CN101359185B - 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

在使用多个移动平台的近接方式的曝光中，使用激光测长系统，来高精度地进行曝光时的基板的定位。各移动平台搭载着夹盘(10a)与(10b)而向副平台底座(11a)、(11b)上以及主平台底座(11)上移动，从而在主平台底座(11)上进行基板(1)的定位。各第一激光测长系统包括激光源(31a)与(31b)、安装在各移动平台的X平台(14)下方的柱状镜(34a)与(34b)、以及设置在主平台底座(11)的偏离X导轨(1113)的位置上的激光干涉仪(32a)与(32b)，从而对各移动平台的X方向的位置进行检测。激光干涉仪(32a)与(32b)不会受到副平台底座(11a)与(11b)的振动的影响，并且从激光干涉仪(32a)与(32b)到主平台底座(11)上的各移动平台为止的测定距离变短。

Description

曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法

技术领域

本发明是涉及一种在制造液晶显示装置等的显示用面板基板时，使用近接(proximity)方式来进行基板的曝光的曝光装置、曝光方法以及使用此曝光装置和曝光方法的显示用面板基板的制造方法，特别是涉及一种具备多个移动平台的曝光装置、曝光方法以及使用此曝光装置和曝光方法的显示用面板基板的制造方法。

背景技术

在制造用作显示用面板的液晶显示装置的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)基板、彩色滤光片(color filter)基板、等离子体显示面板(plasma display panel)用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示面板用基板等，是使用曝光装置，通过光刻(photolithography)技术在基板上形成图案(pattern)而进行制造。曝光装置有投影(projection)方式和近接方式，所述投影方式是使用透镜或反光镜将光掩模(以下称为“掩模”)的图案投影到基板上，所述近接方式是在掩模与基板之间设置微小的间隙(proximity gap)而将掩模图案转印到基板上。与投影方式相比，近接方式虽然图案析象性能较差，但是照射光学系统的构成简单，且处理能力高，因而适用于量产。

近年来，在制造显示用面板的各种基板时，为了应对大型化以及尺寸的多样化，是准备相对较大的基板，并根据显示用面板的尺寸而由一块基板来制造一块或者多块显示用面板基板。此时，就近接方式而言，如果想要一次性对基板的一面进行曝光，则需要与基板相同大小的掩模，从而会进一步增加昂贵的掩模成本。因此，目前成为主流的是下述方式：使用与基板相比相对较小的掩模，一边利用移动平台来使基板在XY方向上步进(step)移动，一边将基板的一个面分成多个曝光照射区域(shot)而进行曝光。以下，将这种方式称为近接XY步进方式。

专利文献1中揭示了一种技术：在近接XY步进方式的曝光中，使用激光测长系统来高精度地进行曝光时的基板定位，以提高曝光精度。激光测长系统包括光源、反射机构(柱状镜(bar mirror))以及激光干涉仪，其中，所述光源用于产生激光，所述反射机构安装在夹盘(chuck)上，所述激光干涉仪对来自光源的激光与由反射机构(柱状镜)所反射的激光的相干进行测定。并且，专利文献2中揭示了一种技术，即，在近接方式的曝光中，使用对基板进行固定的多个夹盘以及移动各夹盘的多个移动平台，以此来提高处理量(throughput)，尤其是在近接XY步进方式的曝光中，处理量提高的效果较大。

专利文献1：日本专利特开2005-331542号公报

专利文献2：日本专利特开2005-140935号公报

如专利文献2中所记载，当使用多个夹盘以及多个移动平台时，为了进行搬运，用以使各移动平台在基板的装载/卸载位置与曝光位置之间移动的平台底座，是分割成装载/卸载位置用的副平台底座与曝光位置用的主平台底座而构成。并且，为了使用如专利文献1中记载的激光测长系统来进行曝光时的基板的定位，必须在副平台底座或者主平台底座中的任一者上设置激光测长系统的激光干涉仪。

如果将激光测长系统的激光干涉仪设置在副平台底座上，则激光干涉仪将受到副平台底座的振动的影响。并且，从激光干涉仪到主平台底座上的移动平台为止的测定距离将增长。由于这些原因，会引起容易产生测定误差的问题。另一方面，如果将激光测长系统的激光干涉仪设置在主平台底座上，则各移动平台在副平台底座与主平台底座之间移动时就会与激光干涉仪碰撞，因此必须使激光干涉仪移动。而一旦移动激光干涉仪，则测定结果的再现性将会出现问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种新的曝光装置、曝光方法，所要解决的技术问题是在使用多个移动平台的近接方式的曝光中，使用激光测长系统，来高精度地进行曝光时的基板的定位，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新的显示用面板基板的制造方法，所要解决的技术问题是通过高精度地进行图案的曝光，以制造出高品质的基板，从而更加适于实用。

本发明的曝光装置是一种使用近接方式的曝光装置，其包括：多个夹盘，用于保持基板；掩模架，用于保持掩模；主平台底座，配置在掩模架的下方；多个副平台底座，在主平台底座的X方向(或者Y方向)上相邻接而配置着；导轨，从主平台底座上延伸到多个副平台底座上；多个移动平台，包括第一平台、第二平台以及第三平台，其中，所述第一平台搭载在导轨上且向X方向(或者Y方向)移动，所述第二平台搭载在第一平台上且向Y方向(或者X方向)移动，所述第三平台搭载在第二平台上且向θ方向旋转，多个移动平台搭载着各夹盘而向一个副平台底座上以及主平台底座上移动，从而在主平台底座上进行基板的定位；多个第一激光测长系统，用于检测各移动平台的X方向(或者Y方向)的位置；多个平台驱动电路，用于驱动各移动平台；以及控制装置，用于控制各平台驱动电路，并且，各第一激光测长系统包括第一光源、第一反射机构以及第一激光干涉仪，其中，所述第一光源用于产生激光，所述第一反射机构安装在各移动平台的第一平台的下方，所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上，对来自第一光源的激光与由所述第一反射机构所反射的激光的相干进行测定，控制装置根据各第一激光测长系统的检测结果，来控制各平台驱动电路。

而且，本发明的曝光方法是一种使用近接方式的曝光方法，其包括：在保持掩模的掩模架的下方配置主平台底座，在主平台底座的X方向(或者Y方向)上相邻接地配置多个副平台底座，设置从主平台底座上延伸到多个副平台底座上的导轨，设置多个移动平台，该多个移动平台包括第一平台、第二平台以及第三平台，其中，所述第一平台搭载在导轨上且向X方向(或者Y方向)移动，所述第二平台搭载在第一平台上且向Y方向(或者X方向)移动，所述第三平台搭载在第二平台上且向θ方向旋转，并且多个移动平台上搭载着用来保持基板的夹盘，使各移动平台向一个副平台底座上以及主平台底座上移动，利用各移动平台，在主平台底座上进行基板的定位，使用多个第一激光测长系统，该第一激光测长系统包括第一光源、第一反射机构以及第一激光干涉仪，其中，所述第一光源用于产生激光，所述第一反射机构安装在各移动平台上，所述第一激光干涉仪对来自第一光源的激光与由所述第一反射机构所反射的激光的相干进行测定，将各所述第一反射机构安装在各移动平台的第一平台的下方，将各所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上，以对各移动平台的X方向(或者Y方向)的位置进行检测，根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。

因为设置从主平台底座上延伸到多个副平台底座上的导轨，并将各移动平台的第一平台搭载在导轨上，所以在主平台底座以及副平台底座与各移动平台的第一平台之间，将产生与导轨的高度相应的空间。因为将对各移动平台的X方向(或者Y方向)的位置进行检测的多个第一激光测长系统的各反射机构安装在各移动平台的第一平台的下方，并将各第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上，所以在移动副平台底座与主平台底座时，各移动平台不会与各第一激光干涉仪碰撞。并且，因为将各第一激光干涉仪设置在主平台底座上，所以各第一激光干涉仪不会受到副平台底座的振动的影响。而且，从各第一激光干涉仪到主平台底座上的各移动平台为止的测定距离变短。因此，可以使用各第一激光测长系统，来高精度地检测出各移动平台的X方向(或者Y方向)的位置。

进而，在本发明的曝光装置中，各第一激光测长系统包括多个所述第一激光干涉仪，多个所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上。并且，本发明的曝光方法中，在各第一激光测长系统中，将多个所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上。在各第一激光测长系统中，将多个所述第一激光干涉仪设置在主平台底座上，因此，可以根据多个所述第一激光干涉仪的测定结果，来高精度地检测出各移动平台的第一平台向X方向(或者Y方向)移动时的偏转(yawing)。

进而，本发明的曝光装置包括：台座，安装在主平台底座的Y方向(或者X方向)上；以及第二激光测长系统，对主平台底座上的各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置进行检测，且所述第二激光测长系统包括第二光源、第二反射机构以及第二激光干涉仪，其中所述第二光源用于产生激光，所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，所述第二激光干涉仪设置在台座上，对来自第二光源的激光与由所述第二反射机构所反射的激光的相干进行测定，控制装置根据第二激光测长系统的检测结果，来控制各平台驱动电路。

并且，本发明的曝光方法中，在主平台底座的Y方向(或者X方向)上安装台座，并使用第二激光测长系统，该第二激光测长系统包括第二光源、第二反射机构以及第二激光干涉仪，其中，所述第二光源用于产生激光，所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，所述第二激光干涉仪对来自第二光源的激光与由所述第二反射机构所反射的激光的相干进行测定，将各所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，将第二激光干涉仪设置在台座上，以对主平台底座上的各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置进行检测，并根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。

因为将第二激光测长系统的激光干涉仪设置在台座上，其中，第二激光测长系统用于对主平台底座上的各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置进行检测，所述台座安装在主平台底座的Y方向(或者X方向)上，因此激光干涉仪不会受到副平台底座的振动的影响。并且，从激光干涉仪到主平台底座上的各移动平台为止的测定距离变短。因此，可以使用第二激光测长系统，来高精度地检测出主平台底座上的各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置。

进而，本发明的曝光装置中，将第二激光测长系统的各反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处。并且，本发明的曝光方法中，将第二激光测长系统的各所述第二反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处。因为将第二激光测长系统的各所述第二反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处，所以可以在基板的附近对各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置进行检测。

进而，本发明的曝光装置包括：第三反射机构，安装在各夹盘上；多个激光位移计，与各夹盘相对应而设置，对各所述第三反射机构的位移进行测定；以及倾斜检测机构，根据多个激光位移计的测定结果，对各夹盘的θ方向的倾斜进行检测，并且，控制装置根据倾斜检测机构的检测结果，来控制各平台驱动电路。并且，本发明的曝光方法中，在各夹盘上安装第三反射机构，分别利用多个激光位移计来测定各所述第三反射机构的位移，以检测各夹盘的θ方向的倾斜，并根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。因为在各夹盘上安装第三反射机构，并分别利用多个激光位移计来测定各所述第三反射机构的位移，所以可以高精度地检测出各夹盘的θ方向的倾斜。

进而，本发明的曝光装置中，将多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上。并且，本发明的曝光方法中，将多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上。因为将多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上，所以可以根据多个激光位移计的测定结果，来对搭载在第一平台上的第二平台向Y方向(或者X方向)移动时的偏转进行检测。

本发明的显示用面板基板的制造方法，是使用上述任一曝光装置或者曝光方法来进行基板的曝光。由于可高精度地进行曝光时的基板的定位，所以可以高精度地进行图案的曝光，以制造出高品质的基板。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法至少具有下列优点及有益效果：

根据本发明的曝光装置以及曝光方法，使用各第一激光测长系统，可以高精度地检测出各移动平台的X方向(或者Y方向)的位置。因此，可以高精度地进行曝光时的X方向(或者Y方向)的基板的定位。

进而，根据本发明的曝光装置以及曝光方法，在各第一激光测长系统中，将多个激光干涉仪设置在主平台底座上，由此，可以根据多个激光干涉仪的测定结果，来对各移动平台的第一平台向X方向(或者Y方向)移动时的偏转进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的X方向(或者Y方向)的基板的定位。

进而，根据本发明的曝光装置以及曝光方法，使用第二激光测长系统，可以高精度地检测出主平台底座上的各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置。因此，可以高精度地进行曝光时的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

进而，根据本发明的曝光装置以及曝光方法，将第二激光测长系统的各反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处，由此，可以在基板的附近对各移动平台的Y方向(或者X方向)的位置进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

进而，根据本发明的曝光装置以及曝光方法，在各夹盘上安装反射机构，并分别利用多个激光位移计来对各反射机构的位移进行测定，由此，可以高精度地检测出各夹盘的θ方向的倾斜。因此，可以高精度地进行曝光时的θ方向的基板的定位。

进而，根据本发明的曝光装置以及曝光方法，将多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上，由此，可以根据多个激光位移计的测定结果，来对搭载在第一平台上的第二平台向Y方向(或者X方向)移动时的偏转进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的Y方向(或者X方向)的基板的定位。

根据本发明的显示用面板基板的制造方法，可以高精度地进行曝光时的基板的定位，因此可以高精度地进行图案的曝光，以制造出高品质的基板。

综上所述，在使用多个移动平台的近接方式的曝光中，使用激光测长系统，来高精度地进行曝光时的基板的定位。各移动平台搭载着夹盘(10a)与(10b)而向副平台底座(11a)、(11b)上以及主平台底座(11)上移动，从而在主平台底座(11)上进行基板(1)的定位。各第一激光测长系统包括激光源(31a)与(31b)、安装在各移动平台的X平台(14)下方的柱状镜(34a)与(34b)、以及设置在主平台底座(11)的偏离X导轨(13)的位置上的激光干涉仪(32a)与(32b)，从而对各移动平台的X方向的位置进行检测。激光干涉仪(32a)与(32b)不会受到副平台底座(11a)与(11b)的振动的影响，并且从激光干涉仪(32a)与(32b)到主平台底座(11)上的各移动平台为止的测定距离变短。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是表示本发明一实施方式的曝光装置的概略构成的图。

图2是表示夹盘10a位于曝光位置、夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的俯视图。

图3是表示夹盘10a位于曝光位置、夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。

图4是表示夹盘10b位于曝光位置、夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的俯视图。

图5是表示夹盘10b位于曝光位置、夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。

图6是位于主平台底座上的移动平台的俯视图。

图7是位于主平台底座上的移动平台的X方向的局部剖面侧视图。

图8是位于主平台底座上的移动平台的Y方向的侧视图。

图9是说明激光干涉仪的动作的图。

图10是说明激光干涉仪的动作的图。

图11是对X方向的位移进行测定的激光位移计的立体图。

图12是对Y方向的位移进行测定的激光位移计的立体图。

图13是表示液晶显示装置的TFT基板的制造步骤的一例的流程图。

图14是表示液晶显示装置的彩色滤光片基板的制造步骤的一例的流程图。

1：       基板                    2：       掩模

10a、10b：夹盘                    11：      主平台底座

11a、11b：副平台底座              12：      台座

13：      X导轨                   14：      X平台

15：      Y导轨                   16：      Y平台

17：      θ平台                  19：      夹盘支撑台

20：      掩模架                  30：      激光测长系统控制装置

31a、31b：激光源                  32a、32b：激光干涉仪

33：      激光干涉仪              34a、34b：柱状镜

35：      柱状镜                  36：      支臂

40：      激光位移计控制装置      42、43：  激光位移计

44、45：  柱状镜                  46、47：  支臂

48：      台板                    49：      安装件

70：      主控制装置              71、72：  输入输出接口电路

80a、80b：平台驱动电路            101～106：步骤

201～204：步骤

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

图1是表示本发明一实施方式的曝光装置的概略构成的图。曝光装置包括多个夹盘10a与10b、主平台底座11、多个副平台底座11a与11b、台座12、X导轨13、多个移动平台、掩模架20、激光测长系统控制装置30、多个第一激光测长系统、第二激光测长系统、激光位移计控制装置40、激光位移计42与43、柱状镜44与45、主控制装置70、输入输出接口电路71与72、以及平台驱动电路80a与80b。另外，在曝光装置中，除了所述各部分以外，还包括照射曝光用光的照射光学系统、搬入基板1的搬入单元、搬出基板1的搬出单元、以及进行装置内的温度管理的温度控制单元等。

另外，在本实施方式中，夹盘、副平台底座、移动平台、第一激光测长系统以及平台驱动电路各设置了两个，但是这些部分也可以各设置三个或三个以上。并且，以下所说明的实施方式中的XY方向是例示，也可以将X方向与Y方向调换。

图1中，在进行基板1的曝光的曝光位置的上空，设置着保持掩模2的掩模架20。掩模架20以真空吸附的方式保持掩模2的周边部。在由掩模架20所保持的掩模2的上空，配置着未图示的照射光学系统。在曝光时，来自照射光学系统的曝光用光透过掩模2而照射到基板1，以此，将掩模2的图案转印到基板1的表面，从而在基板1上形成图案。

在掩模架20的下方，配置着主平台底座11。在主平台底座11的左右，在主平台底座11的X方向上相邻接地配置着副平台底座11a与11b。在主平台底座11的Y方向上，安装着台座12。夹盘10a通过下述的移动平台，而在副平台底座11a上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。并且，夹盘10b通过下述的移动平台，而在副平台底座11b上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。基板1在副平台底座11a与11b上的装载/卸载位置上，通过未图示的搬入单元而搭载到夹盘10a与10b上，并且，通过未图示的搬出单元，而从夹盘10a与10b回收该基板1。夹盘10a与10b以真空吸附的方式来保持基板1。

图2是表示夹盘10a位于曝光位置、夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的俯视图。并且，图3是表示夹盘10a位于曝光位置、夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。图2中，在主平台底座11上以及副平台底座11a与11b上，设置着在X方向上从主平台底座11上延伸到副平台底座11a与11b上的X导轨13。

图3中，夹盘10a与10b分别搭载在移动平台上。各移动平台包括X平台14、Y导轨15、Y平台16、θ平台17以及夹盘支撑台19而构成。X平台14搭载在X导轨13上，并沿着X导轨13而向X方向移动。Y平台16搭载在设置于X平台14上的Y导轨15上，并沿着Y导轨15而向Y方向(图式纵深方向)移动。θ平台17搭载在Y平台16上，并向θ方向旋转。夹盘支撑台19搭载在θ平台17上，以支撑夹盘10a与10b。

通过各移动平台的X平台14的朝向X方向的移动，夹盘10a在副平台底座11a上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动，而夹盘10b在副平台底座11b上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。图4是表示夹盘10b位于曝光位置、夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的俯视图。并且，图5是表示夹盘10b位于曝光位置、夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。

在主平台底座11上的曝光位置上，通过各移动平台的X平台14的朝向X方向的移动以及Y平台16的朝向Y方向的移动，而使保持在夹盘10a与10b上的基板1进行朝向XY方向的步进移动。并且，通过各移动平台的X平台14的朝向X方向的移动、Y平台16的朝向Y方向的移动以及θ平台17的朝向θ方向的旋转，而进行曝光时的基板1的定位。并且，通过未图示的Z-倾斜(tilt)机构而使掩模架20向Z方向移动并倾斜，以此来进行掩模2与基板1的间隙合拢。图1中，平台驱动电路80a通过主控制装置70的控制，而对搭载夹盘10a的移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17进行驱动。并且，平台驱动电路80b通过主控制装置70的控制，而对搭载夹盘10b的移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17进行驱动。

另外，在本实施方式中，是通过使掩模架20向Z方向移动并倾斜，来进行掩模2与基板1的间隙合拢，但也可以在各移动平台上设置Z-倾斜机构，而使夹盘10a、10b向Z方向移动并倾斜，以此来进行掩模2与基板1的间隙合拢。

以下，对本实施方式的曝光装置的基板的定位动作进行说明。在本实施方式中，利用两个第一激光测长系统中的其中一个，来对搭载夹盘10a的移动平台的X方向的位置进行检测，并利用另一个第一激光测长系统，来对搭载夹盘10b的移动平台的X方向的位置进行检测。并且，利用第二激光测长系统，来对主平台底座11上的各移动平台的Y方向的位置进行检测。进而，使用激光位移计42与43来对夹盘10a与10b的θ方向的倾斜进行检测。

图1中，其中一个第一激光测长系统包括激光源31a、两个激光干涉仪32a以及下述柱状镜34a而构成。另一个第一激光测长系统则包括激光源31b、两个激光干涉仪32b以及下述柱状镜34b而构成。并且，第二激光测长系统包括激光源31b、激光干涉仪33以及柱状镜35而构成。

图6是位于主平台底座上的移动平台的俯视图。图7是位于主平台底座上的移动平台的X方向的局部剖面侧视图。图8是位于主平台底座上的移动平台的Y方向的侧视图。图6至图8表示搭载夹盘10a的移动平台，搭载夹盘10b的移动平台与搭载夹盘10a的移动平台在X方向上呈左右对称的构成。另外，图7中省略了X导轨13，图8中省略了激光干涉仪32a与32b。

图8中，由于移动平台的X平台14搭载在X导轨13上，所以在主平台底座11以及副平台底座11a、11b与X平台14之间，会产生与X导轨13的高度相应的空间。第一激光测长系统的柱状镜34a利用这个空间，而安装于X平台14的下方。柱状镜34b也是同样。第一激光测长系统的两个激光干涉仪32a如图1所示，设置在主平台底座11的偏离X导轨13的位置上。激光干涉仪32b也是同样。

在图6至图8中，第二激光测长系统的柱状镜35利用支臂36，而大致以夹盘10a的高度安装在Y平台16上。对于搭载夹盘10b的移动平台而言也是同样，柱状镜35大致以夹盘10b的高度而安装在Y平台16上。第二激光测长系统的激光干涉仪33如图6及图8所示，设置在安装于主平台底座11的Y方向上的台座12上。

图9及图10是说明激光干涉仪的动作的图。另外，图9表示夹盘10a位于曝光位置、夹盘10b位于装载/卸载位置的状态，图10表示夹盘10b位于曝光位置、夹盘10a位于装载/卸载位置的状态。

在图9及图10中，各激光干涉仪32a使来自激光源31a的激光照射到柱状镜34a，并接受由柱状镜34a所反射的激光，从而对来自激光源31a的激光与由柱状镜34a所反射的激光的相干进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，以根据两个激光干涉仪32a的测定结果，而对搭载夹盘10a的移动平台的X方向的位置进行检测，并且对X平台14向X方向移动时的偏转进行检测。

在图9及图10中，各激光干涉仪32b使来自激光源31b的激光照射到柱状镜34b，并接受由柱状镜34b所反射的激光，从而对来自激光源31b的激光与由柱状镜34b所反射的激光的相干进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，以根据两个激光干涉仪32b的测定结果，而对搭载夹盘10b的移动平台的X方向的位置进行检测，并且对X平台14向X方向移动时的偏转进行检测。

因为将第一激光测长系统的柱状镜34a与34b安装在各移动平台的X平台14的下方，并将激光干涉仪32a与32b设置在主平台底座11的偏离X导轨13的位置上，所以在移动副平台底座11a、11b与主平台底座11时，各移动平台不会与激光干涉仪32a、32b碰撞。并且，因为将激光干涉仪32a与32b设置在主平台底座11上，所以激光干涉仪32a与32b不会受到副平台底座11a与11b的振动的影响。并且，从激光干涉仪32a与32b到主平台底座11上的各移动平台为止的测定距离变短。因此，可以使用各第一激光测长系统，而高精度地检测出各移动平台的X方向的位置。并且，因为在各第一激光测长系统中，是将多个激光干涉仪32a与32b设置在主平台底座11上，所以可以根据多个激光干涉仪32a与32b的测定结果，来对各移动平台的X平台14向X方向移动时的偏转进行检测。

在图9及图10中，激光干涉仪33使来自激光源31b的激光照射到柱状镜35，并接受由柱状镜35所反射的激光，从而对来自激光源31b的激光与由柱状镜35所反射的激光的相干进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，以根据激光干涉仪33的测定结果，来对主平台底座11上的各移动平台的Y方向的位置进行检测。

因此将第二激光测长系统的激光干涉仪33设置在安装于主平台底座11的Y方向上的台座12上，所以激光干涉仪33不会受到副平台底座11a与11b的振动的影响。并且，从激光干涉仪33到主平台底座11上的各移动平台为止的测定距离变短。因此，可以使用第二激光测长系统，来高精度地检测出主平台底座11上的各移动平台的Y方向的位置。并且，因为将第二激光测长系统的各柱状镜35大致安装在各移动平台所搭载的夹盘10a与10b的高度上，所以可以在基板1的附近对各移动平台的Y方向的位置进行检测。

图11是对X方向的位移进行测定的激光位移计的立体图。图11表示安装在搭载夹盘10a的移动平台上的激光位移计，安装在搭载夹盘10b的移动平台上的激光位移计与图11在X方向上呈左右对称的构成。柱状镜44安装在夹盘10a与10b的Y方向的一侧面上。两个激光位移计42分别通过支臂46，而以柱状镜44的高度安装在台板(b1ock)48上。台板48安装在X平台14上。

图12是对Y方向的位移进行测定的激光位移计的立体图。在图12中，柱状镜45通过安装件49而安装在夹盘10a、10b的背面。激光位移计43如图7及图12所示，通过支臂47而以柱状镜45的高度安装在Y平台16上。另外，图12表示为了能够观察到柱状镜45以及安装件49，而将夹盘10a与10b的一部分切除的状态。

在图11中，各激光位移计42向柱状镜44照射激光，并对由柱状镜44所反射的激光进行检测，以此来测定柱状镜44的X方向的位移。并且，在图12中，激光位移计43向柱状镜45照射激光，并对由柱状镜45所反射的激光进行检测，以此来测定柱状镜45的Y方向的位移。在图1中，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，根据两个激光位移计42以及激光位移计43的测定结果，来对夹盘10a与10b的θ方向的倾斜进行检测，并且对Y平台16向YX方向移动时的偏转进行检测。

因为在夹盘10a与10b上安装着柱状镜44，并分别利用多个激光位移计42来检测各柱状镜44的位移，所以可以高精度地检测出夹盘10a与10b的θ方向的倾斜。并且，因为将多个激光位移计42设置在各移动平台的X平台14上，所以可以根据多个激光位移计42的测定结果，来对搭载在X平台14上的Y平台16向Y方向移动时的偏转进行检测。

在图1中，主控制装置70经由输入输出接口电路71而输入激光测长系统控制装置30的检测结果。并且，主控制装置70经由输入输出接口电路72而输入激光位移计控制装置40的检测结果。接着，主控制装置70根据激光测长系统控制装置30的检测结果以及激光位移计控制装置40的检测结果，来控制平台驱动电路80a与80b以驱动各移动平台，且进行曝光时的基板1的定位。

根据以上所说明的本实施方式，使用各第一激光测长系统，可以高精度地检测出各移动平台的X方向的位置。因此，可以高精度地进行曝光时的X方向的基板1的定位。

进而，根据以上所说明的本实施方式，在各第一激光测长系统中，将多个激光干涉仪32a与32b设置在主平台底座11上，由此，可以根据多个激光干涉仪32a与32b的测定结果，来对各移动平台的X平台14向X方向移动时的偏转进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的X方向的基板1的定位。

进而，根据以上所说明的本实施方式，使用第二激光测长系统，可以高精度地检测出主平台底座11上的各移动平台的Y方向的位置。因此，可以高精度地进行曝光时的Y方向的基板1的定位。

进而，根据以上所说明的本实施方式，将第二激光测长系统的各柱状镜35大致安装在各移动平台所搭载的夹盘10a与10b的高度处，由此，可以在基板1的附近对各移动平台的Y方向的位置进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的Y方向的基板1的定位。

进而，根据以上所说明的本实施方式，在夹盘10a与10b上安装柱状镜44，分别利用多个激光位移计42来对各柱状镜44的位移进行测定，由此，可以高精度地检测出夹盘10a与10b的θ方向的倾斜。因此，可以高精度地进行曝光时的θ方向的基板1的定位。

进而，根据以上所说明的本实施方式，将多个激光位移计42设置在各移动平台的X平台14上，由此，可以根据多个激光位移计42的测定结果，来对搭载在X平台14上的Y平台16向Y方向移动时的偏转进行检测。因此，可以更高精度地进行曝光时的Y方向的基板1的定位。

通过使用本发明的曝光装置或者曝光方法来进行基板的曝光，可以高精度地进行曝光时的基板的定位，所以可以高精度地进行图案的曝光，以制造出高品质的基板。

例如，图13是表示液晶显示装置的TFT基板的制造步骤的一例的流程图。在薄膜形成步骤(步骤101)中，利用溅射法或等离子体化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法等，而在基板上形成作为液晶驱动用透明电极的导电体膜或绝缘体膜等的薄膜。在抗蚀剂涂布步骤(步骤102)中，利用辊涂法等来涂布感光树脂材料(光致抗蚀剂)，以在薄膜形成步骤(步骤101)中所形成的薄膜上形成光致抗蚀剂膜。在曝光步骤(步骤103)中，使用近接曝光装置或投影曝光装置等，而将掩模的图案转印到光致抗蚀剂膜上。在显影步骤(步骤104)中，利用喷淋(shower)显影法等，将显影液供给到光致抗蚀剂膜上，以去除光致抗蚀剂膜的多余部分。在蚀刻步骤(步骤105)中，通过湿式(wet)蚀刻，去除薄膜形成步骤(步骤101)中所形成的薄膜内的未被光致抗蚀剂膜所掩盖的部分。在剥离步骤(步骤106)中，利用剥离液，将已在蚀刻步骤(步骤105)中完成掩模作用的光致抗蚀剂膜剥离。在所述各步骤之前或之后，根据需要而实施基板的清洗/干燥步骤。将这些步骤反复进行数次，而在基板上形成TFT阵列(array)。

并且，图14是表示液晶显示装置的彩色滤光片基板的制造步骤的一例的流程图。在黑矩阵(black matrix)形成步骤(步骤201)中，通过抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等处理，而在基板上形成黑矩阵。在有色图案形成步骤(步骤202)中，通过染色法、颜料分散法、印刷法、电镀法等，而在基板上形成有色图案。对红色(Red，R)、绿色(Green，G)、蓝色(Blue，B)的有色图案，反复实施所述步骤。在保护膜形成步骤(步骤203)中，在有色图案上形成保护膜，在透明电极膜形成步骤(步骤204)中，在保护膜上形成透明电极膜。在所述各步骤之前、中途或者之后，根据需要而实施基板的清洗/干燥步骤。

在图13所示的TFT基板的制造步骤中，在曝光步骤(步骤103)中可以适用本发明的曝光装置或者曝光方法，在图14所示的彩色滤光片基板的制造步骤中，在黑矩阵形成步骤(步骤201)的曝光处理中可以适用本发明的曝光装置或者曝光方法。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (14)

1.一种曝光装置，其使用近接方式，此曝光装置的特征在于包括：

多个夹盘，用于保持基板；

掩模架，用于保持光掩模；

主平台底座，配置在所述掩模架的下方；

多个副平台底座，在所述主平台底座的X方向或者Y方向上相邻接而配置着；

导轨，从所述主平台底座上延伸到所述多个副平台底座上；

多个移动平台，包括第一平台、第二平台以及第三平台，其中，所述第一平台搭载在所述导轨上且向X方向或者Y方向移动，所述第二平台搭载在第一平台上且向Y方向或者X方向移动，所述第三平台搭载在第二平台上且向θ方向旋转，所述多个移动平台搭载着各夹盘而向一个副平台底座上以及所述主平台底座上移动，从而在所述主平台底座上进行基板的定位；

多个第一激光测长系统，用于检测各移动平台的X方向或者Y方向的位置；

多个平台驱动电路，用于驱动各移动平台；以及

控制装置，用于控制各平台驱动电路，

各第一激光测长系统包括第一光源、第一反射机构以及第一激光干涉仪，其中，所述第一光源用于产生激光，所述第一反射机构安装在各移动平台的第一平台的下方，所述第一激光干涉仪设置在所述主平台底座的偏离所述导轨的位置上，对来自第一光源的激光与由所述第一反射机构所反射的激光的相干进行测定，

所述控制装置根据各第一激光测长系统的检测结果，来控制各平台驱动电路。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，各第一激光测长系统包括多个所述第一激光干涉仪，多个所述第一激光干涉仪设置在所述主平台底座的偏离所述导轨的位置上。

3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的曝光装置，其特征在于包括：

台座，安装在所述主平台底座的Y方向或者X方向上；以及

第二激光测长系统，用于对所述主平台底座上的各移动平台的Y方向或者X方向的位置进行检测，

所述第二激光测长系统包括第二光源、第二反射机构以及第二激光干涉仪，其中，所述第二光源用于产生激光，所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，所述第二激光干涉仪设置在所述台座上，对来自第二光源的激光与由所述第二反射机构所反射的激光的相干进行测定，

所述控制装置根据所述第二激光测长系统的检测结果，来控制各平台驱动电路。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于其中所述的第二激光测长系统的各所述第二反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处。

5.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的曝光装置，其特征在于包括：

第三反射机构，安装在各夹盘上；

多个激光位移计，与各夹盘相对应而设置，对各所述第三反射机构的位移进行测定；以及

倾斜检测机构，根据所述多个激光位移计的测定结果，对各夹盘的θ方向的倾斜进行检测，

所述控制装置根据所述倾斜检测机构的检测结果，来控制各平台驱动电路。

6.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于其中所述的多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上。

7.一种曝光方法，其使用近接方式，此曝光方法的特征在于：

在保持光掩模的掩模架的下方配置主平台底座，

在主平台底座的X方向或者Y方向上相邻接地配置多个副平台底座，

设置从主平台底座上延伸到多个副平台底座上的导轨，

设置多个移动平台，所述多个移动平台包括第一平台、第二平台以及第三平台，其中，所述第一平台搭载在导轨上且向X方向或者Y方向移动，所述第二平台搭载在第一平台上且向Y方向或者X方向移动，所述第三平台搭载在第二平台上且向θ方向旋转，并且所述多个移动平台上搭载着用来保持基板的夹盘，

使各移动平台向一个副平台底座上以及主平台底座上移动，

利用各移动平台，在主平台底座上进行基板的定位，

使用多个第一激光测长系统，该第一激光测长系统包括第一光源、第一反射机构以及第一激光干涉仪，其中，所述第一光源用于产生激光，所述第一反射机构安装在各移动平台上，所述第一激光干涉仪对来自第一光源的激光与由所述第一反射机构所反射的激光的相干进行测定，将各所述第一反射机构安装在各移动平台的第一平台的下方，将各所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上，以对各移动平台的X方向或者Y方向的位置进行检测，

根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。

8.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，在各第一激光测长系统中，将多个所述第一激光干涉仪设置在主平台底座的偏离导轨的位置上。

9.根据权利要求7至8中任一权利要求所述的的曝光方法，其特征在于，

在主平台底座的Y方向或者X方向上安装台座，

使用第二激光测长系统，该第二激光测长系统包括第二光源、第二反射机构以及第二激光干涉仪，其中，所述第二光源用于产生激光，所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，所述第二激光干涉仪对来自第二光源的激光与由所述第二反射机构所反射的激光的相干进行测定，将各所述第二反射机构安装在各移动平台的第二平台上，将第二激光干涉仪设置在台座上，以对主平台底座上的各移动平台的Y方向或者X方向的位置进行检测，

根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。

10.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，将第二激光测长系统的各所述第二反射机构大致安装在各移动平台所搭载的夹盘的高度处。

11.根据权利要求7至8中任一权利要求所述的曝光方法，其特征在于，

在各夹盘上安装第三反射机构，

分别利用多个激光位移计来测定各所述第三反射机构的位移，以检测各夹盘的θ方向的倾斜，

根据检测结果，对利用各移动平台来进行的基板的定位进行控制。

12.根据权利要求11所述的曝光方法，其特征在于，将多个激光位移计设置在各移动平台的第一平台上。

13.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，使用权利要求1至6中任一权利要求所述的曝光装置来进行基板的曝光。

14.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，使用权利要求7至12中任一权利要求所述的曝光方法来进行基板的曝光。

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