JP2014160778A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステージの表面に付着した異物を効果的に低減することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、真空チャンバを備える。第1のステージは、レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する。第2のステージは、真空チャンバ内においてレチクルを用いて半導体基板を露光するために第1のステージに装着した後のレチクルを装着する。露光部は、第2のステージに装着されたレチクルを用いて半導体基板の表面を露光する。
【選択図】図1
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、真空チャンバを備える。第1のステージは、レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する。第2のステージは、真空チャンバ内においてレチクルを用いて半導体基板を露光するために第1のステージに装着した後のレチクルを装着する。露光部は、第2のステージに装着されたレチクルを用いて半導体基板の表面を露光する。
【選択図】図1
Description
本発明による実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
微細化された半導体装置を形成するために、極短紫外(EUV(Extreme Ultra Violet))光を用いた露光装置(以下、EUV露光装置ともいう)が開発されている。EUV光は屈折率がほぼ1であるため、EUV露光装置は反射光学系を用いている。反射光学系ではレチクルは、透過型レチクルではなく、反射型レチクルとなる。また、EUV光は空気中で減衰するため、EUV露光装置のチャンバ内部は真空に保たれている。真空チャンバ内においてはバキュームチャックでレチクルを吸着することができないため、EUV露光装置は静電チャックでレチクルを固定している。
しかし、レチクルステージ上に異物が存在する場合、静電チャックはレチクルステージとレチクルとの間に異物を挟んだ状態でレチクルを吸着するため、レチクル表面が歪んでしまう。レチクル表面が歪んだ状態のまま露光を行うと、転写すべき回路パターンのデフォーカスや位置ズレが発生する。このような異物は、レチクルをロードロックチャンバから搬入するときに真空チャンバ内に侵入するダスト等であると考えられる。
レチクルステージ上の異物を除去するためには、EUV露光装置のチャンバの真空を解き、大気圧に解放する必要がある。この場合、EUV露光装置を停止させてから復帰させるまでの長いダウンタイムが生じてしまう。このため、レチクルステージ上の異物の除去は即時あるいは頻繁に行なうことはできない。
レチクルの裏面に付着した異物あるいはレチクルステージに付着した異物を効果的に低減することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態による半導体装置は、真空チャンバを備える。第1のステージは、レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する。第2のステージは、真空チャンバ内においてレチクルを用いて半導体基板を露光するために第1のステージに装着した後のレチクルを装着する。露光部は、第2のステージに装着されたレチクルを用いて半導体基板の表面を露光する。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。EUV露光装置100は、真空チャンバ1と、第1のステージとしてのパーティクル吸着ステージ70と、第2のステージとしてのレチクルステージ7と、ウェハステージ10と、電磁チャック9、12と、露光部としての光学系4と、レチクル搬送アーム8と、ウェハ搬送アーム11と、コントローラ23と、真空装置24とを備えている。
図1は、第1の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。EUV露光装置100は、真空チャンバ1と、第1のステージとしてのパーティクル吸着ステージ70と、第2のステージとしてのレチクルステージ7と、ウェハステージ10と、電磁チャック9、12と、露光部としての光学系4と、レチクル搬送アーム8と、ウェハ搬送アーム11と、コントローラ23と、真空装置24とを備えている。
真空チャンバ1の内部は真空装置24によって真空(例えば、1×10−4Pa程度の減圧雰囲気)に維持されている。レチクルステージ7、ウェハステージ10および光学系4は、真空チャンバ1内に設けられており、EUV光による露光は真空チャンバ1内で実行される。本実施形態においては、パーティクル吸着ステージ70も真空チャンバ1内に設けられている。EUV光は、例えば、13〜14nmの波長域を有する光である。
レチクルステージ7は、電磁チャック9を備え、半導体基板Wを露光するために回路パターンを形成した反射型レチクルRを装着する。電磁チャック9は、レチクルRを吸着し固定する。レチクルステージ7は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
ウェハステージ10は、電磁チャック12を備え、露光対象である半導体基板Wを搭載する。電磁チャック12は、半導体基板Wを吸着し固定する。ウェハステージ10は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
パーティクル吸着ステージ70は、レチクルRの裏面にあるパーティクルを吸着するためにレチクルRを一時的に装着する。パーティクル吸着ステージ70は、レチクルステージ7と同じ構成であってもよく、電磁チャック79を備えている。パーティクル吸着ステージ70の電磁チャック79は、単極方式の電磁チャックであることが好ましい。単極方式の電磁チャックは、低電圧で吸着力が強く、かつ、吸着面に段差が無いため、効果的にパーティクルをレチクルRの裏面から除去することができるからである。
また、パーティクル吸着ステージ70のレチクル装着面は、粘着性材料または弾性材料で形成されていてもよい。例えば、パーティクル吸着ステージ70のレチクル装着面は、ポリマからなる絶縁膜で形成されていてもよい。これにより、レチクルRの裏面にあるパーティクルは、パーティクル吸着ステージ70の粘着性材料に付着する。あるいは、レチクルRの裏面にあるパーティクルは、パーティクル吸着ステージ70の弾性材料に埋め込まれ、除去される。尚、レチクルRは、レチクル搬送アーム8によってパーティクル吸着ステージ70上に一時的に装着された後、レチクルステージ7に装着される。従って、パーティクル吸着ステージ70の粘着性材料の粘着力は、パーティクルを捕捉し、尚かつ、電磁チャック79が作動していないときにはレチクルRが自重でパーティクル吸着ステージ70から離脱可能なように或る程度低く抑制されている必要がある。尚、レチクルステージ7およびパーティクル吸着ステージ70は、それぞれ、それらの裏面側に電磁チャック9、79を備え、それらの裏面側にレチクルRを装着する。
さらに、パーティクル吸着ステージ70のレチクル装着面は、分割されておらず、単一形成されており、段差が無いことが好ましい。即ち、パーティクル吸着ステージ70は、フルフラットステージであることが好ましい。これにより、パーティクル吸着ステージ70のレチクル装着面は、レチクルRの裏面全体に接触し、レチクルRの裏面全体のパーティクルを捕捉することができる。
パーティクルル吸着ステージ70はレチクルステージ7と同様に可動であってもよく、あるいは、真空チャンバ1に対して固定されていてもよい。
レチクル搬送アーム8は、ロードロックチャンバ13からレチクルRを真空チャンバ1内へ搬入し、そのレチクルRをパーティクル吸着ステージ70へ搬送する。パーティクル吸着ステージ70においてレチクルRの裏面のパーティクルを除去した後、レチクル搬送アーム8は、レチクルRをレチクルステージ7へ搬送する。
ロードロックチャンバ13は、レチクル交換室14と真空チャンバ1との間でレチクルRの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ13の内部は、真空装置26によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ13の両側にはゲート弁16、17が設けられている。ロードロックチャンバ13がレチクルRをレチクル交換室14から受け取るとき、ゲート弁16が閉鎖され、ゲート弁17が開放される。このとき、ロードロックチャンバ13の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ13がレチクルRを真空チャンバ1へ搬入するときには、ゲート弁17は閉鎖され、ゲート弁16が開放される。ゲート弁17を閉じた後、ゲート弁16を開放する前に、ロードロックチャンバ13の内部は真空装置26によって真空状態にされる。
レチクル交換室14は、複数のレチクルRを収納している。レチクル搬送アーム15は、レチクル交換室14とロードロックチャンバ13との間においてレチクルRの受け渡しを行なう。
ウェハ搬送アーム11は、ロードロックチャンバ18から半導体基板Wを真空チャンバ1内へ搬入し、その半導体基板Wをウェハステージ10上に搭載する。
ロードロックチャンバ18は、ウェハ交換室19と真空チャンバ1との間で半導体基板Wの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ18の内部は、真空装置27によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ18の両側にはゲート弁21、22が設けられている。ロードロックチャンバ18が半導体基板Wをウェハ交換室19から受け取るとき、ゲート弁21が閉鎖され、ゲート弁22が開放される。このとき、ロードロックチャンバ18の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ18が半導体基板Wを真空チャンバ1へ搬入するときには、ゲート弁22は閉鎖され、ゲート弁21が開放される。ゲート弁22を閉じた後、ゲート弁21を開放する前に、ロードロックチャンバ18の内部は真空装置27によって真空状態にされる。
ウェハ交換室19は、複数の半導体基板Wを収納している。ウェハ搬送アーム20は、ウェハ交換室19とロードロックチャンバ18との間においてレチクルRの受け渡しを行なう。
EUV光源32は、EUV光を生成し、光学系4へEUV光を供給する。光学系4は、レチクルステージ7に装着されたレチクルRに形成された回路パターンを、ウェハステージ10上に搭載された半導体基板Wへ露光転写する。露光時に、光学系4は、EUV光をレチクルRへ照射し、レチクルRで反射した露光光で半導体基板Wを露光する。即ち、光学系4は、レチクルRの照明および半導体基板Wへの投影を行なう。半導体基板Wの表面には、感光性材料(例えば、レジスト)が予め塗布されており、露光光(EUV光)は、半導体基板W上の感光性材料を感光させる。露光は、レチクルステージ7およびウェハステージ10を走査方向に走査させながら実行される。
コントローラ23は、パーティクル吸着ステージ70、レチクルステージ7、ウェハステージ10等のEUV露光装置100の各構成要素の動作を制御する。例えば、コントローラ23は、レーザ干渉計の計測結果およびフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づきマスク位置を制御する。
本実施形態によるEUV露光装置100は、レチクルRを装着する複数のステージ(レチクルステージ7およびパーティクル吸着ステージ70)を備えている。これにより、パーティクル吸着ステージ70においてレチクルRの裏面のパーティクルが除去されるので、レチクルステージ7に装着されるレチクルRは、歪みが少なくなる。レチクルRの歪みが少なくなることによって、フォーカスずれやオーバーレイ誤差等が低減する。
また、単極方式の電磁チャックは双極方式の電磁チャックよりも吸着力が強い。従って、電磁チャック79が単極方式の電磁チャックである場合、レチクルRの裏面のパーティクルがパーティクル吸着ステージ70に吸着されるだけでなく、パーティクル吸着ステージ70とレチクルRとの間で押しつぶされ得る。従って、レチクルRの裏面にパーティクルが残存していても、レチクルステージ7に装着されたときに、レチクルRの歪みが少なくなるという効果も有する。
上記実施形態において、パーティクル吸着ステージ70は、真空チャンバ1の内部に設けられている。この場合、パーティクル吸着ステージ70は、レチクルRを真空チャンバ1内に搬入したときに付着したパーティクルを捕捉することができる点で好ましい。しかし、パーティクル吸着ステージ70は、真空チャンバ1の外部に設けられていてもよい。例えば、パーティクル吸着ステージ70は、ロードロックチャンバ18またはレチクル交換室14内に設けられていてもよい。この場合、パーティクル吸着ステージ70を清掃し易いという利点がある。パーティクル吸着ステージ70がロードロックチャンバ18内に設けられた場合、パーティクル吸着ステージ70は、レチクルRをレチクル搬送アーム15から受け取り、パーティクルを捕捉した後に、レチクルRをレチクル搬送アーム8へ受け渡す。これにより、レチクルRのスムーズな搬送が可能になる。
さらに、パーティクル吸着ステージ70は、真空チャンバ1とレチクル交換室14との間でレチクルRを搬送する機能を兼ね備えてもよい。換言すると、レチクル搬送アーム8または15がパーティクル吸着ステージとしての機能を備えていてもよい。この場合、パーティクル吸着ステージ70を清掃し易いという利点とともに、EUV露光装置100の構成が簡単になり、コストも低減する。
図2は、第1の実施形態によるEUV露光装置100を用いた露光方法を示すフロー図である。まず、レチクル搬送アーム8は、露光に用いるレチクルRをパーティクル吸着ステージ70へ搬送する(S10)。パーティクル吸着ステージ70は、電磁チャック79によってレチクルRを一時的に装着し、それにより、レチクルRの裏面にあるパーティクルを吸着する(S20)。あるいは、パーティクル吸着ステージ70は、レチクルRの裏面にあるパーティクルを押しつぶす。
次に、レチクル搬送アーム8は、レチクルRをパーティクル吸着ステージ70からレチクルステージ7へ搬送する(S30)。レチクルステージ7は、レチクルRを装着する(S40)。
その後、光学系4がレチクルRを用いて半導体基板Wの表面を露光する(S50)。
これにより、上述の通り、EUV露光装置100は、レチクルRの歪みが少なくなり、フォーカスずれやオーバーレイ誤差等の露光エラーが低減する。
(第2の実施形態)
図3は、第2の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。第2の実施形態によるEUV露光装置100は、複数のレチクルステージを備え、それぞれのレチクルステージが真空チャンバ1内においてレチクルRを用いて半導体基板Wを露光するために用いられる。図1に示すレチクルステージ7、70が複数のレチクルステージとして第2の実施形態を説明する。
図3は、第2の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。第2の実施形態によるEUV露光装置100は、複数のレチクルステージを備え、それぞれのレチクルステージが真空チャンバ1内においてレチクルRを用いて半導体基板Wを露光するために用いられる。図1に示すレチクルステージ7、70が複数のレチクルステージとして第2の実施形態を説明する。
複数のレチクルステージ7、70は、それぞれ、真空チャンバ1内においてレチクルRを装着した状態で露光に用いられた後に、レチクルRを搭載したまま真空チャンバ1の外部に搬送される。即ち、レチクルステージ7、70自体がレチクルRと一体となって真空チャンバ1の外部(例えば、レチクル交換室14)へ移動する。この場合、レチクル搬送アーム8は不要である。レチクルステージ7、70自体を真空チャンバ1の外部へ移動させる機構は、所謂、デュアルステージ型露光装置のウェハステージをレチクルRに適用すれば実現可能である。
複数のレチクルステージ7、70のうち第1のレチクルステージ7が真空チャンバ1内において半導体基板Wを露光するために用いられている間、複数のレチクルステージ7、70のうち第2のレチクルステージ70は、真空チャンバ1の外部において清掃され、次の露光に用いられるレチクルRを装着する。第1のレチクルステージ7を用いた露光が終了した後、第1のレチクルステージ7が真空チャンバ1の外部へ移動し、次のレチクルRを装着した第2のレチクルステージ70が真空チャンバ1内へ移動する。そして、第2のレチクルステージ70を用いて次の露光が実行される。第2のレチクルステージ70が真空チャンバ1内において半導体基板Wを露光するために用いられている間、第1のレチクルステージ7は、真空チャンバ1の外部において清掃され、次の露光に用いられるレチクルRを装着する。このように、第2の実施形態では、複数のレチクルステージ7、70は、各々、同一の機能を有しており、真空チャンバ1内における露光と、真空チャンバ1外における清掃およびレチクル交換とを交互に繰り返す。
第2の実施形態によれば、各レチクルステージ7、70が真空チャンバ1の外部に移動可能であるので、真空チャンバ1の真空状態を維持したままレチクルステージ7、70の清掃を簡単に行うことができる。
また、レチクルステージ7、70は、それぞれレチクルRを装着した状態で真空チャンバ1内へ移動する。従って、レチクルRを真空チャンバ1内へ搬送するときにレチクルRの裏面にパーティクルが付着し難い。
その結果、第2の実施形態は、第1の実施形態と同様に、レチクルに付着した異物あるいはレチクルステージに付着した異物を効果的に低減することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100・・・EUV露光装置、1・・・真空チャンバ、70・・・パーティクル吸着ステージ(またはレチクルステージ)、7・・・レチクルステージ、10・・・ウェハステージ、9、12・・・電磁チャック、4・・・光学系、8・・・レチクル搬送アーム、11・・・ウェハ搬送アーム、23・・・コントローラ、24・・・真空装置
Claims (7)
- 真空チャンバと、
レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する第1のステージと、
前記真空チャンバ内において前記レチクルを用いて半導体基板を露光するために該レチクルを装着する第2のステージと、
前記第2のステージに装着された前記レチクルを用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備え、
前記第1のステージのレチクル装着面は、粘着性材料または弾性材料で形成されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 真空チャンバと、
レチクルの裏面にある異物を吸着するために該レチクルを一時的に装着する第1のステージと、
前記真空チャンバ内において前記レチクルを用いて半導体基板を露光するために前記第1のステージに装着した後の前記レチクルを装着する第2のステージと、
前記第2のステージに装着された前記レチクルを用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備えた半導体製造装置。 - 前記第1のステージのレチクル装着面は、ポリマからなる絶縁膜で形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記第1および第2のステージは、それぞれ前記レチクルを装着する静電チャックを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。
- 前記第1のステージは、単極方式の静電チャックを含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内においてレチクルを用いて半導体基板を露光するために、前記レチクルを装着可能な複数のステージと、
前記複数のステージに装着された前記レチクルを用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備え、
前記複数のステージのそれぞれは、前記真空チャンバ内において前記レチクルを装着して露光に用いられた後に、前記レチクルを搭載したまま前記真空チャンバの外部に搬送されることを特徴とする半導体製造装置。 - 真空チャンバと、レチクルを装着可能な複数のステージと、前記レチクルを用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備えた半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記レチクルを前記複数のステージのうち第1のステージに一時的に装着することによって前記第1のステージが該レチクルの裏面にある異物を吸着し、
前記第1のステージに装着した後に、前記レチクルを前記複数のステージのうち第2のステージに装着し、
前記レチクルを用いて半導体基板の表面を露光することを具備した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013031327A JP2014160778A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US14/019,773 US20140232998A1 (en) | 2013-02-20 | 2013-09-06 | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013031327A JP2014160778A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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---|---|
JP2014160778A true JP2014160778A (ja) | 2014-09-04 |
Family
ID=51350944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013031327A Pending JP2014160778A (ja) | 2013-02-20 | 2013-02-20 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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US (1) | US20140232998A1 (ja) |
JP (1) | JP2014160778A (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140232998A1 (en) | 2014-08-21 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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