JPH0210535A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
- Publication number
- JPH0210535A JPH0210535A JP16126588A JP16126588A JPH0210535A JP H0210535 A JPH0210535 A JP H0210535A JP 16126588 A JP16126588 A JP 16126588A JP 16126588 A JP16126588 A JP 16126588A JP H0210535 A JPH0210535 A JP H0210535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist layer
- substrate
- manufacturing
- master
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003203 poly(dimethylsilylene-co-phenylmethyl- silylene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光ディスクの複製に使用される光ディスク原
盤とその製造方法に関するものである。
盤とその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
良質のディジタル・オーディオやビデオの再生システム
として、光ディスク・システムが普及している。この光
ディスクの製造に際しては、まず原盤が製造され、この
原盤から多数の光ディスクが複製される。
として、光ディスク・システムが普及している。この光
ディスクの製造に際しては、まず原盤が製造され、この
原盤から多数の光ディスクが複製される。
従来、光ディスク原盤の製造は、第２図に示すような工
程によって行われている。
程によって行われている。
まず、準備されたガラス円盤１１の表面が研磨され洗浄
され（工程Ａ）、この表面に塗布によりフォトレジスト
層１２が形成され（工程Ｂ）、レーザカッティング・マ
シンにより記録信号パターンに対応した明暗のパターン
の光ビームが照射される（工程Ｃ）。次に、現像機にお
いてフォトレジスト層１２内の露光部分又は非露光部分
が選択的に溶解・除去されることによりフォトレジスト
層１２の凹凸を有する記録原盤（以下、単に「原盤」と
称する）が作成される（工程Ｄ）、引き続き、フォトレ
ジストの記録原盤上に、蒸着やスバツタリングにより電
鋳の下地となる金属の薄膜１３が形成され（工程Ｅ）、
電鋳によって相当な厚みの二ソケ・ル層１４が形成され
る（工程Ｆ）。最後に、上記ニッケル層１４をガラス円
板から剥離することにより （工程Ｇ）、ニッケル層１
４の原盤が得られる。
され（工程Ａ）、この表面に塗布によりフォトレジスト
層１２が形成され（工程Ｂ）、レーザカッティング・マ
シンにより記録信号パターンに対応した明暗のパターン
の光ビームが照射される（工程Ｃ）。次に、現像機にお
いてフォトレジスト層１２内の露光部分又は非露光部分
が選択的に溶解・除去されることによりフォトレジスト
層１２の凹凸を有する記録原盤（以下、単に「原盤」と
称する）が作成される（工程Ｄ）、引き続き、フォトレ
ジストの記録原盤上に、蒸着やスバツタリングにより電
鋳の下地となる金属の薄膜１３が形成され（工程Ｅ）、
電鋳によって相当な厚みの二ソケ・ル層１４が形成され
る（工程Ｆ）。最後に、上記ニッケル層１４をガラス円
板から剥離することにより （工程Ｇ）、ニッケル層１
４の原盤が得られる。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の光ディスク原盤の製造方法においては、
電鋳の前段階における蒸着やスパッタリングのための真
空環境の形成と、その後のニッケル電鋳の工程に長時間
を必要とする。このため、製造時間が長引くと共に、歩
留りも低下するという問題がある。
電鋳の前段階における蒸着やスパッタリングのための真
空環境の形成と、その後のニッケル電鋳の工程に長時間
を必要とする。このため、製造時間が長引くと共に、歩
留りも低下するという問題がある。
（課題を解決するための手段）
本発明に係わる光ディスク原盤は、基板上に珪素の酸化
物の凹凸のパターンが形成されている。
物の凹凸のパターンが形成されている。
この光ディスク原盤の製造方法は、研磨され洗浄された
表面を有する基板上にポリシランを主成分とするフォト
レジスト層を形成する工程と、上記フォトレジスト層内
の所定箇所に選択的に光ビームを照射する工程と、この
フォトレジスト層内の露光部分又は非露光部分のみを選
択的に溶解し除去する現像工程と、この現像工程を経て
基板上に残ったフォトレジスト層を焼き締める工程とを
含むことにより、従来の長時間を要する蒸着やスパッタ
リングと電鋳の工程を不要とするように構成されている
。
表面を有する基板上にポリシランを主成分とするフォト
レジスト層を形成する工程と、上記フォトレジスト層内
の所定箇所に選択的に光ビームを照射する工程と、この
フォトレジスト層内の露光部分又は非露光部分のみを選
択的に溶解し除去する現像工程と、この現像工程を経て
基板上に残ったフォトレジスト層を焼き締める工程とを
含むことにより、従来の長時間を要する蒸着やスパッタ
リングと電鋳の工程を不要とするように構成されている
。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例に係わる光ディスク原盤の
製造方法を、製造途中の原盤の断面図によって示す工程
図である。
製造方法を、製造途中の原盤の断面図によって示す工程
図である。
まず、ガラス、石英、サファイア、シリコン結晶、アル
ミニュウム合金、ステンレス鋼、表面にニッケル燐（Ｎ
ｉＰ）合金層が形成されたアルミニュウムーマグソシュ
ウム合金などを素材とする円板１が準備され、その表面
が研磨され洗浄される（工程Ａ）。
ミニュウム合金、ステンレス鋼、表面にニッケル燐（Ｎ
ｉＰ）合金層が形成されたアルミニュウムーマグソシュ
ウム合金などを素材とする円板１が準備され、その表面
が研磨され洗浄される（工程Ａ）。
次に、このガラス円盤１の表面に、ポリシランを主成分
とするフォトレジスト層２が、スピンナーなどを利用し
た塗布によって形成される（工程Ｂ）。このポリシラン
としては、応用物理第５５巻（１９８６年）第１１号に
掲載された「ポリシラン合金」と題する古河らの論文に
記載されているような、 ジメチルポリシラン （Ｓｔ（ＣＨ３）２〕ｘ 、ｘ〜１０’メチルプロピ
ルポリシラン （ＳＩＣＨｚＣＪ、） ＋１ １ Ｘ 〜１０ ’ポ
リシラスチレン （（Ｓｉ（ＣＨａ）ｚ ） ｎ （ＳｉＣＨ３ＣＪｓ
）ｍ ）にＸ〜１０４ あるいは、日経ニューマテリアルズ１９８７年８月３日
号の第６０乃至６１頁に記載されたフェノール置換ポリ
シロキサンや、シルセスキオキサン（ラダーシリコーン
）など適宜なものが使用される。
とするフォトレジスト層２が、スピンナーなどを利用し
た塗布によって形成される（工程Ｂ）。このポリシラン
としては、応用物理第５５巻（１９８６年）第１１号に
掲載された「ポリシラン合金」と題する古河らの論文に
記載されているような、 ジメチルポリシラン （Ｓｔ（ＣＨ３）２〕ｘ 、ｘ〜１０’メチルプロピ
ルポリシラン （ＳＩＣＨｚＣＪ、） ＋１ １ Ｘ 〜１０ ’ポ
リシラスチレン （（Ｓｉ（ＣＨａ）ｚ ） ｎ （ＳｉＣＨ３ＣＪｓ
）ｍ ）にＸ〜１０４ あるいは、日経ニューマテリアルズ１９８７年８月３日
号の第６０乃至６１頁に記載されたフェノール置換ポリ
シロキサンや、シルセスキオキサン（ラダーシリコーン
）など適宜なものが使用される。
続いて、レーザカッティング・マシンにより記録信号パ
ターンに対応した明暗のパターンの光ビームが照射され
、フォトレジスト層２の露光が行われる（工程Ｃ）。こ
の後、現像機においてフォトレジスト層２内の露光部分
又は非露光部分が選択的に溶解・除去されることにより
、フォトレジスト層２の除去の有無に応じた凹凸を有す
る記録原盤が作成される（工程Ｄ）。引き続き、この記
録原盤が恒温槽内で１０分間から数時間の期間にわたっ
て４００’Ｃから１００°Ｃ程度の温度に保持され、ポ
リシランを主体とする残留フォトレジスト層の焼き締め
が行われる（Ｅ）。
ターンに対応した明暗のパターンの光ビームが照射され
、フォトレジスト層２の露光が行われる（工程Ｃ）。こ
の後、現像機においてフォトレジスト層２内の露光部分
又は非露光部分が選択的に溶解・除去されることにより
、フォトレジスト層２の除去の有無に応じた凹凸を有す
る記録原盤が作成される（工程Ｄ）。引き続き、この記
録原盤が恒温槽内で１０分間から数時間の期間にわたっ
て４００’Ｃから１００°Ｃ程度の温度に保持され、ポ
リシランを主体とする残留フォトレジスト層の焼き締め
が行われる（Ｅ）。
残留フォトレジスト層の主体となるポリシランは、珪素
（Ｓｉ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）などを含む重合体と
なっており、恒温槽内で加熱されると水素成分はそのま
ま、あるいは大気中の酸素と化合し水蒸気（Ｈｚ Ｏ）
となって蒸発、散逸する。また、炭素は大気中の酸素と
化合して一酸化炭素（Ｇｏ）や二酸化炭素（Ｃｏｔ）と
なって蒸発、散逸し、残留フォトレジスト層は５ｉＯｘ
（１＜ｘ＜２）という硬質の非晶質シリコン酸化物層に
変成される。この非晶質シリコン酸化物層の膜厚が７０
０〜８００Ａとなるように、塗布時のフォトレジスト層
の厚みが調整される。
（Ｓｉ）、水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）などを含む重合体と
なっており、恒温槽内で加熱されると水素成分はそのま
ま、あるいは大気中の酸素と化合し水蒸気（Ｈｚ Ｏ）
となって蒸発、散逸する。また、炭素は大気中の酸素と
化合して一酸化炭素（Ｇｏ）や二酸化炭素（Ｃｏｔ）と
なって蒸発、散逸し、残留フォトレジスト層は５ｉＯｘ
（１＜ｘ＜２）という硬質の非晶質シリコン酸化物層に
変成される。この非晶質シリコン酸化物層の膜厚が７０
０〜８００Ａとなるように、塗布時のフォトレジスト層
の厚みが調整される。
この焼き締めによって目的とする光ディスク記録原盤が
完成する。
完成する。
ポリシランを主体とするフォトレジスト層としては、ネ
ガ型、ポジ型のいずれもが使用できる。
ガ型、ポジ型のいずれもが使用できる。
ネガ型では、記録データのパターンでそのまま露光すれ
ばこの露光部分が現像によって溶解、除去されるので反
転パターンの原盤が容易に得られる。
ばこの露光部分が現像によって溶解、除去されるので反
転パターンの原盤が容易に得られる。
ポジ型のポリシランを用いる場合には、記録データのパ
ターンを反転したものが露光時のパターンとして使用さ
れる。
ターンを反転したものが露光時のパターンとして使用さ
れる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明に係わる光ディスク
原盤は基板上に珪素の酸化物の凹凸のパターンが形成さ
れ、これは基板上に形成したポリシランを主成分とする
フォトレジスト層を選択的に露光して現像し、残留フォ
トレジスト層を焼き締めることにより製造できるから、
従来の長時間を要する蒸着やスパッタリングと電鋳の工
程が不要になり、製造時間が大幅に短縮されると共に、
歩留りが向上するという効果が奏される。
原盤は基板上に珪素の酸化物の凹凸のパターンが形成さ
れ、これは基板上に形成したポリシランを主成分とする
フォトレジスト層を選択的に露光して現像し、残留フォ
トレジスト層を焼き締めることにより製造できるから、
従来の長時間を要する蒸着やスパッタリングと電鋳の工
程が不要になり、製造時間が大幅に短縮されると共に、
歩留りが向上するという効果が奏される。
第１図は本発明の一実施例に係わる光ディスク原盤の製
造方法を製造途中の原盤の断面図によって示す工程図、
第２図は従来の光ディスク原盤の製造方法を製造途中の
原盤の断面図によって示す工程図である。 ■・・・ガラスなどの円板、２・・・ポリシランを主体
とするフォトレジスト層。 特許出願人 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
造方法を製造途中の原盤の断面図によって示す工程図、
第２図は従来の光ディスク原盤の製造方法を製造途中の
原盤の断面図によって示す工程図である。 ■・・・ガラスなどの円板、２・・・ポリシランを主体
とするフォトレジスト層。 特許出願人 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
Claims (2)
- （１）基板上に珪素の酸化物の凹凸のパターンが形成さ
れたことを特徴とする光ディスク原盤。 - （２）基板上にポリシランを主成分とするフォトレジス
ト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層内の所定箇所に選択的に光ビーム
を照射する露光工程と、 このフォトレジスト層内の露光部分又は非露光部分のみ
を選択的に溶解し除去する現像工程と、 この現像工程を経て基板上に残留するフォトレジスト層
を焼き締める工程とを含むことを特徴とする光ディスク
原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161265A JP2735569B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161265A JP2735569B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210535A true JPH0210535A (ja) | 1990-01-16 |
| JP2735569B2 JP2735569B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15731817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161265A Expired - Lifetime JP2735569B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735569B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03260932A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターンの形成方法 |
| US5173452A (en) * | 1989-02-15 | 1992-12-22 | Dobuzinsky David M | Process for the vapor deposition of polysilanes photoresists |
| JPH06180867A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
| US6096598A (en) * | 1998-10-29 | 2000-08-01 | International Business Machines Corporation | Method for forming pillar memory cells and device formed thereby |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3592678B2 (ja) | 2002-02-27 | 2004-11-24 | 松下電器産業株式会社 | ブランク盤の製造方法とダイレクトスタンパーの製作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4993002A (ja) * | 1972-09-02 | 1974-09-04 | ||
| JPS5730130A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-18 | Hitachi Ltd | Production of abrasive-dish original disk with groove for video disk stylus |
| JPS593731A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 情報原盤の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161265A patent/JP2735569B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4993002A (ja) * | 1972-09-02 | 1974-09-04 | ||
| JPS5730130A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-18 | Hitachi Ltd | Production of abrasive-dish original disk with groove for video disk stylus |
| JPS593731A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 情報原盤の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173452A (en) * | 1989-02-15 | 1992-12-22 | Dobuzinsky David M | Process for the vapor deposition of polysilanes photoresists |
| JPH03260932A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターンの形成方法 |
| JPH06180867A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク用スタンパ及びその製造方法 |
| US6096598A (en) * | 1998-10-29 | 2000-08-01 | International Business Machines Corporation | Method for forming pillar memory cells and device formed thereby |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735569B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4259433A (en) | Method for producing disk-recording plates | |
| JPS6126952A (ja) | 情報記録担体の製造法 | |
| JPH0210535A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JPS59224320A (ja) | 金型の製造方法 | |
| JPH0660441A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP3223548B2 (ja) | 情報ガラス原盤の製造方法 | |
| JPH0845115A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JPH04259937A (ja) | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 | |
| JP3221627B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JPH06342767A (ja) | 密着露光方法 | |
| JPS6177152A (ja) | 光デイスク用スタンパの製作法 | |
| JPH04259936A (ja) | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 | |
| JPS62130290A (ja) | 光デイスク用アルミニウム原盤の製造方法 | |
| JP4122802B2 (ja) | スタンパ製造方法、原盤処理装置 | |
| JPS615454A (ja) | 音盤，記録盤の複製方法 | |
| JPH04259938A (ja) | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 | |
| JP3662305B2 (ja) | 露光パターンの形成方法及びその装置 | |
| JPH01188332A (ja) | 情報記録担体の成形スタンパとその製造方法 | |
| JPH01143035A (ja) | 情報記録原盤及びその製造方法 | |
| JPH0714218A (ja) | 光ディスク作成用原盤の作成方法 | |
| JPS59173288A (ja) | 電鋳金型の製造方法 | |
| JPS61275839A (ja) | フオトレジスト膜の形成方法 | |
| JPH0332825A (ja) | スタンパ製造方法 | |
| JPS60251537A (ja) | 光デイスク用原盤の製造方法 | |
| JPH06150397A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |