レジストを剥離することができる。
に、ポジ型フォトレジストおよびＵＶ硬化性樹脂を使用
した際はＩＰＡを、ポジ型ＥＢレジストおよびＥＢ硬化
性樹脂を使用した際はＭＥＫ（メチルエチルケトン）を
それぞれ使用すると、安全かつ容易にムラなく完全に付
着レジストを剥離することができる。
【０００８】
【作用】本発明はレジストレリーフパターン原版を紫外
線硬化性樹脂または電子線硬化性樹脂を用いて複製する
際、レジストレリーフパターン原版を複製したい基板に
未硬化樹脂を介在させて押し当て、適度に紫外線または
電子線を照射する。この照射を適度に行って、樹脂を硬
化させるとともに、レジストが溶媒に易溶となり、力学
的剥離力に対し脆くなる程度に化学変化させ、複製した
版をレジスト版から剥離した時に樹脂がレジスト版の方
に残存してしまう危険がなく、逆にレジストが複製版の
方に付着し、この付着物は剥離液により非常に易溶であ
るため、容易に除去することができ、欠陥のないレリー
フパターンの複製を行うことが可能となる。
線硬化性樹脂または電子線硬化性樹脂を用いて複製する
際、レジストレリーフパターン原版を複製したい基板に
未硬化樹脂を介在させて押し当て、適度に紫外線または
電子線を照射する。この照射を適度に行って、樹脂を硬
化させるとともに、レジストが溶媒に易溶となり、力学
的剥離力に対し脆くなる程度に化学変化させ、複製した
版をレジスト版から剥離した時に樹脂がレジスト版の方
に残存してしまう危険がなく、逆にレジストが複製版の
方に付着し、この付着物は剥離液により非常に易溶であ
るため、容易に除去することができ、欠陥のないレリー
フパターンの複製を行うことが可能となる。
【０００９】
【実施例】フォトレジストとして東京応化（株）製ＯＦ
ＰＲ８００を用い、ガラス基板１上にスピンナー法によ
り１５００回転／分で図１（ａ）に示すようにポジ型フ
ォトレジスト層２をコーティングし、レリーフホログラ
ム乾板３を作製した。次いで干渉縞を濃淡２値化したパ
ターン５が形成された振幅ホログラムからなるクロムマ
スク４を用意し、このマスクのパターン面側を乾板３に
密着させて紫外線６を４０ｍＪ照射した。この後、現像
液として東京応化（株）製ＭＮＤ−３を用いて露光済み
の乾板の現像を行い、図１（ｂ）に示すように、レリー
フパターン７が形成されたレリーフホログラムレンズが
得られた。次いで、フレキシブルなアクリル基板８に、
図１（ｃ）に示すように紫外線硬化性樹脂９を滴下し、
レジスト原版を密着させた。このレジスト原版の密着に
よりフォトレジストパターン７の部分は紫外線硬化性樹
脂９が排除され、フォトレジストパターン間に紫外線硬
化性樹脂９が満たされた。この状態で紫外線を４５９ｍ
Ｊ照射した。レジスト原版から複製できた複製樹脂版を
剥離した後、この被複製品をレリーフパターン面を上側
にしてスピンナーのチャック台にセットし、上からＩＰ
Ａを滴下しながら、５００回転／分で１０秒間回転させ
た後、ＩＰＡの滴下を止め、さらに１０００回転／分で
３０秒間回転させ、被複製品の微細なパターン部等に付
着したレジストをゴミ等の異物の混入も乾燥ムラもな
く、剥離除去することができた。こうして得られた被複
製品に再度紫外線を照射し、充分に樹脂を硬化（ポリマ
ー化）させ、樹脂欠損、レジスト付着物、異物の混入等
の欠陥のないレリーフホログラムレンズが得られた。
ＰＲ８００を用い、ガラス基板１上にスピンナー法によ
り１５００回転／分で図１（ａ）に示すようにポジ型フ
ォトレジスト層２をコーティングし、レリーフホログラ
ム乾板３を作製した。次いで干渉縞を濃淡２値化したパ
ターン５が形成された振幅ホログラムからなるクロムマ
スク４を用意し、このマスクのパターン面側を乾板３に
密着させて紫外線６を４０ｍＪ照射した。この後、現像
液として東京応化（株）製ＭＮＤ−３を用いて露光済み
の乾板の現像を行い、図１（ｂ）に示すように、レリー
フパターン７が形成されたレリーフホログラムレンズが
得られた。次いで、フレキシブルなアクリル基板８に、
図１（ｃ）に示すように紫外線硬化性樹脂９を滴下し、
レジスト原版を密着させた。このレジスト原版の密着に
よりフォトレジストパターン７の部分は紫外線硬化性樹
脂９が排除され、フォトレジストパターン間に紫外線硬
化性樹脂９が満たされた。この状態で紫外線を４５９ｍ
Ｊ照射した。レジスト原版から複製できた複製樹脂版を
剥離した後、この被複製品をレリーフパターン面を上側
にしてスピンナーのチャック台にセットし、上からＩＰ
Ａを滴下しながら、５００回転／分で１０秒間回転させ
た後、ＩＰＡの滴下を止め、さらに１０００回転／分で
３０秒間回転させ、被複製品の微細なパターン部等に付
着したレジストをゴミ等の異物の混入も乾燥ムラもな
く、剥離除去することができた。こうして得られた被複
製品に再度紫外線を照射し、充分に樹脂を硬化（ポリマ
ー化）させ、樹脂欠損、レジスト付着物、異物の混入等
の欠陥のないレリーフホログラムレンズが得られた。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、欠陥のな
いレリーフパターンを容易かつ安全に複製することが可
能となる。
いレリーフパターンを容易かつ安全に複製することが可
能となる。
【図１】 本発明のレリーフパターン複製方法を説明す
る図である。
る図である。
【図２】 複製版からの付着物除去方法を説明する図で
ある。
ある。
【図３】 従来の洗浄方法を説明する図である。
１…ガラス基板、２…ポジ型レジスト、３…乾板、４…
クロムマスク、５…パターン、６…ＵＶ光、７…レリー
フパターン、８…基板、９…未硬化樹脂、１０…硬化し
たレリーフパターン、１１…付着したレジスト、１２…
残存レジスト、１３…複製版、２０…スピンナー。
クロムマスク、５…パターン、６…ＵＶ光、７…レリー
フパターン、８…基板、９…未硬化樹脂、１０…硬化し
たレリーフパターン、１１…付着したレジスト、１２…
残存レジスト、１３…複製版、２０…スピンナー。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/26 G03F 7/42 G03H 1/20
Claims (4)
- 【請求項１】 レジストレリーフ原版と複製用基板間に
未硬化の紫外線硬化性樹脂または電子線硬化性樹脂を介
在させて密着させ、紫外線または電子線を照射して樹脂
を硬化させた後、樹脂と複製用基板が接着された状態で
原版と複製用基板とを剥離することにより複製した後、
この被複製品をレジスト剥離液につけることにより被複
製品に残ったレジストを除去することを特徴とするレリ
ーフパターン複製方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法のレジスト剥離液に
つける工程において、被複製品をスピンナーにセット
し、剥離液を滴下して回転させることを特徴とするレリ
ーフパターン複製方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、レジスト
剥離液としてイソプロピルアルコールを使用することを
特徴とするレリーフパターン複製方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の方法において、前記レジ
ストレリーフ原版としてポジ型ＥＢレジスト、前記樹脂
としてＥＢ硬化性樹脂を使用した時のレジスト剥離液と
してメチルエチルケトンを使用することを特徴とするレ
リーフパターン複製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196193A JP3256313B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | レリーフパターン複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196193A JP3256313B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | レリーフパターン複製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06250397A JPH06250397A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3256313B2 true JP3256313B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=12345561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3196193A Expired - Fee Related JP3256313B2 (ja) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | レリーフパターン複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256313B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101740767B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2017-05-26 | 삼성전기주식회사 | 패턴판 복제 방법 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3196193A patent/JP3256313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101740767B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2017-05-26 | 삼성전기주식회사 | 패턴판 복제 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06250397A (ja) | 1994-09-09 |
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Legal Events
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