JP5441800B2 - プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に基板を支持するチャックを移動ステージによりＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転して露光時の基板の位置決めを行うプロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。

また、本発明は、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載された被測定物の変位を、複数の光学式変位計により複数箇所で測定し、測定した被測定物の変位に基づき、被測定物のθ方向の微小な傾きを検出する光学式変位計を用いた微小角度検出方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。

プロキシミティ露光装置において、パターンの焼付けを精度良く行うためには、露光時の基板の位置決めを精度良く行わなければならない。基板の位置決めは、移動ステージにより、基板を支持するチャックをＸＹ方向へ移動し、またθ方向へ回転して行われる。特許文献１及び特許文献２には、基板を位置決めする際に、レーザー測長系を用いて移動ステージのＸＹ方向の位置を検出し、また複数のレーザー変位計を用いてチャックのθ方向の傾きを検出する技術が開示されている。レーザー変位計は、三角測量を応用した光学式変位計であって、レーザー光源からのレーザー光を被測定物へ照射し、被測定物からの反射光をＣＣＤセンサー等の受光素子で受光して、被測定物の変位を測定する。光学式変位計には、レーザー光源を使用したレーザー変位計の他に、ＬＥＤ等の半導体発光素子を光源に使用したものもある。

特開２００８−２９８９０６号公報 特開２００９−３１６３９号公報

光学式変位計の出力特性は、設置状態により変動し、被測定物の微小な角度変化に対して線形性が異なる。そのため、特許文献１及び特許文献２に記載されている様に、複数のレーザー変位計を用いてチャックのθ方向の傾きを検出する場合、各レーザー変位計の測定値にチャックの角度に依存した変動値が含まれ、チャックのθ方向の傾きを精度良く検出することができない。

本発明の課題は、複数の光学式変位計を用い、チャックのθ方向の傾きを精度良く検出して、基板のθ方向の位置決めを精度良く行うことである。また、本発明の課題は、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な表示用パネル基板を製造することである。

さらに、本発明の課題は、複数の光学式変位計を用いて、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載された被測定物の微小な傾きを精度良く検出することである。

本発明のプロキシミティ露光装置は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設けて、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、チャックを搭載して、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージと、チャックの変位を複数箇所で測定する複数の光学式変位計と、移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、複数の光学式変位計の測定結果に基づき、チャックのθ方向の傾きを検出し、検出したチャックのθ方向の傾きに応じて、ステージ駆動回路を制御し、移動ステージによりチャックをθ方向へ回転させて、基板のθ方向の位置決めを行う制御手段とを備え、制御手段が、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、チャックのθ方向の傾きを検出するものである。

また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法は、基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設けて、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法であって、チャックを、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載し、複数の光学式変位計によりチャックの変位を複数箇所で測定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、チャックのθ方向の傾きを検出し、検出したチャックのθ方向の傾きに応じて、移動ステージによりチャックをθ方向へ回転して、基板のθ方向の位置決めを行うものである。

移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正するので、各光学式変位計の測定値に含まれるチャックの角度に依存した変動値が削除される。そして、補正した測定値から、チャックのθ方向の傾きを検出し、検出したチャックのθ方向の傾きに応じて、移動ステージによりチャックをθ方向へ回転して、基板のθ方向の位置決めを行うので、チャックのθ方向の傾きが精度良く検出され、基板のθ方向の位置決めが精度良く行われる。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置は、制御手段が、ステージ駆動回路を制御し、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転させた状態でＸ方向又はＹ方向へ移動させ、各光学式変位計により測定したチャックの変位の測定値と、計算で求めたチャックの変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定するものである。

また、本発明のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法は、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計によりチャックの変位を測定し、各光学式変位計により測定したチャックの変位の測定値と、計算で求めたチャックの変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定するものである。

移動ステージをθ方向へある角度だけ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計によりチャックの変位を測定すると、各光学式変位計により測定したチャックの変位の測定値と、計算で求めたチャックの変位の理論値とから、その角度における光学式変位計毎の補正値（校正係数）を求めることができる。これを、θ方向の複数の異なる角度について行うので、移動ステージのθ方向の角度に応じた補正値（校正係数）の変動特性が得られ、光学式変位計毎のθ方向の角度に応じた補正値を決定することができる。

この補正値（校正係数）の変動特性は、移動ステージのθ方向の角度が０のときを漸近線とする双曲線となり、一般的な双曲線の近似式により、θ方向の角度を変数とする関数として取り使うことができる。なお、この補正値（校正係数）の変動特性は、光学式変位計の個体差、設置状態、及び周囲の状況により異なるので、光学式変位計の設置前に得ることはできず、光学式変位計の設置後に光学式変位計毎に得なければならない。

本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行い、あるいは、上記のいずれかのプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を用いて基板を位置決めして、基板の露光を行うものである。露光時の基板のθ方向の位置決めが精度良く行われるので、パターンの焼付けが精度良く行われ、高品質な表示用パネル基板が製造される。

本発明の光学式変位計を用いた微小角度検出方法は、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載された被測定物の変位を、複数の光学式変位計により複数箇所で測定し、測定した被測定物の変位に基づき、被測定物のθ方向の微小な傾きを検出する光学式変位計を用いた微小角度検出方法であって、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計により被測定物の変位を測定し、各光学式変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出するものである。

θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計により被測定物の変位を測定し、各光学式変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正するので、被測定物の変位が、被測定物の微小な傾きに依存しないで精度良く検出される。そして、補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出するので、被測定物のθ方向の微小な傾きが精度良く検出される。

本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法によれば、チャックを、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載し、複数の光学式変位計によりチャックの変位を複数箇所で測定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、チャックのθ方向の傾きを検出し、検出したチャックのθ方向の傾きに応じて、移動ステージによりチャックをθ方向へ回転して、基板のθ方向の位置決めを行うことにより、チャックのθ方向の傾きを精度良く検出して、基板のθ方向の位置決めを精度良く行うことができる。

さらに、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法によれば、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計によりチャックの変位を測定することにより、各光学式変位計により測定したチャックの変位の測定値と、計算で求めたチャックの変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定することができる。

本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光時の基板のθ方向の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。

本発明の光学式変位計を用いた微小角度検出方法によれば、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各光学式変位計により被測定物の変位を測定し、各光学式変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正することにより、被測定物の変位を、被測定物の微小な傾きに依存しないで精度良く検出することができる。そして、補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出することにより、被測定物のθ方向の微小な傾きを精度良く検出することができる。

本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。 チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。 チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのＸ方向の一部断面側面図である。 主ステージベース上にある移動ステージのＹ方向の側面図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 レーザー干渉計の動作を説明する図である。 Ｘ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 Ｙ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。 移動ステージをθ方向へ回転した状態でＹ方向へ移動したときのチャック１０ａの変位を説明する図である。 チャック１０ａの変位の理論値を示す図である。 移動ステージをθ方向へ回転した状態でＹ方向へ移動したときのチャック１０ｂの変位を説明する図である。 チャック１０ｂの変位の理論値を示す図である。 チャックの変位の理論値と測定値の関係の一例を示す図である。 θステージの角度と校正係数の関係の一例を示す図である。 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。

図１は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。本実施の形態は、複数のチャックを有するプロキシミティ露光装置の例を示している。プロキシミティ露光装置は、複数のチャック１０ａ，１０ｂ、主ステージベース１１、複数の副ステージベース１１ａ，１１ｂ、台１２、Ｘガイド１３、複数の移動ステージ、マスクホルダ２０、レーザー測長系制御装置３０、複数の第１のレーザー測長系、第２のレーザー測長系、レーザー変位計制御装置４０、レーザー変位計４２，４３、バーミラー４４、主制御装置７０、入出力インタフェース回路７１，７２、及びステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、露光光を照射する照射光学系、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。

なお、本実施の形態では、チャック、副ステージベース、移動ステージ、第１のレーザー測長系及びステージ駆動回路がそれぞれ２つ設けられているが、これらをそれぞれ１つ又は３つ以上設けてもよい。また、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。

図１において、基板１の露光を行う露光位置の上空に、マスク２を保持するマスクホルダ２０が設置されている。マスクホルダ２０には、露光光が通過する開口２０ａが設けられており、開口２０ａの下方には、マスク２が装着されている。マスクホルダ２０の下面の開口２０ａの周囲には、吸着溝が設けられており、マスクホルダ２０は、吸着溝により、マスク２の周辺部を真空吸着して保持している。マスクホルダ２０に保持されたマスク２の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される。

マスクホルダ２０の下方には、主ステージベース１１が配置されている。主ステージベース１１の左右には、主ステージベース１１のＸ方向に隣接して副ステージベース１１ａ，１１ｂが配置されている。主ステージベース１１のＹ方向には、台１２が取り付けられている。チャック１０ａは、後述する移動ステージによって、副ステージベース１１ａ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。また、チャック１０ｂは、後述する移動ステージによって、副ステージベース１１ｂ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。

基板１は、副ステージベース１１ａ，１１ｂ上のロード／アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、チャック１０ａ，１０ｂへ搬入され、またチャック１０ａ，１０ｂから搬出される。チャック１０ａ，１０ｂへの基板１のロード及びチャック１０ａ，１０ｂからの基板１のアンロードは、チャック１０ａ，１０ｂに設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック１０ａ，１０ｂの内部に収納されており、チャック１０ａ，１０ｂの内部から上昇して、基板１をチャック１０ａ，１０ｂにロードする際、基板搬送ロボットから基板１を受け取り、基板１をチャック１０ａ，１０ｂからアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板１を受け渡す。チャック１０ａ，１０ｂは、基板１を真空吸着して支持する。

図２は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図３は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。図２において、主ステージベース１１上及び副ステージベース１１ａ，１１ｂ上には、主ステージベース１１上から副ステージベース１１ａ，１１ｂ上へＸ方向に伸びるＸガイド１３が設けられている。

図３において、チャック１０ａ，１０ｂは、それぞれ移動ステージに搭載されている。各移動ステージは、Ｘステージ１４、Ｙガイド１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、及びチャック支持台１９を含んで構成されている。Ｘステージ１４は、Ｘガイド１３に搭載され、Ｘガイド１３に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ１６は、Ｘステージ１４上に設けられたＹガイド１５に搭載され、Ｙガイド１５に沿ってＹ方向（図３の図面奥行き方向）へ移動する。θステージ１７は、Ｙステージ１６に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台１９は、θステージ１７に搭載され、チャック１０ａ，１０ｂを複数箇所で支持する。

各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動により、チャック１０ａは、副ステージベース１１ａ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動され、チャック１０ｂは、副ステージベース１１ｂ上のロード／アンロード位置と主ステージベース１１上の露光位置との間を移動される。図４は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す上面図である。また、図５は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示す一部断面側面図である。副ステージベース１１ａ，１１ｂ上のロード／アンロード位置において、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動、Ｙステージ１６のＹ方向への移動、及びθステージ１７のθ方向への回転により、チャック１０ａ，１０ｂに搭載された基板１のプリアライメントが行われる。

主ステージベース１１上の露光位置において、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動及びＹステージ１６のＹ方向への移動により、チャック１０ａ，１０ｂに保持された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。そして、各移動ステージのＸステージ１４のＸ方向への移動、Ｙステージ１６のＹ方向への移動、及びθステージ１７のθ方向への回転により、露光時の基板１の位置決めが行われる。また、図示しないＺ−チルト機構によりマスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせが行われる。

各移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられている。図１において、ステージ駆動回路８０ａは、主制御装置７０の制御により、チャック１０ａを搭載する移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７を駆動する。また、ステージ駆動回路８０ｂは、主制御装置７０の制御により、チャック１０ｂを搭載する移動ステージのＸステージ１４、Ｙステージ１６、及びθステージ１７を駆動する。

なお、本実施の形態では、マスクホルダ２０をＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行っているが、各移動ステージにＺ−チルト機構を設けて、チャック１０ａ，１０ｂをＺ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク２と基板１とのギャップ合わせを行ってもよい。

以下、本実施の形態のプロキシミティ露光装置の基板の位置決め動作について説明する。本実施の形態では、２つの第１のレーザー測長系の一方により、チャック１０ａを搭載する移動ステージのＸ方向の位置を検出し、他方により、チャック１０ｂを搭載する移動ステージのＸ方向の位置を検出する。また、第２のレーザー測長系により、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置を検出する。さらに、レーザー変位計４２，４３を用いて、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する。

図１において、第１のレーザー測長系の一方は、レーザー光源３１ａ、２つのレーザー干渉計３２ａ、及び後述するバーミラー３４ａを含んで構成されている。第１のレーザー測長系の他方は、レーザー光源３１ｂ、２つのレーザー干渉計３２ｂ、及び後述するバーミラー３４ｂを含んで構成されている。また、第２のレーザー測長系は、レーザー光源３１ｂ、レーザー干渉計３３、及びバーミラー３５を含んで構成されている。

図６は、主ステージベース上にある移動ステージの上面図である。図７は、主ステージベース上にある移動ステージのＸ方向の一部断面側面図である。図８は、主ステージベース上にある移動ステージのＹ方向の側面図である。図６〜図８は、チャック１０ａを搭載する移動ステージを示しており、チャック１０ｂを搭載する移動ステージは、チャック１０ａを搭載する移動ステージとＸ方向において左右対称な構成となっている。なお、図７ではＸガイド１３が省略され、図８ではレーザー干渉計３２ａ，３２ｂが省略されている。

図８において、移動ステージのＸステージ１４がＸガイド１３に搭載されているので、主ステージベース１１及び副ステージベース１１ａ，１１ｂとＸステージ１４との間に、Ｘガイド１３の高さに応じた空間が発生している。第１のレーザー測長系のバーミラー３４ａは、この空間を利用して、Ｘステージ１４の下に取り付けられている。バーミラー３４ｂも同様である。第１のレーザー測長系の２つのレーザー干渉計３２ａは、図１に示す様に、主ステージベース１１のＸガイド１３から外れた位置に設置されている。レーザー干渉計３２ｂも同様である。

図６〜図８において、第２のレーザー測長系のバーミラー３５は、アーム３６により、ほぼチャック１０ａの高さでＹステージ１６に取り付けられている。チャック１０ｂを搭載する移動ステージについても、同様に、バーミラー３５は、ほぼチャック１０ｂの高さでＹステージ１６に取り付けられている。第２のレーザー測長系のレーザー干渉計３３は、図６及び図８に示す様に、主ステージベース１１のＹ方向に取り付けられた台１２に設置されている。

図９及び図１０は、レーザー干渉計の動作を説明する図である。なお、図９は、チャック１０ａが露光位置にあり、チャック１０ｂがロード／アンロード位置にある状態を示し、図１０は、チャック１０ｂが露光位置にあり、チャック１０ａがロード／アンロード位置にある状態を示している。

図９及び図１０において、各レーザー干渉計３２ａは、レーザー光源３１ａからのレーザー光をバーミラー３４ａへ照射し、バーミラー３４ａにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ａからのレーザー光とバーミラー３４ａにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、２つのレーザー干渉計３２ａの測定結果から、チャック１０ａを搭載する移動ステージのＸ方向の位置を検出し、またＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０の検出結果を、入出力インタフェース回路７１を介して入力する。

図９及び図１０において、各レーザー干渉計３２ｂは、レーザー光源３１ｂからのレーザー光をバーミラー３４ｂへ照射し、バーミラー３４ｂにより反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ｂからのレーザー光とバーミラー３４ｂにより反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、２つのレーザー干渉計３２ｂの測定結果から、チャック１０ｂを搭載する移動ステージのＸ方向の位置を検出し、またＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングを検出する。主制御装置７０は、レーザー測長系制御装置３０の検出結果を、入出力インタフェース回路７１を介して入力する。

第１のレーザー測長系のバーミラー３４ａ，３４ｂを各移動ステージのＸステージ１４の下に取り付け、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１のＸガイド１３から外れた位置に設置するので、各移動ステージは副ステージベース１１ａ，１１ｂと主ステージベース１１とを移動する際にレーザー干渉計３２ａ，３２ｂと衝突することがない。そして、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１に設置するので、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂが副ステージベース１１ａ，１１ｂの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計３２ａ，３２ｂから主ステージベース１１上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、各第１のレーザー測長系を用いて、各移動ステージのＸ方向の位置が精度良く検出される。そして、各第１のレーザー測長系で、複数のレーザー干渉計３２ａ，３２ｂを主ステージベース１１に設置するので、複数のレーザー干渉計３２ａ，３２ｂの測定結果から、各移動ステージのＸステージ１４がＸ方向へ移動する際のヨーイングが検出される。

図９及び図１０において、レーザー干渉計３３は、レーザー光源３１ｂからのレーザー光をバーミラー３５へ照射し、バーミラー３５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源３１ｂからのレーザー光とバーミラー３５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。図１において、レーザー測長系制御装置３０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計３３の測定結果から、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置を検出する。

第２のレーザー測長系のレーザー干渉計３３を主ステージベース１１のＹ方向に取り付けられた台１２に設置するので、レーザー干渉計３３が副ステージベース１１ａ，１１ｂの振動の影響を受けない。また、レーザー干渉計３３から主ステージベース１１上の各移動ステージまでの測定距離が短くなる。従って、第２のレーザー測長系を用いて、主ステージベース１１上での各移動ステージのＹ方向の位置が精度良く検出される。そして、第２のレーザー測長系の各バーミラー３５を、ほぼ各移動ステージが搭載するチャック１０ａ，１０ｂの高さに取り付けるので、各移動ステージのＹ方向の位置が基板１の近傍で検出される。

図１１は、Ｘ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図１１は、チャック１０ａを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計を示しており、チャック１０ｂを搭載する移動ステージに取り付けられたレーザー変位計は、図１１とＸ方向において左右対称な構成となっている。バーミラー４４は、チャック１０ａ，１０ｂのＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。２つのレーザー変位計４２は、それぞれ、アーム４６により、バーミラー４４の高さでブロック４８に取り付けられている。ブロック４８は、Ｘステージ１４に取り付けられている。

図１２は、Ｙ方向の変位を測定するレーザー変位計の斜視図である。図１２において、バーミラー４５は、取り付け具４９により、チャック１０ａ，１０ｂの裏面に取り付けられている。レーザー変位計４３は、図７及び図１２に示す様に、アーム４７により、バーミラー４５の高さでＹステージ１６に取り付けられている。なお、図１２は、バーミラー４５及び取り付け具４９が見える様にするため、チャック１０ａ，１０ｂの一部を切り欠いた状態を示している。

図１１において、各レーザー変位計４２は、レーザー光をバーミラー４４へ照射し、バーミラー４４により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー４４が取り付けられたチャク１０ａのＸ方向の変位を測定する。また、図１２において、レーザー変位計４３は、レーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を検出することにより、バーミラー４５が取り付けられたチャック１０ａ，１０ｂのＹ方向の変位を測定する。

図１において、主制御装置７０は、レーザー変位計４２及びレーザー変位計４３の測定結果を、レーザー変位計制御装置４０から入出力インタフェース回路７２を介して入力する。そして、主制御装置７０は、レーザー変位計４２の測定結果から、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する。このとき、レーザー変位計４２の出力特性は、設置状態により変動し、チャック１０ａ，１０ｂの微小な角度変化に対して線形性が異なる。そのため、複数のレーザー変位計４２を用いてチャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する場合、各レーザー変位計４２の測定値にチャック１０ａ，１０ｂの角度に依存した変動値が含まれ、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを精度良く検出することができない。

一般的に、レーザー変位計を使用して被測定物の変位を精度良く測定するためには、レーザー変位計を実際に設置した後、被測定物をレーザー変位計の測定方向へ平行に移動して被測定物の変位を測定し、移動距離と測定結果とが一致する様にレーザー変位計を校正する作業が必要となる。しかしながら、本実施の形態では、レーザー変位計４２を各移動ステージのＸステージ１４に取り付けているため、レーザー変位計４２に対してチャック１０ａ，１０ｂを測定方向（Ｘ方向）へ平行に移動する可動軸が存在せず、この校正作業を行うことができない。

そこで、本実施の形態では、θ方向の複数の異なる角度について、各移動ステージのθステージ１７をθ方向へ回転した状態で、チャック１０ａ，１０ｂを各移動ステージのＹステージ１６によりＹ方向へ移動し、各レーザー変位計４２により測定したチャック１０ａ，１０ｂの変位の測定値と、計算で求めたチャック１０ａ，１０ｂの変位の理論値とから、レーザー変位計４２毎にθ方向の角度に応じた補正値（校正係数）を決定する。

まず、主制御装置７０は、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御し、各移動ステージのＹステージ１６によりチャック１０ａ，１０ｂをＹ方向へ所定の距離だけ移動させて、移動の前後のレーザー変位計４２の測定値を比較する。主制御装置７０は、各移動ステージのθステージ１７のθ方向の角度を変更しながら、移動の前後の測定値が同じ値（または両者の差が許容誤差の範囲内）になるまで、この動作を繰り返す。移動の前後の測定値が同じ値になると、チャック１０ａ，１０ｂに取り付けられたバーミラー４４が、レーザー変位計４２の測定方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）と平行になるので、主制御装置７０は、その状態で、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御し、チャック１０ａ，１０ｂの中心のＹ方向の位置が２つのレーザー変位計４２の中間に来る様に、各移動ステージのＹステージ１６によりチャック１０ａ，１０ｂをＹ方向へ移動させる。この状態を、チャック１０ａ，１０ｂの初期状態とする。

次に、主制御装置７０は、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御し、各移動ステージのθステージ１７を初期状態からθ方向へ任意の角度だけ回転させ、その状態で各移動ステージのＹステージ１６によりチャック１０ａ，１０ｂをＹ方向へ移動させながら、所定の間隔で、Ｙ方向への移動量及びレーザー変位計４２の測定値を内部のメモリに記憶する。主制御装置７０は、θ方向の複数の異なる角度について、これを繰り返し、各レーザー変位計４２により測定したチャック１０ａ，１０ｂの変位の測定値と、計算で求めたチャック１０ａ，１０ｂの変位の理論値とから、レーザー変位計４２毎にθ方向の角度に応じた補正値（校正係数）を予め決定する。主制御装置７０は、レーザー変位計４２毎に予め決定した補正値（校正係数）を、内部のメモリに記憶する。

図１３は、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＹ方向へ移動したときのチャック１０ａの変位を説明する図である。また、図１４は、チャック１０ａの変位の理論値を示す図である。図１３及び図１４において、図中の破線は、初期状態におけるバーミラー４４の反射面４４ａの位置を示し、実線は、θステージ１７を初期状態からθ方向へ角度φだけ回転した状態で、チャック１０ａをＹ方向へ距離Ｙ１だけ移動したときのバーミラー４４の反射面４４ｂの位置を示している。

図１３において、初期状態のチャック１０ａの中心Ｏからバーミラー４４の反射面４４ａまでの距離を、Ｘ０とする。回転及び移動後のチャック１０ａの中心Ｏ’ からバーミラー４４の反射面４４ｂまでの距離も、同じＸ０である。また 、初期状態のチャック１０ａの中心Ｏから各レーザー変位計４２までのＹ方向の距離をＹ０とする。そして、各レーザー変位計４２のＹ座標の位置において、初期状態のバーミラー４４の反射面４４ａと、回転及び移動後のバーミラー４４の反射面４４ｂとのＸ方向の距離（チャック１０ａの変位）を、ｄＸ，ｄＸ’とする。

回転及び移動後のチャック１０ａの中心Ｏ’のＹ座標の位置において、初期状態のバーミラー４４の反射面４４ａと、回転及び移動後のバーミラー４４の反射面４４ｂとのＸ方向の距離を、ΔＸとすると、
ＸＯ／（ＸＯ＋ΔＸ）＝ｃｏｓφ
であるので、
ΔＸ＝ＸＯ（１／ｃｏｓφ−１）
となる。また、チャック１０ａをＹ方向へＹ１だけ移動したとき、移動後のチャック１０ａの中心Ｏ’から各レーザー変位計４２までのＹ方向の距離は、Ｙ１−ＹＯ，Ｙ１＋ＹＯとなる。

図１４は、角度φを大きくしてΔＸ及びｄＸ，ｄＸ’を図示したものであり、図１４において、
（ｄＸ＋ΔＸ）／（Ｙ１−Ｙ０）＝ｔａｎφ
（ｄＸ’＋ΔＸ）／（Ｙ１＋Ｙ０）＝ｔａｎφ
であるので、各レーザー変位計４２で測定されるチャック１０ａの変位ｄＸ，ｄＸ’は、次の式で計算することができる。
ｄＸ＝（Ｙ１−Ｙ０）ｔａｎφ−ΔＸ
＝（Ｙ１−Ｙ０）ｔａｎφ＋ＸＯ（１−１／ｃｏｓφ）
ｄＸ’＝（Ｙ１＋Ｙ０）ｔａｎφ−ΔＸ
＝（Ｙ１＋Ｙ０）ｔａｎφ＋ＸＯ（１−１／ｃｏｓφ）

図１５は、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＹ方向へ移動したときのチャック１０ｂの変位を説明する図である。また、図１６は、チャック１０ｂの変位の理論値を示す図である。図１５及び図１６において、各符号は、図１３及び図１４と同じものを示している。図１５において、
ＸＯ／（ＸＯ＋ΔＸ）＝ｃｏｓφ
であるので、
ΔＸ＝ＸＯ（１／ｃｏｓφ−１）
となる。また、チャック１０ｂをＹ方向へＹ１だけ移動したとき、移動後のチャック１０ｂの中心Ｏ’から各レーザー変位計４２までのＹ方向の距離は、Ｙ１−ＹＯ，Ｙ１＋ＹＯとなる。

図１６は、角度φを大きくしてΔＸ及びｄＸ，ｄＸ’を図示したものであり、図１６において、
（ｄＸ−ΔＸ）／（Ｙ１−Ｙ０）＝ｔａｎφ
（ｄＸ’−ΔＸ）／（Ｙ１＋Ｙ０）＝ｔａｎφ
であるので、各レーザー変位計４２で測定されるチャック１０ｂの変位ｄＸ，ｄＸ’は、次の式で計算することができる。
ｄＸ＝（Ｙ１−Ｙ０）ｔａｎφ＋ΔＸ
＝（Ｙ１−Ｙ０）ｔａｎφ＋ＸＯ（１／ｃｏｓφ−１）
ｄＸ’＝（Ｙ１＋Ｙ０）ｔａｎφ＋ΔＸ
＝（Ｙ１＋Ｙ０）ｔａｎφ＋ＸＯ（１／ｃｏｓφ−１）

図１７は、チャックの変位の理論値と測定値の関係の一例を示す図である。図１７は、θステージ１７を初期状態からθ方向へある微小角度だけ回転した状態で、Ｙステージ１６によりチャック１０ａ，１０ｂをＹ方向へ移動したとき、レーザー変位計４２で測定されるチャック１０ａ，１０ｂの変位について、上記の計算式により計算した理論値を横軸、実際にあるレーザー変位計４２で測定した測定値を縦軸として示したものである。図１７に示す様に、チャックの変位の理論値と測定値はほぼ比例し、グラフの傾きから、その角度においてレーザー変位計４２の測定値を補正する補正値（校正係数）を求めることができる。

θ方向の複数の異なる角度について、同様の測定を行って、チャックの変位の理論値と測定値の関係を示すグラフを作成すると、グラフの傾きから求められる校正係数は、θステージ１７のθ方向の角度によって変化する。図１８は、θステージの角度と校正係数の関係の一例を示す図である。図１８の横軸はθステージ１７のθ方向の角度を示し、縦軸は各角度において求められた校正係数を示している。図１８に示す様に、θステージ１７のθ方向の角度に応じた校正係数の変動特性は、θステージ１７のθ方向の角度が０のときを漸近線とする双曲線となり、一般的な双曲線の近似式により、θ方向の角度を変数とする関数として取り使うことができる。ただし、θステージ１７のθ方向の角度が０に近いときは、校正係数が無限大になるので、校正係数を理想値の１とする。なお、この校正係数の変動特性は、レーザー変位計４２の個体差、設置状態、及び周囲の状況により異なるので、レーザー変位計４２の設置前に得ることはできず、レーザー変位計４２の設置後にレーザー変位計４２毎に得なければならない。

この様に、各移動ステージのθステージ１７をθ方向へある角度だけ回転した状態でＹ方向へ移動し、各レーザー変位計４２によりチャック１０ａ，１０ｂの変位を測定すると、各レーザー変位計４２により測定したチャック１０ａ，１０ｂの変位の測定値と、計算で求めたチャック１０ａ，１０ｂの変位の理論値とから、その角度におけるレーザー変位計４２毎の補正値（校正係数）を求めることができる。これを、θ方向の複数の異なる角度について行うので、各移動ステージのθステージ１７のθ方向の角度に応じた補正値（校正係数）の変動特性が得られ、レーザー変位計４２毎のθ方向の角度に応じた補正値を決定することができる。

図１において、露光時の基板１の位置決めを行う際、主制御装置７０は、各移動ステージのθステージ１７のθ方向の角度に応じて、内部のメモリに記憶したレーザー変位計４２毎に予め決定した補正値（校正係数）により、各レーザー変位計４２の測定値を補正し、補正した測定値から、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出する。そして、主制御装置７０は、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きの検出結果に基づき、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御して各移動ステージのθステージ１７を駆動させ、露光時の基板１のθ方向の位置決めを行う。また、主制御装置７０は、入出力インタフェース回路７１を介して入力したレーザー測長系制御装置３０の検出結果に基づき、ステージ駆動回路８０ａ，８０ｂを制御して各移動ステージのＸステージ１４及びＹステージ１６を駆動させ、露光時の基板１のＸＹ方向の位置決めを行う。

各移動ステージのθステージ１７のθ方向の角度に応じて、レーザー変位計４２毎に予め決定した補正値により、各レーザー変位計４２の測定値を補正するので、各レーザー変位計４２の測定値に含まれるチャック１０ａ，１０ｂの角度に依存した変動値が削除される。そして、補正した測定値から、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出し、検出したチャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きに応じて、各移動ステージのθステージ１７によりチャック１０ａ，１０ｂをθ方向へ回転して、基板１のθ方向の位置決めを行うので、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きが精度良く検出され、基板１のθ方向の位置決めが精度良く行われる。

以上説明した本実施の形態によれば、チャック１０ａ，１０ｂを、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載し、複数のレーザー変位計４２によりチャック１０ａ，１０ｂの変位を複数箇所で測定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、レーザー変位計４２毎に予め決定した補正値により、各レーザー変位計４２の測定値を補正し、補正した測定値から、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを検出し、検出したチャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きに応じて、移動ステージによりチャック１０ａ，１０ｂをθ方向へ回転して、基板１のθ方向の位置決めを行うことにより、チャック１０ａ，１０ｂのθ方向の傾きを精度良く検出して、基板１のθ方向の位置決めを精度良く行うことができる。

さらに、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各レーザー変位計４２によりチャック１０ａ，１０ｂの変位を測定することにより、各レーザー変位計４２により測定したチャック１０ａ，１０ｂの変位の測定値と、計算で求めたチャック１０ａ，１０ｂの変位の理論値とから、レーザー変位計４２毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定することができる。

本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、露光時の基板のθ方向の位置決めを精度良く行うことができるので、パターンの焼付けを精度良く行って、高品質な基板を製造することができる。

例えば、図１９は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等により感光樹脂材料（フォトレジスト）を塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。

また、図２０は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。

図１９に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図２０に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）の露光処理において、本発明のプロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を適用することができる。

本発明のレーザー変位計を用いた微小角度検出方法は、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載された被測定物の変位を、複数のレーザー変位計により複数箇所で測定し、測定した被測定物の変位に基づき、被測定物のθ方向の微小な傾きを検出するレーザー変位計を用いた微小角度検出方法であって、θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各レーザー変位計により被測定物の変位を測定し、各レーザー変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、レーザー変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、レーザー変位計毎に予め決定した補正値により、各レーザー変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出するものである。

θ方向の複数の異なる角度について、移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、各レーザー変位計により被測定物の変位を測定し、各レーザー変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、レーザー変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、移動ステージのθ方向の角度に応じて、レーザー変位計毎に予め決定した補正値により、各レーザー変位計の測定値を補正することにより、被測定物の変位を、被測定物の微小な傾きに依存しないで精度良く検出することができる。そして、補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出することにより、被測定物のθ方向の微小な傾きを精度良く検出することができる。

１ 基板
２ マスク
１０ａ，１０ｂ チャック
１１ 主ステージベース
１１ａ，１１ｂ 副ステージベース
１２ 台
１３ Ｘガイド
１４ Ｘステージ
１５ Ｙガイド
１６ Ｙステージ
１７ θステージ
１９ チャック支持台
２０ マスクホルダ
３０ レーザー測長系制御装置
３１ａ，３１ｂ レーザー光源
３２ａ，３２ｂ，３３ レーザー干渉計
３４ａ，３４ｂ，３５ バーミラー
３６ アーム
４０ レーザー変位計制御装置
４２，４３ レーザー変位計
４４，４５ バーミラー
４６，４７ アーム
４８ ブロック
４９ 取り付け具
７０ 主制御装置
７１，７２ 入出力インタフェース回路
８０ａ，８０ｂ ステージ駆動回路

Claims (7)

1. 基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設けて、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置において、
   前記チャックを搭載して、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージと、
   前記チャックの変位を複数箇所で測定する複数の光学式変位計と、
   前記移動ステージを駆動するステージ駆動回路と、
   前記複数の光学式変位計の測定結果に基づき、前記チャックのθ方向の傾きを検出し、検出した前記チャックのθ方向の傾きに応じて、前記ステージ駆動回路を制御し、前記移動ステージにより前記チャックをθ方向へ回転させて、基板のθ方向の位置決めを行う制御手段とを備え、
   前記制御手段は、前記移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、補正した測定値から、前記チャックのθ方向の傾きを検出することを特徴とするプロキシミティ露光装置。
2. 前記制御手段は、前記ステージ駆動回路を制御し、θ方向の複数の異なる角度について、前記移動ステージをθ方向へ回転させた状態でＸ方向又はＹ方向へ移動させ、各光学式変位計により測定した前記チャックの変位の測定値と、計算で求めた前記チャックの変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載のプロキシミティ露光装置。
3. 基板を支持するチャックと、マスクを保持するマスクホルダとを備え、マスクと基板との間に微小なギャップを設けて、マスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法であって、
   チャックを、ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載し、
   複数の光学式変位計によりチャックの変位を複数箇所で測定し、
   移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、
   補正した測定値から、チャックのθ方向の傾きを検出し、
   検出したチャックのθ方向の傾きに応じて、移動ステージによりチャックをθ方向へ回転して、基板のθ方向の位置決めを行うことを特徴とするプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法。
4. θ方向の複数の異なる角度について、
   移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、
   各光学式変位計によりチャックの変位を測定し、
   各光学式変位計により測定したチャックの変位の測定値と、計算で求めたチャックの変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を決定することを特徴とする請求項３に記載のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法。
5. 請求項１又は請求項２に記載のプロキシミティ露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
6. 請求項３又は請求項４に記載のプロキシミティ露光装置の基板位置決め方法を用いて基板を位置決めして、基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
7. ＸＹ方向へ移動及びθ方向へ回転する移動ステージに搭載された被測定物の変位を、複数の光学式変位計により複数箇所で測定し、測定した被測定物の変位に基づき、被測定物のθ方向の微小な傾きを検出する光学式変位計を用いた微小角度検出方法であって、
   θ方向の複数の異なる角度について、
   移動ステージをθ方向へ回転した状態でＸ方向又はＹ方向へ移動し、
   各光学式変位計により被測定物の変位を測定し、
   各光学式変位計により測定した被測定物の変位の測定値と、計算で求めた被測定物の変位の理論値とから、光学式変位計毎にθ方向の角度に応じた補正値を予め決定し、
   移動ステージのθ方向の角度に応じて、光学式変位計毎に予め決定した補正値により、各光学式変位計の測定値を補正し、
   補正した測定値から、被測定物のθ方向の傾きを検出することを特徴とする光学式変位計を用いた微小角度検出方法。

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