JPH0225852A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0225852A JPH0225852A JP63176034A JP17603488A JPH0225852A JP H0225852 A JPH0225852 A JP H0225852A JP 63176034 A JP63176034 A JP 63176034A JP 17603488 A JP17603488 A JP 17603488A JP H0225852 A JPH0225852 A JP H0225852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- exposure
- reflectance
- exposure time
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に塗布されたレジストを露光する装置
に関する。
に関する。
従来の露光装置を、縮小投影露光装置を例に説明する。
第３図は、縮小投影露光装置の概略図であるが、投影光
（３１）とし２て、ｇ線、または、１線などを用い、レ
チクル（３２）上のパターンを、縮小投影レンズ（３３
）を介して、１／１０または、１１５に縮小投影し、そ
の投影像を、露光ステージ（３４）に保持された基板（
３５）上のレジストＩ＼、繰り返し転写していく装置で
あり、露光位置の移動は、前記露光ステージ（３４）側
を動かして行なわれる。
（３１）とし２て、ｇ線、または、１線などを用い、レ
チクル（３２）上のパターンを、縮小投影レンズ（３３
）を介して、１／１０または、１１５に縮小投影し、そ
の投影像を、露光ステージ（３４）に保持された基板（
３５）上のレジストＩ＼、繰り返し転写していく装置で
あり、露光位置の移動は、前記露光ステージ（３４）側
を動かして行なわれる。
この縮小投影露光における露光時間は、現像後のレジス
トパターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露
光照度、レジスト感度、基板反射率などを考慮し、予し
め決定しておく、そして、基板（３５）は、その決定さ
れた露光時間で、その全域を露光される。この時従来の
縮小投影露光装置では、基板内における基板反射率の平
均−分を、露光時間に対して補正する機能がなかった。
トパターン形状、寸法を左右する重要な要因であり、露
光照度、レジスト感度、基板反射率などを考慮し、予し
め決定しておく、そして、基板（３５）は、その決定さ
れた露光時間で、その全域を露光される。この時従来の
縮小投影露光装置では、基板内における基板反射率の平
均−分を、露光時間に対して補正する機能がなかった。
前述の従来技術は、以下なる問題点を有する。
基板反射率が、基板内で不均一である場合、従来技術で
は、前記基板内を、全域、同一露光時間で露光する方式
であり、前記反射率の平均−分を、露光時間に対して補
正する機能がない、従って１、現像後のレジストパター
ン形状や、寸法が、基板内で不均一になってしまう。
は、前記基板内を、全域、同一露光時間で露光する方式
であり、前記反射率の平均−分を、露光時間に対して補
正する機能がない、従って１、現像後のレジストパター
ン形状や、寸法が、基板内で不均一になってしまう。
そこで、本発明は、このような間層点を解決するもので
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光装置を提供するところにある
。
、その目的とするところは、基板反射率が不均一である
基板上において、現像後のレジストパターン形状、寸法
の均一性を向上させる露光装置を提供するところにある
。
本発明の露光装置は、基板上に塗布されたレジストを露
光する場合に、露光位置の基板反射率を測定する機構を
有し、更に、前記反射率に応じて、露光時間を変化させ
、露光する機能を有することを特徴とする。
光する場合に、露光位置の基板反射率を測定する機構を
有し、更に、前記反射率に応じて、露光時間を変化させ
、露光する機能を有することを特徴とする。
第１図は、本発明の露光装置における基板反射率測定機
構の概略図である。
構の概略図である。
ＨｅＮｅレーザー源（１１）より出た、直径１０−の円
形レーザービーム（１２）は、ハーフミラ−（１３）で
、その一部が反射され、入射照度測定センサー（１４）
により２その照度が測定される。更に、残りのビームは
、前記ハーフミラ−（１３）を透過し、露光ステージ（
１５）に保持され、レジストを塗布した基板（１６）へ
入射する。そして、その反射ビームは、再び、前記ハー
フミラ−（１３）で、更にその一部が反射され、反射照
度測定センサー（１７）により、その照度が測定される
。そして、基板反射率は、前記入射照度測定センサー（
１４）、及び、反射照度測定センサー（１７）で測定さ
れた値から求められる。
形レーザービーム（１２）は、ハーフミラ−（１３）で
、その一部が反射され、入射照度測定センサー（１４）
により２その照度が測定される。更に、残りのビームは
、前記ハーフミラ−（１３）を透過し、露光ステージ（
１５）に保持され、レジストを塗布した基板（１６）へ
入射する。そして、その反射ビームは、再び、前記ハー
フミラ−（１３）で、更にその一部が反射され、反射照
度測定センサー（１７）により、その照度が測定される
。そして、基板反射率は、前記入射照度測定センサー（
１４）、及び、反射照度測定センサー（１７）で測定さ
れた値から求められる。
また、測定位置の移動は、前記露光ステージ（１５）側
を動かして行なわれる。
を動かして行なわれる。
本実施例では、前述の基板反射率測定機構を縮小投影露
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係を実験的に求めた。その−例と
して、第２図には、アルミニウム基板にポジレジストを
塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す、
アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面状
態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。従
って、種々の表面状態をもつアルミニウム基板について
、最適露光時間を求めたところ、第２図に示す関係を得
た。このように、使用する種々の基板材料について、基
板反射率と、露光時間の関係を求め、それを、前記露光
装置へ記憶させた。
光装置へ装備し、種々の基板材料について、その基板反
射率と、露光時間の関係を実験的に求めた。その−例と
して、第２図には、アルミニウム基板にポジレジストを
塗布した時の、基板反射率と、露光時間の関係を示す、
アルミニウム基板は、その形成条件により、その表面状
態が変わり、それに伴なって基板反射率も変化する。従
って、種々の表面状態をもつアルミニウム基板について
、最適露光時間を求めたところ、第２図に示す関係を得
た。このように、使用する種々の基板材料について、基
板反射率と、露光時間の関係を求め、それを、前記露光
装置へ記憶させた。
そして、基板内の、各々の露光位置で、毎回基板反射率
を測定し、その値と、前記装置が記憶している、基板反
射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を求め、
露光するという機能を完成させた。
を測定し、その値と、前記装置が記憶している、基板反
射率と、露光時間の関係より、最適な露光時間を求め、
露光するという機能を完成させた。
これによって、基板内で、その反射率が不均一である場
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の平均−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
合でも、各々の露光位置の基板反射率に応じて、露光時
間を変化させて露光することが可能となり、前記反射率
の平均−分を十分に補正することができた。そして、基
板内の、レジストパターン形状、寸法の均一性が、著し
く向上した。
以上、本実施例では、本発明の露光方法を、縮小投影露
光装置へ適用した場合について述べたが、ｌ二１投影露
光装置、Ｘ線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
光装置へ適用した場合について述べたが、ｌ二１投影露
光装置、Ｘ線露光装置、電子線露光装置、イオンビーム
露光装置、レーザービーム露光装置などに適用しても、
同様な効果が得られることは言うまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、基板上に塗布され
たレジストを露光する装置において、露光位置の基板反
射率を測定する機構を有し、更に、前記反射率に応じて
、露光時間を変化させ、露光する機能を有することによ
り、基板反射率が不均一である基板上において、現像後
のレジストパターン形状、寸法の均一性を向上させると
いう効果を有する。
たレジストを露光する装置において、露光位置の基板反
射率を測定する機構を有し、更に、前記反射率に応じて
、露光時間を変化させ、露光する機能を有することによ
り、基板反射率が不均一である基板上において、現像後
のレジストパターン形状、寸法の均一性を向上させると
いう効果を有する。
第１図は、本発明の露光装置における、基板反射率測定
機構の一実施例を示す概略図である。 第２図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第３図は、従来の縮小投影露光装置を示す概略図である
。 ・Ｈｅ Ｎ ｅレーザー源 ・レーザービーム ・ハーフミラ− ・入射照度測定センサー ・露光ステージ ・基板 ・反射照度測定センサー ・投影光 ・レチクル ・縮小投影レンズ ・露光ステージ ・基板 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）”、 １１
ｓｆｆ１ 表べ反射）Ｃへ） 漬２１１
機構の一実施例を示す概略図である。 第２図は、アルミニウム基板に、ポジレジストを塗布し
た時の、基板反射率と、露光時間の関係を示すグラフで
ある。 第３図は、従来の縮小投影露光装置を示す概略図である
。 ・Ｈｅ Ｎ ｅレーザー源 ・レーザービーム ・ハーフミラ− ・入射照度測定センサー ・露光ステージ ・基板 ・反射照度測定センサー ・投影光 ・レチクル ・縮小投影レンズ ・露光ステージ ・基板 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）”、 １１
ｓｆｆ１ 表べ反射）Ｃへ） 漬２１１
Claims (1)
- 基板上に塗布されたレジストを露光する装置において、
露光位置の基板反射率を測定する機構を有し、更に、前
記反射率に応じて露光時間を変化させ露光する機能を有
することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176034A JPH0225852A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176034A JPH0225852A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0225852A true JPH0225852A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16006568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176034A Pending JPH0225852A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225852A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992015923A1 (en) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | The University Of New Mexico | Use of diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
| WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
| US6731375B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-05-04 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Projection aligner, exposing method and semiconductor device |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63176034A patent/JPH0225852A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992015923A1 (en) * | 1991-02-28 | 1992-09-17 | The University Of New Mexico | Use of diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
| US5674652A (en) * | 1991-02-28 | 1997-10-07 | University Of New Mexico | Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
| US6731375B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-05-04 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Projection aligner, exposing method and semiconductor device |
| WO2002063395A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper exposure dose control base upon across wafer variations in photoresist thickness |
| US6576385B2 (en) | 2001-02-02 | 2003-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of varying stepper exposure dose to compensate for across-wafer variations in photoresist thickness |
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