KR101348873B1 - 노광 제어 장치 및 노광 제어 방법 - Google Patents

노광 제어 장치 및 노광 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 관한 노광 제어 장치는, 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 상기 포토마스크를 유지하는 척의 위치가, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지했을 때에 겹치는지 여부를 판정하는 겹침 판정부와, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는 노광 결정부를 구비한다.

Description

노광 제어 장치 및 노광 제어 방법{EXPOSURE CONTROL SYSTEM AND EXPOSURE CONTROL METHOD}
<관련 출원>
본 출원은 2010년 6월 29일 출원된 일본 특허 출원 번호 제2010-148123호에 기초한 것으로 그 우선권을 주장하며, 그 전체 내용이 참조로서 본 명세서에 원용된다.
본 발명은 노광 제어 시스템 및 노광 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 미세화에 대응하기 위해서, EUV(extreme ultraviolet) 광을 사용한 반사형 노광이 제안되고 있다.
이 EUV 반사형 노광은 진공 챔버 내에서 행해지기 때문에, 정전 척(electrostatic chuck)에 의해 포토마스크를 유지한다. 정전 척의 재료에는 통상, 세라믹이 사용된다. 그로 인해, 정전 척으로부터 이탈한 세라믹 입자가 포토마스크의 이면에 부착되는 경우가 있다. 또한, 포토마스크 등의 반송시에 더스트 등이 포토마스크의 이면에 부착되는 경우가 있다. 이와 같이 마스크의 이면에 이물질이 부착된 결과, 적정한 노광을 행할 수 없는 우려가 있다.
본 발명에 따르면, 노광 제어 장치는 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 상기 포토마스크를 유지하는 척의 위치가, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지했을 때에 겹치는지 아닌지를 판정하는 겹침 판정부와, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는 노광 결정부를 구비한다.
본 실시 형태에서는, 세정 횟수를 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 제1 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 것으로, 이물질의 위치와 척 핀의 위치의 관계를 도시한 도면이다.
도 4는 제2 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 5는 제2 실시 형태에 관한 노광 판정부의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 6은 제2 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 제3 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 8은 제3 실시 형태에 관한 것으로, 이물질의 위치와 척 핀의 위치의 관계를 도시한 도면이다.
도 9는 제3 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다.
도 10은 제4 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 11은 제4 실시 형태에 관한 노광 판정부의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 12는 제4 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다.
이하, 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.
(실시 형태1)
도 1은 제1 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다. 본 시스템은 EUV 반사형 노광용 시스템이다.
본 노광 제어 시스템은 통상의 노광 시스템(노광 장치)과 같은 기본적인 구성을 구비하고 있지만, 통상의 노광 시스템에는 없는 특유의 구성을 더 구비하고 있다.
정전 척(12)은 EUV 반사형 노광용 포토마스크를 유지하는 것이다. 정전 척(12)의 척 핀의 재료에는 세라믹이 사용된다.
이물질(foreign matter) 검출부(unit:14)는 포토마스크의 이면에 부착된 이물질을 검출하는 것이다. 이물질 검출부(14)는 이물질에 관한 다양한 정보를 검출한다. 구체적으로는, 이물질의 위치, 이물질의 크기, 이물질의 조성(이물질의 종류) 등을 검출한다.
이물질 위치 정보 기억부(16)는 이물질 검출부(14)에서 검출된 이물질의 위치 정보를 기억하는 것이다. 이물질 크기/조성 정보 기억부(18)는 이물질 검출부(14)에서 검출된 이물질의 크기 정보 및 조성 정보를 기억하는 것이다. 척 위치 정보 기억부(20)는, 정전 척(12)의 척 핀의 위치 정보를 기억하는 것이다.
겹침(overlap) 판정부(22)는, 이물질 위치 정보 기억부(16)에 기억된 이물질의 위치 정보와 척 위치 정보 기억부(20)에 기억된 척 핀의 위치 정보에 기초하여, 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 척 핀의 위치가, 포토마스크를 척에 의해 유지했을 때에 겹치는지 여부를 판정한다. 즉, 포토마스크를 척에 의해 유지했을 때, 포토마스크의 이면에 부착된 이물질이 척 핀에 접촉하는지의 여부를 판정한다.
노광 결정부(24)는 포토마스크를 척에 의해 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는 것이다. 본 실시 형태에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 포토마스크를 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정한다.
세정(cleaning) 결정부(26)는 이물질의 위치와 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 이물질을 제거하기 위해서 포토마스크를 세정하는 것을 결정하는 것이다.
노광부(28)는 노광 결정부(24)에서 노광을 행하는 것이 결정된 경우에 노광을 행하는 것이다. 이 노광부(28)에서는, EUV 광에 의해 반사형 노광이 행해지고, 반도체 기판(반도체 웨이퍼) 상의 포토레지스트에 포토마스크 상의 패턴이 전사된다.
도 2는 본 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다.
우선, 노광 시스템(노광 장치) 내에 포토마스크를 반입하고, 이물질 검출부(14)에 의해 포토마스크의 이면을 검사한다(S11). 포토마스크의 이면에 이물질이 검출된 경우에는(S12), 이물질 관찰을 행한다(S13). 이에 의해, 이물질의 위치 정보, 이물질의 크기 정보 및 이물질의 조성 정보를 취득한다. 이물질의 위치 정보는 이물질 위치 정보 기억부(16)에 기억된다(S14). 이물질의 크기 정보 및 이물질의 조성 정보는 이물질 크기/조성 정보 기억부(18)에 기억된다(S15). 정전 척(12)의 척 핀의 위치 정보는 미리 취득되어 있고, 척 위치 정보 기억부(20)에 기억되어 있다(S16).
다음으로, 겹침 판정부(22)에 의해, 이물질 위치 정보 기억부(16)에 기억된 이물질의 위치 정보와 척 위치 정보 기억부(20)에 기억된 척 핀의 위치 정보에 기초하여, 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 척 핀의 위치가, 포토마스크를 척에 의해 유지했을 때에 겹치는지 여부가 판정된다(S17).
포토마스크의 이면에 이물질이 부착되어 있지 않다고 판정된 경우 및 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해 노광을 행하는 것이 결정된다(S18). 이 경우에는 노광부(28)에 의해 노광이 실행된다. 즉, EUV 광에 의해 반사형 노광이 행해지고, 반도체 기판(반도체 웨이퍼) 상의 포토레지스트에 포토마스크 상의 패턴이 전사(transfer) 된다(S19).
이물질의 위치와 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 이물질을 제거하기 위해서 포토마스크를 세정하는 것이 결정되고, 포토마스크 이면의 세정이 실행된다(S20). 즉, 도 3에 도시한 바와 같이, 이물질(106)의 위치와 척 핀(102)의 위치가 겹치면, 포토마스크(104)가 경사져버리기 때문에, 적정한 노광(적정한 패턴 전사)을 행할 수 없게 될 우려가 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는 포토마스크를 세정해서 이물질을 제거한다.
세정을 행한 후, 다시, 노광 시스템(노광 장치) 내에 포토마스크를 반입하고, 이물질 검출부(14)에 의해 포토마스크의 이면을 검사한다.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 포토마스크를 유지하는 척(척 핀)의 위치가 겹치는지 여부를 판정한다. 그리고, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 노광을 행하는 것을 결정한다. 반사형 포토마스크에서는, 패턴 형성면과 반대의 면(이면)에 이물질이 부착되어 있어도 노광에 영향을 주지 않기 때문에, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않으면, 적정한 노광(적정한 패턴 전사)을 행하는 것이 가능하다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치는 경우에만 세정을 행하면 되기 때문에, 세정 횟수를 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(실시 형태2)
도 4는 제2 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다. 또한, 기본적인 구성은 도 1에 나타낸 제1 실시 형태의 구성과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 도 1의 구성 외에 노광 판정부(30)가 더 설치되어 있다. 이 노광 판정부(30)에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친 상태에서 노광 가능한지의 여부를 판정한다. 그리고, 노광 결정부(24)에서는, 노광 판정부(30)에서 노광 가능하다고 판정된 경우에, 포토마스크를 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정한다. 노광 판정부(30)에서 노광 가능하다고 판정되지 않은 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 포토마스크를 세정하는 것이 결정된다.
도 5는 본 실시 형태의 노광 판정부(30)의 구성을 나타낸 블록도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 노광 판정부(30)는 포토마스크의 표면의 이상(理想) 평면으로부터의 어긋남을 산출하는 어긋남 산출부(32)와, 산출된 어긋남이 소정의 조건을 만족하는지 여부를 판정하는 어긋남 판정부(34)를 구비하고 있다. 이하, 설명을 첨가한다.
어긋남 산출부(32)에서는, 이물질 위치 정보 기억부(16)에 기억된 이물질의 위치 정보, 및 이물질 크기/조성 정보 기억부(18)에 기억된 이물질의 크기/조성 정보에 기초하여, 이물질에 기인하는 포토마스크의 경사를 산출한다. 즉, 포토마스크를 정전 척에 의해 유지했을 때, 포토마스크의 이면에 부착된 이물질이 척 핀과 겹친 경우에는, 포토마스크와 척 핀에 의해 끼워져 있었던 이물질에 의해 포토마스크가 경사지기 때문에, 그 경사각을 산출한다. 이물질에 의해 포토마스크가 경사지고, 포토마스크의 표면(패턴 형성면)에 요철이 발생하면, 포토마스크 표면의 이상 평면과 실제의 포토마스크 표면 사이에 어긋남이 발생한다. 그 결과, 반도체 기판(반도체 웨이퍼)의 표면에서는, 포커스 어긋남이 발생하거나, 패턴 위치가 시프트하거나 한다. 그러나, 어긋남 산출부(32)에 의해 산출된 어긋남이 작고, 소정의 허용 범위에 들어가 있으면, 이물질이 부착된 상태(이물질과 척 핀이 접촉한 상태)에서 노광을 행해도, 원하는 리소그래피 조건을 만족하는 것이 가능하다. 따라서, 어긋남 산출부(32)에서 산출된 어긋남이 소정의 조건을 만족하고 있는지 여부(소정의 허용 범위에 들어가 있는지 여부)를 어긋남 판정부(34)에서 판정한다. 소정의 조건을 만족하고 있다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해, 이물질이 부착된 상태(이물질과 척 핀이 접촉한 상태)에서 노광을 행하는 것이 결정된다. 소정의 조건을 만족하지 않고 있다고 판정된 경우에는, 원하는 리소그래피 조건을 만족할 수 없기 때문에, 세정 결정부(26)에 의해 세정을 행하는 것이 결정된다.
도 6은 본 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다. 또한, 기본적인 동작은 도 2에 도시한 제1 실시 형태의 동작과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 노광 판정부(30)에 의해, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친 상태에서 노광 가능한지 여부가 판정된다(S21). 구체적으로는, 상술한 바와 같이, 포토마스크의 표면의 이상 평면으로부터의 어긋남이 어긋남 산출부(32)에서 산출되고, 산출된 어긋남이 소정의 조건을 만족하고 있는지 여부는 어긋남 판정부(34)에서 판정된다. 그리고, 소정의 조건을 만족하고 있다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해 이물질이 부착된 상태에서 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19). 소정의 조건을 만족하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 세정을 행하는 것이 결정되어, 세정이 실행된다(S20). 또한, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 노광 결정부(24)에 의해 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19).
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정되기 때문에, 세정 횟수를 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우라도, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹친 상태에서 노광 가능하다고 판단된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정된다. 따라서, 세정 횟수를 더 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(실시 형태3)
도 7은 제3 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다. 또한, 기본적인 구성은 도 1에 나타낸 제1 실시 형태의 구성과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 도 1의 구성 외에 노광 판정부(40)가 더 설치되어 있다. 이 노광 판정부(40)에서는 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 이물질의 위치와 척 핀의 위치를 상대적으로 시프트시킨 상태에서 노광 가능한지 여부를 판정한다. 그리고, 노광 결정부(24)에서는, 노광 판정부(40)에서 노광 가능하다고 판정된 경우에, 포토마스크를 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정한다. 노광 판정부(40)에서 노광 가능하다고 판정 되지 않은 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 포토마스크를 세정하는 것이 결정된다. 이하, 본 실시 형태의 노광 판정부(40)에 대해서 설명을 첨가한다.
노광 판정부(40)에서는, 이물질 위치 정보 기억부(16)에 기억된 이물질의 위치 정보 및 척 위치 정보 기억부(20)에 기억된 척 핀의 위치 정보에 기초하여, 이물질의 위치와 척 핀의 위치를 상대적으로 시프트시킴으로써 노광 가능하게 될 것인지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 도 8에 도시한 바와 같이, 포토마스크(104)의 위치와 척 핀(102)의 위치를 상대적으로 시프트시켜서, 이물질(106)의 위치와 척 핀(102)의 위치가 겹치지 않도록 한다. 그리고, 그러한 상태에서 노광을 행했을 때, 소정의 리소그래피 조건을 만족하고 있다고 판정된 경우, 즉 적정한 노광(적정한 패턴 전사)을 행할 수 있다고 판단된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정된다.
도 9는 본 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다. 또한, 기본적인 동작은 도 2에 도시한 제1 실시 형태의 동작과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 포토마스크의 위치를 시프트한다(S22). 구체적으로는, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않도록, 포토마스크의 위치를 시프트시킨다. 그리고, 노광 판정부(40)에 의해, 이물질의 위치와 척 핀의 위치를 상대적으로 시프트시킨 상태에서 노광 가능한지의 여부가 판정된다(S23). 노광 가능하다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해, 포토마스크의 위치를 시프트한 상태에서 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19). 즉, 이물질이 부착된 상태에서 노광을 행하는 것이 결정되어, 노광이 실행된다. 노광시에는 포토마스크의 시프트량이 출력되고, 출력된 시프트량만큼 포토마스크를 시프트시킨 상태에서 노광이 행해진다. 소정의 조건을 만족하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 세정을 행하는 것이 결정되어, 세정이 실행된다(S20). 또한, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 노광 결정부(24)에 의해 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19).
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정되기 때문에, 세정 횟수를 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에도, 이물질의 위치와 척 핀의 위치를 상대적으로 시프트시킨 상태에서 노광 가능하다고 판단된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정된다. 따라서, 세정 횟수를 더 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않도록 포토마스크의 위치를 시프트시키도록 했지만, 적정한 노광(적정한 패턴 전사)을 행하는 것이 가능하면, 시프트 후에 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹쳐 있어도 좋다.
(실시 형태4)
도 10은 제4 실시 형태에 관한 노광 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도이다. 또한, 기본적인 구성은 도 1에 나타낸 제1 실시 형태의 구성과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 도 1의 구성 외에 노광 판정부(50)가 더 설치되어 있다. 이 노광 판정부(50)에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친 상태에서도, 포토마스크의 레벨링 조정에 의해 노광 가능하게 될 것인지를 판정한다. 그리고, 노광 결정부(24)에서는, 노광 판정부(50)에서 노광 가능하다고 판정된 경우에, 포토마스크를 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정한다. 노광 판정부(50)에서 노광 가능하다고 판정되지 않은 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 포토마스크를 세정하는 것이 결정된다. 이하, 본 실시 형태의 노광 판정부(50)에 대해서 설명을 첨가한다.
도 11은 본 실시 형태의 노광 판정부(50)의 구성을 나타낸 블록도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 노광 판정부(50)는 포토마스크를 경사지게 해서 레벨링을 조정한 상태를 상정하는 레벨링(leveling) 조정부(52)와, 포토마스크의 표면의 이상 평면으로부터의 어긋남을 산출하는 어긋남 산출부(54)와, 산출된 어긋남이 소정의 조건을 만족하고 있는지 여부를 판정하는 어긋남 판정부(56)를 구비하고 있다.
레벨링 조정부(52)에서는, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치는 경우에, 포토마스크의 레벨링을 조정한 상태를 상정한다. 어긋남 산출부(54)에서는, 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친 상태에서 포토마스크를 경사지게 해서 레벨링 조정을 했을 때의, 포토마스크 표면(패턴 형성면)의 이상 평면과 레벨링 조정된 포토마스크 표면 사이의 어긋남을 산출한다. 어긋남 판정부(56)에서는, 어긋남 산출부(54)에서 산출된 어긋남이 소정의 조건을 만족하고 있는지 여부(소정의 허용 범위에 들어가 있는지 여부)를 판정한다. 소정의 조건을 만족하고 있다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해, 레벨링 조정한 상태에서 또한 이물질이 부착된 상태(이물질과 척 핀이 접촉한 상태)에서 노광을 행하는 것이 결정된다. 실제로는, 상술한 어긋남이 최소가 되도록 레벨링 조정을 행하는 것이 바람직하다. 소정의 조건을 만족하지 않고 있다고 판정된 경우에는, 원하는 리소그래피 조건을 만족할 수 없기 때문에, 세정 결정부(26)에 의해 세정을 행하는 것이 결정된다.
도 12는 본 실시 형태의 노광 제어 방법의 동작을 나타낸 흐름도이다. 또한, 기본적인 동작은 도 2에 도시한 제1 실시 형태의 동작과 마찬가지이기 때문에, 제1 실시 형태에서 나타낸 사항에 관한 설명은 생략한다.
본 실시 형태에서는, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 포토마스크를 경사지게 해서 레벨링 조정을 행한 상태를 상정한다(S24). 그리고, 레벨링 조정된 상태에서 노광 가능한지의 여부가 판정된다(S25). 노광 가능하다고 판정된 경우에는, 노광 결정부(24)에 의해, 포토마스크를 레벨링 조정한 상태에서 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19). 즉, 이물질이 부착된 상태에서 노광을 행하는 것이 결정되어, 노광이 실행된다. 노광시에는 포토마스크의 경사각이 출력되고, 출력된 경사각만큼 포토마스크를 경사지게 한 상태에서 노광이 행해진다. 소정의 조건을 만족하지 않고 있다고 판정된 경우에는, 세정 결정부(26)에 의해 세정을 행하는 것이 결정되어, 세정이 실행된다(S20). 또한, 겹침 판정부(22)에 의해 이물질의 위치와 척 핀의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 노광 결정부(24)에 의해 노광을 행하는 것이 결정되고(S18), 노광이 실행된다(S19).
이상과 같이, 본 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에는, 노광을 행하는 것이 결정되기 때문에, 세정 횟수를 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이물질의 위치와 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에도, 포토마스크의 레벨링 조정을 행한 상태에서 노광 가능하다고 판단된 경우에는 노광을 행하는 것이 결정된다. 따라서, 세정 횟수를 더 저감할 수 있고, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 처리량을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 제1 내지 제4 실시 형태에서는, 이물질 검출부(14)가 노광 제어 시스템 즉, 노광 시스템(노광 장치)에 내장되어 있을 경우를 상정해서 설명했지만, 이물질 검출부(14)는 반드시 노광 제어 시스템에 내장되어 있지 않아도 좋다.
이상과 같이, 상술한 실시 형태에 따르면, 적정한 노광을 행하는 것이 가능한 노광 제어 시스템 및 노광 제어 방법을 제공할 수 있다.
특정 실시 형태들을 설명하였지만, 이들 실시 형태들은 예로서 제시된 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하는 것을 의도하지 않는다. 오히려, 본 명세서에 설명된 신규한 실시 형태들은 본 발명의 요지를 벗어남 없이 다양한 다른 형태로 실시될 수 있고, 또한 본 명세서에 설명되는 실시 형태들의 다양한 생략, 치환 및 변경의 형태로 이루어질 수 있다. 첨부한 특허청구범위와 그의 균등물이 본 발명의 범위 및 요지 내에 있는 한, 상기의 형태 및 변형들을 커버한다는 것을 의도한다.

Claims (18)

  1. 노광 제어 장치로서,
    포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 상기 포토마스크를 유지하는 척의 위치가, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지했을 때에 겹치는지 여부를 판정하는 겹침 판정부와,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는 노광 결정부를 구비하는, 노광 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 세정하는 것을 결정하는 세정 결정부를 더 구비하는, 노광 제어 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친 상태에서 노광 가능한지 여부를 판정하는 노광 판정부를 더 구비하고,
    상기 노광 결정부는 상기 노광 판정부에서 노광 가능하다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는, 노광 제어 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노광 판정부는 상기 포토마스크의 표면의 이상(理想) 평면으로부터의 어긋남을 산출하는 어긋남 산출부와,
    상기 산출된 어긋남이 미리 결정된 조건을 만족하고 있는지 여부를 판정하는 어긋남 판정부
    를 구비하는, 노광 제어 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 어긋남 산출부는 상기 포토마스크를 경사지게 했을 때의 상기 포토마스크의 표면의 이상 평면으로부터의 어긋남을 산출하는, 노광 제어 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치를 상대적으로 시프트시킨 상태에서 노광 가능한지 여부를 판정하는 노광 판정부를 더 구비하고,
    상기 노광 결정부는 상기 노광 판정부에서 노광 가능하다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는, 노광 제어 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치를 검출하는 이물질 위치 검출부를 더 구비하는, 노광 제어 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 포토마스크는 반사형의 포토마스크인, 노광 제어 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 척은 정전 척인, 노광 제어 장치.
  10. 노광 제어 방법으로서,
    포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치와 상기 포토마스크를 유지하는 척의 위치가, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지했을 때에 겹치는지 여부를 판정하는 것과,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹치지 않는다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는 것
    을 구비하는, 노광 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 세정하는 것을 결정하는 것을 더 구비하는, 노광 제어 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친 상태에서 노광 가능한지 여부를 판정하는 것을 더 구비하고,
    노광 가능하다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는, 노광 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 노광 가능한지의 여부를 판정하는 것은, 상기 포토마스크의 표면의 이상 평면으로부터의 어긋남을 산출하는 것과,
    상기 산출된 어긋남이 미리 결정된 조건을 만족하고 있는지 여부를 판정하는 것
    을 구비하는, 노광 제어 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 어긋남을 산출하는 것은, 상기 포토마스크를 경사지게 했을 때의 상기 포토마스크의 표면의 이상 평면으로부터의 어긋남을 산출하는 것을 포함하는, 노광 제어 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치가 겹친다고 판정된 경우에, 상기 이물질의 위치와 상기 척의 위치를 상대적으로 시프트시킨 상태에서 노광 가능한지 여부를 판정하는 것을 더 구비하고,
    노광 가능하다고 판정된 경우에, 상기 포토마스크를 상기 척으로 유지해서 노광을 행하는 것을 결정하는, 노광 제어 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 포토마스크의 이면에 부착된 이물질의 위치를 검출하는 것을 더 구비하는, 노광 제어 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 포토마스크는 반사형의 포토마스크인, 노광 제어 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 척은 정전 척인, 노광 제어 방법.
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