JPH06111386A - 光ディスク用スタンパの複製方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの複製方法Info
- Publication number
- JPH06111386A JPH06111386A JP25505192A JP25505192A JPH06111386A JP H06111386 A JPH06111386 A JP H06111386A JP 25505192 A JP25505192 A JP 25505192A JP 25505192 A JP25505192 A JP 25505192A JP H06111386 A JPH06111386 A JP H06111386A
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- Japan
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- stamper
- treatment
- optical disk
- master
- nickel
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- Pending
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 廃液処理が不要で環境問題がなく、また電気
メッキ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少な
いスタンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法
を提供すること。 【構成】 ＵＶ−Ｏ3処理により形成された酸化膜から
なる剥離皮膜１ａ，２ａを有するスタンパを用いること
を特徴とする。
メッキ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少な
いスタンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法
を提供すること。 【構成】 ＵＶ−Ｏ3処理により形成された酸化膜から
なる剥離皮膜１ａ，２ａを有するスタンパを用いること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの製造に使用
するスタンパを複製する方法に関する。
するスタンパを複製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク用スタンパの製造方法
およびその複製方法を図３を用いて説明する。光学研磨
されたガラス盤１１（図３（ａ））を洗浄した後、この
ガラス盤１１上にフォトレジスト膜１１ｂ（厚さ１５０
ｎｍ程度）を塗布する（図３（ｂ））。このフォトレジ
スト上に、記録する信号に応じて変調されたレーザー光
を照射し露光する。露光された部分を現像除去すること
により、微小凹凸を形成し（図３（ｃ））、ガラスマス
ター１２の表面に電気メッキに際して必要となる導電膜
１２ａを付ける（図３（ｄ））。通常導電膜はＡｇまた
はＮｉからなり、スパッタリング法または無電解メッキ
法により付けられる。この後、これを電極としてニッケ
ル電鋳を行い、ガラス原盤を剥離するとマスタースタン
パ１３（以下、スタンパを複製するために用いるスタン
パをマスタースタンパという。）が得られる（図３
（ｅ），（ｆ））。そのマスタースタンパ１３を用いて
光ディスク用スタンパを複製する場合、マスタースタン
パ１３の表面を電解脱脂法により洗浄した後、剥離皮膜
１３ａをマスタースタンパ上に形成する（図３
（ｇ））。さらに、マスタースタンパ１３を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによってマスタースタンパ１３と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ１４（以下、
マスタースタンパから複製されたスタンパをマザースタ
ンパという。）を得る（図３（ｈ））。マザースタンパ
１４の表面を電解脱脂法により洗浄した後、マザースタ
ンパ１４上に剥離皮膜１４ａを形成する。このマザース
タンパ１４を電極として、ニッケル電鋳を行うと、マス
タースタンパ１３と同じ凹凸パターンを有するサンスタ
ンパ１５（以下、マザースタンパから複製されたスタン
パをサンスタンパという。）が得られる（図３（ｉ〜
１））。上記光ディスク用スタンパの複製工程におい
て、剥離皮膜１３ａおよび１４ａとしては、一般に重ク
ロム酸溶液を用いて形成されたクロム酸化物膜が用いら
れる。
およびその複製方法を図３を用いて説明する。光学研磨
されたガラス盤１１（図３（ａ））を洗浄した後、この
ガラス盤１１上にフォトレジスト膜１１ｂ（厚さ１５０
ｎｍ程度）を塗布する（図３（ｂ））。このフォトレジ
スト上に、記録する信号に応じて変調されたレーザー光
を照射し露光する。露光された部分を現像除去すること
により、微小凹凸を形成し（図３（ｃ））、ガラスマス
ター１２の表面に電気メッキに際して必要となる導電膜
１２ａを付ける（図３（ｄ））。通常導電膜はＡｇまた
はＮｉからなり、スパッタリング法または無電解メッキ
法により付けられる。この後、これを電極としてニッケ
ル電鋳を行い、ガラス原盤を剥離するとマスタースタン
パ１３（以下、スタンパを複製するために用いるスタン
パをマスタースタンパという。）が得られる（図３
（ｅ），（ｆ））。そのマスタースタンパ１３を用いて
光ディスク用スタンパを複製する場合、マスタースタン
パ１３の表面を電解脱脂法により洗浄した後、剥離皮膜
１３ａをマスタースタンパ上に形成する（図３
（ｇ））。さらに、マスタースタンパ１３を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによってマスタースタンパ１３と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ１４（以下、
マスタースタンパから複製されたスタンパをマザースタ
ンパという。）を得る（図３（ｈ））。マザースタンパ
１４の表面を電解脱脂法により洗浄した後、マザースタ
ンパ１４上に剥離皮膜１４ａを形成する。このマザース
タンパ１４を電極として、ニッケル電鋳を行うと、マス
タースタンパ１３と同じ凹凸パターンを有するサンスタ
ンパ１５（以下、マザースタンパから複製されたスタン
パをサンスタンパという。）が得られる（図３（ｉ〜
１））。上記光ディスク用スタンパの複製工程におい
て、剥離皮膜１３ａおよび１４ａとしては、一般に重ク
ロム酸溶液を用いて形成されたクロム酸化物膜が用いら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】重クロム酸溶液により
光ディスク用スタンパの表面に剥離皮膜を形成する従来
の方法においては、使用した重クロム酸溶液が公害物質
であるため、廃液をそのまま捨てることができず、何ら
かの廃液処理を施す必要があり、廃液処理のコストがか
かること、また環境問題に関する規制の強化から重クロ
ム酸溶液の使用が難しくなってきている等の問題が存在
する。また、重クロム酸溶液には、電気メッキ液を激し
く疲労させ、電気メッキ液を汚染することから、使用に
際して注意を要するという欠点が存在する。さらに、上
記従来の方法は、基本的にウエットプロセスであるため
に、光ディスク用スタンパのように微細な凹凸パターン
に剥離皮膜を付ける方法としては不適当である。また、
重クロム酸溶液により光ディスク用スタンパ表面が汚染
され欠陥が増える可能性がある。
光ディスク用スタンパの表面に剥離皮膜を形成する従来
の方法においては、使用した重クロム酸溶液が公害物質
であるため、廃液をそのまま捨てることができず、何ら
かの廃液処理を施す必要があり、廃液処理のコストがか
かること、また環境問題に関する規制の強化から重クロ
ム酸溶液の使用が難しくなってきている等の問題が存在
する。また、重クロム酸溶液には、電気メッキ液を激し
く疲労させ、電気メッキ液を汚染することから、使用に
際して注意を要するという欠点が存在する。さらに、上
記従来の方法は、基本的にウエットプロセスであるため
に、光ディスク用スタンパのように微細な凹凸パターン
に剥離皮膜を付ける方法としては不適当である。また、
重クロム酸溶液により光ディスク用スタンパ表面が汚染
され欠陥が増える可能性がある。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、廃液処理が不要で環境問題がなく、また、電気メッ
キ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少ないス
タンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法を提
供することを目的とする。
で、廃液処理が不要で環境問題がなく、また、電気メッ
キ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少ないス
タンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光ディスク用スタンパの複製方法は、Ｕ
Ｖ−Ｏ3処理により形成された剥離皮膜を有するスタン
パを用いることを特徴とする。
めに、本発明の光ディスク用スタンパの複製方法は、Ｕ
Ｖ−Ｏ3処理により形成された剥離皮膜を有するスタン
パを用いることを特徴とする。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の光ディスク用スタンパの複製
方法の実施例について、図１を用いて説明する。ニッケ
ル電鋳により作られたマスタースタンパ１（図１
（ａ））の表面にＵＶ−Ｏ3処理を行い、マスタースタ
ンパ１の表面洗浄を行うとともにマスタースタンパ１の
表面に酸化膜からなる剥離皮膜１ａを形成する（図１
（ｂ））。マスタースタンパ１のＵＶ−Ｏ3処理は、マ
スタースタンパ１が完全に純水に濡れる（接触角で５度
以下）まで行うことが望ましい。また、ＵＶ−Ｏ3処理
のみでは、清浄な光ディスク用スタンパ表面が得られな
い場合には、湿式の化学洗浄をＵＶ−Ｏ3処理後行うの
が望ましい。マスタースタンパ１の表面にＵＶ−Ｏ3処
理した後、このマスタースタンパ１を電極としてニッケ
ル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着させた
後、剥離することによって、マスタースタンパ１と逆の
凹凸パターンを有するマザースタンパ２を得る（図１
（ｃ），（ｄ））。マスタースタンパ１と同様に、マザ
ースタンパ２の表面にＵＶ−Ｏ3処理を施し、マザース
タンパ２上に剥離皮膜２ａを形成する（図１（ｅ））。
このマザースタンパ２を電極として、所定の厚さまでニ
ッケル電鋳を行い、マザースタンパ２から剥離すること
により、マスタースタンパ１と同じ凹凸パターンを有す
るサンスタンパ３が得られる（図１（ｆ），（ｇ））。
方法の実施例について、図１を用いて説明する。ニッケ
ル電鋳により作られたマスタースタンパ１（図１
（ａ））の表面にＵＶ−Ｏ3処理を行い、マスタースタ
ンパ１の表面洗浄を行うとともにマスタースタンパ１の
表面に酸化膜からなる剥離皮膜１ａを形成する（図１
（ｂ））。マスタースタンパ１のＵＶ−Ｏ3処理は、マ
スタースタンパ１が完全に純水に濡れる（接触角で５度
以下）まで行うことが望ましい。また、ＵＶ−Ｏ3処理
のみでは、清浄な光ディスク用スタンパ表面が得られな
い場合には、湿式の化学洗浄をＵＶ−Ｏ3処理後行うの
が望ましい。マスタースタンパ１の表面にＵＶ−Ｏ3処
理した後、このマスタースタンパ１を電極としてニッケ
ル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着させた
後、剥離することによって、マスタースタンパ１と逆の
凹凸パターンを有するマザースタンパ２を得る（図１
（ｃ），（ｄ））。マスタースタンパ１と同様に、マザ
ースタンパ２の表面にＵＶ−Ｏ3処理を施し、マザース
タンパ２上に剥離皮膜２ａを形成する（図１（ｅ））。
このマザースタンパ２を電極として、所定の厚さまでニ
ッケル電鋳を行い、マザースタンパ２から剥離すること
により、マスタースタンパ１と同じ凹凸パターンを有す
るサンスタンパ３が得られる（図１（ｆ），（ｇ））。
【０００７】本発明におけるＵＶ−Ｏ3処理の条件とし
ては、ＵＶ強度２００〜３５０Ｗ、時間５〜１０分の範
囲が好ましく、この範囲でＵＶ−Ｏ3処理することによ
り、重クロム酸溶液により得られた膜と略等しい０／Ｎ
ｉモル比と深さとの関係を有する剥離皮膜が得られる。
ては、ＵＶ強度２００〜３５０Ｗ、時間５〜１０分の範
囲が好ましく、この範囲でＵＶ−Ｏ3処理することによ
り、重クロム酸溶液により得られた膜と略等しい０／Ｎ
ｉモル比と深さとの関係を有する剥離皮膜が得られる。
【０００８】本発明に用いられるＵＶ−Ｏ3処理装置の
概略構成図を図２に示す。紫外線ランプ４で紫外線（例
えば、波長：２５４ｎｍ）を空気中の酸素Ｏ2に放射
し、酸素Ｏ2に吸収させてオゾンＯ3を発生させる。さら
に、生成したＯ3が紫外線を吸収しＯ3を分解する。この
過程で化学的に非常に活性の強い原子状酸素６が発生す
る。原子状酸素６は非常に強力な酸化剤であり、有機化
合物の汚染物質が揮発性の物質（ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｎ2な
ど）に分解除去され、光ディスク用スタンパ５の表面が
洗浄されるともに、光ディスク用スタンパ５の表面に酸
化膜からなる剥離皮膜が形成される。なお、ＵＶ−Ｏ3
処理は、図２に示すような簡単で比較的安価な装置で行
える特徴がある。
概略構成図を図２に示す。紫外線ランプ４で紫外線（例
えば、波長：２５４ｎｍ）を空気中の酸素Ｏ2に放射
し、酸素Ｏ2に吸収させてオゾンＯ3を発生させる。さら
に、生成したＯ3が紫外線を吸収しＯ3を分解する。この
過程で化学的に非常に活性の強い原子状酸素６が発生す
る。原子状酸素６は非常に強力な酸化剤であり、有機化
合物の汚染物質が揮発性の物質（ＣＯ2、Ｈ2Ｏ、Ｎ2な
ど）に分解除去され、光ディスク用スタンパ５の表面が
洗浄されるともに、光ディスク用スタンパ５の表面に酸
化膜からなる剥離皮膜が形成される。なお、ＵＶ−Ｏ3
処理は、図２に示すような簡単で比較的安価な装置で行
える特徴がある。
【０００９】
【発明の効果】以上記述したように、本発明によれば、
重クロム酸溶液を用いて光ディスク用スタンパ上に剥離
皮膜を設けることがないため、重クロム酸溶液の廃液処
理にコストがかからず、環境への影響を問題とする必要
がなく、さらに電気メッキ液への汚染もない。また、本
発明では、微細な凹凸パターンを持つ光ディスク用スタ
ンパ上にＵＶ−Ｏ3処理により剥離皮膜を設けているた
め、転写性に優れ、かつ欠陥の少ないスタンパが複製さ
れる。
重クロム酸溶液を用いて光ディスク用スタンパ上に剥離
皮膜を設けることがないため、重クロム酸溶液の廃液処
理にコストがかからず、環境への影響を問題とする必要
がなく、さらに電気メッキ液への汚染もない。また、本
発明では、微細な凹凸パターンを持つ光ディスク用スタ
ンパ上にＵＶ−Ｏ3処理により剥離皮膜を設けているた
め、転写性に優れ、かつ欠陥の少ないスタンパが複製さ
れる。
【図１】本発明の光ディスク用スタンパの複製方法につ
いての説明図である。
いての説明図である。
【図２】ＵＶ−Ｏ3処理装置の概略構成図である。
【図３】従来の光ディスク用スタンパの製造方法および
その複製方法についての説明図である。
その複製方法についての説明図である。
１ マスタースタンパ ２ マザースタンパ ３ サンスタンパ １ａ，２ａ 剥離皮膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ＵＶ−Ｏ3処理により形成された剥離皮
膜を有するスタンパを用いることを特徴とする光ディス
ク用スタンパの複製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25505192A JPH06111386A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25505192A JPH06111386A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111386A true JPH06111386A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17273478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25505192A Pending JPH06111386A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108249390A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-06 | 高世雄 | 一种在聚酰亚胺薄膜表面制作微纳结构的方法 |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP25505192A patent/JPH06111386A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108249390A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-06 | 高世雄 | 一种在聚酰亚胺薄膜表面制作微纳结构的方法 |
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