JP2847196B2 - 光ディスク複製用スタンパ製造方法 - Google Patents
光ディスク複製用スタンパ製造方法Info
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- JP2847196B2 JP2847196B2 JP17424489A JP17424489A JP2847196B2 JP 2847196 B2 JP2847196 B2 JP 2847196B2 JP 17424489 A JP17424489 A JP 17424489A JP 17424489 A JP17424489 A JP 17424489A JP 2847196 B2 JP2847196 B2 JP 2847196B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスクを複製するために用いられるスタ
ンパの製造方法に関するものである。
ンパの製造方法に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 光ディスク複製用スタンパを製造する従来法として
は、ガラス基板に形成したプリグリーブパターン上に導
電化膜を形成した後、該導電化膜を陰極としてNiめっき
を行い、ガラス基板を剥離後、残留フォトレジストを除
去することによりスタンパを得ている。
は、ガラス基板に形成したプリグリーブパターン上に導
電化膜を形成した後、該導電化膜を陰極としてNiめっき
を行い、ガラス基板を剥離後、残留フォトレジストを除
去することによりスタンパを得ている。
従来法では、イソプロピルアルコール等の溶剤を用い
て洗浄した後、酸素雰囲気下での紫外線照射（以下UV/O
3照射という）によるアッシングを行っている。第１図
に従来法による残留フォトレジスト除去工程を示す。同
図において（Ａ）はガラス基板剥離後、（Ｂ）は溶剤洗
浄後、（Ｃ）はUV/O3照射によるアッシング後の状態を
示し、１はスタンパ、２はガラス基板剥離後のフォトレ
ジスト、2aは溶剤洗浄後の残留フォトレジスト、2bはUV
/O3照射によるアッシング後の残留フォトレジストであ
る。従来法によれば、第１図の（Ｃ）に示すように、UV
/O3照射によるアッシングを行った後にも残留フォトレ
ジストは完全に除去されず、30〜40Åの厚さで残存して
しまう。この為、プリグルーブパターン上にフォトレジ
ストが残存し、スタンパから複製された光ディスクのプ
リグルーブパターンの溝深さが浅く転写されてしまい、
信号仕様を満足する光ディスクの製造が困難なものにな
っていた。
て洗浄した後、酸素雰囲気下での紫外線照射（以下UV/O
3照射という）によるアッシングを行っている。第１図
に従来法による残留フォトレジスト除去工程を示す。同
図において（Ａ）はガラス基板剥離後、（Ｂ）は溶剤洗
浄後、（Ｃ）はUV/O3照射によるアッシング後の状態を
示し、１はスタンパ、２はガラス基板剥離後のフォトレ
ジスト、2aは溶剤洗浄後の残留フォトレジスト、2bはUV
/O3照射によるアッシング後の残留フォトレジストであ
る。従来法によれば、第１図の（Ｃ）に示すように、UV
/O3照射によるアッシングを行った後にも残留フォトレ
ジストは完全に除去されず、30〜40Åの厚さで残存して
しまう。この為、プリグルーブパターン上にフォトレジ
ストが残存し、スタンパから複製された光ディスクのプ
リグルーブパターンの溝深さが浅く転写されてしまい、
信号仕様を満足する光ディスクの製造が困難なものにな
っていた。
本発明はこのような従来技術の実情に鑑みてなされた
もので、フォトレジストの残渣を完全に除去し、プリグ
ルーブパターンの形状が忠実に複製転写できる光ディス
ク複製用スタンパを提供することを目的とする。
もので、フォトレジストの残渣を完全に除去し、プリグ
ルーブパターンの形状が忠実に複製転写できる光ディス
ク複製用スタンパを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、ガラス
基板に形成したプリグルーブパターン上に導電化膜を形
成した後、該導電化膜を陰極としてNiめっきを行い、ガ
ラス基板を剥離後、残留フォトレジストを除去すること
によってスタンパを得る光ディスク複製用スタンパ製造
方法において、前記残留フォトレジストの除去を、溶剤
洗浄と、酸素雰囲気下での紫外線照射によるアッシング
と、純水洗浄とをその順に組み合わせて行うことを特徴
とする光ディスク複製用スタンパ製造方法が提供され
る。
基板に形成したプリグルーブパターン上に導電化膜を形
成した後、該導電化膜を陰極としてNiめっきを行い、ガ
ラス基板を剥離後、残留フォトレジストを除去すること
によってスタンパを得る光ディスク複製用スタンパ製造
方法において、前記残留フォトレジストの除去を、溶剤
洗浄と、酸素雰囲気下での紫外線照射によるアッシング
と、純水洗浄とをその順に組み合わせて行うことを特徴
とする光ディスク複製用スタンパ製造方法が提供され
る。
UV/O3照射によりフォトレジストの−Ｃ＝Ｃ結合や−
Ｃ＝Ｏ結合等が発生する原子状酸素により酸化され、CO
2やH2Oとなってガス化される。しかし、このUV/O3照射
によってもガス化せずに−COO-や−OHの形でイオン化し
ている状態で残存しているものもある（元々疎水性であ
ったフォトレジストが親水性になる。）。又、フォトレ
ジスト中のＳやＮ等の無機物は容易にはガス化されない
が、UV/O3照射によって親水性の置換基に変化してしま
う。そこで、本発明は、溶剤洗浄とUV/O3照射によるア
ッシングに純水洗浄をその順に組合わせることにより、
UV/O3照射によるアッシングで除去できないフォトレジ
ストの残渣を効果的にかつ完全に除去し、高品質の光デ
ィスク複製用スタンパを提供するものである。
Ｃ＝Ｏ結合等が発生する原子状酸素により酸化され、CO
2やH2Oとなってガス化される。しかし、このUV/O3照射
によってもガス化せずに−COO-や−OHの形でイオン化し
ている状態で残存しているものもある（元々疎水性であ
ったフォトレジストが親水性になる。）。又、フォトレ
ジスト中のＳやＮ等の無機物は容易にはガス化されない
が、UV/O3照射によって親水性の置換基に変化してしま
う。そこで、本発明は、溶剤洗浄とUV/O3照射によるア
ッシングに純水洗浄をその順に組合わせることにより、
UV/O3照射によるアッシングで除去できないフォトレジ
ストの残渣を効果的にかつ完全に除去し、高品質の光デ
ィスク複製用スタンパを提供するものである。
本発明の溶剤洗浄は、ガラス基板の剥離後に溶剤とし
てイソプロピルアルコール、エチルアルコール、アセト
ン等を用いて３〜５分間程度行う。次に、UV/O3照射に
よるアッシングを施すが、この時、波長180〜260nmの紫
外線を平均放射照度40〜50mW/cm2で８〜10分間照射する
ことが好ましい。さらに、アッシング後に施す純水洗浄
は１分間以上行うことが好ましい。また、本発明では、
溶剤洗浄後に、UV/O3照射によるアッシングと純水洗浄
を数回繰り返して行うようにしてもよい。この場合、UV
/O3照射によるアッシングの総時間は８〜10分間程度と
する。
てイソプロピルアルコール、エチルアルコール、アセト
ン等を用いて３〜５分間程度行う。次に、UV/O3照射に
よるアッシングを施すが、この時、波長180〜260nmの紫
外線を平均放射照度40〜50mW/cm2で８〜10分間照射する
ことが好ましい。さらに、アッシング後に施す純水洗浄
は１分間以上行うことが好ましい。また、本発明では、
溶剤洗浄後に、UV/O3照射によるアッシングと純水洗浄
を数回繰り返して行うようにしてもよい。この場合、UV
/O3照射によるアッシングの総時間は８〜10分間程度と
する。
次に本発明を実施例により更に詳しく説明する。
（実施例１） ガラス基板上にフォトリソグラフィーを用いて形成し
たプリグルーブパターン上にスパッタ、真空蒸着、無電
解めっき等の方法でNi薄膜からなる導電化膜を形成した
後、該導電化膜を陰極としてNiめっきを行い、ガラス基
板を剥離後、２分間溶剤としてイソプロピルアルコール
を用いて洗浄した。その後、５分間UV/O3照射によるア
ッシング（平均放射照度40mW/cm2）を行い、１分間純水
洗浄した。次に、同様のUV/O3照射によるアッシング及
び純水洗浄を再度繰り返してスタンパを得た。本例にお
ける溶剤洗浄、UV/O3照射によるアッシング及び純水洗
浄よるフォトレジスト残膜の膜厚変化の様子を第２図に
示し、上記スタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光
ディスクのプリグルーブパターンの溝深さを第５図に□
で示す。
たプリグルーブパターン上にスパッタ、真空蒸着、無電
解めっき等の方法でNi薄膜からなる導電化膜を形成した
後、該導電化膜を陰極としてNiめっきを行い、ガラス基
板を剥離後、２分間溶剤としてイソプロピルアルコール
を用いて洗浄した。その後、５分間UV/O3照射によるア
ッシング（平均放射照度40mW/cm2）を行い、１分間純水
洗浄した。次に、同様のUV/O3照射によるアッシング及
び純水洗浄を再度繰り返してスタンパを得た。本例にお
ける溶剤洗浄、UV/O3照射によるアッシング及び純水洗
浄よるフォトレジスト残膜の膜厚変化の様子を第２図に
示し、上記スタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光
ディスクのプリグルーブパターンの溝深さを第５図に□
で示す。
（実施例２） 実施例１と同様の方法でガラス基板を剥離後、３分間
溶剤洗浄し、４分間UV/O3照射によるアッシングを行
い、１分間純水洗浄した。再び、３分間UV/O3照射によ
るアッシングを行い、１分間純水洗浄し、これをもう一
度繰り返してスタンパを得た。本発明における溶剤洗
浄、UV/O3照射によるアッシング及び純水洗浄よるフォ
トレジスト残膜の膜厚変化の様子を第３図に示し、上記
スタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスクの
プリグルーブパターンの溝深さを第５図に◇で示す。
溶剤洗浄し、４分間UV/O3照射によるアッシングを行
い、１分間純水洗浄した。再び、３分間UV/O3照射によ
るアッシングを行い、１分間純水洗浄し、これをもう一
度繰り返してスタンパを得た。本発明における溶剤洗
浄、UV/O3照射によるアッシング及び純水洗浄よるフォ
トレジスト残膜の膜厚変化の様子を第３図に示し、上記
スタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスクの
プリグルーブパターンの溝深さを第５図に◇で示す。
（比較例） 実施例１と同様の方法でガラス基板を剥離後、３分間
溶剤洗浄し、UV/O3照射によるアッシングを30分間行っ
た後、フォトレジスト膜厚を測定した。再びUV/O3照射
によるアッシングを５分間行った後、レジスト膜厚を測
定し、これをもう１度繰り返して、計40分間UV/O3照射
によるアッシングを行い、スタンパを得た。本例におけ
る溶剤洗浄、UV/O3照射によるアッシング後のフォレジ
スト残膜の膜厚変化の様子を第４図に示し、上記スタン
パ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスクのプリグ
ルーブパターンの溝深さを第５図に△で示す。
溶剤洗浄し、UV/O3照射によるアッシングを30分間行っ
た後、フォトレジスト膜厚を測定した。再びUV/O3照射
によるアッシングを５分間行った後、レジスト膜厚を測
定し、これをもう１度繰り返して、計40分間UV/O3照射
によるアッシングを行い、スタンパを得た。本例におけ
る溶剤洗浄、UV/O3照射によるアッシング後のフォレジ
スト残膜の膜厚変化の様子を第４図に示し、上記スタン
パ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスクのプリグ
ルーブパターンの溝深さを第５図に△で示す。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、光ディ
スク複製用スタンパの残留フォトレジスト除去工程にお
いて、溶剤洗浄後、UV/O3照射によるアッシングと純水
洗浄をその順に組み合わせて行うようにしたので残留フ
ォトレジストが完全に除去されプリグルーブパターンの
形状が忠実に光ディスクに複製転写できるスタンパの提
供が可能となった。
スク複製用スタンパの残留フォトレジスト除去工程にお
いて、溶剤洗浄後、UV/O3照射によるアッシングと純水
洗浄をその順に組み合わせて行うようにしたので残留フ
ォトレジストが完全に除去されプリグルーブパターンの
形状が忠実に光ディスクに複製転写できるスタンパの提
供が可能となった。
第１図は従来法による残留フォトレジスト除去工程の説
明図、第２図〜第４図はそれぞれ実施例１、実施例２及
び比較例におけるフォトレジスト残膜の膜厚変化の様子
を示すグラフ、第５図は実施例１、実施例２及び比較例
のスタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスク
のプリグルーブパターンの溝の深さを示すグラフであ
る。
明図、第２図〜第４図はそれぞれ実施例１、実施例２及
び比較例におけるフォトレジスト残膜の膜厚変化の様子
を示すグラフ、第５図は実施例１、実施例２及び比較例
のスタンパ及びガラス原盤を用いて複製した光ディスク
のプリグルーブパターンの溝の深さを示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板に形成したプリグルーブパター
ン上に導電化膜を形成した後、該導電化膜を陰極として
Niめっきを行い、ガラス基板を剥離後、残留フォトレジ
ストを除去することによってスタンパを得る光ディスク
複製用スタンパ製造方法において、前記残留フォトレジ
ストの除去を、溶剤洗浄と、酸素雰囲気下での紫外線照
射によるアッシングと、純水洗浄とをその順に組み合わ
せて行うことを特徴とする光ディスク複製用スタンパ製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17424489A JP2847196B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ディスク複製用スタンパ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17424489A JP2847196B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ディスク複製用スタンパ製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339237A JPH0339237A (ja) | 1991-02-20 |
| JP2847196B2 true JP2847196B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=15975238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17424489A Expired - Fee Related JP2847196B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 光ディスク複製用スタンパ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847196B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5291392B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2013-09-18 | 東京応化工業株式会社 | 支持板剥離装置 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17424489A patent/JP2847196B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339237A (ja) | 1991-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071106 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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