TWI381253B - 曝光裝置、曝光方法以及顯示用面板基板的製造方法 - Google Patents

Description

曝光裝置、曝光方法以及顯示用面板基板的製造方法

本發明涉及一種在製造液晶顯示裝置等的顯示用面板基板時，使用近接(proximity)方式來進行基板的曝光的曝光裝置、曝光方法以及使用此曝光裝置和曝光方法的顯示用面板基板的製造方法，尤其是涉及一種具備多個移動平臺的曝光裝置、曝光方法以及使用此曝光裝置和曝光方法的顯示用面板基板的製造方法。

在製造用作顯示用面板的液晶顯示裝置的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基板、彩色濾光片(color filter)基板、電漿顯示面板(plasma display panel)用基板、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示面板用基板等，是使用曝光裝置，藉由光刻(photolithography)技術在基板上形成圖案(pattern)而進行製造。曝光裝置有投影(projection)方式和近接方式，所述投影方式是使用透鏡或反光鏡將光遮罩(以下稱為“光罩”)的圖案投影到基板上，所述近接方式是在光罩與基板之間設置微小的間隙(proximity gap)而將光罩圖案轉印到基板上。與投影方式相比，近接方式雖然圖案析象性能較差，但是照射光學系統的構成簡單，且處理能力高，因而適用於量產。

近年來，在製造顯示用面板的各種基板時，為了應對大型化以及尺寸的多樣化，是準備相對較大的基板，並根據顯示用面板的尺寸而由一塊基板來製造一塊或者多塊顯 示用面板基板。此時，就近接方式而言，如果想要一次性對基板的一面進行曝光，則需要與基板相同大小的光罩，從而會進一步增加昂貴的光罩成本。因此，目前成為主流的是下述方式：使用與基板相比相對較小的光罩，一邊利用移動平臺來使基板在XY方向上步進(step)移動，一邊將基板的一個面分成多個曝光照射區域(shot)而進行曝光。以下，將這種方式稱為近接XY步進方式。

專利文獻1中揭示了一種技術：在近接XY步進方式的曝光中，使用雷射光測長系統來高精度地進行曝光時的基板定位，以提高曝光精度。雷射光測長系統包括光源、反射機構(柱狀鏡(bar mirror))以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在夾盤(chuck)上，所述雷射光干涉儀對來自光源的雷射光與由反射機構(柱狀鏡)所反射的雷射光的相干進行測定。並且，專利文獻2中揭示了一種技術，即，在近接方式的曝光中，使用對基板進行固定的多個夾盤以及移動各夾盤的多個移動平臺，以此來提高處理量(throughput)，尤其是在近接XY步進方式的曝光中，處理量提高的效果較大。

專利文獻1：日本專利特開2005-331542號公報

專利文獻2：日本專利特開2005-140935號公報

如專利文獻2中所記載，當使用多個夾盤以及多個移動平臺時，為了進行搬運，用以使各移動平臺在基板的裝載/卸載位置與曝光位置之間移動的平臺底座，是分割成裝載/卸載位置用的副平臺底座與曝光位置用的主平臺底座 而構成。並且，為了使用如專利文獻1中記載的雷射光測長系統來進行曝光時的基板的定位，必須在副平臺底座或者主平臺底座中的任一者上設置雷射光測長系統的雷射光干涉儀。

如果將雷射光測長系統的雷射光干涉儀設置在副平臺底座上，則雷射光干涉儀將受到副平臺底座的振動的影響。並且，從雷射光干涉儀到主平臺底座上的移動平臺為止的測定距離將增長。由於這些原因，會引起容易產生測定誤差的問題。另一方面，如果將雷射光測長系統的雷射光干涉儀設置在主平臺底座上，則各移動平臺在副平臺底座與主平臺底座之間移動時就會與雷射光干涉儀碰撞，因此必須使雷射光干涉儀移動。而一旦移動雷射光干涉儀，則測定結果的再現性將會出現問題。

本發明的課題在於，在使用多個移動平臺的近接方式的曝光中，使用雷射光測長系統，來高精度地進行曝光時的基板的定位。並且，本發明的課題在於，高精度地進行圖案的曝光，以製造出高品質的基板。

本發明的曝光裝置是一種使用近接方式的曝光裝置，其包括：多個夾盤，用於保持基板；光罩架，用於保持光罩；主平臺底座，配置在光罩架的下方；多個副平臺底座，在主平臺底座的X方向(或者Y方向)上相鄰接而配置著；導軌，從主平臺底座上延伸到多個副平臺底座上；多個移動平臺，包括第一平臺、第二平臺以及第三平臺，其中， 所述第一平臺搭載在導軌上且向X方向(或者Y方向)移動，所述第二平臺搭載在第一平臺上且向Y方向(或者X方向)移動，所述第三平臺搭載在第二平臺上且向θ方向旋轉，多個移動平臺搭載著各夾盤而向一個副平臺底座上以及主平臺底座上移動，從而在主平臺底座上進行基板的定位；多個第一雷射光測長系統，用於檢測各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置；多個平臺驅動電路，用於驅動各移動平臺；以及控制裝置，用於控制各平臺驅動電路，並且，各第一雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺的第一平臺的下方，所述雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上，對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，控制裝置根據各第一雷射光測長系統的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。

而且，本發明的曝光方法是一種使用近接方式的曝光方法，其包括：在保持光罩的光罩架的下方配置主平臺底座，在主平臺底座的X方向(或者Y方向)上相鄰接地配置多個副平臺底座，設置從主平臺底座上延伸到多個副平臺底座上的導軌，設置多個移動平臺，該多個移動平臺包括第一平臺、第二平臺以及第三平臺，其中，所述第一平臺搭載在導軌上且向X方向(或者Y方向)移動，所述第二平臺搭載在第一平臺上且向Y方向(或者X方向)移動，所述第三平臺搭載在第二平臺上且向θ方向旋轉，並且多 個移動平臺上搭載著用來保持基板的夾盤，使各移動平臺向一個副平臺底座上以及主平臺底座上移動，利用各移動平臺，在主平臺底座上進行基板的定位，使用多個第一雷射光測長系統，該第一雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺上，所述雷射光干涉儀對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，將各反射機構安裝在各移動平臺的第一平臺的下方，將各雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上，以對各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置進行檢測，根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。

因為設置從主平臺底座上延伸到多個副平臺底座上的導軌，並將各移動平臺的第一平臺搭載在導軌上，所以在主平臺底座以及副平臺底座與各移動平臺的第一平臺之間，將產生與導軌的高度相應的空間。因為將對各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置進行檢測的多個第一雷射光測長系統的各反射機構安裝在各移動平臺的第一平臺的下方，並將各雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上，所以在移動副平臺底座與主平臺底座時，各移動平臺不會與各雷射光干涉儀碰撞。並且，因為將各雷射光干涉儀設置在主平臺底座上，所以各雷射光干涉儀不會受到副平臺底座的振動的影響。而且，從各雷射光干涉儀到主平臺底座上的各移動平臺為止的測定距離變短。因 此，可以使用各第一雷射光測長系統，來高精度地檢測出各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置。

進而，在本發明的曝光裝置中，各第一雷射光測長系統包括多個雷射光干涉儀，該多個雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上。並且，本發明的曝光方法中，在各第一雷射光測長系統中，將多個雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上。在各第一雷射光測長系統中，將多個雷射光干涉儀設置在主平臺底座上，因此，可以根據多個雷射光干涉儀的測定結果，來高精度地檢測出各移動平臺的第一平臺向X方向(或者Y方向)移動時的偏轉(yawing)。

進而，本發明的曝光裝置包括：台座，安裝在主平臺底座的Y方向(或者X方向)上；以及第二雷射光測長系統，對主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測，且所述第二雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺的第二平臺上，所述雷射光干涉儀設置在台座上，對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，控制裝置根據第二雷射光測長系統的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。

並且，本發明的曝光方法中，在主平臺底座的Y方向(或者X方向)上安裝台座，並使用第二雷射光測長系統，該第二雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安 裝在各移動平臺上，所述雷射光干涉儀對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，將各反射機構安裝在各移動平臺的第二平臺上，將雷射光干涉儀設置在台座上，以對主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測，並根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。

因為將第二雷射光測長系統的雷射光干涉儀設置在台座上，其中，第二雷射光測長系統用於對主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測，所述台座安裝在主平臺底座的Y方向(或者X方向)上，因此雷射光干涉儀不會受到副平臺底座的振動的影響。並且，從雷射光干涉儀到主平臺底座上的各移動平臺為止的測定距離變短。因此，可以使用第二雷射光測長系統，來高精度地檢測出主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置。

進而，本發明的曝光裝置中，將第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處。並且，本發明的曝光方法中，將第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處。因為將第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處，所以可以在基板的附近對各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測。

進而，本發明的曝光裝置包括：反射機構，安裝在各夾盤上；多個雷射光位移計，與各夾盤相對應而設置，對 各反射機構的位移進行測定；以及傾斜檢測機構，根據多個雷射光位移計的測定結果，對各夾盤的θ方向的傾斜進行檢測，並且，控制裝置根據傾斜檢測機構的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。並且，本發明的曝光方法中，在各夾盤上安裝反射機構，分別利用多個雷射光位移計來測定各反射機構的位移，以檢測各夾盤的θ方向的傾斜，並根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。因為在各夾盤上安裝反射機構，並分別利用多個雷射光位移計來測定各反射機構的位移，所以可以高精度地檢測出各夾盤的θ方向的傾斜。

進而，本發明的曝光裝置中，將多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上。並且，本發明的曝光方法中，將多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上。因為將多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上，所以可以根據多個雷射光位移計的測定結果，來對搭載在第一平臺上的第二平臺向Y方向(或者X方向)移動時的偏轉進行檢測。

本發明的顯示用面板基板的製造方法，是使用上述任一曝光裝置或者曝光方法來進行基板的曝光。由於可高精度地進行曝光時的基板的定位，所以可以高精度地進行圖案的曝光，以製造出高品質的基板。

根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，使用各第一雷射光測長系統，可以高精度地檢測出各移動平臺的X方向 (或者Y方向)的位置。因此，可以高精度地進行曝光時的X方向(或者Y方向)的基板的定位。

進而，根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，在各第一雷射光測長系統中，將多個雷射光干涉儀設置在主平臺底座上，由此，可以根據多個雷射光干涉儀的測定結果，來對各移動平臺的第一平臺向X方向(或者Y方向)移動時的偏轉進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的X方向(或者Y方向)的基板的定位。

進而，根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，使用第二雷射光測長系統，可以高精度地檢測出主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置。因此，可以高精度地進行曝光時的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

進而，根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，將第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處，由此，可以在基板的附近對各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

進而，根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，在各夾盤上安裝反射機構，並分別利用多個雷射光位移計來對各反射機構的位移進行測定，由此，可以高精度地檢測出各夾盤的θ方向的傾斜。因此，可以高精度地進行曝光時的θ方向的基板的定位。

進而，根據本發明的曝光裝置以及曝光方法，將多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上，由此，可以根據多個雷射光位移計的測定結果，來對搭載在第一平臺上的第二平臺向Y方向(或者X方向)移動時的偏轉進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

根據本發明的顯示用面板基板的製造方法，可以高精度地進行曝光時的基板的定位，因此可以高精度地進行圖案的曝光，以製造出高品質的基板。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1是表示本發明之一實施方式的曝光裝置的概略構成的圖。曝光裝置包括多個夾盤10a與10b、主平臺底座11、多個副平臺底座11a與11b、台座12、X導軌13、多個移動平臺、光罩架20、雷射光測長系統控制裝置30、多個第一雷射光測長系統、第二雷射光測長系統、雷射光位移計控制裝置40、雷射光位移計42與43、柱狀鏡44與45、主控制裝置70、輸入輸出接口電路71與72、以及平臺驅動電路80a與80b。另外，在曝光裝置中，除了所述各部分以外，還包括照射曝光用光的照射光學系統、搬入基板1的搬入單元、搬出基板1的搬出單元、以及進行裝置內的溫度管理的溫度控制單元等。

另外，在本實施方式中，夾盤、副平臺底座、移動平臺、第一雷射光測長系統以及平臺驅動電路各設置了兩個，但是這些部分也可以各設置三個或三個以上。並且，以下所說明的實施方式中的XY方向是例示，也可以將X方向與Y方向調換。

圖1中，在進行基板1的曝光的曝光位置的上空，設置著保持光罩2的光罩架20。光罩架20以真空吸附的方式保持光罩2的周邊部。在由光罩架20所保持的光罩2的上空，配置著未圖示的照射光學系統。在曝光時，來自照射光學系統的曝光用光透過光罩2而照射到基板1，以此，將光罩2的圖案轉印到基板1的表面，從而在基板1上形成圖案。

在光罩架20的下方，配置著主平臺底座11。在主平臺底座11的左右，在主平臺底座11的X方向上相鄰接地配置著副平臺底座11a與11b。在主平臺底座11的Y方向上，安裝著台座12。夾盤10a藉由下述的移動平臺，而在副平臺底座11a上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。並且，夾盤10b藉由下述的移動平臺，而在副平臺底座11b上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。基板1在副平臺底座11a與11b上的裝載/卸載位置上，藉由未圖示的搬入單元而搭載到夾盤10a與10b上，並且，藉由未圖示的搬出單元，而從夾盤10a與10b回收該基板1。夾盤10a與10b以真空吸附的方式來保持基板1。

圖2是表示夾盤10a位於曝光位置、夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。並且，圖3是表示夾盤10a位於曝光位置、夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。圖2中，在主平臺底座11上以及副平臺底座11a與11b上，設置著在X方向上從主平臺底座11上延伸到副平臺底座11a與11b上的X導軌13。

圖3中，夾盤10a與10b分別搭載在移動平臺上。各移動平臺包括X平臺14、Y導軌15、Y平臺16、θ平臺17以及夾盤支撑台19而構成。X平臺14搭載在X導軌13上，並沿著X導軌13而向X方向移動。Y平臺16搭載在設置於X平臺14上的Y導軌15上，並沿著Y導軌15而向Y方向(圖式縱深方向)移動。θ平臺17搭載在Y平臺16上，並向θ方向旋轉。夾盤支撑台19搭載在θ平臺17上，以支撑夾盤10a與10b。

藉由各移動平臺的X平臺14的朝向X方向的移動，夾盤10a在副平臺底座11a上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動，而夾盤10b在副平臺底座11b上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。圖4是表示夾盤10b位於曝光位置、夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。並且，圖5是表示夾盤10b位於曝光位置、夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。

在主平臺底座11上的曝光位置上，藉由各移動平臺的X平臺14的朝向X方向的移動以及Y平臺16的朝向Y 方向的移動，而使保持在夾盤10a與10b上的基板1進行朝向XY方向的步進移動。並且，藉由各移動平臺的X平臺14的朝向X方向的移動、Y平臺16的朝向Y方向的移動以及θ平臺17的朝向θ方向的旋轉，而進行曝光時的基板1的定位。並且，藉由未圖示的Z-傾斜(tilt)機構而使光罩架20向Z方向移動並傾斜，以此來進行光罩2與基板1的間隙合攏。圖1中，平臺驅動電路80a藉由主控制裝置70的控制，而對搭載夾盤10a的移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及θ平臺17進行驅動。並且，平臺驅動電路80b藉由主控制裝置70的控制，而對搭載夾盤10b的移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及θ平臺17進行驅動。

另外，在本實施方式中，是藉由使光罩架20向Z方向移動並傾斜，來進行光罩2與基板1的間隙合攏，但也可以在各移動平臺上設置Z-傾斜機構，而使夾盤10a、10b向Z方向移動並傾斜，以此來進行光罩2與基板1的間隙合攏。

以下，對本實施方式的曝光裝置的基板的定位動作進行說明。在本實施方式中，利用兩個第一雷射光測長系統中的其中一個，來對搭載夾盤10a的移動平臺的X方向的位置進行檢測，並利用另一個第一雷射光測長系統，來對搭載夾盤10b的移動平臺的X方向的位置進行檢測。並且，利用第二雷射光測長系統，來對主平臺底座11上的各移動平臺的Y方向的位置進行檢測。進而，使用雷射光位 移計42與43來對夾盤10a與10b的θ方向的傾斜進行檢測。

圖1中，其中一個第一雷射光測長系統包括雷射光源31a、兩個雷射光干涉儀32a以及下述柱狀鏡34a而構成。另一個第一雷射光測長系統則包括雷射光源31b、兩個雷射光干涉儀32b以及下述柱狀鏡34b而構成。並且，第二雷射光測長系統包括雷射光源31b、雷射光干涉儀33以及柱狀鏡35而構成。

圖6是位於主平臺底座上的移動平臺的俯視圖。圖7是位於主平臺底座上的移動平臺的X方向的局部剖面側視圖。圖8是位於主平臺底座上的移動平臺的Y方向的側視圖。圖6至圖8表示搭載夾盤10a的移動平臺，搭載夾盤10b的移動平臺與搭載夾盤10a的移動平臺在X方向上呈左右對稱的構成。另外，圖7中省略了X導軌13，圖8中省略了雷射光干涉儀32a與32b。

圖8中，由於移動平臺的X平臺14搭載在X導軌13上，所以在主平臺底座11以及副平臺底座11a、11b與X平臺14之間，會產生與X導軌13的高度相應的空間。第一雷射光測長系統的柱狀鏡34a利用這個空間，而安裝於X平臺14的下方。柱狀鏡34b也是同樣。第一雷射光測長系統的兩個雷射光干涉儀32a如圖1所示，設置在主平臺底座11的偏離X導軌13的位置上。雷射光干涉儀32b也是同樣。

在圖6至圖8中，第二雷射光測長系統的柱狀鏡35 利用支臂36，而大致以夾盤10a的高度安裝在Y平臺16上。對於搭載夾盤10b的移動平臺而言也是同樣，柱狀鏡35大致以夾盤10b的高度而安裝在Y平臺16上。第二雷射光測長系統的雷射光干涉儀33如圖6及圖8所示，設置在安裝於主平臺底座11的Y方向上的台座12上。

圖9及圖10是說明雷射光干涉儀的動作的圖。另外，圖9表示夾盤10a位於曝光位置、夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態，圖10表示夾盤10b位於曝光位置、夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態。

在圖9及圖10中，各雷射光干涉儀32a使來自雷射光源31a的雷射光照射到柱狀鏡34a，並接受由柱狀鏡34a所反射的雷射光，從而對來自雷射光源31a的雷射光與由柱狀鏡34a所反射的雷射光的相干進行測定。在圖1中，雷射光測長系統控制裝置30藉由主控制裝置70的控制，以根據兩個雷射光干涉儀32a的測定結果，而對搭載夾盤10a的移動平臺的X方向的位置進行檢測，並且對X平臺14向X方向移動時的偏轉進行檢測。

在圖9及圖10中，各雷射光干涉儀32b使來自雷射光源31b的雷射光照射到柱狀鏡34b，並接受由柱狀鏡34b所反射的雷射光，從而對來自雷射光源31b的雷射光與由柱狀鏡34b所反射的雷射光的相干進行測定。在圖1中，雷射光測長系統控制裝置30藉由主控制裝置70的控制，以根據兩個雷射光干涉儀32b的測定結果，而對搭載夾盤10b的移動平臺的X方向的位置進行檢測，並且對X平臺 14向X方向移動時的偏轉進行檢測。

因為將第一雷射光測長系統的柱狀鏡34a與34b安裝在各移動平臺的X平臺14的下方，並將雷射光干涉儀32a與32b設置在主平臺底座11的偏離X導軌13的位置上，所以在移動副平臺底座11a、11b與主平臺底座11時，各移動平臺不會與雷射光干涉儀32a、32b碰撞。並且，因為將雷射光干涉儀32a與32b設置在主平臺底座11上，所以雷射光干涉儀32a與32b不會受到副平臺底座11a與11b的振動的影響。並且，從雷射光干涉儀32a與32b到主平臺底座11上的各移動平臺為止的測定距離變短。因此，可以使用各第一雷射光測長系統，而高精度地檢測出各移動平臺的X方向的位置。並且，因為在各第一雷射光測長系統中，是將多個雷射光干涉儀32a與32b設置在主平臺底座11上，所以可以根據多個雷射光干涉儀32a與32b的測定結果，來對各移動平臺的X平臺14向X方向移動時的偏轉進行檢測。

在圖9及圖10中，雷射光干涉儀33使來自雷射光源31b的雷射光照射到柱狀鏡35，並接受由柱狀鏡35所反射的雷射光，從而對來自雷射光源31b的雷射光與由柱狀鏡35所反射的雷射光的相干進行測定。在圖1中，雷射光測長系統控制裝置30藉由主控制裝置70的控制，以根據雷射光干涉儀33的測定結果，來對主平臺底座11上的各移動平臺的Y方向的位置進行檢測。

因此將第二雷射光測長系統的雷射光干涉儀33設置 在安裝於主平臺底座11的Y方向上的台座12上，所以雷射光干涉儀33不會受到副平臺底座11a與11b的振動的影響。並且，從雷射光干涉儀33到主平臺底座11上的各移動平臺為止的測定距離變短。因此，可以使用第二雷射光測長系統，來高精度地檢測出主平臺底座11上的各移動平臺的Y方向的位置。並且，因為將第二雷射光測長系統的各柱狀鏡35大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤10a與10b的高度上，所以可以在基板1的附近對各移動平臺的Y方向的位置進行檢測。

圖11是對X方向的位移進行測定的雷射光位移計的立體圖。圖11表示安裝在搭載夾盤10a的移動平臺上的雷射光位移計，安裝在搭載夾盤10b的移動平臺上的雷射光位移計與圖11在X方向上呈左右對稱的構成。柱狀鏡44安裝在夾盤10a與10b的Y方向的一側面上。兩個雷射光位移計42分別藉由支臂46，而以柱狀鏡44的高度安裝在台板(block)48上。台板48安裝在X平臺14上。

圖12是對Y方向的位移進行測定的雷射光位移計的立體圖。在圖12中，柱狀鏡45藉由安裝件49而安裝在夾盤10a、10b的背面。雷射光位移計43如圖7及圖12所示，藉由支臂47而以柱狀鏡45的高度安裝在Y平臺16上。另外，圖12表示為了能够觀察到柱狀鏡45以及安裝件49，而將夾盤10a與10b的一部分切除的狀態。

在圖11中，各雷射光位移計42向柱狀鏡44照射雷射光，並對由柱狀鏡44所反射的雷射光進行檢測，以此來測 定柱狀鏡44的X方向的位移。並且，在圖12中，雷射光位移計43向柱狀鏡45照射雷射光，並對由柱狀鏡45所反射的雷射光進行檢測，以此來測定柱狀鏡45的Y方向的位移。在圖1中，雷射光位移計控制裝置40藉由主控制裝置70的控制，根據兩個雷射光位移計42以及雷射光位移計43的測定結果，來對夾盤10a與10b的θ方向的傾斜進行檢測，並且對Y平臺16向YX方向移動時的偏轉進行檢測。

因為在夾盤10a與10b上安裝著柱狀鏡44，並分別利用多個雷射光位移計42來檢測各柱狀鏡44的位移，所以可以高精度地檢測出夾盤10a與10b的θ方向的傾斜。並且，因為將多個雷射光位移計42設置在各移動平臺的X平臺14上，所以可以根據多個雷射光位移計42的測定結果，來對搭載在X平臺14上的Y平臺16向Y方向移動時的偏轉進行檢測。

在圖1中，主控制裝置70經由輸入輸出接口電路71而輸入雷射光測長系統控制裝置30的檢測結果。並且，主控制裝置70經由輸入輸出接口電路72而輸入雷射光位移計控制裝置40的檢測結果。接著，主控制裝置70根據雷射光測長系統控制裝置30的檢測結果以及雷射光位移計控制裝置40的檢測結果，來控制平臺驅動電路80a與80b以驅動各移動平臺，且進行曝光時的基板1的定位。

根據以上所說明的本實施方式，使用各第一雷射光測長系統，可以高精度地檢測出各移動平臺的X方向的位 置。因此，可以高精度地進行曝光時的X方向的基板1的定位。

進而，根據以上所說明的本實施方式，在各第一雷射光測長系統中，將多個雷射光干涉儀32a與32b設置在主平臺底座11上，由此，可以根據多個雷射光干涉儀32a與32b的測定結果，來對各移動平臺的X平臺14向X方向移動時的偏轉進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的X方向的基板1的定位。

進而，根據以上所說明的本實施方式，使用第二雷射光測長系統，可以高精度地檢測出主平臺底座11上的各移動平臺的Y方向的位置。因此，可以高精度地進行曝光時的Y方向的基板1的定位。

進而，根據以上所說明的本實施方式，將第二雷射光測長系統的各柱狀鏡35大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤10a與10b的高度處，由此，可以在基板1的附近對各移動平臺的Y方向的位置進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的Y方向的基板1的定位。

進而，根據以上所說明的本實施方式，在夾盤10a與10b上安裝柱狀鏡44，分別利用多個雷射光位移計42來對各柱狀鏡44的位移進行測定，由此，可以高精度地檢測出夾盤10a與10b的θ方向的傾斜。因此，可以高精度地進行曝光時的θ方向的基板1的定位。

進而，根據以上所說明的本實施方式，將多個雷射光位移計42設置在各移動平臺的X平臺14上，由此，可以 根據多個雷射光位移計42的測定結果，來對搭載在X平臺14上的Y平臺16向Y方向移動時的偏轉進行檢測。因此，可以更高精度地進行曝光時的Y方向的基板1的定位。

藉由使用本發明的曝光裝置或者曝光方法來進行基板的曝光，可以高精度地進行曝光時的基板的定位，所以可以高精度地進行圖案的曝光，以製造出高品質的基板。

例如，圖13是表示液晶顯示裝置的TFT基板的製造步驟的一例的流程圖。在薄膜形成步驟(步驟101)中，利用濺射法或電漿化學氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)法等，而在基板上形成作為液晶驅動用透明電極的導電體膜或絕緣體膜等的薄膜。在光阻塗布步驟(步驟102)中，利用輥塗法等來塗布感光樹脂材料(光致光阻)，以在薄膜形成步驟(步驟101)中所形成的薄膜上形成光致光阻膜。在曝光步驟(步驟103)中，使用近接曝光裝置或投影曝光裝置等，而將光罩的圖案轉印到光致光阻膜上。在顯影步驟(步驟104)中，利用噴淋(shower)顯影法等，將顯影液供給到光致光阻膜上，以去除光致光阻膜的多餘部分。在蝕刻步驟(步驟105)中，藉由濕式(wet)蝕刻，去除薄膜形成步驟(步驟101)中所形成的薄膜內的未被光致光阻膜所掩蓋的部分。在剝離步驟(步驟106)中，利用剝離液，將已在蝕刻步驟(步驟105)中完成光罩作用的光致光阻膜剝離。在所述各步驟之前或之後，根據需要而實施基板的清洗/乾燥步驟。將這些步驟反復進行數次，而在基板上形成TFT陣列(array)。

並且，圖14是表示液晶顯示裝置的彩色濾光片基板的製造步驟的一例的流程圖。在黑矩陣(black matrix)形成步驟(步驟201)中，藉由光阻塗布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等處理，而在基板上形成黑矩陣。在有色圖案形成步驟(步驟202)中，藉由染色法、顏料分散法、印刷法、電鍍法等，而在基板上形成有色圖案。對紅色(Red，R)、綠色(Green，G)、藍色(Blue，B)的有色圖案，反復實施所述步驟。在保護膜形成步驟(步驟203)中，在有色圖案上形成保護膜，在透明電極膜形成步驟(步驟204)中，在保護膜上形成透明電極膜。在所述各步驟之前、中途或者之後，根據需要而實施基板的清洗/乾燥步驟。

在圖13所示的TFT基板的製造步驟中，在曝光步驟(步驟103)中可以適用本發明的曝光裝置或者曝光方法，在圖14所示的彩色濾光片基板的製造步驟中，在黑矩陣形成步驟(步驟201)的曝光處理中可以適用本發明的曝光裝置或者曝光方法。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧基板

2‧‧‧光罩

10a、10b‧‧‧夾盤

11‧‧‧主平臺底座

11a、11b‧‧‧副平臺底座

12‧‧‧台座

13‧‧‧X導軌

14‧‧‧X平臺

15‧‧‧Y導軌

16‧‧‧Y平臺

17‧‧‧θ平臺

19‧‧‧夾盤支撑台

20‧‧‧光罩架

30‧‧‧雷射光測長系統控制裝置

31a、31b‧‧‧雷射光源

32a、32b、33‧‧‧雷射光干涉儀

34a、34b、35‧‧‧柱狀鏡

36‧‧‧支臂

40‧‧‧雷射光位移計控制裝置

42、43‧‧‧雷射光位移計

44、45‧‧‧柱狀鏡

46、47‧‧‧支臂

48‧‧‧台板

49‧‧‧安裝件

70‧‧‧主控制裝置

71、72‧‧‧輸入輸出接口電路

80a、80b‧‧‧平臺驅動電路

101~106、201~204‧‧‧步驟

圖1是表示本發明一實施方式的曝光裝置的概略構成的圖。

圖2是表示夾盤10a位於曝光位置、夾盤10b位於裝 載/卸載位置的狀態的俯視圖。

圖3是表示夾盤10a位於曝光位置、夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。

圖4是表示夾盤10b位於曝光位置、夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。

圖5是表示夾盤10b位於曝光位置、夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。

圖6是位於主平臺底座上的移動平臺的俯視圖。

圖7是位於主平臺底座上的移動平臺的X方向的局部剖面側視圖。

圖8是位於主平臺底座上的移動平臺的Y方向的側視圖。

圖9是說明雷射光干涉儀的動作的圖。

圖10是說明雷射光干涉儀的動作的圖。

圖11是對X方向的位移進行測定的雷射光位移計的立體圖。

圖12是對Y方向的位移進行測定的雷射光位移計的立體圖。

圖13是表示液晶顯示裝置的TFT基板的製造步驟的一例的流程圖。

圖14是表示液晶顯示裝置的彩色濾光片基板的製造步驟的一例的流程圖。

1‧‧‧基板

2‧‧‧光罩

10a、10b‧‧‧夾盤

11‧‧‧主平臺底座

11a、11b‧‧‧副平臺底座

12‧‧‧台座

13‧‧‧X導軌

30‧‧‧雷射光測長系統控制裝置

31a、31b‧‧‧雷射光源

32a、32b、33‧‧‧雷射光干涉儀

35‧‧‧柱狀鏡

40‧‧‧雷射光位移計控制裝置

42、43‧‧‧雷射光位移計

44‧‧‧柱狀鏡

70‧‧‧主控制裝置

71、72‧‧‧輸入輸出接口電路

80a、80b‧‧‧平臺驅動電路

Claims (14)

1. 一種曝光裝置，其使用近接方式，此曝光裝置的特徵在於包括：多個夾盤，用於保持基板；光罩架，用於保持光光罩；主平臺底座，配置在所述光罩架的下方；多個副平臺底座，在所述主平臺底座的X方向(或者Y方向)上相鄰接而配置著；導軌，從所述主平臺底座上延伸到所述多個副平臺底座上；多個移動平臺，包括第一平臺、第二平臺以及第三平臺，其中，所述第一平臺搭載在所述導軌上且向X方向(或者Y方向)移動，所述第二平臺搭載在第一平臺上且向Y方向(或者X方向)移動，所述第三平臺搭載在第二平臺上且向θ方向旋轉，所述多個移動平臺搭載著各夾盤而向一個副平臺底座上以及所述主平臺底座上移動，從而在所述主平臺底座上進行基板的定位；多個第一雷射光測長系統，用於檢測各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置；多個平臺驅動電路，用於驅動各移動平臺；以及控制裝置，用於控制各平臺驅動電路，各第一雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺的第一平臺的下方，所述雷射光干涉 儀設置在所述主平臺底座的偏離所述導軌的位置上，對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，所述控制裝置根據各第一雷射光測長系統的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。
2. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置，其中各第一雷射光測長系統包括多個雷射光干涉儀，所述多個雷射光干涉儀設置在所述主平臺底座的偏離所述導軌的位置上。
3. 如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置，其中包括：台座，安裝在所述主平臺底座的Y方向(或者X方向)上；以及第二雷射光測長系統，用於對所述主平臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測，所述第二雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺的第二平臺上，所述雷射光干涉儀設置在所述台座上，對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，所述控制裝置根據所述第二雷射光測長系統的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。
4. 如申請專利範圍第3項所述的曝光裝置，其中所述第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處。
5. 如申請專利範圍第1或2項所述的曝光裝置，其中包括：反射機構，安裝在各夾盤上；多個雷射光位移計，與各夾盤相對應而設置，對各反射機構的位移進行測定；以及傾斜檢測機構，根據所述多個雷射光位移計的測定結果，對各夾盤的θ方向的傾斜進行檢測，所述控制裝置根據所述傾斜檢測機構的檢測結果，來控制各平臺驅動電路。
6. 如申請專利範圍第5項所述的曝光裝置，其中所述多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上。
7. 一種曝光方法，其使用近接方式，此曝光方法的特徵在於：在保持光罩的光罩架的下方配置主平臺底座，在主平臺底座的X方向(或者Y方向)上相鄰接地配置多個副平臺底座，設置從主平臺底座上延伸到多個副平臺底座上的導軌，設置多個移動平臺，所述多個移動平臺包括第一平臺、第二平臺以及第三平臺，其中，所述第一平臺搭載在導軌上且向X方向(或者Y方向)移動，所述第二平臺搭載在第一平臺上且向Y方向(或者X方向)移動，所述第三平臺搭載在第二平臺上且向θ方向旋轉，並且所述多個移動平臺上搭載著用來保持基板的夾盤， 使各移動平臺向一個副平臺底座上以及主平臺底座上移動，利用各移動平臺，在主平臺底座上進行基板的定位，使用多個第一雷射光測長系統，該第一雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺上，所述雷射光干涉儀對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，將各反射機構安裝在各移動平臺的第一平臺的下方，將各雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上，以對各移動平臺的X方向(或者Y方向)的位置進行檢測，根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。
8. 如申請專利範圍第7項所述的曝光方法，其中在各第一雷射光測長系統中，將多個雷射光干涉儀設置在主平臺底座的偏離導軌的位置上。
9. 如申請專利範圍第7或8項所述的曝光方法，其中在主平臺底座的Y方向(或者X方向)上安裝台座，使用第二雷射光測長系統，該第二雷射光測長系統包括光源、反射機構以及雷射光干涉儀，其中，所述光源用於產生雷射光，所述反射機構安裝在各移動平臺上，所述雷射光干涉儀對來自光源的雷射光與由反射機構所反射的雷射光的相干進行測定，將各反射機構安裝在各移動平臺的第二平臺上，將雷射光干涉儀設置在台座上，以對主平 臺底座上的各移動平臺的Y方向(或者X方向)的位置進行檢測，根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。
10. 如申請專利範圍第9項所述的曝光方法，其中將第二雷射光測長系統的各反射機構大致安裝在各移動平臺所搭載的夾盤的高度處。
11. 如申請專利範圍第7或8項所述的曝光方法，其中在各夾盤上安裝反射機構，分別利用多個雷射光位移計來測定各反射機構的位移，以檢測各夾盤的θ方向的傾斜，根據檢測結果，對利用各移動平臺來進行的基板的定位進行控制。
12. 如申請專利範圍第11項所述的曝光方法，其中將多個雷射光位移計設置在各移動平臺的第一平臺上。
13. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於，使用申請專利範圍第1至6項中任一項所述的曝光裝置來進行基板的曝光。
14. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於，使用申請專利範圍第7至12項中任一項所述的曝光方法來進行基板的曝光。