JPH06111384A - 光ディスク用スタンパの複製方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの複製方法Info
- Publication number
- JPH06111384A JPH06111384A JP25504992A JP25504992A JPH06111384A JP H06111384 A JPH06111384 A JP H06111384A JP 25504992 A JP25504992 A JP 25504992A JP 25504992 A JP25504992 A JP 25504992A JP H06111384 A JPH06111384 A JP H06111384A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- oxygen plasma
- plasma ashing
- optical disk
- master
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 廃液処理が不要で環境問題がなく、また電気
メッキ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少な
いスタンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法
を提供すること。 【構成】 酸素プラズマアッシング処理により形成され
た酸化膜からなる剥離皮膜１ａ，２ａを有するスタンパ
を用いることを特徴とする。
メッキ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少な
いスタンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法
を提供すること。 【構成】 酸素プラズマアッシング処理により形成され
た酸化膜からなる剥離皮膜１ａ，２ａを有するスタンパ
を用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの製造に使用
するスタンパを複製する方法に関する。
するスタンパを複製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク用スタンパの製造方法
およびその複製方法を図３を用いて説明する。光学研磨
されたガラス盤１１（図３（ａ））を洗浄した後、この
ガラス盤１１上にフォトレジスト膜１１ｂ（厚さ１５０
ｎｍ程度）を塗布する（図３（ｂ））。このフォトレジ
スト上に、記録する信号に応じて変調されたレーザー光
を照射し露光する。露光された部分を現像除去すること
により、微小凹凸を形成し（図３（ｃ））、ガラスマス
ター１２の表面に電気メッキに際して必要となる導電膜
１２ａを付ける（図３（ｄ））。通常導電膜はＡｇまた
はＮｉからなり、スパッタリング法または無電解メッキ
法により付けられる。この後、これを電極としてニッケ
ル電鋳を行い、ガラス原盤を剥離するとマスタースタン
パ１３（以下、スタンパを複製するために用いるスタン
パをマスタースタンパという。）が得られる（図３
（ｅ），（ｆ））。そのマスタースタンパ１３を用いて
光ディスク用スタンパを複製する場合、マスタースタン
パ１３の表面を電解脱脂法により洗浄した後、剥離皮膜
１３ａをマスタースタンパ上に形成する（図３
（ｇ））。さらに、マスタースタンパ１３を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによってマスタースタンパ１３と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ１４（以下、
マスタースタンパから複製されたスタンパをマザースタ
ンパという。）を得る（図３（ｈ））。マザースタンパ
１４の表面を電解脱脂法により洗浄した後、マザースタ
ンパ１４上に剥離皮膜１４ａを形成する。このマザース
タンパ１４を電極として、ニッケル電鋳を行うと、マス
タースタンパ１３と同じ凹凸パターンを有するサンスタ
ンパ１５（以下、マザースタンパから複製されたスタン
パをサンスタンパという。）が得られる（図３（ｉ〜
１））。上記光ディスク用スタンパの複製工程におい
て、剥離皮膜１３ａおよび１４ａとしては、一般に重ク
ロム酸溶液を用いて形成されたクロム酸化物膜が用いら
れる。
およびその複製方法を図３を用いて説明する。光学研磨
されたガラス盤１１（図３（ａ））を洗浄した後、この
ガラス盤１１上にフォトレジスト膜１１ｂ（厚さ１５０
ｎｍ程度）を塗布する（図３（ｂ））。このフォトレジ
スト上に、記録する信号に応じて変調されたレーザー光
を照射し露光する。露光された部分を現像除去すること
により、微小凹凸を形成し（図３（ｃ））、ガラスマス
ター１２の表面に電気メッキに際して必要となる導電膜
１２ａを付ける（図３（ｄ））。通常導電膜はＡｇまた
はＮｉからなり、スパッタリング法または無電解メッキ
法により付けられる。この後、これを電極としてニッケ
ル電鋳を行い、ガラス原盤を剥離するとマスタースタン
パ１３（以下、スタンパを複製するために用いるスタン
パをマスタースタンパという。）が得られる（図３
（ｅ），（ｆ））。そのマスタースタンパ１３を用いて
光ディスク用スタンパを複製する場合、マスタースタン
パ１３の表面を電解脱脂法により洗浄した後、剥離皮膜
１３ａをマスタースタンパ上に形成する（図３
（ｇ））。さらに、マスタースタンパ１３を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによってマスタースタンパ１３と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ１４（以下、
マスタースタンパから複製されたスタンパをマザースタ
ンパという。）を得る（図３（ｈ））。マザースタンパ
１４の表面を電解脱脂法により洗浄した後、マザースタ
ンパ１４上に剥離皮膜１４ａを形成する。このマザース
タンパ１４を電極として、ニッケル電鋳を行うと、マス
タースタンパ１３と同じ凹凸パターンを有するサンスタ
ンパ１５（以下、マザースタンパから複製されたスタン
パをサンスタンパという。）が得られる（図３（ｉ〜
１））。上記光ディスク用スタンパの複製工程におい
て、剥離皮膜１３ａおよび１４ａとしては、一般に重ク
ロム酸溶液を用いて形成されたクロム酸化物膜が用いら
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】重クロム酸溶液により
光ディスク用スタンパの表面に剥離皮膜を形成する従来
の方法においては、使用した重クロム酸溶液が公害物質
であるため、廃液をそのまま捨てることができず、何ら
かの廃液処理を施す必要があり、廃液処理のコストがか
かること、また環境問題に関する規制の強化から重クロ
ム酸溶液の使用が難しくなってきている等の問題が存在
する。また、重クロム酸溶液には、電気メッキ液を激し
く疲労させ、電気メッキ液を汚染することから、使用に
際して注意を要するという欠点が存在する。さらに、上
記従来の方法は、基本的にウエットプロセスであるため
に、光ディスク用スタンパのように微細な凹凸パターン
に剥離皮膜を付ける方法としては不適当である。また、
重クロム酸溶液により光ディスク用スタンパ表面が汚染
され欠陥が増える可能性がある。
光ディスク用スタンパの表面に剥離皮膜を形成する従来
の方法においては、使用した重クロム酸溶液が公害物質
であるため、廃液をそのまま捨てることができず、何ら
かの廃液処理を施す必要があり、廃液処理のコストがか
かること、また環境問題に関する規制の強化から重クロ
ム酸溶液の使用が難しくなってきている等の問題が存在
する。また、重クロム酸溶液には、電気メッキ液を激し
く疲労させ、電気メッキ液を汚染することから、使用に
際して注意を要するという欠点が存在する。さらに、上
記従来の方法は、基本的にウエットプロセスであるため
に、光ディスク用スタンパのように微細な凹凸パターン
に剥離皮膜を付ける方法としては不適当である。また、
重クロム酸溶液により光ディスク用スタンパ表面が汚染
され欠陥が増える可能性がある。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、廃液処理が不要で環境問題がなく、また、電気メッ
キ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少ないス
タンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法を提
供することを目的とする。
で、廃液処理が不要で環境問題がなく、また、電気メッ
キ液の汚染もなく、しかも高い転写性で欠陥の少ないス
タンパが得られる光ディスク用スタンパの複製方法を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光ディスク用スタンパの複製方法は、酸
素プラズマアッシング処理により形成された酸化膜から
なる剥離皮膜を有するスタンパを用いることを特徴とす
る。
めに、本発明の光ディスク用スタンパの複製方法は、酸
素プラズマアッシング処理により形成された酸化膜から
なる剥離皮膜を有するスタンパを用いることを特徴とす
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の光ディスク用スタンパの複製
方法の実施例について、図１を用いて説明する。ニッケ
ル電鋳により作られたマスタースタンパ１（図１
（ａ））の表面に酸素プラズマアッシング処理を行い、
マスタースタンパ１の表面洗浄を行うとともにマスター
スタンパ１の表面に酸化膜からなる剥離皮膜１ａを形成
する（図１（ｂ））。マスタースタンパ１の酸素プラズ
マアッシング処理は、マスタースタンパ１が完全に純水
に濡れる（接触角で５度以下）まで行うことが望まし
い。また、酸素プラズマアッシング処理のみでは、清浄
な光ディスク用スタンパ表面が得られない場合には、湿
式の化学洗浄を酸素プラズマアッシング後行うのが望ま
しい。マスタースタンパ１の表面に酸素プラズマアッシ
ング処理した後、このマスタースタンパ１を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによって、マスタースタンパ１と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ２を得る（図
１（ｃ），（ｄ））。マスタースタンパ１と同様に、マ
ザースタンパ２の表面に酸素プラズマアッシング処理を
施し、マザースタンパ２上に剥離皮膜２ａを形成する
（図１（ｅ））。このマザースタンパ２を電極として、
所定の厚さまでニッケル電鋳を行い、マザースタンパ２
から剥離することにより、マスタースタンパ１と同じ凹
凸パターンを有するサンスタンパ３が得られる（図１
（ｆ），（ｇ））。
方法の実施例について、図１を用いて説明する。ニッケ
ル電鋳により作られたマスタースタンパ１（図１
（ａ））の表面に酸素プラズマアッシング処理を行い、
マスタースタンパ１の表面洗浄を行うとともにマスター
スタンパ１の表面に酸化膜からなる剥離皮膜１ａを形成
する（図１（ｂ））。マスタースタンパ１の酸素プラズ
マアッシング処理は、マスタースタンパ１が完全に純水
に濡れる（接触角で５度以下）まで行うことが望まし
い。また、酸素プラズマアッシング処理のみでは、清浄
な光ディスク用スタンパ表面が得られない場合には、湿
式の化学洗浄を酸素プラズマアッシング後行うのが望ま
しい。マスタースタンパ１の表面に酸素プラズマアッシ
ング処理した後、このマスタースタンパ１を電極として
ニッケル電鋳を行い、所定の厚さまでニッケルを付着さ
せた後、剥離することによって、マスタースタンパ１と
逆の凹凸パターンを有するマザースタンパ２を得る（図
１（ｃ），（ｄ））。マスタースタンパ１と同様に、マ
ザースタンパ２の表面に酸素プラズマアッシング処理を
施し、マザースタンパ２上に剥離皮膜２ａを形成する
（図１（ｅ））。このマザースタンパ２を電極として、
所定の厚さまでニッケル電鋳を行い、マザースタンパ２
から剥離することにより、マスタースタンパ１と同じ凹
凸パターンを有するサンスタンパ３が得られる（図１
（ｆ），（ｇ））。
【０００７】本発明における酸素プラズマアッシング処
理の条件としては、酸素ガス圧３〜１０Ｐａ、高周波電
圧２００〜４５０Ｗ、時間３〜５分の範囲が好ましく、
この範囲で酸素プラズマアッシング処理することによ
り、重クロム酸溶液により得られた膜と略等しい０／Ｎ
ｉモル比と深さとの関係を有する剥離皮膜が得られる。
理の条件としては、酸素ガス圧３〜１０Ｐａ、高周波電
圧２００〜４５０Ｗ、時間３〜５分の範囲が好ましく、
この範囲で酸素プラズマアッシング処理することによ
り、重クロム酸溶液により得られた膜と略等しい０／Ｎ
ｉモル比と深さとの関係を有する剥離皮膜が得られる。
【０００８】本発明に用いられる酸素プラズマアッシン
グ装置の概略構成図を図２に示す。エッチング槽４内に
酸素ガスを導入し、真空ポンプ（図中では記載せず。）
を用いてエッチング槽４内を低圧に保つ。高周波電圧装
置５により、高周波電界を光ディスク用スタンパ６に印
加すると、酸素プラズマ７（化学的活性度の高い原子状
酸素、イオン種、電子、中性種などからなる。）が発生
する。光ディスク用スタンパ６は、エッチング槽４の下
部電極部８上に載置され、直流のバイアス成分が印加さ
れた高周波電圧発生装置５を下部電極部８に接続する。
下部電極部８に直流のバイアス成分を印加した高周波電
圧発生装置５を接続した場合、電子とイオンとの易動度
の大きな違いにより電極表面に電圧効果が発生し、この
陽極降下内で酸素イオンが上部電極部９、下部電極部８
および光ディスク用スタンパ６上の垂直な電界にそって
入射し、リアクティブなエッチングが進行する。また、
化学的に活性な原子状酸素による酸化作用によって、有
機物等の汚染物質の分解が行われるとともに光ディスク
用スタンパ表面に酸化膜が形成される。また、酸素プラ
ズマアッシング処理を施すと当該処理を施さないものよ
り表面の酸素量が多くなり、酸化物が内部まで生成さ
れ、光ディスク用スタンパの複製に必要な剥離皮膜が形
成される。
グ装置の概略構成図を図２に示す。エッチング槽４内に
酸素ガスを導入し、真空ポンプ（図中では記載せず。）
を用いてエッチング槽４内を低圧に保つ。高周波電圧装
置５により、高周波電界を光ディスク用スタンパ６に印
加すると、酸素プラズマ７（化学的活性度の高い原子状
酸素、イオン種、電子、中性種などからなる。）が発生
する。光ディスク用スタンパ６は、エッチング槽４の下
部電極部８上に載置され、直流のバイアス成分が印加さ
れた高周波電圧発生装置５を下部電極部８に接続する。
下部電極部８に直流のバイアス成分を印加した高周波電
圧発生装置５を接続した場合、電子とイオンとの易動度
の大きな違いにより電極表面に電圧効果が発生し、この
陽極降下内で酸素イオンが上部電極部９、下部電極部８
および光ディスク用スタンパ６上の垂直な電界にそって
入射し、リアクティブなエッチングが進行する。また、
化学的に活性な原子状酸素による酸化作用によって、有
機物等の汚染物質の分解が行われるとともに光ディスク
用スタンパ表面に酸化膜が形成される。また、酸素プラ
ズマアッシング処理を施すと当該処理を施さないものよ
り表面の酸素量が多くなり、酸化物が内部まで生成さ
れ、光ディスク用スタンパの複製に必要な剥離皮膜が形
成される。
【０００９】
【発明の効果】以上記述したように、本発明によれば、
重クロム酸溶液を用いて光ディスク用スタンパ上に剥離
皮膜を設けることがないため、重クロム酸溶液の廃液処
理にコストがかからず、環境への影響を問題とする必要
がなく、さらに電気メッキ液への汚染もない。また、本
発明では、微細な凹凸パターンを持つ光ディスク用スタ
ンパ上に酸素プラズマアッシング処理により剥離皮膜を
設けているため、転写性に優れ、かつ欠陥の少ないスタ
ンパが複製される。
重クロム酸溶液を用いて光ディスク用スタンパ上に剥離
皮膜を設けることがないため、重クロム酸溶液の廃液処
理にコストがかからず、環境への影響を問題とする必要
がなく、さらに電気メッキ液への汚染もない。また、本
発明では、微細な凹凸パターンを持つ光ディスク用スタ
ンパ上に酸素プラズマアッシング処理により剥離皮膜を
設けているため、転写性に優れ、かつ欠陥の少ないスタ
ンパが複製される。
【図１】本発明の光ディスク用スタンパの複製方法につ
いての説明図である。
いての説明図である。
【図２】酸素プラズマアッシング装置の概略構成図であ
る。
る。
【図３】従来の光ディスク用スタンパの製造方法および
その複製方法についての説明図である。
その複製方法についての説明図である。
１ マスタースタンパ ２ マザースタンパ ３ サンスタンパ １ａ，２ａ 剥離皮膜
Claims (1)
- 【請求項１】 酸素プラズマアッシング処理により形成
された酸化膜からなる剥離皮膜を有するスタンパを用い
ることを特徴とする光ディスク用スタンパの複製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25504992A JPH06111384A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25504992A JPH06111384A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111384A true JPH06111384A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17273452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25504992A Pending JPH06111384A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光ディスク用スタンパの複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509555A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | インテル・コーポレーション | 基板をインプリントするための方法及び装置 |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP25504992A patent/JPH06111384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008509555A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | インテル・コーポレーション | 基板をインプリントするための方法及び装置 |
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