JP2010060990A - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を保持するチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う際に、ステージの走行誤差による描画品質の低下を防止する。
【解決手段】基板1を保持するチャック10をXステージ5により移動しながら、チャック10の位置を検出し、チャック10の位置の検出結果に基づき、Xステージ5の走行誤差を検出する。そして、Xステージ5の走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する。Xステージ5に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。
【選択図】図1

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に係り、特に基板を保持するチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてフォトマスク(以下、「マスク」と称す)のパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。この様な露光装置として、例えば、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に記載のものがある。
特開2003−332221号公報 特開2005−353927号公報 特開2007−219011号公報
光ビームによる基板の走査は、基板と光ビームとを相対的に移動して行われるが、精密な光学系を含む光ビーム照射装置を固定し、基板を保持するチャックをステージにより移動して行うのが一般的である。その際、ステージに横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生して、チャックに保持された基板の移動経路がずれると、光ビーム照射装置からの光ビームにより描画されるパターンがずれるので、パターンの描画が精度良く行われず、描画品質が低下するという問題があった。
本発明の課題は、基板を保持するチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う際に、ステージの走行誤差による描画品質の低下を防止することである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を製造することである。
本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を保持するチャックと、チャックを移動するステージと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを備え、ステージによりチャックを移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、ステージにより移動されるチャックの位置を検出する位置検出手段と、位置検出手段の検出結果に基づき、ステージの走行誤差を検出する走行誤差検出手段と、走行誤差検出手段の検出結果に基づき、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する手段とを備えたものである。
また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで保持し、チャックをステージにより移動し、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、チャックをステージにより移動しながら、チャックの位置を検出し、チャックの位置の検出結果に基づき、ステージの走行誤差を検出し、ステージの走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。
光ビーム照射装置の空間的光変調器は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成され、駆動回路が描画データに基づいて各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する。空間的光変調器により変調された光ビームは、光ビーム照射装置の照射光学系を含むヘッド部から、チャックに保持された基板へ照射される。基板を保持するチャックをステージにより移動しながら、チャックの位置を検出し、チャックの位置の検出結果に基づき、ステージの走行誤差を検出する。そして、ステージの走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するので、ステージに横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。
さらに、本発明の露光装置は、位置検出手段が、レーザー光を発生する光源と、チャックに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計とを含むレーザー測長系を有するものである。また、本発明の露光方法は、レーザー光を発生する光源と、チャックに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計とを含むレーザー測長系を用いて、チャックの位置を検出するものである。レーザー測長系を用いてチャックの位置が精度良く検出されるので、ステージの走行誤差が精度良く検出される。従って、描画データの座標の補正が正確に行われ、パターンの描画がさらに精度良く行われる。
さらに、本発明の露光装置は、光ビーム照射装置を複数備え、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うものである。また、本発明の露光方法は、複数の光ビーム照射装置を設け、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うものである。複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査する際も、各光ビーム照射装置の光ビームにより描画されるパターンがステージの走行誤差により互いにずれることがなく、パターンの描画が精度良く行われる。そして、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うので、基板全体の走査に掛かる時間が短く済み、タクトタイムが短縮される。
本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、パターンの描画が精度良く行われるので、高品質な表示用パネル基板が製造される。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、ステージの走行誤差を検出し、ステージの走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することにより、ステージに横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画を精度良く行うことができる。従って、基板を保持するチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う際に、ステージの走行誤差による描画品質の低下を防止することができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、レーザー光を発生する光源と、チャックに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計とを含むレーザー測長系を用いて、チャックの位置を検出することにより、チャックの位置を精度良く検出することができるので、ステージの走行誤差を精度良く検出することができる。従って、描画データの座標の補正を正確に行うことができ、パターンの描画をさらに精度良く行なうことができる。
さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板を走査する際も、各光ビーム照射装置からの光ビームにより描画されるパターンがステージの走行誤差により互いにずれるのを防止することができるので、パターンの描画を精度良く行うことができる。そして、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うことにより、基板全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、パターンの描画を精度良く行うことができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
図1は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図3は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、ゲート11、光ビーム照射装置20、リニアスケール31,33、エンコーダ32,34、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置40、走行誤差検出回路46、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を含んで構成されている。なお、図2及び図3では、レーザー測長系のレーザー光源41、レーザー測長系制御装置40、走行誤差検出回路46、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。露光装置は、これらの他に、チャック10へ基板1を供給する供給ユニット、チャック10から基板1を回収する回収ユニット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、以下に説明する実施の形態におけるXY方向は例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよい。
図1及び図2において、チャック10は、基板1の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない供給ユニットにより基板1がチャック10へ供給され、また図示しない回収ユニットにより基板1がチャック10から回収される。チャック10は、基板1の裏面を真空吸着して保持する。基板1の表面には、フォトレジストが塗布されている。
基板1の露光を行う露光位置の上空に、ベース3をまたいでゲート11が設けられている。ゲート11には、複数の光ビーム照射装置20が搭載されている。なお、本実施の形態は、8つの光ビーム照射装置20を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、7つ以下又は9つ以上の光ビーム照射装置を用いてもよい。
図4は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置20は、光ファイバー22、レンズ23、ミラー24、DMD(Digital Micromirror Device)25、投影レンズ26、及びDMD駆動回路27を含んで構成されている。光ファイバー22は、レーザー光源ユニット21から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置20内へ導入する。光ファイバー22から射出された光ビームは、レンズ23及びミラー24を介して、DMD25へ照射される。DMD25は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD25により変調された光ビームは、投影レンズ26を含むヘッド部20aから照射される。DMD駆動回路27は、主制御装置70から供給された描画データに基づいて、DMD25の各ミラーの角度を変更する。
図2及び図3において、チャック10は、θステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。
θステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1は、直交する二辺がX方向及びY方向へ向く様に回転される。Xステージ5のX方向への移動により、チャック10は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Xステージ5のX方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームが、基板1をX方向へ走査する。また、Yステージ7のY方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームによる基板1の走査領域が、Y方向へ移動される。図1において、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、θステージ8のθ方向へ回転、Xステージ5のX方向への移動、及びYステージ7のY方向への移動を行う。
図1及び図2において、ベース3には、X方向へ伸びるリニアスケール31が設置されている。リニアスケール31には、Xステージ5のX方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Xステージ5には、Y方向へ伸びるリニアスケール33が設置されている。リニアスケール33には、Yステージ7のY方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。
図1及び図3において、Xステージ5の一側面には、リニアスケール31に対向して、エンコーダ32が取り付けられている。エンコーダ32は、リニアスケール31の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。また、図1及び図2において、Yステージ7の一側面には、リニアスケール33に対向して、エンコーダ34が取り付けられている。エンコーダ34は、リニアスケール33の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。主制御装置70は、エンコーダ32のパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量を検出し、エンコーダ34のパルス信号をカウントして、Yステージ7のY方向への移動量を検出する。
図5は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図5においては、図1に示したゲート11及び光ビーム照射装置20が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源41、レーザー干渉計42,44、及びバーミラー43,45を含んで構成されている。バーミラー43は、チャック10のY方向の一側面に取り付けられている。また、バーミラー45は、チャック10のX方向の一側面に取り付けられている。
レーザー干渉計42は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー43へ照射し、バーミラー43により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー43により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Y方向の2箇所で行う。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計42の測定結果から、Xステージ5により移動されるチャック10のX方向の位置及び回転を検出する。
一方、レーザー干渉計44は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー45により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計44の測定結果から、Xステージ5により移動されるチャック10のY方向の位置を検出する。
走行誤差検出回路46は、レーザー測長系制御装置40の検出結果から、Xステージ5がX方向へ移動する際の横揺れやヨーイング等の走行誤差を検出する。レーザー測長系を用いて、チャック10の位置を検出することにより、チャック10の位置を精度良く検出することができるので、Xステージ5の走行誤差を精度良く検出することができる。走行誤差検出回路46は、検出結果を主制御装置70へ出力する。
図1において、主制御装置70は、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ描画データを供給する描画制御部を有する。図6は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部71は、メモリ72、バンド幅設定部73、中心点座標決定部74、及び座標決定部75を含んで構成されている。メモリ72は、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを、そのXY座標をアドレスとして記憶している。
バンド幅設定部73は、メモリ72から読み出す描画データのY座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射される光ビームのY方向のバンド幅を設定する。
中心点座標決定部74は、エンコーダ32,34からのパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量及びYステージ7のY方向への移動量を検出し、チャック10の中心点のXY座標を決定する。そして、中心点座標決定部74は、走行誤差検出回路46の検出結果に基づき、決定したチャック10の中心点のXY座標を補正する。
座標決定部75は、中心点座標決定部74が補正したチャック10の中心点のXY座標に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのXY座標を決定する。メモリ72は、座標決定部75が決定したXY座標をアドレスとして入力し、入力したXY座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ出力する。
Xステージ5の走行誤差を検出し、Xステージ5の走行誤差の検出結果に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給するので、Xステージ5に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。
図7〜図10は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図7〜図10は、8つの光ビーム照射装置20からの8本の光ビームにより、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示している。図7〜図10においては、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aが破線で示されている。各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームは、Y方向にバンド幅Wを有し、Xステージ5のX方向への移動によって、基板1を矢印で示す方向へ走査する。
図7は、1回目の走査を示し、X方向への1回目の走査により、図7に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。1回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図8は、2回目の走査を示し、X方向への2回目の走査により、図8に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。2回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図9は、3回目の走査を示し、X方向への3回目の走査により、図9に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。3回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動される。図10は、4回目の走査を示し、X方向への4回目の走査により、図10に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板1全体の走査が終了する。
複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1を走査する際も、各光ビーム照射装置20からの光ビームにより描画されるパターンがXステージ5の走行誤差により互いにずれるのを防止することができるので、パターンの描画を精度良く行うことができる。そして、複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1の走査を並行して行うことにより、基板1全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
なお、図7〜図10では、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板1のX方向の走査を3回以下又は5回以上行って、基板1全体を走査してもよい。
以上説明した実施の形態によれば、Xステージ5の走行誤差を検出し、Xステージ5の走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給することにより、Xステージ5に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画を精度良く行うことができる。従って、基板1を保持するチャック10をXステージ5により移動して、光ビームによる基板1の走査を行う際に、Xステージ5の走行誤差による描画品質の低下を防止することができる。
さらに、以上説明した実施の形態によれば、レーザー測長系を用いて、チャック10の位置を検出することにより、チャック10の位置を精度良く検出することができるので、Xステージ5の走行誤差を精度良く検出することができる。従って、描画データの座標の補正を正確に行うことができ、パターンの描画をさらに精度良く行なうことができる。
さらに、以上説明した実施の形態によれば、複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1を走査する際も、各光ビーム照射装置20からの光ビームにより描画されるパターンがXステージ5の走行誤差により互いにずれるのを防止することができるので、パターンの描画を精度良く行うことができる。そして、複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビームにより基板1の走査を並行して行うことにより、基板1全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、パターンの描画を精度良く行うことができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
例えば、図11は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップ101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップ102)では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程(ステップ103)では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程(ステップ104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップ105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップ101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程(ステップ106)では、エッチング工程(ステップ105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図12は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップ202)では、印刷法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程(ステップ203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップ204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
図11に示したTFT基板の製造工程では、露光工程(ステップ103)において、図12に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップ201)及び着色パターン形成工程(ステップ202)の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。 光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。 レーザー測長系の動作を説明する図である。 描画制御部の概略構成を示す図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
符号の説明
1 基板
3 ベース
4 Xガイド
5 Xステージ
6 Yガイド
7 Yステージ
8 θステージ
10 チャック
11 ゲート
20 光ビーム照射装置
20a ヘッド部
21 レーザー光源ユニット
22 光ファイバー
23 レンズ
24 ミラー
25 DMD(Digital Micromirror Device)
26 投影レンズ
27 DMD駆動回路
31,33 リニアスケール
32,34 エンコーダ
40 レーザー測長系制御装置
41 レーザー光源
42,44 レーザー干渉計
43,45 バーミラー
46 走行誤差検出回路
60 ステージ駆動回路
70 主制御装置
71 描画制御部
72 メモリ
73 バンド幅設定部
74 中心点座標決定部
75 座標決定部

Claims (8)

  1. フォトレジストが塗布された基板を保持するチャックと、
    前記チャックを移動するステージと、
    光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを備え、
    前記ステージにより前記チャックを移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
    前記ステージにより移動される前記チャックの位置を検出する位置検出手段と、
    前記位置検出手段の検出結果に基づき、前記ステージの走行誤差を検出する走行誤差検出手段と、
    前記走行誤差検出手段の検出結果に基づき、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 前記位置検出手段は、レーザー光を発生する光源と、前記チャックに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計とを含むレーザー測長系を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記光ビーム照射装置を複数備え、複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
  4. フォトレジストが塗布された基板をチャックで保持し、
    チャックをステージにより移動し、
    光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
    チャックをステージにより移動しながら、チャックの位置を検出し、
    チャックの位置の検出結果に基づき、ステージの走行誤差を検出し、
    ステージの走行誤差の検出結果に基づき、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データの座標を補正し、
    補正した座標の描画データを、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする露光方法。
  5. レーザー光を発生する光源と、チャックに取り付けられた反射手段と、光源からのレーザー光と反射手段により反射されたレーザー光との干渉を測定する干渉計とを含むレーザー測長系を用いて、チャックの位置を検出することを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
  6. 複数の光ビーム照射装置を設け、
    複数の光ビーム照射装置からの複数の光ビームにより基板の走査を並行して行うことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の露光方法。
  7. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  8. 請求項4乃至請求項6のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012173693A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び露光方法
TWI479593B (zh) * 2011-11-30 2015-04-01 Kawasaki Heavy Ind Ltd Transfer of workpiece offset correction mechanism and its correction method
CN106054805A (zh) * 2016-07-07 2016-10-26 上海邮政科学研究院 一种用于分拣机的纠偏控制系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120064460A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-15 Nikon Corporation Movable body apparatus, object processing device, exposure apparatus, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method
JP2013178445A (ja) * 2012-02-29 2013-09-09 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN110887441B (zh) * 2019-12-11 2021-09-28 浙江一诺机电有限公司 一种产品尺寸、规格自动化检测并分辨装置
CN111389746A (zh) * 2020-04-20 2020-07-10 苏州万祥科技股份有限公司 一种动力电池生产用成品尺寸检测筛选装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300805A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Pentax Corp 描画装置
JP2007114468A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414918A (en) * 1987-07-08 1989-01-19 Nikon Corp Stepper
DE69226511T2 (de) * 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab, Taeby Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
JPH08227839A (ja) * 1995-02-20 1996-09-03 Nikon Corp 移動鏡曲がりの計測方法
AU1975197A (en) * 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US6159644A (en) * 1996-03-06 2000-12-12 Hitachi, Ltd. Method of fabricating semiconductor circuit devices utilizing multiple exposures
US5877845A (en) * 1996-05-28 1999-03-02 Nippon Kogaku Kk Scanning exposure apparatus and method
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
US6509955B2 (en) * 2000-05-25 2003-01-21 Ball Semiconductor, Inc. Lens system for maskless photolithography
US6833908B2 (en) * 2001-03-23 2004-12-21 Ultratech, Inc. Computer architecture for and method of high-resolution imaging using a low-resolution image transducer
CN1791839A (zh) * 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
JP4201178B2 (ja) * 2002-05-30 2008-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
JP2004012903A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置
JP4532200B2 (ja) * 2004-08-10 2010-08-25 株式会社オーク製作所 描画装置
US7136148B2 (en) * 2004-12-23 2006-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006349945A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 露光装置
KR20100030999A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 정렬 오차의 보상 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300805A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Pentax Corp 描画装置
JP2007114468A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Fujifilm Corp 描画装置及び描画方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012173693A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び露光方法
TWI479593B (zh) * 2011-11-30 2015-04-01 Kawasaki Heavy Ind Ltd Transfer of workpiece offset correction mechanism and its correction method
US9475651B2 (en) 2011-11-30 2016-10-25 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Mechanism for and method of correcting yawing of conveyed workpiece
CN106054805A (zh) * 2016-07-07 2016-10-26 上海邮政科学研究院 一种用于分拣机的纠偏控制系统
CN106054805B (zh) * 2016-07-07 2019-12-20 中邮科技有限责任公司 一种用于分拣机的纠偏控制系统

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