TWI450031B - 洗淨用光罩、光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

洗淨用光罩、光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Description

洗淨用光罩、光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法
下述實施形態大致係關於一種洗淨用光罩、光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法。
本申請案係基於且主張2009年12月25日申請之先前日本專利申請案第2009-293859號之優先權之權益，該申請案之全文以引用之方式併入本文
伴隨半導體裝置之微細化，電路圖案之線寬正越來越縮小。相對於此種縮小化之要求，微影技術係藉由進而縮短用於光阻膜之曝光之曝光光之波長來應對。自圖案寬度為30 nm以下起，研究有使用被稱為遠紫外光(EUV：Extreme Ultra Violet)之以13.5 nm為中心之波長區域之曝光光。考慮若使用EUV，便可實現先前無法達成之圖案寬度及圖案間距之縮小化。
由於EUV於大氣中會急劇衰減，故EUV之光路必須均為真空環境。因此，包含EUV光源、保持光罩之光罩台、保持光學系統及成為曝光對象之晶圓之晶圓平台等之曝光單元，均係配置於真空腔室內。該情形時，光罩台無法使用真空夾盤作為保持光罩之機構，故使用靜電夾盤。即，藉由使光罩台之夾盤面帶電，而吸附光罩之整個背面(例如參照日本專利特開2002-299228號公報)。
於光罩台之靜電夾盤面形成有微細之凹凸。若重複使用此種光罩台，則微細之凹凸之凸部會缺損而產生粒子。若於光罩台之靜電夾盤面存在粒子，則當安裝新的光罩時，光罩台與光罩之背面之間介隔有粒子，光罩會撓曲。其結果為，光罩表面之平坦度下降，產生偏焦等失誤。又，若粒子流入光罩表面，則成為光路上介隔之異物，使得晶圓上轉印有缺陷。因此，於光罩台之夾盤面產生粒子之情形時，必須立即對光罩台進行洗淨。
然而，如上述般、包含光罩台之曝光單元係配置於真空腔室內，故為洗淨光罩台必須將真空腔室內大氣開放。而且，一旦將真空腔室內大氣開放，則為再次提昇至能夠開始曝光之程度為止之真空度，需要半日至一日左右之時間，該期間曝光處理中止ｏ其結果為，曝光裝置之實質運作時間變短，半導體裝置之處理量下降。
實施形態之光罩台之洗淨用光罩包括：基板，其使紫外線透過；及紫外線硬化層，其形成於上述基板上，且若照射有上述紫外線則硬化。
實施形態之光罩台之洗淨用光罩包括：基板，其使遠紫外線透過；及遠紫外線硬化層，其形成於上述基板上，且若照射有上述遠紫外線則硬化。
實施形態之光罩台之洗淨方法係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法。上述洗淨方法包含如下步驟：將基板上形成有粒子收取層之洗淨用光罩之上述粒子收取層擠壓於上述光罩台；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；自上述基板上除去上述粒子收取層；及於已除去上述粒子收取層之上述基板上重新形成粒子收取層。
實施形態之光罩台之洗淨方法係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法。上述洗淨方法包含如下步驟：將使紫外線透過之基板上形成有若照射上述紫外線則硬化之紫外線硬化層之洗淨用光罩的上述紫外線硬化層，擠壓於上述光罩台；於將上述紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述紫外線硬化層照射上述紫外線；及將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離。
實施形態之光罩台之洗淨方法係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法。上述洗淨方法包含如下步驟：將使遠紫外線透過之基板上形成有若照射上述遠紫外線則硬化之遠紫外線硬化層之洗淨用光罩的上述遠紫外線硬化層，擠壓於上述光罩台；於將上述遠紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述遠紫外線硬化層照射上述遠紫外線；及將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離。
實施形態之半導體裝置之製造方法包含如下步驟：將基板上形成有粒子收取層之洗淨用光罩之上述粒子收取層擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；藉由對上述光罩台所安裝之上述光罩照射遠紫外線，而對晶圓上所形成之光阻膜進行曝光；於上述剝離後之上述洗淨用光罩上，自上述基板上除去上述粒子收取層；及於已除去上述粒子收取層之上述基板上重新形成粒子收取層。而且，上述擠壓步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
實施形態之半導體裝置之製造方法包含如下步驟：將使紫外線透過之基板上形成有若照射上述紫外線則硬化之紫外線硬化層之洗淨用光罩的上述紫外線硬化層，擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；於將上述紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述紫外線硬化層照射上述紫外線；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；及藉由對上述光罩台所安裝之上述光罩照射遠紫外線，而對晶圓上所形成之光阻膜進行曝光。而且，上述擠壓步驟、上述照射步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
實施形態之半導體裝置之製造方法包含如下步驟：將使遠紫外線透過之基板上形成有若照射上述遠紫外線則硬化之遠紫外線硬化層之洗淨用光罩的上述遠紫外線硬化層，擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；於將上述遠紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述遠紫外線硬化層照射上述遠紫外線；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；及藉由對上述光罩台所安裝之上述光罩照射遠紫外線，而對晶圓上所形成之光阻膜進行曝光。而且，上述擠壓步驟、上述照射步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。
以下，對本發明之第1實施形態進行說明。
首先，說明本實施形態之洗淨用光罩。
圖1(a)係例示本實施形態之洗淨用光罩之後視圖，圖1(b)係其表面圖，圖1(c)係其側視圖。
本實施形態之洗淨用光罩係用以自EUV曝光裝置之光罩台除去粒子之虛設之光罩。如圖1(a)~(c)所示，於本實施形態之洗淨用光罩1中，設置有包含石英之基板11。基板11例如為與曝光用之通常之光罩之基板相同者。於基板11之背面11a之除去端緣部分之區域上，即背面11a大致整個面上，設置有包含黏著材料之黏著材層12。黏著材層12係粒子收取層，黏著材料例如係樹脂材料。另一方面，於基板11之表面11b處，例如在4個部位形成有對準標記13。再者，通常於EUV曝光用之光罩中，係於石英基板之背面上設置鉻層用作靜電夾盤，但本實施形態之洗淨用光罩中並未設置鉻層。
其次，說明本實施形態之光罩台之洗淨方法。
本實施形態之光罩台之洗淨係使用上述洗淨用光罩而實施。又，光罩台之洗淨係EUV曝光裝置之運用之一部分，EUV曝光裝置之運用係半導體裝置之製造製程之一部分，故以下之說明中係按照半導體裝置之製造製程依序進行說明。
圖2係例示本實施形態之半導體裝置之製造方法之流程圖，圖3係例示本實施形態之EUV曝光裝置之使用方法之流程圖，圖4(a)~(c)係例示本實施形態之光罩台之洗淨方法之步驟剖面圖，圖5係例示本實施形態之光罩台之洗淨方法之流程圖。
再者，圖2係著眼於經加工而成為半導體裝置之晶圓之流程圖，圖3係著眼於EUV曝光裝置之流程圖，圖5係著眼於洗淨用光罩之流程圖。
首先，對本實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。
如圖2之步驟S11所示，於晶圓上塗佈光阻材料而形成光阻膜。接下來，如步驟S12所示，使用EUV曝光裝置對光阻膜進行曝光。此時，係使用波長為例如13.5 nm之EUV作為曝光光。藉此，可於光阻膜上形成微細之潛影。接下來，如步驟S13所示，對曝光後之光阻膜進行顯影。藉此，選擇性地除去光阻膜之一部分，形成微細之光阻圖案。接下來，如步驟S14所示，將光阻圖案作為遮罩而對晶圓實施處理。例如，將光阻圖案作為遮罩而進行乾式蝕刻，加工晶圓上所形成之絕緣膜。或者，將光阻圖案作為遮罩而進行離子注入，於晶圓之表面選擇性地形成雜質擴散層。
其次，對本實施形態之EUV曝光裝置之使用方法進行說明。
於EUV曝光裝置(未圖示)中，設置有排氣泵及真空腔室，且於真空腔室之內部收納有曝光單元。曝光單元包含EUV光源、將EUV光源出射之EUV沿特定光路引導之光學系統、 於光路上介隔之位置處保持光罩之光罩台、及於照射有經光罩反射之EUV之位置處保持晶圓的晶圓平台等。光罩台上設置有靜電夾盤。又，於真空腔室內亦設置有收納複數塊之光罩之儲藏庫、及於儲藏庫與光罩台之間搬送光罩之致動器等。藉由設置儲藏庫及致動器，無須打破真空便可更換光罩台上安裝之光罩。進而，該EUV曝光裝置中無須打破真空便可將複數塊之晶圓依序安裝於晶圓平台。
首先，如圖3之步驟S21所示，EUV曝光裝置之儲藏庫中裝入通常之曝光用之光罩及上述洗淨用光罩。接下來，如步驟S22所示，關閉真空腔室，使排氣泵作動，將真空腔室內變成真空環境。例如，將真空腔室內之真空度變成1×10-5 Pa(=1×10-7 Torr)左右。
其次，如步驟S23所示，致動器自儲藏庫取出曝光用之光罩， 並將其搬送至與光罩台相對向之位置為止。而且，藉由使光罩台之靜電夾盤作動，而於光罩台上安裝光罩。又，晶圓平台保持晶圓。於該狀態下，EUV光源出射EUV(遠紫外線)。藉此，自EUV光源出射之EUV藉由光罩而選擇性反射並縮徑，到達晶圓上形成之光阻膜。其結果為，光阻膜被曝光。該曝光係上述步驟S12(參照圖2)所示之曝光。對一塊晶圓之曝光結束後，更換晶圓平台所保持之晶圓，對下一晶圓進行曝光。如此，使用一塊曝光用之光罩對複數塊之晶圓進行曝光。而且，當一個批次之晶圓之曝光結束後，更換光罩台上安裝之光罩，進行下一批次之曝光。因更換光罩，光罩台上不可避免地產生粒子。
因此，如圖3之步驟S24所示，使用上述洗淨用光罩1(參照圖1)而洗淨光罩台。具體而言，致動器自光罩台上拆下曝光用之光罩並將其返回到儲藏庫。而且，如圖4(a)所示，致動器將洗淨用光罩1自儲藏庫取出，並將其搬送至與光罩台相對向之位置為止。此時，洗淨用光罩1之黏著材層12係與光罩台51相對向。於光罩台51之表面附著有粒子52。
其次，如圖4(b)及圖5之步驟S31所示，一面參照對準標記13而進行洗淨用光罩1之定位，一面由致動器使洗淨用光罩1擠壓於光罩台51。此時，係黏著材層12擠壓於光罩台51。藉此，光罩台51上產生之粒子52附著於黏著材層12。
接下來，如圖4(c)及圖5之步驟S32所示，致動器將洗淨用光罩1自光罩台51上剝離。此時，粒子52係附著於洗淨用光罩1之黏著材層12上，故與洗淨用光罩1一併自光罩台51上剝離。藉此，自光罩台51除去粒子52，而洗淨光罩台51。接下來，致動器使洗淨用光罩1返回到儲藏庫。
接下來，如圖3之步驟S25所示，將新的曝光用之光罩安裝於光罩台而進行曝光。此時，光罩台上未附著粒子，故並無因粒子引起之光罩撓曲、或者光罩之表面流入粒子之情形。其結果為，不會因粒子而產生曝光失誤。
其後，視需要更換曝光用之光罩而重複曝光。此時，視需要與步驟S24同樣地洗淨光罩台。光罩台之洗淨例如可每次更換曝光用之光罩時進行，亦可將曝光用之光罩更換特定次數後進行，還可當粒子之產生量達到特定值後進行。再者，該情形時，可於儲藏庫中裝入複數塊之洗淨用光罩並依序使用該等洗淨用光罩，亦可將一塊洗淨用光罩重複使用若干次。
接下來，如步驟S26所示，停止排氣泵而將真空腔室內大氣開放。
接下來，如步驟S27所示，自EUV曝光裝置之儲藏庫回收洗淨用光罩。再者，將曝光結束之晶圓搬送至下一步驟之顯影步驟(參照圖2之步驟S13)。
其後，進行已使用之洗淨用光罩之再利用。
如圖4(c)所示，已使用之洗淨用光罩1中於黏著剤層12上附著或收取有粒子52。因此，如圖5之步驟S33所示，使已使用之洗淨用光罩1之黏著材層12接觸於化學藥品。具體而言，使洗淨用光罩1浸漬於注入有化學藥品、例如硫酸及過氧化氫水之混合液之洗淨槽中。藉此，包含樹脂材料之黏著材層12溶解於化學藥品，自基板11上除去黏著材層12。此時，附著於黏著材層12之粒子52亦與黏著材層12一併被除去。另一方面，包含石英之基板11並不溶解於化學藥品。
接下來，如步驟S34所示，將基板自洗淨槽中取出，藉由純水而淋洗。藉此，自基板上除去化學藥品。
接下來，如步驟S35所示，使基板乾燥。
接下來，如步驟S36所示，檢查基板之背面是否殘留有粒子。檢查結果若為「NG」，即基板11之背面殘留有黏著材料或者粒子，則返回到步驟S33中，使基板11再次浸漬於化學藥品。另一方面，若檢查結果為「OK」，即確認基板11之背面無黏著材料及粒子，則進入到步驟S37。
於步驟S37中，藉由於基板11之背面11a上塗佈黏著材料，形成新的黏著材層12。藉此，製作黏著材層12上未附著粒子52之新的洗淨用光罩1。該洗淨用光罩與上述洗淨用光罩同樣地，裝入EUV曝光裝置之儲藏庫中而用於光罩台之洗淨。
接下來，對本實施形態之作用效果進行說明。
根據本實施形態，藉由將洗淨用光罩裝入EUV曝光裝置之儲藏庫中，無須打破EUV曝光裝置之真空便可洗淨光罩台。即，於圖3之步驟S21中將洗淨用光罩裝入儲藏庫，於步驟S22中將真空腔室內進行排氣，則儲藏庫與光罩台之間之洗淨用光罩之搬送及向光罩台之擠壓可使用致動器而於真空環境中實施，故直至步驟S26所示之大氣開放為止，可於連續之真空環境中實施步驟S23所示之曝光、步驟S24所示之光罩台之洗淨、步驟S25所示之曝光。再者，步驟S24所示之洗淨步驟中，包含圖5之步驟S31所示之將洗淨用光罩擠壓於光罩台之步驟、及步驟S32所示之使洗淨用光罩自光罩台遠離之步驟。又，步驟S23及S25所示之曝光步驟中，分別包含將曝光用之光罩安裝於光罩台之步驟及藉由EUV而對光阻膜進行曝光之步驟。藉此，每當洗淨光罩台時，無須將真空腔室內大氣開放然後再次進行排氣，EUV曝光裝置之實質運作率提昇。其結果為，半導體裝置之處理量提昇。
又，根據本實施形態，僅藉由於EUV曝光裝置之儲藏庫中除了裝入曝光用之光罩外還裝入洗淨用光罩，無須對EUV曝光裝置自身添加改良，便可洗淨光罩台。
進而，根據本實施形態，藉由使附著有粒子之洗淨用光罩接觸於化學藥品，將粒子與黏著材層一併自基板除去，其後於基板上再次形成黏著材層，藉此可再次製作洗淨用光罩。藉此，可重複使用昂貴之石英製之基板，又，亦無須重新形成對準標記13(參照圖1(b))，故可控制洗淨用光罩之成本。進而，使黏著材層溶解於化學藥品而除去，故與藉由研削等機械手段而除去黏著材層之情形相比，並無黏著材層之一部分殘留、或者對基板造成損傷之情形，可有效地除去黏著材層。
進而，根據本實施形態，於基板之大致整個背面形成有黏著材層，故僅藉由將洗淨用光罩向光罩台擠壓一次，便可洗淨光罩台之表面安裝有光罩之整個區域。
其次，對本發明之第2實施形態進行說明。
圖6(a)係例示本實施形態之洗淨用光罩之後視圖，圖6(b)係其表面圖，圖6(c)係其側視圖。
如圖6(a)~(c)所示，本實施形態之洗淨用光罩2中設置有使紫外線透過之基板11。基板11係例如包含石英之基板。而且，於基板11之背面11a上之大致整個面上，即背面11a之除端緣外之區域上，設置有包含若照射紫外線則硬化之紫外線硬化樹脂之紫外線硬化層22來作為粒子收取層。又，於基板11之表面11b上形成有對準標記13。
照射紫外線前之紫外線硬化層22為半液體狀。紫外線硬化樹脂可使用例如紫外線曝光用之負型光阻材料或者紫外線硬化型之奈米壓印樹脂。作為奈米壓印樹脂，例如可列舉東洋合成工業股份有限公司製奈米壓印樹脂「PAK-01」。
再者，於本說明書中，「紫外線」係不包含「遠紫外線(EUV)」者。例如，「紫外線」之波長區域設為20~400 nm，「遠紫外線(EUV)」之波長區域設為5~20 nm。
其次，對本實施形態之光罩台之洗淨方法進行說明。
圖7係例示本實施形態之光罩台之洗淨方法之流程圖，圖8(a)~(c)係例示本實施形態之光罩台之洗淨方法之步驟剖面圖，圖9係例示擠壓於光罩台之狀態之紫外線硬化層的步驟剖面圖。
如圖7所示，本實施形態之光罩台之洗淨方法與上述第1實施形態之洗淨方法(參照圖5)相比，不同點在於將洗淨用光罩擠壓於光罩台之步驟(步驟S31)與將洗淨用光罩自光罩台剝離之步驟(步驟S32)之間，設置有對紫外線硬化層照射紫外線之步驟(步驟S41)。又，本實施形態中所使用之EUV曝光裝置中設置有紫外燈(未圖示)。該紫外燈係用以洗淨例如EUV曝光裝置之光學系統中所設之鏡面之紫外燈。
以下，具體說明本實施形態之光罩台之洗淨方法。
如圖7之步驟S31及圖8(a)所示，EUV曝光裝置之致動器自儲藏庫取出洗淨用光罩2，並將其搬送至與光罩台51相對向之位置為止。此時，係使洗淨用光罩2之紫外線硬化層22與光罩台51相對向。於光罩台51之表面附著有粒子52。接下來，致動器將洗淨用光罩2擠壓於光罩台51。藉此，將洗淨用光罩2之紫外線硬化層22擠壓於光罩台51。
此時，如圖9所示，紫外線硬化層22係半液體狀，故紫外線硬化樹脂流入粒子52與光罩台51之間之間隙。藉此，粒子52被收取至紫外線硬化層22之內部。又，半液體狀之紫外線硬化樹脂亦流入大粒子52之間之小粒子52之周圍，故大粒子52之間之小粒子52亦被收取紫外線硬化層22內。為獲得該效果，較好的是紫外線硬化層22之厚度大於粒子52之最大直徑。
接下來，如圖7之步驟S41及圖8(b)所示，EUV曝光裝置之紫外燈出射紫外線UV。自紫外燈出射之紫外線UV透過洗淨用光罩2之基板11而照射至紫外線硬化層22。藉此，紫外線硬化層22於收取有粒子52之狀態下硬化。又，此時紫外線硬化層22失去相對於光罩台51之黏接力。
接下來，如圖7之步驟S32及圖8(c)所示，致動器自光罩台51上剝離洗淨用光罩2。藉此，收取至紫外線硬化層22之粒子52亦與洗淨用光罩2一併自光罩台51上除去。其後，致動器使洗淨用光罩2返回到儲藏庫。再者，使紫外線硬化層22硬化之洗淨用光罩2不會再次自儲藏庫取出後用於光罩台51之洗淨。
本實施形態之上述以外之光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法係與上述第1實施形態相同。即，於真空腔室之大氣開放後回收已使用之洗淨用光罩，使其浸漬於注入有化學藥品、例如硫酸及過氧化氫水之混合液之洗淨槽。藉此，將以收取粒子52之狀態而硬化之紫外線硬化層22自基板11上除去。其後，經過基板11之水洗及乾燥，於基板11之背面上塗佈紫外線硬化樹脂，藉此重新形成紫外線硬化層22。藉此，將基板11再利用而製作新的洗淨用光罩2。再者，本實施形態亦與上述第1實施形態同樣地，晶圓上所形成之光阻膜並非由紫外線曝光，而是由EUV曝光。
其次，對本實施形態之作用效果進行說明。
於本實施形態中，紫外線硬化層22於擠壓至光罩台51之時間點係處於半液體狀，其黏性較低。因此粒子52之收取較快。又，如圖9所示，紫外線硬化樹脂流入粒子52與光罩台51之間，故可確實地收取粒子52。進而，紫外線硬化層22亦可確實地收取大粒子52之間之小粒子52而加以除去。
進而，紫外線硬化層22於硬化時失去相對於光罩台51之黏接力，故可將洗淨用光罩2自光罩台51容易地剝離。進而，紫外線硬化樹脂可使用紫外線曝光用之負型光阻或與其相近之材料，故紫外線硬化樹脂之獲取及處理較容易，且洗淨用光罩2之作製容易。進而，作為用以使紫外線硬化層22硬化之紫外線之光源，可利用鏡面洗淨用之紫外燈，故可直接利用已有之EUV曝光裝置。
本實施形態之上述以外之作用效果與上述第1實施形態相同。即，無須打破真空便可洗淨光罩台，故曝光處理之處理量較高。又，可再利用洗淨用光罩之基板，故光罩台之洗淨所需之成本較低。進而，紫外線硬化層係形成於基板之大致整個背面，故藉由一次動作便可洗淨光罩台之安裝有光罩之整個區域。
其次，對本實施形態之變形例進行說明。
圖10係例示本變形例中使用之EUV光照射區域之圖。
本變形例之洗淨用光罩與上述第2實施形態之洗淨用光罩2(參照圖6)相比，不同點在於設置有若照射EUV則硬化之EUV硬化層來作為粒子收取層。EUV硬化層例如係藉由EUV曝光用之負型光阻而形成。
於本變形例中，在圖7之步驟S41所示之步驟中並非藉由紫外線、而是照射光阻膜之曝光所使用之EUV，藉此使EUV硬化層硬化。更具體而言，如圖10所示，一面使狹縫形狀之EUV光照射區域55相對於擠壓於光罩台之洗淨用光罩相對移動，一面出射EUV。該EUV透過洗淨用光罩之基板而到達EUV硬化層。藉此，掃描EUV硬化層整體而使EUV硬化層整體硬化。
根據本變形例，可使用光阻膜之曝光所使用之EUV光而使EUV硬化層硬化，故亦可適用於未設置紫外燈之EUV曝光裝置。本變形例之上述以外之構成及作用效果與上述第2實施形態相同。
根據以上說明之實施形態，可實現一種無須將遠紫外線曝光裝置之曝光單元大氣開放便可洗淨光罩台之洗淨用光罩、光罩台之洗淨方法及半導體裝置之製造方法。
儘管已描述某些實施例，但該等實施例僅作為實例而呈現，且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中描述之新穎實施例可以多種其他形式體現。此外，於不脫離本發明之精神的情況下，本文中描述之實施例之形式可進行各種省略、替代及變更。附隨申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋此等形式或修改，其將屬於本發明之範疇及精神內。
1、2．．．洗淨用光罩
11．．．基板
11a．．．基板11之背面
11b．．．基板11之表面
12．．．黏著材層
13．．．對準標記
22．．．紫外線硬化層
51．．．光罩台
52．．．粒子
55．．．EUV光照射區域
S11~S14、S21~S27、S31~S37、S41．．．步驟
圖1(a)係例示本發明之第1實施形態之洗淨用光罩之後視圖，圖1(b)係其表面圖，圖1(c)係其側視圖；
圖2係例示第1實施形態之半導體裝置之製造方法之流程圖；
圖3係例示第1實施形態之EUV曝光裝置之使用方法之流程圖；
圖4(a)~(c)係例示第1實施形態之光罩台之洗淨方法之步驟剖面圖；
圖5係例示第1實施形態之光罩台之洗淨方法之流程圖；
圖6係例示本發明之第2實施形態之洗淨用光罩之後視圖，圖6(b)係其表面圖，圖6(c)係其側視圖；
圖7係例示第2實施形態之光罩台之洗淨方法之流程圖；
圖8(a)~(c)係例示第2實施形態之光罩台之洗淨方法之步驟剖面圖；
圖9係例示擠壓於光罩台之狀態之紫外線硬化層的步驟剖面圖；及
圖10係例示第2實施形態之變形例中使用之EUV光照射區域之圖。
1．．．洗淨用光罩
11．．．基板
11a．．．基板11之背面
11b．．．基板11之表面
12．．．黏著材層
13．．．對準標記

Claims (12)

  1. 一種洗淨用光罩，其對光罩台具有洗淨功能，且包括：基板，其使紫外線透過，且具有對準標記；及紫外線硬化層，其形成於上述基板上，若照射上述紫外線則硬化。
  2. 一種洗淨用光罩，其對光罩台具有洗淨功能，且包括：基板，其使遠紫外線透過，且具有對準標記；及遠紫外線硬化層，其形成於上述基板上，且若照射上述遠紫外線則硬化。
  3. 一種光罩台之洗淨方法，其係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法，且包含如下步驟：在基板上形成有粒子收取層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述粒子收取層擠壓於上述光罩台；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；自上述基板上除去上述粒子收取層；及於已除去上述粒子收取層之上述基板上重新形成粒子收取層。
  4. 如請求項3之光罩台之洗淨方法，其中上述粒子收取層係藉由黏著材料而形成。
  5. 如請求項3之光罩台之洗淨方法，其中更包含於將上述粒子收取層擠壓於上述光罩台之狀態下，於將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離前，介隔上述基板而對上述粒子 收取層照射紫外線之步驟，將上述基板設為使上述紫外線透過之基板，且上述粒子收取層係藉由若照射上述紫外線則硬化之材料而形成。
  6. 如請求項3之光罩台之洗淨方法，其中更包含於將上述粒子收取層擠壓於上述光罩台之狀態下，於將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離前，介隔上述基板而對上述粒子收取層照射遠紫外線之步驟，將上述基板設為使上述遠紫外線透過之基板，且上述粒子收取層係藉由若照射上述遠紫外線則硬化之材料而形成。
  7. 如請求項3之光罩台之洗淨方法，其中除去上述粒子收取層之步驟包含使上述粒子收取層溶解於化學藥品之步驟。
  8. 一種光罩台之洗淨方法，其係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法，且包含如下步驟：在使紫外線透過之基板上形成有若照射上述紫外線則硬化之紫外線硬化層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述紫外線硬化層擠壓於上述光罩台；於將上述紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述紫外線硬化層照射上述紫外線；及將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離。
  9. 一種光罩台之洗淨方法，其係遠紫外線曝光裝置之光罩台之洗淨方法，且包含如下步驟：在使遠紫外線透過之基板上形成有若照射上述遠紫外線則硬化之遠紫外線硬化層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述遠紫外線硬化層擠壓於上述光罩台；於將上述遠紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述遠紫外線硬化層照射上述遠紫外線；及將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如下步驟：在基板上形成有粒子收取層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述粒子收取層擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；藉由對安裝於上述光罩台之上述光罩照射遠紫外線，而對形成於晶圓上之光阻膜進行曝光；於上述剝離後之上述洗淨用光罩中，自上述基板上除去上述粒子收取層；及於已除去上述粒子收取層之上述基板上重新形成粒子收取層；且 上述擠壓步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如下步驟：在使紫外線透過之基板上形成有若照射上述紫外線則硬化之紫外線硬化層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述紫外線硬化層擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；於將上述紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述紫外線硬化層照射上述紫外線；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；及藉由對安裝於上述光罩台上之上述光罩照射遠紫外線，而對形成於晶圓上之光阻膜進行曝光；且上述擠壓步驟、上述照射步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
  12. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如下步驟：在使遠紫外線透過之基板上形成有若照射上述遠紫外線則硬化之遠紫外線硬化層、具有對準標記、且對光罩台具有洗淨功能之洗淨用光罩中，一面利用上述對準標記進行洗淨用光罩之定位，一面將上述遠紫外線硬化層，擠壓於遠紫外線曝光裝置之光罩台；於將上述遠紫外線硬化層擠壓於上述光罩台之狀態下，介隔上述基板而對上述遠紫外線硬化層照射上述遠 紫外線；將上述洗淨用光罩自上述光罩台剝離；將曝光用之光罩安裝於上述光罩台；及藉由對安裝於上述光罩台上之上述光罩照射遠紫外線，而對形成於晶圓上之光阻膜進行曝光；且上述擠壓步驟、上述照射步驟、上述剝離步驟、上述安裝步驟及上述曝光步驟係於連續之真空環境中實施。
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