JPH11231508A - 再生レチクルの調製方法及び再生レチクル - Google Patents
再生レチクルの調製方法及び再生レチクルInfo
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- JPH11231508A JPH11231508A JP5148798A JP5148798A JPH11231508A JP H11231508 A JPH11231508 A JP H11231508A JP 5148798 A JP5148798 A JP 5148798A JP 5148798 A JP5148798 A JP 5148798A JP H11231508 A JPH11231508 A JP H11231508A
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- Japan
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- reticle
- pellicle
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- preparing
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 一度ペリクルを貼着して使用したレチクルか
らペリクルを剥がし、レチクルを再使用できるようにす
る、再生レチクルの調製方法を提供する。 【解決手段】 ペリクルを貼付して使用した使用済レチ
クルからペリクルを剥離した後洗浄することにより、前
記使用済レチクルを再生させる方法において、前記洗浄
の前工程として、ペリクルが貼付されていた前記レチク
ルの面に紫外線を照射することを特徴とする、再生レチ
クルの調製方法及びそれによって得られた再生レチク
ル。
らペリクルを剥がし、レチクルを再使用できるようにす
る、再生レチクルの調製方法を提供する。 【解決手段】 ペリクルを貼付して使用した使用済レチ
クルからペリクルを剥離した後洗浄することにより、前
記使用済レチクルを再生させる方法において、前記洗浄
の前工程として、ペリクルが貼付されていた前記レチク
ルの面に紫外線を照射することを特徴とする、再生レチ
クルの調製方法及びそれによって得られた再生レチク
ル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩ
などの半導体装置や液晶表示板を製造する際に使用され
るレチクルに関し、特に、一度ペリクルを貼着して使用
したレチクルを再使用できるように洗浄する方法、及
び、その方法によって得られる再生レチクルに関する。
などの半導体装置や液晶表示板を製造する際に使用され
るレチクルに関し、特に、一度ペリクルを貼着して使用
したレチクルを再使用できるように洗浄する方法、及
び、その方法によって得られる再生レチクルに関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体装置や
液晶表示板を製造する際に用いられるフォトマスクは、
レチクルという原板を用い、フォトリピータの逐次露光
を行って製造されており、近年においては、ウェーハス
テッパで用いられる拡大マスクもレチクルと呼ばれてい
る。
液晶表示板を製造する際に用いられるフォトマスクは、
レチクルという原板を用い、フォトリピータの逐次露光
を行って製造されており、近年においては、ウェーハス
テッパで用いられる拡大マスクもレチクルと呼ばれてい
る。
【０００３】レチクルは拡大マスクであるので、パター
ンの寸法精度、位置精度、欠陥の有無については従来若
干許容される傾向にあったが、レチクルの欠陥は逐次露
光されたすべてのチップに共通の欠陥をもたらす上、近
年においては、パターンが微細化し、高精度化してきた
ため、原寸のフォトマスクと同等以上の性能が望まれる
に至った。
ンの寸法精度、位置精度、欠陥の有無については従来若
干許容される傾向にあったが、レチクルの欠陥は逐次露
光されたすべてのチップに共通の欠陥をもたらす上、近
年においては、パターンが微細化し、高精度化してきた
ため、原寸のフォトマスクと同等以上の性能が望まれる
に至った。
【０００４】このため、レチクル基板にはハードブラン
クを用いるのが一般的である。また、レチクルは、露光
時間の長いパターン発生装置によって作られるために高
価であるので、欠陥はレーザリペアマシンや部分蒸着に
より修正されるので益々高価になる。そこで、完全無欠
のレチクルパターンを保護するために、基板上に数ｍｍ
の間隔をあけて透明な薄膜（ニトロセルロース等の有機
物からなる薄膜で、ペリクルと呼ばれる）を貼り、密封
することが行われている。このようにすることにより、
使用中に異物が付着しても、その異物はペリクルの薄膜
上であるので焦点はずれとなり、レジストに欠陥が生ず
ることを防止することができる。
クを用いるのが一般的である。また、レチクルは、露光
時間の長いパターン発生装置によって作られるために高
価であるので、欠陥はレーザリペアマシンや部分蒸着に
より修正されるので益々高価になる。そこで、完全無欠
のレチクルパターンを保護するために、基板上に数ｍｍ
の間隔をあけて透明な薄膜（ニトロセルロース等の有機
物からなる薄膜で、ペリクルと呼ばれる）を貼り、密封
することが行われている。このようにすることにより、
使用中に異物が付着しても、その異物はペリクルの薄膜
上であるので焦点はずれとなり、レジストに欠陥が生ず
ることを防止することができる。
【０００５】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置、或い
は液晶表示板などは、上記の如くして得られた、レチク
ルやフォトマスク（以下、明細書においては、これらを
まとめてレチクルとする）を介して半導体ウェハーや液
晶用原版に光を照射してパターニングするが、この場合
に用いる前記レチクルにゴミが付着していると、そのゴ
ミが光を吸収したり光を曲げるため、転写されたパター
ンが変形したり、エッジががさついたものとなるほか、
白地が黒く汚れたり、寸法、品質、外観などが損なわれ
ることとなり、半導体装置や液晶表示板などの性能や製
造歩留りの低下を来すという問題があった。
は液晶表示板などは、上記の如くして得られた、レチク
ルやフォトマスク（以下、明細書においては、これらを
まとめてレチクルとする）を介して半導体ウェハーや液
晶用原版に光を照射してパターニングするが、この場合
に用いる前記レチクルにゴミが付着していると、そのゴ
ミが光を吸収したり光を曲げるため、転写されたパター
ンが変形したり、エッジががさついたものとなるほか、
白地が黒く汚れたり、寸法、品質、外観などが損なわれ
ることとなり、半導体装置や液晶表示板などの性能や製
造歩留りの低下を来すという問題があった。
【０００６】そこで、上記パターニングの作業は通常ク
リーンルームで行われているが、このようにクリーンル
ーム内で作業を行なってもレチクル表面を常に清浄に保
つことは難しいので、レチクルの表面に、前記した如
く、ゴミよけのために、露光する光に対して透明なペリ
クルを貼りつけることが行われている。そして、ペリク
ルは、その膜上に一定以上の大きさや数の異物が付着し
たり、膜が破れるなどした際に、取り替えられる。しか
しながら、ペリクルのレチクル貼付用の粘着剤の接着力
が強かったり脆弱であると、ペリクルを除去した痕跡や
粘着剤の一部がレチクル表面に残るといった問題があっ
た。そこで、現状では酸洗浄等の方法によってこれら粘
着剤の糊残りの除去を行なっている。
リーンルームで行われているが、このようにクリーンル
ーム内で作業を行なってもレチクル表面を常に清浄に保
つことは難しいので、レチクルの表面に、前記した如
く、ゴミよけのために、露光する光に対して透明なペリ
クルを貼りつけることが行われている。そして、ペリク
ルは、その膜上に一定以上の大きさや数の異物が付着し
たり、膜が破れるなどした際に、取り替えられる。しか
しながら、ペリクルのレチクル貼付用の粘着剤の接着力
が強かったり脆弱であると、ペリクルを除去した痕跡や
粘着剤の一部がレチクル表面に残るといった問題があっ
た。そこで、現状では酸洗浄等の方法によってこれら粘
着剤の糊残りの除去を行なっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする問題】また、近年における露
光光線の短波長化に伴い、ペリクル構成物質としても耐
光性に優れたものが要求され、粘着剤も、耐光性に優れ
たシリコーン系、フッ素シリコーン系、フッ素系の物質
が近年用いられるようになってきている。しかしなが
ら、これらの物質は耐光性と同時に耐溶媒性も非常に高
いので、ペリクル剥離後のレチクル表面に残るこれらの
物質の残渣は、従来のような酸洗浄のみによって除去す
ることが困難である。
光光線の短波長化に伴い、ペリクル構成物質としても耐
光性に優れたものが要求され、粘着剤も、耐光性に優れ
たシリコーン系、フッ素シリコーン系、フッ素系の物質
が近年用いられるようになってきている。しかしなが
ら、これらの物質は耐光性と同時に耐溶媒性も非常に高
いので、ペリクル剥離後のレチクル表面に残るこれらの
物質の残渣は、従来のような酸洗浄のみによって除去す
ることが困難である。
【０００８】本発明者等は、ペリクル剥離後の基板の再
生洗浄時に紫外線を照射することにより、耐光性、耐溶
媒性の高い粘着剤を用いた場合でも、従来と同様の酸洗
浄によって容易に再生可能なレチクルを得ることができ
るということを見い出し、本発明に到達した。従って本
発明の第一の目的は、一度ペリクルを貼着して使用した
レチクルからペリクルを剥がし、レチクルを再使用でき
るようにする、再生レチクルの調製方法を提供すること
にある。本発明の第二の目的は、再使用可能な再生レチ
クルを提供することにある。
生洗浄時に紫外線を照射することにより、耐光性、耐溶
媒性の高い粘着剤を用いた場合でも、従来と同様の酸洗
浄によって容易に再生可能なレチクルを得ることができ
るということを見い出し、本発明に到達した。従って本
発明の第一の目的は、一度ペリクルを貼着して使用した
レチクルからペリクルを剥がし、レチクルを再使用でき
るようにする、再生レチクルの調製方法を提供すること
にある。本発明の第二の目的は、再使用可能な再生レチ
クルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記の諸目的
は、ペリクルを貼付して使用した使用済レチクルからペ
リクルを剥離した後洗浄することにより、前記使用済レ
チクルを再生させる方法において、前記洗浄の前工程と
して、ペリクルが貼付されていた前記レチクルの面に紫
外線を照射することを特徴とする、再生レチクルの調製
方法及びそれによって得られた再生レチクルによって達
成された。
は、ペリクルを貼付して使用した使用済レチクルからペ
リクルを剥離した後洗浄することにより、前記使用済レ
チクルを再生させる方法において、前記洗浄の前工程と
して、ペリクルが貼付されていた前記レチクルの面に紫
外線を照射することを特徴とする、再生レチクルの調製
方法及びそれによって得られた再生レチクルによって達
成された。
【００１０】本発明におけるレチクルは、ペリクルを貼
付して使用するパターニングのためのマスクを意味し、
フォトマスクを含む概念である。レチクルの素材は特に
限定されるものではないが、高性能で高価である程再使
用の価値があるので、合成石英を主成分とするものであ
ることが好ましい。
付して使用するパターニングのためのマスクを意味し、
フォトマスクを含む概念である。レチクルの素材は特に
限定されるものではないが、高性能で高価である程再使
用の価値があるので、合成石英を主成分とするものであ
ることが好ましい。
【００１１】本発明は、ペリクルをレチクルに貼り付け
る際の部材である粘着剤として、耐光性、耐溶媒性に優
れたシリコーン系、フッ素シリコーン系、フッ素系の粘
着剤等が用いられる場合に特に有効である。即ち、ペリ
クルを剥離した後、その粘着剤の糊残りがある基板表面
に紫外線を照射することによって、粘着剤を従来の酸洗
浄等で容易に除去可能な物質にまで分解する点に本発明
の最大の特徴がある。
る際の部材である粘着剤として、耐光性、耐溶媒性に優
れたシリコーン系、フッ素シリコーン系、フッ素系の粘
着剤等が用いられる場合に特に有効である。即ち、ペリ
クルを剥離した後、その粘着剤の糊残りがある基板表面
に紫外線を照射することによって、粘着剤を従来の酸洗
浄等で容易に除去可能な物質にまで分解する点に本発明
の最大の特徴がある。
【００１２】上記分解反応は、光照射時に、紫外線によ
って活性化するガスが存在することによって特に速やか
に進行する。そのようなガスとしては、塩素ガス、酸素
ガス、オゾンガス等を挙げることができるが、本発明で
はオゾンガス存在下に紫外線照射することが特に好まし
い。紫外線は、一般に４００ｎｍ以下であるが、本発明
においては特に３００ｎｍ以下の波長の紫外線が多い程
有効である。
って活性化するガスが存在することによって特に速やか
に進行する。そのようなガスとしては、塩素ガス、酸素
ガス、オゾンガス等を挙げることができるが、本発明で
はオゾンガス存在下に紫外線照射することが特に好まし
い。紫外線は、一般に４００ｎｍ以下であるが、本発明
においては特に３００ｎｍ以下の波長の紫外線が多い程
有効である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、耐光性あるペリクルを
使用しても容易にレチクルを再使用可能とすることがで
きるので、レチクルを従来以上に有効利用することがで
きる。従って、レチクルが高価である程本発明は有意義
である。
使用しても容易にレチクルを再使用可能とすることがで
きるので、レチクルを従来以上に有効利用することがで
きる。従って、レチクルが高価である程本発明は有意義
である。
【００１４】
【実施例】次に本発明を実施例によって更に詳述する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００１５】実施例１．レチクルの代りとして、６（イ
ンチ）×６（インチ）、厚み０．２５（インチ）のペリ
クル貼付用合成石英基板を用意した。この基板に、ペリ
クル自動貼付装置ＡＭ−６（Ｎｉｋｏｎ社製）を用い、
２５ｋｇで３分という貼付条件でペリクル（商品名６Ｎ
２ＨＦ−ＥＸ：信越化学社製）の貼付を行った。ペリク
ルを４８時間貼付した後、ペリクルが貼付された基板を
イソプロピルアルコール中に５分間浸漬させ、基板から
ペリクルを剥離した。剥離後の石英基板表面上を集光ラ
ンプを用いて暗室で検査したところ（暗室５Ｌｕｘ、集
光ランプ照度３００,０００Ｌｕｘ）、ペリクルが貼り
付いていた形状に沿って粘着剤の跡が残っていた。
ンチ）×６（インチ）、厚み０．２５（インチ）のペリ
クル貼付用合成石英基板を用意した。この基板に、ペリ
クル自動貼付装置ＡＭ−６（Ｎｉｋｏｎ社製）を用い、
２５ｋｇで３分という貼付条件でペリクル（商品名６Ｎ
２ＨＦ−ＥＸ：信越化学社製）の貼付を行った。ペリク
ルを４８時間貼付した後、ペリクルが貼付された基板を
イソプロピルアルコール中に５分間浸漬させ、基板から
ペリクルを剥離した。剥離後の石英基板表面上を集光ラ
ンプを用いて暗室で検査したところ（暗室５Ｌｕｘ、集
光ランプ照度３００,０００Ｌｕｘ）、ペリクルが貼り
付いていた形状に沿って粘着剤の跡が残っていた。
【００１６】次に、オゾンを発生させる波長の光をカッ
トした水銀ランプを用いて、照射面が５０ｍＷ／ｃｍ２
になるように紫外線を５分間照射した。紫外線照射後、
照射前と同じ条件で集光ランプを用いて基板表面を検査
したところ、粘着剤の痕は減少することなく残ってい
た。この基板を、濃硫酸の洗浄槽の中に５分間浸漬した
後、超純粋で超音波洗浄を行い、乾燥させた。次いで、
再び基板表面を集光ランプで検査したところ、粘着剤の
残渣は完全に除去されており、ペリクル貼着の跡は全く
認められなかった。
トした水銀ランプを用いて、照射面が５０ｍＷ／ｃｍ２
になるように紫外線を５分間照射した。紫外線照射後、
照射前と同じ条件で集光ランプを用いて基板表面を検査
したところ、粘着剤の痕は減少することなく残ってい
た。この基板を、濃硫酸の洗浄槽の中に５分間浸漬した
後、超純粋で超音波洗浄を行い、乾燥させた。次いで、
再び基板表面を集光ランプで検査したところ、粘着剤の
残渣は完全に除去されており、ペリクル貼着の跡は全く
認められなかった。
【００１７】比較例１．紫外線を照射しなかった他は実
施例１と全く同様にしたところ、粘着剤の残渣は、わず
かに減少したものの除去されず残ったままであった。
施例１と全く同様にしたところ、粘着剤の残渣は、わず
かに減少したものの除去されず残ったままであった。
【００１８】実施例２．オゾンを発生させる光を放出す
る水銀ランプを使用したこと、及び濃硫酸中への浸漬時
間を３分としたこと以外は実施例１と全く同様にしたと
ころ、粘着剤の残渣は完全に除かれ、実施例１と同じ結
果が得られた。
る水銀ランプを使用したこと、及び濃硫酸中への浸漬時
間を３分としたこと以外は実施例１と全く同様にしたと
ころ、粘着剤の残渣は完全に除かれ、実施例１と同じ結
果が得られた。
Claims (4)
- 【請求項１】ペリクルを貼付して使用した使用済レチク
ルからペリクルを剥離した後洗浄することにより、前記
使用済レチクルを再生させる方法において、前記洗浄の
前工程として、ペリクルが貼付されていた前記レチクル
の面に紫外線を照射することを特徴とする、再生レチク
ルの調製方法。 - 【請求項２】紫外線の照射を、該紫外線照射によって発
生したオゾンの存在下で行う、請求項１に記載された再
生レチクルの調製方法。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載された方法によって
調製された再生レチクル。 - 【請求項４】レチクルが合成石英製である、請求項３に
記載された再生レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148798A JPH11231508A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 再生レチクルの調製方法及び再生レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148798A JPH11231508A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 再生レチクルの調製方法及び再生レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231508A true JPH11231508A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12888333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148798A Pending JPH11231508A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 再生レチクルの調製方法及び再生レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11231508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003195482A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009251243A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル接着剤残渣の除去方法 |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP5148798A patent/JPH11231508A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003195482A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009251243A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル接着剤残渣の除去方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040107 |