JP2008009012A - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板がチャックに対してθ方向に回転した姿勢でチャックに搭載されるのを防止する。
【解決手段】基板エッジ検出装置8は、基板エッジ検出センサーの受光部5b,6b,7bの検出信号から、基板1の縁を検出する。主制御装置70は、基板エッジ検出装置8が検出した基板1の縁の位置関係から、基板1のθ方向の傾きを検出する。主制御装置70は、基板1をチャックに搭載する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10を基板1の傾き分だけθ方向へ回転する。基板1をチャック10に搭載した後、主制御装置70は、レーザー測長系がチャック10の位置を検出する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10の回転を元に戻す。
【選択図】図1
【解決手段】基板エッジ検出装置8は、基板エッジ検出センサーの受光部5b,6b,7bの検出信号から、基板1の縁を検出する。主制御装置70は、基板エッジ検出装置8が検出した基板1の縁の位置関係から、基板1のθ方向の傾きを検出する。主制御装置70は、基板1をチャックに搭載する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10を基板1の傾き分だけθ方向へ回転する。基板1をチャック10に搭載した後、主制御装置70は、レーザー測長系がチャック10の位置を検出する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10の回転を元に戻す。
【選択図】図1
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。プロキシミティ方式は、プロジェクション方式に比べてパターン解像性能は劣るが、照射光学系の構成が簡単で、かつ処理能力が高く量産用に適している。
近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、1枚の基板から1枚又は複数枚の表示用パネル基板を製造している。この場合、プロキシミティ方式では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、ステージにより基板をXY方向にステップ移動させながら、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。以下、この方式を、プロキシミティXYステップ方式と呼ぶ。
従来、プロキシミティXYステップ方式では、ステージのガイド部近傍に設けたリニアスケールを用い、基板に刻んだ測定用パターンの移動量を測定して基板の位置を検出することにより、露光時の基板の位置決めを行っていた。これに対し、特許文献1には、レーザー測長系を用いて基板を搭載したチャックの位置を検出し、基板の位置決めを高精度に行う技術が開示されている。
特開2005−331542号公報
露光装置において、チャックへの基板の供給は、ロボットハンド等の搬送装置を用いて行われる。ロボットハンド等の搬送装置では、基板を搬送する前に、基板の縁をガイドローラ等で案内し、基板が常に同じ姿勢でチャックへ供給される様にしている。
しかしながら、基板の大きさには製造上のばらつきがあり、基板が小さく基板の縁がガイドローラ等で案内されないと、基板がθ方向に傾いた状態でチャックへ供給される場合がある。その場合、基板はチャックに対してθ方向に回転した姿勢でチャックに搭載され、基板の傾きを直すためにはチャックをθ方向に反対側へ回転しなければならない。特許文献1の様にレーザー測長系を用いてチャックの位置を検出する場合、チャックがθ方向に大きく回転すると、チャックで反射されたレーザー光を受光できず、チャックの位置検出ができなくなるという問題が発生した。
本発明の課題は、基板がチャックに対してθ方向に回転した姿勢でチャックに搭載されるのを防止することである。また、本発明の課題は、レーザー測長系を用いたチャックの位置検出を常に可能とし、露光時の基板の位置決めを高精度に行うことである。さらに、本発明の課題は、露光時の基板の位置決めを高精度に行って、高品質な基板を製造することである。
本発明の露光装置は、基板を搭載するチャックと、チャックの位置を検出するレーザー測長系と、レーザー測長系の検出結果に基づいて、チャックを移動して露光時の基板の位置決めを行う位置決め手段とを備えた露光装置であって、チャックに搭載する前の基板のθ方向の傾きを検出する検出手段を備え、位置決め手段が、基板をチャックに搭載する前に、チャックを検出手段が検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転し、基板をチャックに搭載した後、レーザー測長系がチャックの位置を検出する前に、チャックの回転を元に戻すものである。
また、本発明の露光方法は、基板をチャックに搭載し、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出し、検出結果に基づいて、チャックを移動して露光時の基板の位置決めを行う露光方法であって、基板をチャックに搭載する前に、基板のθ方向の傾きを検出し、チャックを検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転し、基板をチャックに搭載した後、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出する前に、チャックの回転を元に戻すものである。
基板をチャックに搭載する前に、基板のθ方向の傾きを検出し、チャックを検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転するので、基板は、チャックに対するθ方向の回転がない姿勢で、チャックに搭載される。そして、基板をチャックに搭載した後、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出する前に、チャックの回転を元に戻すので、レーザー測長系を用いたチャックの位置検出が常に可能となり、露光時の基板の位置決めが高精度に行われる。
さらに、本発明の露光装置は、検出手段が、基板の互いに平行でない複数の縁を検出する複数のセンサーを含むものである。また、本発明の露光方法は、基板の互いに平行でない複数の縁を検出して、基板のθ方向の傾きを検出するものである。互いに平行でない複数の縁の検出結果から、基板のθ方向の傾きが精度良く検出される。
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、露光時の基板の位置決めが高精度で行われ、高品質な基板が製造される。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、基板をチャックに搭載する前に、基板のθ方向の傾きを検出し、チャックを検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転することにより、基板がチャックに対してθ方向に回転した姿勢でチャックに搭載されるのを防止することができる。そして、基板をチャックに搭載した後、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出する前に、チャックの回転を元に戻すことにより、レーザー測長系を用いたチャックの位置検出を常に可能とし、露光時の基板の位置決めを高精度に行うことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、基板の互いに平行でない複数の縁を検出することにより、基板のθ方向の傾きを精度良く検出することができる。
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、露光時の基板の位置決めを高精度に行って、高品質な基板を製造することができる。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は、本発明の一実施の形態による露光装置の平面図である。露光装置は、基板エッジ検出センサー5a,5b,6a,6b,7a,7b、基板エッジ検出装置8、チャック10、ステージベース12、ガイド13,15、Yステージ14、Xステージ16、θステージ17、Z−チルト機構18、マスクホルダ20、レーザー測長系制御装置30、主制御装置70、及びステージ駆動回路80を含んで構成されている。なお、露光装置は上記の構成要素以外に照射光学系を含むが、図1及び図2では照射光学系を省略している。また、図1ではレーザー測長系のレーザー光源31、1軸干渉計35、及びハーフミラー39を省略し、図2では基板エッジ検出装置8、レーザー測長系制御装置30、主制御装置70、及びステージ駆動回路80を省略している。
図1において、ステージベース12は露光装置の土台となるもので、ステージベース12の上にはYステージ14が搭載され、さらにその上にXステージ16、θステージ17、Z−チルト機構18、及びチャック10が搭載されている。図2において、Yステージ14は、ステージベース12に設けられたガイド13に沿ってY方向に移動する。Xステージ16は、Yステージ14に設けられたガイド15に沿ってX方向に移動し、θステージ17はθ方向へ回転する。図1において、Z−チルト機構18は、Z方向へ移動及びチルトする。ステージ駆動回路80は、主制御装置70の制御により、Yステージ14、Xステージ16、θステージ17、及びZ−チルト機構18を駆動する。
図1及び図2において、チャック10は、基板1の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、ロボットハンド100によって基板1がチャック10へ供給され、またロボットハンド100によって基板1がチャック10から回収される。チャック10への基板1の搭載は、チャック10に設けた複数の突き上げピンを介して行われる。突き上げピンは、チャック10の表面より上昇して、基板1をロボットハンド100から受け取った後、再び下降して、基板1をチャック10の表面に載せる。チャック10は、基板1を真空吸着して保持する。
受け渡し位置で基板1を搭載したチャック10は、Yステージ14のY方向への移動によって、基板1の露光を行う露光位置へ移動する。露光位置の上空には、マスクホルダ20によってマスク2が保持されている。マスクホルダ20は、マスク2の周辺部を真空吸着して保持する。
露光位置において、Xステージ16のX方向への移動及びYステージ14のY方向への移動によって、基板1のXY方向へのステップ移動が行われる。そして、Xステージ16のX方向への移動、Yステージ14のY方向への移動、及びθステージ17のθ方向への回転によって、露光時の基板1の位置決めが行われる。また、Z−チルト機構18のZ方向のチルトによって、基板1がマスク2と水平にされ、Z−チルト機構18のZ方向への移動によって、マスク2と基板1とのギャップ合わせが行われる。
マスクホルダ20に保持されたマスク2の上空には、図示しない照射光学系が配置されており、露光時、照射光学系からの露光光がマスク2を透過して基板1へ照射されることにより、マスク2のパターンが基板1の表面に転写され、基板1上にパターンが形成される。
まず、本実施の形態の露光装置の基板搭載時の動作について説明する。図1において、5a,6a,7aは基板エッジ検出センサーの発光部を示し、5b,6b,7bは基板エッジ検出センサーの受光部を示す。発光部5aと受光部5bは、ロボットハンド100に搭載された基板1を挟んで、向かい合って設置されている。発光部6aと受光部6b、及び発光部7aと受光部7bも同様である。図2に示す様に、発光部5aと受光部5b及び発光部6aと受光部6bは、基板1のX方向に伸びる縁の上下に配置されており、発光部7aと受光部7bは、基板1のY方向に伸びる縁の上下に配置されている。
基板エッジ検出センサーの受光部5b,6b,7bは、複数の受光素子を含むラインセンサーで構成されている。各受光素子は、それぞれ、発光部5a,6a,7aが発生した光を受光し、受光した光の強度に応じた検出信号を出力する。基板1を透過して受光された光と基板1を透過せずに直接受光された光とでは強度が異なるため、受光部5b,6b,7bの検出信号は、基板1の縁の前後で強度が変化する。
基板エッジ検出装置8は、受光部5b,6b,7bの検出信号から、基板1のX方向に伸びる縁及びのY方向に伸びる縁を検出する。主制御装置70は、基板エッジ検出装置8が検出した基板1のX方向に伸びる縁及びのY方向に伸びる縁の位置関係から、基板1のθ方向の傾きを検出する。
なお、基板1のθ方向の傾きを検出するためには、基板1の縁を最低2箇所で検出すればよいが、本実施の形態では、基板1の互いに平行でない複数の縁を検出することにより、基板1のθ方向の傾きを精度良く検出することができる。
主制御装置70は、基板1をチャックに搭載する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10を基板1の傾き分だけθ方向へ回転する。チャック10が基板1の傾き分だけθ方向へ回転された状態で、ロボットハンド100が基板1をチャック10へ供給し、基板1がチャック10に搭載される。基板1をチャックに搭載する前に、基板1のθ方向の傾きを検出し、チャック10を検出した基板1の傾き分だけθ方向へ回転するので、基板1は、チャック10に対するθ方向の回転がない姿勢で、チャック10に搭載される。
基板1をチャック10に搭載した後、主制御装置70は、後述するレーザー測長系がチャック10の位置を検出する前に、ステージ駆動回路80を制御してθステージ17を駆動し、チャック10の回転を元に戻す。そして、主制御装置70は、ステージ駆動回路80を制御してYステージ14を駆動し、基板1を露光位置へ移動する。
次に、本実施の形態の露光装置の位置決め動作について説明する。図3は、レーザー測長系でチャックの位置を検出している状態を示す平面図である。図4は、レーザー測長系でチャックの位置を検出している状態を示すY方向の側面図である。図5は、レーザー測長系でチャックの位置を検出している状態を示すX方向の側面図である。なお、図3では図2と同様に基板エッジ検出装置8、レーザー測長系制御装置30、主制御装置70、及びステージ駆動回路80を省略している。また、図4ではレーザー測長系のレーザー光源31、1軸干渉計35、及びハーフミラー39を省略し、図5では基板エッジ検出センサー5a,5b,6a,6b,7a,7b、基板エッジ検出装置8、レーザー測長系のレーザー光源31、3軸干渉計32、及びハーフミラー39を省略している。
図3において、レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源31、3軸干渉計32、バーミラー33,36、1軸干渉計35、及びハーフミラー39を含んで構成されている。レーザー光源31からのレーザー光は、ハーフミラー39を介して、3軸干渉計32及び1軸干渉計35へ供給される。バーミラー33はチャック10のX方向の一側面に取り付けられており、バーミラー36はチャック10のY方向の一側面に取り付けられている。
3軸干渉計32は、図4に示す様に、レーザー光源31からのレーザー光をバーミラー33へ照射し、バーミラー33により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31からのレーザー光とバーミラー33により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、X方向の2箇所で行う。レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、3軸干渉計32の測定結果から、チャック10のY方向の位置及びθ方向の回転を検出する。
一方、1軸干渉計35は、図5に示す様に、レーザー光源31からのレーザー光をバーミラー36へ照射し、バーミラー36により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源31からのレーザー光とバーミラー36により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置30は、主制御装置70の制御により、1軸干渉計35の測定結果から、チャック10のX方向の位置を検出する。
なお、3軸干渉計32の代わりに1軸干渉計を2つ用いて、チャック10のY方向の位置及びθ方向の回転を検出してもよい。
主制御装置70は、CPU、メモリ、入出力回路、及びバスを含んで構成されている。メモリには、基板1の位置決めを行う際のチャック10の位置の目標座標が記憶されている。露光時の基板1の位置決めを行う際、CPUは、レーザー測長系制御装置30の検出結果を、入出力回路及びバスを介して入力し、メモリに記憶する。そして、CPUは、チャック10の位置が目標座標と等しくなる様に、ステージ駆動回路80を制御してチャック10を移動させる。
本実施の形態によれば、基板1をチャック10に搭載する前に、基板1のθ方向の傾きを検出し、チャック10を検出した基板1の傾き分だけθ方向へ回転することにより、基板1がチャック10に対してθ方向に回転した姿勢でチャック10に搭載されるのを防止することができる。そして、基板1をチャック10に搭載した後、レーザー測長系を用いてチャック10の位置を検出する前に、チャック10の回転を元に戻すことにより、レーザー測長系を用いたチャック10の位置検出を常に可能とし、露光時の基板1の位置決めを高精度に行うことができる。
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、露光時の基板の位置決めを高精度に行って、高品質な基板を製造することができる。
例えば、図6は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、プロキシミティ露光装置や投影露光装置等を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にTFTアレイが形成される。
また、図7は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法等により、ガラス基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図6に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図7に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
1 基板
2 マスク
5a,6a,7a 基板エッジ検出センサー(発光部)
5b,6b,7b 基板エッジ検出センサー(受光部)
8 基板エッジ検出装置
10 チャック
12 ステージベース
13,15 ガイド
14 Yステージ
16 Xステージ
17 θステージ
18 Z−チルト機構
20 マスクホルダ
30 レーザー測長系制御装置
31 レーザー光源
32 3軸干渉計
33,36 バーミラー
35 1軸干渉計
39 ハーフミラー
70 主制御装置
80 ステージ駆動回路
100 ロボットハンド
2 マスク
5a,6a,7a 基板エッジ検出センサー(発光部)
5b,6b,7b 基板エッジ検出センサー(受光部)
8 基板エッジ検出装置
10 チャック
12 ステージベース
13,15 ガイド
14 Yステージ
16 Xステージ
17 θステージ
18 Z−チルト機構
20 マスクホルダ
30 レーザー測長系制御装置
31 レーザー光源
32 3軸干渉計
33,36 バーミラー
35 1軸干渉計
39 ハーフミラー
70 主制御装置
80 ステージ駆動回路
100 ロボットハンド
Claims (6)
- 基板を搭載するチャックと、
前記チャックの位置を検出するレーザー測長系と、
前記レーザー測長系の検出結果に基づいて、前記チャックを移動して露光時の基板の位置決めを行う位置決め手段とを備えた露光装置であって、
前記チャックに搭載する前の基板のθ方向の傾きを検出する検出手段を備え、
前記位置決め手段は、基板を前記チャックに搭載する前に、前記チャックを前記検出手段が検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転し、基板を前記チャックに搭載した後、前記レーザー測長系が前記チャックの位置を検出する前に、前記チャックの回転を元に戻すことを特徴とする露光装置。 - 前記検出手段は、基板の互いに平行でない複数の縁を検出する複数のセンサーを含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 基板をチャックに搭載し、
レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出し、
検出結果に基づいて、チャックを移動して露光時の基板の位置決めを行う露光方法であって、
基板をチャックに搭載する前に、基板のθ方向の傾きを検出し、チャックを検出した基板の傾き分だけθ方向へ回転し、
基板をチャックに搭載した後、レーザー測長系を用いてチャックの位置を検出する前に、チャックの回転を元に戻すことを特徴とする露光方法。 - 基板の互いに平行でない複数の縁を検出して、基板のθ方向の傾きを検出することを特徴とする請求項3に記載の露光方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
- 請求項3又は請求項4に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009300972A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置及びプロキシミティ露光装置の基板搬送方法 |
JP2010160327A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
-
2006
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