JPH0225851A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0225851A JPH0225851A JP63176033A JP17603388A JPH0225851A JP H0225851 A JPH0225851 A JP H0225851A JP 63176033 A JP63176033 A JP 63176033A JP 17603388 A JP17603388 A JP 17603388A JP H0225851 A JPH0225851 A JP H0225851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reflected
- exposure
- reflectance
- illuminance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に塗布されたレジストの露光方法に関
する。
する。
従来の露光方法を、縮小投影露光法を例に説明する。
縮小投影露光法とは、第3図に示すように、レチクル(
31)上のパターンを、縮小投影レンズ(32)を介し
て1/10又は115に縮小し、その投影像を基板(3
3)上に塗布されたレジストへ、繰り返し転写していく
露光方法である。また、投影光として、g線、l線など
が用いられる。
31)上のパターンを、縮小投影レンズ(32)を介し
て1/10又は115に縮小し、その投影像を基板(3
3)上に塗布されたレジストへ、繰り返し転写していく
露光方法である。また、投影光として、g線、l線など
が用いられる。
この露光方法における露光時間は、現像後のレジストパ
ターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露光照
度、レジスト感度、基板反射率など考慮し、予じめ決定
し°ζおく。
ターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露光照
度、レジスト感度、基板反射率など考慮し、予じめ決定
し°ζおく。
そして、基板(33)は、前記の決定された露光時間で
、その全域を露光される。
、その全域を露光される。
しかし、前述の従来技術は、以下なる問題点を有する。
基板反射率が、基板内で不均一である場合、従来技術で
は、前記基板内を、すべて、同一露光時間で露光する方
式であるために、前記反射率の不向−分を、露光時間に
対して補正することができない、従って、現像後のレジ
ストパターン形状や、寸法が、基板内で不均一になって
しまう。
は、前記基板内を、すべて、同一露光時間で露光する方
式であるために、前記反射率の不向−分を、露光時間に
対して補正することができない、従って、現像後のレジ
ストパターン形状や、寸法が、基板内で不均一になって
しまう。
そこで、本発明は、このような問題点を解決するもので
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光方法を提供するところにある
。
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光方法を提供するところにある
。
本発明の露光方法は、基板上に塗布されたレジストを露
光する工程において、露光位置の基板反射率を測定し、
その反射率に応じて露光時間を変化させ、露光すること
を特徴とする。
光する工程において、露光位置の基板反射率を測定し、
その反射率に応じて露光時間を変化させ、露光すること
を特徴とする。
第1図は、本発明の露光方法における基板反射率測定機
構の概略図である。
構の概略図である。
HeNeレーザ源(11)より出た、直径10鴎の円形
レーザービーム(12)は、ハーフミラ−(13)で、
その半分が反射され、入射照度測定センサー(14)に
より、その照度が測定される。更に、残り半分のビーム
は、前記ハーフミラ−(13)を透過し、レジストを塗
布した基板(15)へ入射され、その反射ビームは、再
び前記ハーフミラ−(13)により、更に、その半分が
反射し、反射照度測定センサー(16)により、その照
度が測定される・、そして、基板反射率は、前記入射照
度測定センサー(14)、及び、反射照度測定センサー
(16)で測定された値から求められる。
レーザービーム(12)は、ハーフミラ−(13)で、
その半分が反射され、入射照度測定センサー(14)に
より、その照度が測定される。更に、残り半分のビーム
は、前記ハーフミラ−(13)を透過し、レジストを塗
布した基板(15)へ入射され、その反射ビームは、再
び前記ハーフミラ−(13)により、更に、その半分が
反射し、反射照度測定センサー(16)により、その照
度が測定される・、そして、基板反射率は、前記入射照
度測定センサー(14)、及び、反射照度測定センサー
(16)で測定された値から求められる。
本実施例では、前述の基板反射率測定機構を縮小投影露
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係・を実験的に求めた。その−例
として、第2図には、アルミニウム基板にポジレジスト
を塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す
、アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面
状態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係・を実験的に求めた。その−例
として、第2図には、アルミニウム基板にポジレジスト
を塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す
、アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面
状態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。
従って、種々の表面状態をもつアミルニウム基板につい
て最適露光時間を求めたところ、第2図に示す関係を得
た。このようにして、使用する種々の基板材料について
、基板反射率と、露光時間の関係を求め、前記露光装置
へ記憶させた。
て最適露光時間を求めたところ、第2図に示す関係を得
た。このようにして、使用する種々の基板材料について
、基板反射率と、露光時間の関係を求め、前記露光装置
へ記憶させた。
そして、基板内における、各々の露光位置で、毎回、基
板反射率を測定し、その値と、前記装置が記憶している
基板反射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を
求め、露光するというシステムを完成させ、た。
板反射率を測定し、その値と、前記装置が記憶している
基板反射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を
求め、露光するというシステムを完成させ、た。
これによって、基板内で、その反射率が不均一である場
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の不向−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の不向−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
以上、本実施例では、本発明の露光方法を、縮小投影露
光装置へ適用した場合について述べたが、1:1投影露
光装置、X線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
光装置へ適用した場合について述べたが、1:1投影露
光装置、X線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、基板上に塗布され
たレジストを露光する工程において、露光位置の基板反
射率を測定し、その反射率に応じて、露光時間を変化さ
せ露光することにより、基板反射率が不均一である基板
上において、現像後のレジストパターン形状、寸法を向
上させるという効果を有する。
たレジストを露光する工程において、露光位置の基板反
射率を測定し、その反射率に応じて、露光時間を変化さ
せ露光することにより、基板反射率が不均一である基板
上において、現像後のレジストパターン形状、寸法を向
上させるという効果を有する。
第1図は、本発明の露光方法における、基板反射率測定
機構の一実施例を示す概略図である。 第2図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第3図は、従来の縮小投影露光法を示す概略図である。 HeNeレーザー源 レーザービーム ハーフミラ− 入射照度測定センサー 基板 反射照度測定センサー レチクル 32 ・ ・縮小投影レンズ 33 ・ ・基板 以 上
機構の一実施例を示す概略図である。 第2図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第3図は、従来の縮小投影露光法を示す概略図である。 HeNeレーザー源 レーザービーム ハーフミラ− 入射照度測定センサー 基板 反射照度測定センサー レチクル 32 ・ ・縮小投影レンズ 33 ・ ・基板 以 上
Claims (1)
- 基板上に塗布されたレジストを露光する工程において、
露光位置の基板反射率を測定し、その反射率に応じて露
光時間を変化させ、露光することを特徴とする露光方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63176033A JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63176033A JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225851A true JPH0225851A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16006550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63176033A Pending JPH0225851A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225851A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
CN101886580A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-11-17 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用缸内压力传感器产生发动机部件诊断信号的方法和系统 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63176033A patent/JPH0225851A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
US6576385B2 (en) | 2001-02-02 | 2003-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of varying stepper exposure dose to compensate for across-wafer variations in photoresist thickness |
CN101886580A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-11-17 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用缸内压力传感器产生发动机部件诊断信号的方法和系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950001869A (ko) | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스제조방법 | |
US20080248403A1 (en) | Method and system for improving critical dimension uniformity | |
US7382469B2 (en) | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device, method of exposing a layer of photoresist, and method of detecting vibrations and measuring relative position of substrate during an exposure process | |
JP3359193B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JPH0722109B2 (ja) | 感光性ラツカ−層の露光量決定方法 | |
JPH0225851A (ja) | 露光方法 | |
US4474864A (en) | Method for dose calculation of photolithography projection printers through bleaching of photo-active compound in a photoresist | |
JPS60177623A (ja) | 露光装置 | |
JPH0225852A (ja) | 露光装置 | |
JPH0955352A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JPH0416424Y2 (ja) | ||
JPH09106075A (ja) | 基板の露光装置 | |
JPS6083019A (ja) | パタ−ン反射型投影露光方法 | |
JPH03112121A (ja) | 露光システム | |
JPS62132318A (ja) | 露光装置 | |
JP3118786B2 (ja) | 重ね合せ精度測定機 | |
JPH03156347A (ja) | 透過率測定方法 | |
JPH02232917A (ja) | 半導体露光装置及び露光方法 | |
KR100373306B1 (ko) | 레벨링 측정방법 | |
JPH0458244A (ja) | レチクル及びそれを用いた露光方法 | |
JPH02198129A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPH022103A (ja) | 露光装置 | |
JPH05259029A (ja) | 位置検出装置 | |
JPH09293674A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JPH03154054A (ja) | フォトマスク |