JPS63174046A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS63174046A JPS63174046A JP62004801A JP480187A JPS63174046A JP S63174046 A JPS63174046 A JP S63174046A JP 62004801 A JP62004801 A JP 62004801A JP 480187 A JP480187 A JP 480187A JP S63174046 A JPS63174046 A JP S63174046A
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 19
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 13
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Sustainable Development (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターンを露光する装置に係り、特にプリント
板や液晶表示素子などの露光に好適な露光装置に関する
。
板や液晶表示素子などの露光に好適な露光装置に関する
。
従来のM、光装置として例えば特開昭52−15266
号公報、及び特開昭50−134768公報に記載され
たものが知られていた。
号公報、及び特開昭50−134768公報に記載され
たものが知られていた。
これらの露光装置は、マスク上のパターンをレンズを介
してウェハ上に投影露光するものである。
してウェハ上に投影露光するものである。
そして投影レンズの視野が狭いために、露光中に投影領
域を制限する開口を挿入していた。
域を制限する開口を挿入していた。
これら従来技術は、レンズを用いた投影方式であるため
、単波長光しか使えないので光量が極度て低下し、露光
時間が極めて長(なり、プリント板などのような大面積
露光には実用上供し得ないという問題があつンゝ−0 本発明の目的は、)二面積パターンな高解像度で露光で
きるようにした7c7な露光装置を提供することにある
。
、単波長光しか使えないので光量が極度て低下し、露光
時間が極めて長(なり、プリント板などのような大面積
露光には実用上供し得ないという問題があつンゝ−0 本発明の目的は、)二面積パターンな高解像度で露光で
きるようにした7c7な露光装置を提供することにある
。
上記の目的はマスクとプリント板、°30〜100μm
離して対抗させ、上方から平行光で照訊することによっ
て実現される。
離して対抗させ、上方から平行光で照訊することによっ
て実現される。
半導体ウェハの露光では、上記の近接露光・7従来から
行われてきたが、プリント板や液晶のよ)な大面積パタ
ーンの露光では、マスク及びプリント板、液晶素子の平
担度が低いため、両者の間隙が均一にならず実用化して
いなかった。
行われてきたが、プリント板や液晶のよ)な大面積パタ
ーンの露光では、マスク及びプリント板、液晶素子の平
担度が低いため、両者の間隙が均一にならず実用化して
いなかった。
これに対してはマスク裏面のうねりを測定し、プリント
板の表面をこれと同じうねりになるように変形させて、
両者の間隙を全面に亘って均一化することにより解決し
た。
板の表面をこれと同じうねりになるように変形させて、
両者の間隙を全面に亘って均一化することにより解決し
た。
照明には平行な強い光を当てることにより、近接露光の
場合でも高解像パターンの露光が可能である。これには
照明光を平行にすると共に、絞り込んで、狭い範囲を照
明することにより照度の向上を図った。この照明光を用
いて大面積パターンを露光するには、上記照明光をマス
ク上で走査させるが、この時、照明領域を制限する平行
四辺形量口を照明装置とマスクとの間に挿入し、この領
域のみを照明することにより、マスク面上全面を均一に
露光することを可能とした。
場合でも高解像パターンの露光が可能である。これには
照明光を平行にすると共に、絞り込んで、狭い範囲を照
明することにより照度の向上を図った。この照明光を用
いて大面積パターンを露光するには、上記照明光をマス
ク上で走査させるが、この時、照明領域を制限する平行
四辺形量口を照明装置とマスクとの間に挿入し、この領
域のみを照明することにより、マスク面上全面を均一に
露光することを可能とした。
〔作用〕
一般に、パターンの解像度は弱い光を長時間当てて露光
するよりも、強い光を短時間当てた方が向上する。本発
明では、露光時の照明領域を狭くすることによって照度
を向上させている。
するよりも、強い光を短時間当てた方が向上する。本発
明では、露光時の照明領域を狭くすることによって照度
を向上させている。
照明光の領域を制限する平行四辺形は、照明領域の接続
部分での照度の均一性を確保する働きをしている。
部分での照度の均一性を確保する働きをしている。
以下本発明の一実施例を第1図により説明する。
大面積を有するマスク1とプリント板や液晶表示素子等
からなる基板2を30〜100μm離して対向させる。
からなる基板2を30〜100μm離して対向させる。
水銀灯3.集光光学系4.ステップ方向に傾斜させた平
行四辺形量口5から成る照明筒6でマスク1の上方から
照明する。この状態でステージ7を+y方向に送り、先
端まできた時にステージ8′Ik+x方向に一定量ステ
ップ的に送り、今度はステージ7を−y方向に戻す。こ
れによりマスク上の全面を均一に露光することができる
。
行四辺形量口5から成る照明筒6でマスク1の上方から
照明する。この状態でステージ7を+y方向に送り、先
端まできた時にステージ8′Ik+x方向に一定量ステ
ップ的に送り、今度はステージ7を−y方向に戻す。こ
れによりマスク上の全面を均一に露光することができる
。
第2図は大面積を有するマスク1とプリント板や液晶表
示素子等からなる基板2との間隙を均一にする装置であ
る。ナツトプレート9には支柱ねじ10が噛み合ってお
り、モータ11の回転により支柱ねじ10が上下する。
示素子等からなる基板2との間隙を均一にする装置であ
る。ナツトプレート9には支柱ねじ10が噛み合ってお
り、モータ11の回転により支柱ねじ10が上下する。
この上てフレキシブルチャック12が乗り、ばね13で
引っ張られて、支柱ねじにしつかり接触して変形する。
引っ張られて、支柱ねじにしつかり接触して変形する。
基板2は真空14の力によりフレキシブルチャック12
に真空吸着されている。当然マスク1と基板2との間隙
を測定するための測定器40 、41が設けられている
。これら測定器40 、41はマスク1.基板2とを個
別に静電容量センサ等で表面状態を測定するものであっ
てもよいし、対向させたマスク1と基板2との間の間隙
を直接光学的に測定してもよいことは明らかである。
に真空吸着されている。当然マスク1と基板2との間隙
を測定するための測定器40 、41が設けられている
。これら測定器40 、41はマスク1.基板2とを個
別に静電容量センサ等で表面状態を測定するものであっ
てもよいし、対向させたマスク1と基板2との間の間隙
を直接光学的に測定してもよいことは明らかである。
モータ11を制御して回転することにより、これら測定
された間隙に応じてモータ11を制御して回転すること
により、基板20表面をマスク1の裏面のうねりと同じ
にする。その後第3図の如く基。
された間隙に応じてモータ11を制御して回転すること
により、基板20表面をマスク1の裏面のうねりと同じ
にする。その後第3図の如く基。
板ホルダ15をマスク1の下に移動すれば、マスク1と
基板2の間隙は全面に亘って均一になっている。この状
態で上方から光を当てて、マスクパターンをプリント板
等の基板に露光する。
基板2の間隙は全面に亘って均一になっている。この状
態で上方から光を当てて、マスクパターンをプリント板
等の基板に露光する。
ここで露光される基板の解像度は、露光全光Iに影響さ
れることは勿論であるが、第4図に示すよ5に照度(単
位面積当りの光の強さ)の影響も受ける。第4図は露光
全光量を一定にした時の照度とパターン解像度の関係を
示したものであり、点16から点17に照度を向上させ
ることにより、パターン解像度が向上することがわかる
。
れることは勿論であるが、第4図に示すよ5に照度(単
位面積当りの光の強さ)の影響も受ける。第4図は露光
全光量を一定にした時の照度とパターン解像度の関係を
示したものであり、点16から点17に照度を向上させ
ることにより、パターン解像度が向上することがわかる
。
基板の寸法は通常500〜600111以上であるため
、これを一括照明すると照度が著しく低下するため解像
度が低下するので、露光面積を狭くして照度を向上させ
る。この状態で基板全面を露光するには、この光源を基
板上で走査する必要がある。
、これを一括照明すると照度が著しく低下するため解像
度が低下するので、露光面積を狭くして照度を向上させ
る。この状態で基板全面を露光するには、この光源を基
板上で走査する必要がある。
第5図は狭い領域を照明するための照明筒6の断面を示
したものである。ここでは照明領域を約250u角にし
ている。水銀灯3からの光を楕円凹面鏡4で反射させ、
フライアイレンズ18に集光させる。更にレンズ19で
平行光にした後、マスク上の真上に設けた平行四辺形量
口5を通してマスク上を照明する。これによりほぼ完全
な平行照明を得ることができる。ここでフライアイレン
ズ18は第6図に示すようにパターンエツジでの干渉の
効果を低減する働きをしている。一般にパターンエツジ
では光が干渉を起こし解像度が低下する。これを防ぐた
めにプライアイレンズで光源を見かげ上複数個にして、
パターンエツジを少しぼかして干渉の影響を低減してい
る。
したものである。ここでは照明領域を約250u角にし
ている。水銀灯3からの光を楕円凹面鏡4で反射させ、
フライアイレンズ18に集光させる。更にレンズ19で
平行光にした後、マスク上の真上に設けた平行四辺形量
口5を通してマスク上を照明する。これによりほぼ完全
な平行照明を得ることができる。ここでフライアイレン
ズ18は第6図に示すようにパターンエツジでの干渉の
効果を低減する働きをしている。一般にパターンエツジ
では光が干渉を起こし解像度が低下する。これを防ぐた
めにプライアイレンズで光源を見かげ上複数個にして、
パターンエツジを少しぼかして干渉の影響を低減してい
る。
第7図は開口5の平面図である。開口5を+y方向に送
り、面21を照明した後十X方向に一定量ステップ送り
し、開口5を−y方向に送り面22を照明する。
り、面21を照明した後十X方向に一定量ステップ送り
し、開口5を−y方向に送り面22を照明する。
この時接合部ABの露光量にむらが生じる可能性がある
。そこでこの部分の開口を同図の如く平行四辺形にして
おけば、開口部の位置精度が低い場合でもAB部分の露
光量が一定になり、プリント板上の全面が均一に露光さ
れる。
。そこでこの部分の開口を同図の如く平行四辺形にして
おけば、開口部の位置精度が低い場合でもAB部分の露
光量が一定になり、プリント板上の全面が均一に露光さ
れる。
以下にこの状況を説明する。第8図で開口30を+y方
向に走査して開口31の位置に移動させる。
向に走査して開口31の位置に移動させる。
この時の開口30内の光量なy方向(加算し、横軸に位
置32.縦軸に加算光量33を示す。34と35の間の
加算光量は直線36の如く変化している。
置32.縦軸に加算光量33を示す。34と35の間の
加算光量は直線36の如く変化している。
第9図は開口37を−y方向に走査して、開口38の位
置に移動させたものである。上記と同様34と35の間
の加算光量は直線39の如く変化している。
置に移動させたものである。上記と同様34と35の間
の加算光量は直線39の如く変化している。
第10図は加算光量36と39を加算したものであり、
34と35の重なり部分の加算光量は周囲の加算光1と
同じになっており、マスク全面に亘って均一露光になっ
ていることがわかる。
34と35の重なり部分の加算光量は周囲の加算光1と
同じになっており、マスク全面に亘って均一露光になっ
ていることがわかる。
第11図は重なり部分に位置ずれが生じた場合の加算光
量を示したものである。露光の不均一性はわずかであり
、位置ずれの影響が小さいことがわかる。
量を示したものである。露光の不均一性はわずかであり
、位置ずれの影響が小さいことがわかる。
本実施例では基板の露光を中心に説明したが、本発明は
液晶表示素子のような大面積パターンの露光にも有効で
ある。
液晶表示素子のような大面積パターンの露光にも有効で
ある。
以上説明したように本発明によれば、マスクと基板を完
全に非接触で露光するために、従来の密着露光の時に生
じた異物混入や、レジストはがれの問題がなく、基板の
パターン欠陥が大幅に低減し、更に平行照明系を用いて
照明部分を絞り込んだことにより照度が向上し、パター
ン解像度が大幅に向上し、平行四辺形開口を有する照明
装置をマスク上で走査することによって、大面積を有す
る基板(例えば500 X 600−以上)の露光が可
能となる作用効果を奏する。また本発明によれば照明装
置が小形のため、露光装置全体が大幅に小形化される効
果も奏する。
全に非接触で露光するために、従来の密着露光の時に生
じた異物混入や、レジストはがれの問題がなく、基板の
パターン欠陥が大幅に低減し、更に平行照明系を用いて
照明部分を絞り込んだことにより照度が向上し、パター
ン解像度が大幅に向上し、平行四辺形開口を有する照明
装置をマスク上で走査することによって、大面積を有す
る基板(例えば500 X 600−以上)の露光が可
能となる作用効果を奏する。また本発明によれば照明装
置が小形のため、露光装置全体が大幅に小形化される効
果も奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第2図は
第1図の部分詳細図、第3図は第2図の補足説明図、第
4図は本発明の詳細な説明するための図、第5図及び第
6図は各々本発明の照明系を説明するための図、第7図
乃至第11図は各々本発明の露光部分の作用を説明する
ための図である。 1・・・マスク、 2・・・プリント板、5
・・・平行四辺形開口、 6・・・照明筒。 一一 代理人弁理士 小 川 勝 X男 第1図 第2口 ! /J 第 3 図 第4図 tb 77 第S図 第6図
第1図の部分詳細図、第3図は第2図の補足説明図、第
4図は本発明の詳細な説明するための図、第5図及び第
6図は各々本発明の照明系を説明するための図、第7図
乃至第11図は各々本発明の露光部分の作用を説明する
ための図である。 1・・・マスク、 2・・・プリント板、5
・・・平行四辺形開口、 6・・・照明筒。 一一 代理人弁理士 小 川 勝 X男 第1図 第2口 ! /J 第 3 図 第4図 tb 77 第S図 第6図
Claims (1)
- 1、マスクと基板とを微小間隙保つて対向させて配置し
、マスクの上方に平行四辺形の開口2上方からの平行光
線を絞り込む照明装置を設け、該照明装置と基板を相対
的に移動させて順次露光するように構成したことを特徴
とした露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62004801A JP2644741B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | プロキシミティ露光方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62004801A JP2644741B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | プロキシミティ露光方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63174046A true JPS63174046A (ja) | 1988-07-18 |
JP2644741B2 JP2644741B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=11593868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62004801A Expired - Fee Related JP2644741B2 (ja) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | プロキシミティ露光方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2644741B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01201666A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Ushio Inc | 露光方法 |
JPH0272362A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Hitachi Ltd | 拡大投影露光方法及びその装置 |
JPH04226013A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | イメージの露光装置及び露光方法 |
US6211945B1 (en) | 1998-05-19 | 2001-04-03 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
US6621553B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-09-16 | Perkinelmer, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
WO2005083524A3 (de) * | 2004-02-26 | 2005-11-10 | Zeiss Carl Smt Ag | Verfahren zum ausrichten der oberfläche eines substrats |
Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS4832039U (ja) * | 1971-08-17 | 1973-04-18 | ||
JPS50134768A (ja) * | 1974-04-05 | 1975-10-25 | ||
JPS59113426A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 長尺板露光装置 |
JPS615247A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Ricoh Co Ltd | フオトレジスト露光方法 |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP62004801A patent/JP2644741B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US6509142B2 (en) | 1998-05-19 | 2003-01-21 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2644741B2 (ja) | 1997-08-25 |
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