JP5956938B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5956938B2 JP5956938B2 JP2013023355A JP2013023355A JP5956938B2 JP 5956938 B2 JP5956938 B2 JP 5956938B2 JP 2013023355 A JP2013023355 A JP 2013023355A JP 2013023355 A JP2013023355 A JP 2013023355A JP 5956938 B2 JP5956938 B2 JP 5956938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- semiconductor
- distorted
- exposure
- correction value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図1Aは、第1の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。EUV露光装置100は、真空チャンバ1と、レチクルステージ7と、ウェハステージ10と、電磁チャック9、12と、露光部としての光学系4と、レチクル搬送アーム8と、ウェハ搬送アーム11と、演算部としての演算制御部23と、真空装置24とを備えている。
dy=dz×tanθy (式1)
dy=dz×tanθx (式2)
尚、角度θxは、格子点Aを通るX軸方向の断面において、半導体基板Wの平坦面PLと格子点Aにおいて半導体基板Wの歪んだ表面に接する面との成す角度である。このように、演算制御部23は、補正値(dx、dy)を算出することができる。
dx=k1+k3x+k5y+(k7x2+k9xy・・・) (式3)
dy=k2+k4y+k6x+(k8y2+k10yx・・・) (式4)
k1、k2: Shift計数
k3、k4: Magnification計数
k5、k6: Rotation計数
尚、式3および式4のカッコ内は高次補正を表す。
図8は、第2の実施形態に従ったEUV露光方法を示すフロー図である。第2の実施形態では、ウェハステージ10上にあるパーティクルPと半導体基板Wの裏面に付着したパーティクルPとを区別する。そして、パーティクルPがウェハステージ10上にある場合に、露光ショットを補正する。第2の実施形態によるEUV露光装置の構成は、第1の実施形態によるEUV露光装置100の構成と同様でよい。
歪みの位置が半導体基板W1およびW2においてほぼ対応している場合(S61のYES)、演算制御部23は、パーティクルPがウェハステージ10上に付着していると判断する(S71)。この場合、EUV露光装置100は、二枚目の半導体基板W2の露光時に露光ショットの形状を補正する(S73)。即ち、EUV露光装置100は、半導体基板W2ついて図7に示すステップS30〜S45を実行する。
Claims (2)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内において半導体基板を搭載するステージと、
前記半導体基板を前記ステージ上に固定する静電チャックと、
前記静電チャックによって前記ステージ上に固定された前記半導体基板の表面の高さを検出するセンサと、
前記半導体基板の表面の高さに基づいて該半導体基板の表面に歪みがあるか否かを判断し、該半導体基板の表面に歪みがある場合に該半導体基板の表面の高さに基づいて該半導体基板の表面に露光されるパターンの補正値を計算する演算部と、
前記補正値を用いて前記半導体基板の表面を露光する露光部とを備え、
前記露光部は、複数の前記半導体基板において共通の位置に歪みがある場合に前記補正値を用いて前記半導体基板の表面を露光し、複数の前記半導体基板において歪みの位置が異なる場合には前記補正値を用いずに前記半導体基板の表面を露光する、半導体製造装置。 - 前記半導体基板の歪んだ表面上の或る座標点(x、y)の前記補正値(dx、dy)は、前記半導体基板の平坦な表面に対する前記座標点(x、y)の高さをdzとし、x軸方向の断面において前記半導体基板の平坦な表面と前記半導体基板の歪んだ表面に接する面との成す角をθxとし、y軸方向の断面において前記半導体基板の平坦な表面と前記半導体基板の歪んだ表面に接する面との成す角をθyとした場合に、
dx=dz×tanθx
dy=dz×tanθy
と表されることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013023355A JP5956938B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US13/964,337 US9209052B2 (en) | 2013-02-08 | 2013-08-12 | Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method using substrate distortion correction |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013023355A JP5956938B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014154710A JP2014154710A (ja) | 2014-08-25 |
JP5956938B2 true JP5956938B2 (ja) | 2016-07-27 |
Family
ID=51297702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013023355A Active JP5956938B2 (ja) | 2013-02-08 | 2013-02-08 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9209052B2 (ja) |
JP (1) | JP5956938B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200090488A (ko) | 2019-01-21 | 2020-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
CN114280894B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-08-01 | 中国科学院微电子研究所 | 光刻机气压控制及监测系统、方法和光刻机 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61177718A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH06177021A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 電子ビーム描画装置 |
JP3704694B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2005-10-12 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線転写装置 |
JP2005166951A (ja) | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nikon Corp | 露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム |
US7239368B2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Using unflatness information of the substrate table or mask table for decreasing overlay |
JP5087258B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置、位置ずれ量計測方法及び位置計測装置 |
JP2007335665A (ja) | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Nikon Corp | パーティクル除去装置および露光装置 |
JP2008147337A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2010501999A (ja) | 2006-12-08 | 2010-01-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2008226973A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nikon Corp | 露光装置 |
US8497980B2 (en) * | 2007-03-19 | 2013-07-30 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5177380B2 (ja) | 2008-01-08 | 2013-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 位置ずれ補正装置および半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-02-08 JP JP2013023355A patent/JP5956938B2/ja active Active
- 2013-08-12 US US13/964,337 patent/US9209052B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9209052B2 (en) | 2015-12-08 |
US20140227807A1 (en) | 2014-08-14 |
JP2014154710A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841710B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
TWI411523B (zh) | 壓印設備和製造產品的方法 | |
US9575417B2 (en) | Exposure apparatus including a mask holding device which holds a periphery area of a pattern area of the mask from above | |
JP6708455B2 (ja) | 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP2009212153A (ja) | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP6400120B2 (ja) | 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
JP2016111343A (ja) | 基板保持装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
WO2017209051A1 (ja) | チャック、基板保持装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法 | |
JP2020112695A (ja) | 露光装置、露光方法および、物品製造方法 | |
JP2007150287A (ja) | 位置計測装置及び位置ずれ量計測方 | |
JP5956938B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4411158B2 (ja) | 露光装置 | |
US9459541B2 (en) | Substrate processing apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
KR20120001661A (ko) | 노광 제어 시스템 및 노광 제어 방법 | |
TWI792198B (zh) | 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法 | |
JP5865980B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US20140232998A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
TWI581072B (zh) | 曝光裝置與曝光方法 | |
EP3531207A1 (en) | Alignment mark positioning in a lithographic process | |
JP6711661B2 (ja) | 保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
WO2005008752A1 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP6294636B2 (ja) | 原版保持装置、露光装置、物品の製造方法、および原版保持方法 | |
JP2010245222A (ja) | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2017139455A (ja) | パターン形成方法および物品製造方法 | |
JP2012216649A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160520 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160617 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5956938 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |