CN103064255A - 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法 - Google Patents

接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法 Download PDF

Info

Publication number
CN103064255A
CN103064255A CN2012103062528A CN201210306252A CN103064255A CN 103064255 A CN103064255 A CN 103064255A CN 2012103062528 A CN2012103062528 A CN 2012103062528A CN 201210306252 A CN201210306252 A CN 201210306252A CN 103064255 A CN103064255 A CN 103064255A
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
substrate
chuck
reflection unit
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012103062528A
Other languages
English (en)
Inventor
佐藤隆悟
樋川博志
高桥聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Publication of CN103064255A publication Critical patent/CN103064255A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface

Abstract

一种接近曝光装置、接近曝光装置的基板定位方法及显示用面板基板的制造方法。在搭载于第1平台且朝向Y方向(或X方向)移动的第2平台上安装第2反射装置，以对第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测。在夹盘上设置多个光学式位移计，通过多个光学式位移计，在多处部位对直至安装于第2平台的第2反射装置为止的距离进行测定。基于第2反射装置在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜率，且基于检测结果，通过第3平台来使夹盘朝向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。

Description

接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法
技术领域
本发明涉及一种在液晶显示器(display)装置等的显示用面板基板的制造中，使用接近(proximity)方式来进行基板曝光的接近曝光装置、接近曝光装置的基板定位方法以及使用这些装置和方法的显示用面板(panel)基板的制造方法，特别是涉及一种通过移动平台(stage)来使支撑基板的夹盘(chuck)朝XY方向移动以及朝θ方向旋转以进行曝光时的基板定位的接近曝光装置、接近曝光装置的基板定位方法以及使用这些装置和方法的显示用面板基板的制造方法。
背景技术
用作显示用面板的液晶显示器装置的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)基板或彩色滤光器(color filter)基板、等离子体(plasma)显示器面板用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示面板用基板等的制造是使用曝光装置，通过光刻(photolithography)技术在基板上形成图案(pattern)而进行。作为曝光装置，有使用透镜(lens)或镜子来将光罩(mask)的图案投影到基板上的投影(projection)方式、以及在光罩与基板之间设置微小的间隙(接近间隙(proximity gap))而将光罩的图案转印到基板上的接近方式。与投影方式相比，接近方式的图案析象性能差，但是照射光学系统的结构简单，且处理能力高，适合于量产用途。
近年来，在显示用面板的各种基板的制造中，为了应对大型化以及尺寸的多样化，须准备相对较大的基板，并根据显示用面板的尺寸来从一片基板中制造出一片或多片显示用面板基板。此时，对于接近方式而言，如果要统一曝光基板的一面，则需要与基板相同大小的光罩，从而导致昂贵的光罩成本(cost)进一步增大。因此，使用相对于基板较小的光罩，通过移动平台来使基板朝向XY方向步进移动，将基板的一面分成多次照射(shot)来进行曝光的方式成为主流。
在接近曝光装置中，为了精度良好地进行图案的烧附，必须精度良好地进行曝光时的基板定位。进行基板定位的移动平台具备朝向X方向移动的X平台、朝向Y方向移动的Y平台以及朝向θ方向旋转的θ平台，搭载支撑基板的夹盘以朝向XY方向移动以及朝向θ方向旋转。专利文献1以及专利文献2中公开了下述技术，即：在定位基板时，使用激光(laser)测长系统来检测移动平台在XY方向上的位置，而且使用多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜率。
先前技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2008-298906号公报
专利文献2：日本专利特开2009-31639号公报
发明内容
专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在夹盘上安装条状镜(barmirror)，通过设在X平台上的多个激光位移计而在多处部位测定条状镜的位移，以检测夹盘在θ方向上的斜率。因此，需要专用的条状镜，但该条状镜必须高精度地将表面加工成平坦，因此价格非常高昂，需要耗费巨大的费用。
而且，专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在X平台上设有激光位移计，因此当通过Y平台来使夹盘朝向Y方向移动时，条状镜的位置相对于激光位移计而发生变化。因此，在测定结果中有可能包含因条状镜的平坦度造成的误差。
与此相对，如果在Y平台上设置多个激光位移计，并使多个激光位移计与夹盘一同朝向XY方向移动，则由各激光位移计所测定的夹盘的位移将不会因夹盘的移动而发生变动。但此时，移动Y平台时，在搭载有Y平台的导轨(guide)上因滑动阻力而产生大量的热，该热传递至Y平台而导致Y平台产生因热变形造成的形变，设在Y平台上的各激光位移计的设置状态发生变化，从而在夹盘位移的测定结果中也有可能产生误差。另一方面，如果取代在Y平台上设置多个激光位移计的做法，而在夹盘上设置多个激光位移计，并在Y平台上安装条状镜，则当Y平台产生因热变形造成的形变时，条状镜的设置状态会发生变化，从而导致条状镜产生θ方向的位置偏移，这样有可能无法准确地检测夹盘在θ方向上的斜率。
如专利文献1以及专利文献2所记载的，当使用多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜率时，多个激光位移计设置得越远，则越能够精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率。但是，激光位移计的输出特性缺乏直线性，如果加宽测定范围，则测定误差将变大。在专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在夹盘向θ方向倾斜的状态下，若通过Y平台使夹盘朝Y方向移动，则从各激光位移计到条状镜为止的距离会发生变动，因此若使多个激光位移计设置得更远，则激光位移计的测定范围将变广，从而测定误差有可能变大。
进而，激光位移计的输出特性会视设置状态而发生变动，相对于被测定物的微小的角度变化，线性有所不同。因此，如专利文献1以及专利文献2所记载的，使用多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜率时，在各激光位移计的测定值中包含取决于夹盘角度的变动值，有可能无法高精度地检测夹盘在θ方向上的斜率。
本发明的目的在于，以低价的结构来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率，以精度良好地进行基板在θ方向上的定位。而且，本发明的目的在于，精度良好地进行图案的烧附，以制造高品质的显示用面板基板。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。为达到上述目的，依据本发明的接近曝光装置包括支撑基板的夹盘以及保持光罩的光罩架，在光罩与基板之间设置微小的间隙而将光罩的图案转印至基板上，此接近曝光装置包括：移动平台，具有朝向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载于第1平台上且朝向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载于第2平台上且朝向θ方向旋转的第3平台，搭载夹盘以进行由夹盘所支撑的基板的定位；激光测长系统，具有产生激光光线的光源、安装于第1平台的第1反射装置、安装于第2平台的第2反射装置、对来自光源的激光光线与由第1反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定的第1激光干涉仪、以及对来自光源的激光光线与由第2反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定的第2激光干涉仪；第1检测装置，根据第1激光干涉仪以及第2激光干涉仪的测定结果，来检测移动平台在XY方向上的位置；位置偏移检测装置，对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测；多个光学式位移计，设于夹盘上，在多处部位对直至安装于第2平台的第2反射装置为止的距离进行测定；第2检测装置，基于由位置偏移检测装置所检测的第2反射装置在θ方向上的位置偏移，并根据多个光学式位移计的测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜率；平台驱动电路，驱动移动平台；以及控制装置，基于第2检测装置的检测结果来控制平台驱动电路，通过第3平台使夹盘朝向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位，并基于第1检测装置的检测结果来控制平台驱动电路，通过第1平台以及第2平台来使夹盘朝向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。
而且，本发明的接近曝光装置的基板定位方法中，接近曝光装置包括支撑基板的夹盘以及保持光罩的光罩架，在光罩与基板之间设置微小的间隙而将光罩的图案转印至基板上，其中，将夹盘搭载于移动平台上，所述移动平台具有朝向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载于第1平台且朝向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载于第2平台且朝向θ方向旋转的第3平台，在第1平台上安装第1反射装置，通过第1激光干涉仪，对来自光源的激光光线与由第1反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定，在第2平台上安装第2反射装置，通过第2激光干涉仪，对来自光源的激光光线与由第2反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定，对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测，在夹盘上设置多个光学式位移计，通过多个光学式位移计，在多处部位对直至安装于第2平台的第2反射装置为止的距离进行测定，基于第2反射装置在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计的测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜率，且基于检测结果，通过第3平台来使夹盘朝向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位，根据第1激光干涉仪以及第2激光干涉仪的测定结果，检测移动平台在XY方向上的位置，并基于检测结果，通过第1平台以及第2平台来使夹盘朝向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。
在夹盘上设置多个光学式位移计，通过多个光学式位移计，在多处部位对直至安装于第2平台的第2反射装置为止的距离进行测定，根据多个光学式位移计的测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜率，因此安装于第2平台的第2反射装置被兼用于使用第2激光干涉仪的移动平台的位置检测与使用多个光学式位移计的夹盘在θ方向上的斜率检测，不再需要用于检测夹盘在θ方向上的斜率的专用反射装置(条状镜)。并且，即使通过移动平台来使夹盘朝向XY方向移动，但光学式位移计始终对第2反射装置的相同部位进行测定，因此因第2反射装置的平坦度造成的测定误差消失。进而，对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测，基于第2反射装置在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计的测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜率，因此当第2平台产生因热变形造成的形变时，即使第2反射装置的设置状态发生变化而第2反射装置产生θ方向的位置偏移，也能准确地检测夹盘在θ方向上的斜率。而且，在夹盘向θ方向倾斜的状态下，即使通过移动平台来朝向XY方向移动夹盘，从光学式位移计到第2反射装置为止的距离也不会发生变动，测定范围不会变广，因此能够使多个光学式位移计设置得更远。因而，能以低价的结构来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率，从而精度良好地进行基板在θ方向上的定位。
进而，本发明的接近曝光装置中，安装于第2平台的第2反射装置在表面具有多个位置偏移检测用标记，位置偏移检测装置具有多个图像获取装置及图像处理装置，根据由图像处理装置所检测的各位置偏移检测用标记的位置来检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移，所述多个图像获取装置获取第2反射装置的多个位置偏移检测用标记的图像，所述图像处理装置对由各图像获取装置所获取的各位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记的位置。
而且，本发明的接近曝光装置的基板定位方法中，在安装于第2平台的第2反射装置的表面，设置多个位置偏移检测用标记，获取第2反射装置的多个位置偏移检测用标记的图像，对所获取的各位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记的位置，并根据所检测的各位置偏移检测用标记的位置，来检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移。
在安装于第2平台的第2反射装置的表面，设置多个位置偏移检测用标记，获取第2反射装置的多个位置偏移检测用标记的图像，对所获取的各位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记的位置，并根据所检测的各位置偏移检测用标记的位置，来检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移，因此通过各位置偏移检测用标记的图像处理，可精度良好地检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移。
或者，本发明的接近曝光装置中，激光测长系统具有多个第2激光干涉仪，位置偏移检测装置根据多个第2激光干涉仪的测定结果，来检测安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移。而且，本发明的接近曝光装置的基板定位方法中，通过多个第2激光干涉仪，在多处部位对来自光源的激光光线与由第2反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定，根据多个第2激光干涉仪的测定结果，对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测。利用用于对移动平台在Y方向(或X方向)上的位置进行检测的第2激光干涉仪，能够检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移。
进而，本发明的接近曝光装置中，多个光学式位移计是分光干涉激光位移计，分光干涉激光位移计将宽波长带宽(wavelength bandwidth)的光照射至参照反射面以及被测定物，根据来自参照反射面的反射光与来自被测定物的反射光的干涉光的波长以及强度，来测定直至被测定物为止的距离。而且，本发明的接近曝光装置的基板定位方法中，使用分光干涉激光位移计作为光学式位移计，所述分光干涉激光位移计将宽波长带宽的光照射至参照反射面以及被测定物，根据来自参照反射面的反射光与来自被测定物的反射光的干涉光的波长以及强度，来测定直至被测定物为止的距离。
分光干涉激光位移计与专利文献1以及专利文献2所记载的技术中使用的激光位移计相比，因被测定物的微小的角度变化造成的输出特性的变化变小而精度高，但测定范围窄。本发明中，与专利文献1以及专利文献2所记载的技术不同，在夹盘向θ方向倾斜的状态下，即使通过移动平台来朝向XY方向移动夹盘，从光学式位移计到第2反射装置为止的距离也不会发生变动，因此可使用测定范围窄但精度高的分光干涉激光位移计来作为光学式位移计，能够进一步精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率。
本发明的显示用面板基板的制造方法使用上述任一种接近曝光装置来进行基板的曝光，或者，使用上述任一种接近曝光装置的基板定位方法来定位基板以进行基板的曝光。可精度良好地进行曝光时的基板在θ方向上的定位，因此可精度良好地进行图案的烧附，从而制造高品质的显示用面板基板。
根据本发明的接近曝光装置以及接近曝光装置的基板定位方法，在第2平台上安装第2反射装置，通过第2激光干涉仪，对来自光源的激光光线与由第2反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定，根据测定结果来检测移动平台在Y方向(或X方向)上的位置，并对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测，在夹盘上设置多个光学式位移计，通过多个光学式位移计，在多处部位对直至安装于第2平台的第2反射装置为止的距离进行测定，基于第2反射装置在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计的测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜率，由此，能够以低价的结构来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率，以精度良好地进行基板在θ方向上的定位。
进而，根据本发明的接近曝光装置以及接近曝光装置的基板定位方法，在安装于第2平台的第2反射装置的表面，设置多个位置偏移检测用标记，获取第2反射装置的多个位置偏移检测用标记的图像，对所获取的各位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记的位置，并根据所检测的各位置偏移检测用标记的位置，来检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移，由此，通过各位置偏移检测用标记的图像处理，能够精度良好地检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移。
或者，根据本发明的接近曝光装置以及接近曝光装置的基板定位方法，通过多个第2激光干涉仪，在多处部位对来自光源的激光光线与由第2反射装置所反射的激光光线的干涉进行测定，根据多个第2激光干涉仪的测定结果，对安装于第2平台的第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测，由此，利用用于对移动平台在Y方向(或X方向)上的位置进行检测的第2激光干涉仪，能够检测第2反射装置在θ方向上的位置偏移。
进而，根据本发明的接近曝光装置以及接近曝光装置的基板定位方法，通过使用分光干涉激光位移计来作为光学式位移计，能够进一步精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜率。
根据本发明的显示用面板基板的制造方法，能够精度良好地进行曝光时的基板在θ方向上的定位，因此能够精度良好地进行图案的烧附，以制造高品质的显示用面板基板。
综上所述，本发明是有关于一种接近曝光装置、接近曝光装置的基板定位方法及显示用面板基板的制造方法。在搭载于第1平台(14)且朝向Y方向(或X方向)移动的第2平台(16)上安装第2反射装置(35)，以对第2反射装置(35)在θ方向上的位置偏移进行检测。在夹盘(10a、10b)上设置多个光学式位移计(41)，通过多个光学式位移计(41)，在多处部位对直至安装于第2平台(16)的第2反射装置(35)为止的距离进行测定。基于第2反射装置在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计(41)的测定结果，来检测夹盘(10a、10b)在θ方向上的斜率，且基于检测结果，通过第3平台(17)来使夹盘(10a、10b)朝向θ方向旋转，以进行基板(1)在θ方向上的定位。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的接近曝光装置的概略结构的图。
图2是表示夹盘10a位于曝光位置且夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的俯视图。
图3是表示夹盘10a位于曝光位置且夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。
图4是表示夹盘10b位于曝光位置且夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的俯视图。
图5是表示夹盘10b位于曝光位置且夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。
图6是位于主平台底座上的移动平台的俯视图。
图7是位于主平台底座上的移动平台的X方向的局部剖面侧视图。
图8是位于主平台底座上的移动平台的Y方向的侧视图。
图9是说明激光测长系统的动作的图。
图10是说明激光测长系统的动作的图。
图11A是分光干涉激光位移计的俯视图，图11B是分光干涉激光位移计的侧视图。
图12是表示本发明的一实施方式的接近曝光装置的基板定位方法的流程图。
图13是表示使移动平台向检测条状镜的位置偏移的位置移动的状态的俯视图。
图14A是表示不进行条状镜的位置偏移管理时的各次照射的曝光区域的一例的图，图14B是表示通过本发明来进行条状镜的位置偏移管理时的各次照射的曝光区域的一例的图。
图15是说明先前的激光位移计的动作的图。
图16是说明先前的激光位移计的动作的图。
图17A、图17B是说明先前的激光位移计的动作的图。
图18是说明分光干涉激光位移计的动作的图。
图19是说明分光干涉激光位移计的动作的图。
图20是表示液晶显示器装置的TFT基板的制造工序的一例的流程图。
图21是表示液晶显示器装置的彩色滤光器基板的制造工序的一例的流程图。
[符号的说明]
1：基板
1a、1b、1c、1d、1e、1f：曝光区域
2：光罩
10a、10b：夹盘
11：主平台底座
11a、11b：副平台底座
12：台
13：X导轨
14：X平台
15：Y导轨
16：Y平台
17：θ平台
19：夹盘支撑台
20：光罩架
20a：开口
30：激光测长系统控制装置
31：激光光源
32a、32b、33：激光干涉仪
34a、34b、35、44：条状镜
36、46：臂
37：位置偏移检测用标记
40：激光位移计控制装置
41：分光干涉激光位移计
42：激光位移计
50：安装件
60：图像处理装置
61：相机
70：主控制装置
71、72：输出入接口电路
80a、80b：平台驱动电路
101～106、201～204、301～312：步骤
X、Y、θ：方向
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
图1是表示本发明的一实施方式的接近曝光装置的概略结构的图。本实施方式示出了具有多个夹盘的接近曝光装置的例子。接近曝光装置是包括多个夹盘10a、10b、主平台底座(base)11、多个副平台底座11a、11b、台12、X导轨13、多个移动平台、光罩架20、激光测长系统控制装置30、激光测长系统、激光位移计控制装置40、分光干涉激光位移计41、图像处理装置60、多个相机(camera)61、主控制装置70、输出入接口(interface)电路71、72以及平台驱动电路80a、80b而构成。除了这些构件以外，接近曝光装置还包括将基板1搬入夹盘10且从夹盘10搬出基板1的基板搬送机器人(robot)、照射曝光用光的照射光学系统、进行装置内的温度管理的温度控制单元等。
另外，本实施方式中，各设有2个夹盘、副平台底座、移动平台以及平台驱动电路，但这些构件也可各设置1个或3个以上。而且，以下说明的实施方式中的XY方向仅为例示，也可调换X方向与Y方向。
在图1中，在进行基板1的曝光的曝光位置的上空，设置着保持光罩2的光罩架20。在光罩架20上，设有曝光用光所通过的开口20a，在开口20a的下方，安装着光罩2。在光罩架20下表面的开口20a周围设有吸附槽，光罩架20通过吸附槽来真空吸附并保持光罩2的周边部。在由光罩架20所保持的光罩2的上空，配置着未图示的照射光学系统。在基板1的表面，涂布有感光树脂材料(光致抗蚀剂(photo resist))，在曝光时，来自照射光学系统的曝光用光透过光罩2而照射至基板1，由此，将光罩2的图案转印至基板1的表面，以在基板1上形成图案。
在光罩架20的下方，配置着主平台底座11。在主平台底座11的左右，邻接于主平台底座11的X方向而配置着副平台底座11a、11b。在主平台底座11的Y方向上安装着台12。夹盘10a通过后述的移动平台，在副平台底座11a上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。而且，夹盘10b通过后述的移动平台，在副平台底座11b上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。
基板1在副平台底座11a、11b上的装载/卸载位置，由未图示的基板搬送机器人搬入夹盘10a、10b，而且从夹盘10a、10b搬出。基板1向夹盘10a、10b上的装载以及基板1从夹盘10a、10b上的卸载是使用夹盘10a、10b上所设的多个上顶销(pin)来进行。上顶销被收纳于夹盘10a、10b的内部，当从夹盘10a、10b的内部上升而将基板1装载于夹盘10a、10b时，该上顶销从基板搬送机器人接纳基板1，当从夹盘10a、10b卸载基板1时，该上顶销将基板1交付给基板搬送机器人。夹盘10a、10b真空吸附并支撑基板1。
图2是表示夹盘10a位于曝光位置且夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的俯视图。而且，图3是表示夹盘10a位于曝光位置且夹盘10b位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。在图2中，在主平台底座11上以及副平台底座11a、11b上，设有从主平台底座11上沿X方向延伸至副平台底座11a、11b上的X导轨13。
在图3中，夹盘10a、10b分别搭载于移动平台。各移动平台是包括X平台14、Y导轨15、Y平台16、θ平台17以及夹盘支撑台19而构成。X平台14被搭载于X导轨13上，且沿着X导轨13朝向X方向移动。Y平台16被搭载于X平台14上所设的Y导轨15上，且沿着Y导轨15朝向Y方向(图3的图面纵深方向)移动。θ平台17被搭载于Y平台16上，且朝向θ方向旋转。夹盘支撑台19被搭载于θ平台17上，且在多处部位支撑夹盘10a、10b。
通过各移动平台的X平台14朝向X方向的移动，夹盘10a在副平台底座11a上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动，夹盘10b在副平台底座11b上的装载/卸载位置与主平台底座11上的曝光位置之间移动。图4是表示夹盘10b位于曝光位置且夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的俯视图。而且，图5是表示夹盘10b位于曝光位置且夹盘10a位于装载/卸载位置的状态的局部剖面侧视图。在副平台底座11a、11b上的装载/卸载位置处，通过各移动平台的X平台14朝向X方向的移动、Y平台16朝向Y方向的移动以及θ平台17朝向θ方向的旋转，来进行被搭载于夹盘10a、10b上的基板1的预对准(prealignment)。
在主平台底座11上的曝光位置处，通过各移动平台的X平台14朝向X方向的移动以及Y平台16朝向Y方向的移动，进行由夹盘10a、10b所保持的基板1朝向XY方向的步进移动。而且，通过未图示的Z-倾斜(tilt)机构来使光罩架20朝向Z方向(图3以及图5的图面上下方向)移动及倾斜，从而进行光罩2与基板1的间隙合拢。并且，通过各移动平台的X平台14朝向X方向的移动、Y平台16朝向Y方向的移动以及θ平台17朝向θ方向的旋转，进行曝光时的基板1的定位。
在各移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17上，设有滚珠螺杆以及马达或线性马达(linear motor)等的未图示的驱动机构。在图1中，平台驱动电路80a通过主控制装置70的控制来对搭载夹盘10a的移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17进行驱动。而且，平台驱动电路80b通过主控制装置70的控制来对搭载夹盘10b的移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17进行驱动。
另外，本实施方式中，通过使光罩架20朝向Z方向移动及倾斜，进行光罩2与基板1的间隙合拢，但也可通过在各移动平台上设置Z-倾斜机构而使夹盘10a、10b朝向Z方向移动及倾斜，从而进行光罩2与基板1的间隙合拢。
以下，对本实施方式的接近曝光装置的基板的定位动作进行说明。在图1中，激光测长系统是包括激光光源31、激光干涉仪32a、32b、33、后述的条状镜34a、34b以及条状镜35而构成。本实施方式中，使用激光干涉仪32a来对搭载夹盘10a的移动平台在X方向上的位置进行检测，并使用激光干涉仪32b来对搭载夹盘10b的移动平台在X方向上的位置进行检测。而且，使用2个激光干涉仪33来对主平台底座11上的各移动平台在Y方向上的位置进行检测。
图6是位于主平台底座上的移动平台的俯视图。图7是位于主平台底座上的移动平台的X方向的局部剖面侧视图。图8是位于主平台底座上的移动平台的Y方向的侧视图。图6～图8表示搭载夹盘10a的移动平台，搭载夹盘10b的移动平台呈在X方向上与搭载夹盘10a的移动平台左右对称的结构。另外，图7中省略了X导轨13，图8中省略了激光干涉仪32a、32b。
在图8中，移动平台的X平台14被搭载于X导轨13上，因此在主平台底座11以及副平台底座11a、11b与X平台14之间，产生与X导轨13的高度相应的空间。激光测长系统的条状镜34a利用该空间而安装于X平台14之下。条状镜34b也同样。激光干涉仪32a如图1所示，设置在远离主平台底座11的X导轨13的位置上。激光干涉仪32b也同样。
在图6～图8中，条状镜35通过臂(arm)36，以大致为夹盘10a的高度而安装于Y平台16上。搭载夹盘10b的移动平台也同样地，条状镜35以大致为夹盘10b的高度而安装于Y平台16上。2个激光干涉仪33如图6以及图8所示，设置在安装于主平台底座11的Y方向上的台12上。
图9以及图10是说明激光测长系统的动作的图。另外，图9表示夹盘10a位于曝光位置且夹盘10b位于装载/卸载位置的状态，图10表示夹盘10b位于曝光位置且夹盘10a位于装载/卸载位置的状态。
在图9以及图10中，激光干涉仪32a将来自激光光源31的激光光线照射至条状镜34a，并接收由条状镜34a所反射的激光光线，以对来自激光光源31的激光光线与由条状镜34a所反射的激光光线的干涉进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据激光干涉仪32a的测定结果来对搭载夹盘10a的移动平台在X方向上的位置进行检测。主控制装置70经由输出入接口电路71而输入激光测长系统控制装置30的检测结果。
在图9以及图10中，激光干涉仪32b将来自激光光源31的激光光线照射至条状镜34b，并接收由条状镜34b所反射的激光光线，以对来自激光光源31的激光光线与由条状镜34b所反射的激光光线的干涉进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据激光干涉仪32b的测定结果来对搭载夹盘10b的移动平台在X方向上的位置进行检测。主控制装置70经由输出入接口电路71来输入激光测长系统控制装置30的检测结果。
由于将激光测长系统的条状镜34a、34b安装于各移动平台的X平台14之下，并将激光干涉仪32a、32b设置于远离主平台底座11的X导轨13的位置上，因此各移动平台在移动副平台底座11a、11b与主平台底座11时不会与激光干涉仪32a、32b发生碰撞。并且，由于将激光干涉仪32a、32b设置于主平台底座11上，因此激光干涉仪32a、32b不会受到副平台底座11a、11b的振动的影响。而且，从激光干涉仪32a、32b到主平台底座11上的各移动平台为止的测定距离变短。因而，可精度良好地检测各移动平台在X方向上的位置。
在图9以及图10中，2个激光干涉仪33将来自激光光源31的激光光线照射至条状镜35，并接收由条状镜35所反射的激光光线，以在两处部位对来自激光光源31的激光光线与由条状镜35所反射的激光光线的干涉进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据2个激光干涉仪33的测定结果，对主平台底座11上的各移动平台在Y方向上的位置进行检测，而且，对在主平台底座11上各移动平台的X平台14以及Y平台16朝向XY方向移动时的偏摆(yawing)进行检测。
由于将各激光干涉仪33设置在安装于主平台底座11的Y方向上的台12上，因此各激光干涉仪33不会受到副平台底座11a、11b的振动的影响。而且，从各激光干涉仪33到主平台底座11上的各移动平台为止的测定距离变短。因而，可使用各激光干涉仪33来精度良好地检测主平台底座11上的各移动平台在Y方向上的位置。而且，由于将激光测长系统的各条状镜35安装至大致为各移动平台所搭载的夹盘10a、10b的高度，因此可在基板1的附近检测各移动平台在Y方向上的位置。并且，利用安装于Y平台16的条状镜35，能够对移动平台移动时的偏摆进行检测。
在图1中，在夹盘10a、10b上分别设有2个分光干涉激光位移计41。图11A是分光干涉激光位移计的俯视图，图11B是分光干涉激光位移计的侧视图。如图11A、图11B所示，各分光干涉激光位移计41通过安装件50，面对条状镜35的背面而安装于夹盘10a、10b的下表面。本实施方式中所用的分光干涉激光位移计41是利用干涉光的光学式位移计，在前端的头(head)部具有参照反射面，将宽波长带宽的光照射至参照反射面以及被测定物，根据来自参照反射面的反射光与来自被测定物的反射光的干涉光的波长以及强度，来测定直至被测定物为止的距离。
在图11A、图11B中，2个分光干涉激光位移计41在两处部位对直至条状镜35的背面为止的距离进行测定。在图1中，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，基于后述的条状镜35在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据2个分光干涉激光位移计41的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。主控制装置70经由输出入接口电路72来输入激光位移计控制装置40的检测结果。
在图6中，在搭载夹盘10a的移动平台的Y平台16上所安装的条状镜35的上表面，设有多个位置偏移检测用标记37。搭载夹盘10b的移动平台的Y平台16上所安装的条状镜35也同样。本实施方式中，在沿X方向延伸的条状镜35的两边附近，分别设有位置偏移检测用标记37。位置偏移检测用标记37只要是适合于后述的图像处理装置60的图像处理的形状即可。
在图7以及图8中，在主平台底座11的上空，对应于条状镜35上表面的各位置偏移检测用标记37而设置着多个相机61。本实施方式中，对应于沿X方向延伸的条状镜35的两边附近所设的各位置偏移检测用标记37而设有2个相机61。但是，位置偏移检测用标记37以及相机61的数量以及位置并不限于图6～图8所示的例子。
各相机61例如包含电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)相机，用于获取条状镜35的上表面的位置偏移检测用标记37的图像。各相机61被固定于光罩架20的上方所设的未图示的框架(frame)，且以与条状镜35的位置偏移检测用标记37的间隔相同的间隔而设置。
图12是表示本发明的一实施方式的接近曝光装置的基板定位方法的流程图。另外，对搭载于夹盘10a的基板1与搭载于夹盘10b的基板1，交替地进行曝光位置处的处理，在一者在曝光位置处的处理的期间，进行另一者在装载/卸载位置处的处理。
首先，在装载/卸载位置处，进行基板1向夹盘10a、10b的装载(步骤301)。主控制装置70通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17，从而在各装载/卸载位置处使夹盘10a、10b朝向XY方向移动及朝向θ方向旋转，以进行基板1的预对准(步骤302)。
接下来，主控制装置70通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14，以使夹盘10a、10b朝向曝光位置移动，使各移动平台朝向对条状镜35的位置偏移进行检测的位置移动(步骤303)。图13是表示使移动平台朝向对条状镜的位置偏移进行检测的位置移动的状态的俯视图。当使各移动平台朝向对条状镜35的位置偏移进行检测的位置移动时，条状镜35的上表面的各位置偏移检测用标记37位于各相机61的视野内。
当使各移动平台的Y平台16朝向Y方向移动时，搭载有Y平台16的Y导轨15会因滑动阻力产生大量的热。当该热传递至Y平台16而使Y平台16产生因热变形造成的形变时，安装于Y平台16的条状镜35的设置状态会发生变化，条状镜35将从X方向开始稍许旋转，从而导致条状镜35产生θ方向的位置偏移。各相机61获取条状镜35上表面的各位置偏移检测用标记37的图像，并将图像信号输出至图1的图像处理装置60。
在图1中，图像处理装置60对从各相机61输出的各位置偏移检测用标记37的图像信号进行处理，以检测各位置偏移检测用标记37的位置。该各位置偏移检测用标记37的位置检测例如是对各相机61所获取的各位置偏移检测用标记37的图像、与预先准备的条状镜35无θ方向的位置偏移时的各位置偏移检测用标记37的图像进行比较而进行。激光位移计控制装置40根据图像处理装置60所检测的各位置偏移检测用标记37的位置，检测出条状镜35在θ方向上的位置偏移(图12的步骤304)。
本实施方式中，在安装于Y平台16的条状镜35的表面，设置多个位置偏移检测用标记37，通过多个相机61来获取条状镜35的各位置偏移检测用标记37的图像，对所获取的各位置偏移检测用标记37的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记37的位置，并根据所检测的各位置偏移检测用标记37的位置来检测条状镜35在θ方向上的位置偏移，因此通过各位置偏移检测用标记37的图像处理，可精度良好地检测条状镜35在θ方向上的位置偏移。
但是，本发明并不限于此，也可通过多个激光干涉仪33而在多处部位对来自激光光源31的激光光线与由条状镜35所反射的激光光线的干涉进行测定，并根据多个激光干涉仪33的测定结果来检测条状镜35在θ方向上的位置偏移。利用用于对各移动平台在Y方向上的位置进行检测的激光干涉仪33，能够检测条状镜35在θ方向上的位置偏移。或者，也可将用于对条状镜35在θ方向上的位置偏移进行检测的激光干涉仪独立于用于对各移动平台在Y方向上的位置进行检测的激光干涉仪33而设。
在图12中，接下来，主控制装置70通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14以及Y平台16，以使基板1朝向曝光位置的进行第1次照射的位置移动(步骤305)。继而，主控制装置70基于未图示的间隙传感器(sensor)的测定结果，驱动Z-倾斜机构来进行光罩2与基板1的间隙合拢(步骤306)。接下来，主控制装置70通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17，以在曝光位置使夹盘10a、10b朝向XY方向移动及朝向θ方向旋转，从而进行基板1的对准(步骤307)。
进行基板1的对准(步骤307)时，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，基于步骤304中检测出的条状镜35在θ方向上的位置偏移，并根据2个分光干涉激光位移计41的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。主控制装置70基于激光位移计控制装置40对夹盘10a、10b在θ方向上的斜率的检测结果，控制平台驱动电路80a、80b，通过各移动平台的θ平台17来使夹盘10a、10b朝向θ方向旋转，以进行基板1在θ方向上的定位。而且，主控制装置70基于激光测长系统控制装置30对各移动平台在XY方向上的位置的检测结果，控制平台驱动电路80a、80b，通过各移动平台的X平台14以及Y平台16来使夹盘10a、10b朝向XY方向移动，以进行基板1在XY方向上的定位。
图14A是表示未进行条状镜的位置偏移管理时的各次照射的曝光区域的一例的图，图14B是表示通过本发明来进行条状镜的位置偏移管理时的各次照射的曝光区域的一例的图。图14A、图14B示出了对于基板1的6个曝光区域1a、1b、1c、1d、1e、1f，将每个曝光区域分成6次照射来进行曝光的例子。
当条状镜35产生了θ方向的位置偏移时，如果不进行条状镜35的位置偏移管理，而根据2个分光干涉激光位移计41的测定结果，以夹盘10a、10b与条状镜35成平行的方式来进行基板1在θ方向上的定位，则搭载于夹盘10a、10b的基板1以向θ方向倾斜条状镜35在θ方向上的位置偏移量的状态而定位。因此，如图14A所示，各次照射的曝光区域1a、1b、1c、1d、1e、1f在基板1上分别向θ方向倾斜。
例如，在液晶显示器装置的制造中，贴合TFT基板与彩色滤光器基板而构成液晶面板的作业通常是已在基板1上对多个曝光区域进行了曝光的状态下进行。因此，如图14A所示，若各次照射的曝光区域1a、1b、1c、1d、1e、1f在基板1上分别向θ方向倾斜，则会产生下述问题，即，各曝光区域中形成的图案的位置将偏离欲贴合的TFT基板上或彩色滤光器基板上的各曝光区域中形成的图案的位置。
本实施方式中，对安装于Y平台16的条状镜35在θ方向上的位置偏移进行检测，基于条状镜35在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个分光干涉激光位移计41的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率，因此当各移动平台的Y平台16产生因热变形造成的形变时，即使条状镜35的设置状态发生变化而条状镜35产生θ方向的位置偏移，但仍可准确地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。因而，如图14B所示，各次照射的曝光区域1a、1b、1c、1d、1e、1f不会在基板1上分别向θ方向倾斜，从而不会产生下述问题，即，各曝光区域中形成的图案的位置偏离欲贴合的TFT基板上或彩色滤光器基板上的各曝光区域中形成的图案的位置。
另外，在图12中，基板1的对准(步骤307)也可在光罩2与基板1的间隙合拢(步骤306)过程中，从光罩2与基板1接近至对准用的传感器能够对基板1以及光罩2上所设的对准用标记进行检测的距离的时刻开始。此时，能够部分并列地进行光罩2与基板1的间隙合拢(步骤306)和基板1的对准(步骤307)，因此节拍时间(tact time)缩短。
当光罩2与基板1的间隙合拢结束并进行照射(步骤308)后，主控制装置70判断所有照射是否已结束(步骤309)。当所有照射尚未结束时，主控制装置70使Z-倾斜机构移动到预先决定的光罩2与基板1无接触可能的退避位置后，通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14以及Y平台16，以进行基板1朝向XY方向的步进移动(步骤310)，使基板1朝向进行下次照射的位置移动。然后，回到步骤306，反复进行步骤306～步骤310，直至所有照射结束照射为止。
当所有照射结束时，主控制装置70驱动Z-倾斜机构来使光罩2与基板1的间隙扩大后，通过平台驱动电路80a、80b来驱动各移动平台的X平台14以及Y平台16以使夹盘10a、10b朝向装载/卸载位置移动(步骤311)。然后，在装载/卸载位置处，进行基板1从夹盘10a、10b的卸载(步骤312)。
图15～图17A、图17B是说明先前的激光位移计的动作的图。图15表示在专利文献1以及专利文献2中，安装在搭载夹盘10a的移动平台上的激光位移计42。用于对夹盘10a在θ方向上的斜率进行检测的专用的条状镜44被安装在夹盘10a的朝向Y方向延伸的一侧面。2个激光位移计42分别通过臂46，以条状镜44的高度而安装于X平台14。安装在搭载夹盘10b的移动平台上的条状镜44以及激光位移计42呈在X方向上与图15左右对称的结构。专利文献1以及专利文献2所记载的技术中使用的激光位移计42是应用了三角测量的光学式位移计，将来自激光光源的激光光线照射至被测定物，并利用CCD传感器等的受光元件来接收来自被测定物的反射光，以测定被测定物的位移。
专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在夹盘10a、10b上安装条状镜44，通过设在X平台14上的多个激光位移计42，在多处部位测定条状镜44的位移，以检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。因此，需要专用的条状镜44，但该条状镜44需要以高精度将表面加工成平坦，因此非常昂贵，要耗费巨大的费用。
本实施方式中，在夹盘10a、10b上设置多个分光干涉激光位移计41，通过多个分光干涉激光位移计41，在多处部位对直至安装于Y平台16的条状镜35为止的距离进行测定，并根据多个分光干涉激光位移计41的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率，因此安装于Y平台16的条状镜35被兼用于使用激光干涉仪33的移动平台的位置检测与使用多个分光干涉激光位移计41的夹盘10a、10b在θ方向上的斜率检测，不再需要用于检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率的专用条状镜。
图16表示从图15所示的状态，通过Y平台16使夹盘10a朝向Y方向移动的状态。专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在X平台14上设有激光位移计42，因此在曝光位置处的基板的步进移动时，当通过Y平台16使夹盘10a、10b朝向Y方向移动时，如图15以及图16所示，条状镜44的位置相对于激光位移计42而发生变化。因此，测定结果中有可能包含因条状镜44的平坦度造成的误差。
图17A表示在图15所示的状态下，夹盘10a向θ方向倾斜时的激光位移计42与条状镜44的位置关系，图17B表示在图16所示的状态下，夹盘10a向θ方向倾斜时的激光位移计42与条状镜44的位置关系。
如专利文献1以及专利文献2所记载的，当使用多个激光位移计42来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率时，多个激光位移计42设定得越远，越能够精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。但是，激光位移计42的输出特性缺乏直线性，如果加宽测定范围，则测定误差将变大。专利文献1以及专利文献2所记载的技术中，在夹盘10a、10b向θ方向倾斜的状态下，若通过Y平台16使夹盘10a、10b朝向Y方向移动，则如图17A、图17B所示，从各激光位移计42到条状镜44为止的距离会发生变动，因此若使多个激光位移计42设置得更远，则激光位移计42的测定范围将变广，从而测定误差有可能变大。
图18以及图19是说明分光干涉激光位移计的动作的图。图18以及图19表示使基板1朝向进行各次照射的位置移动的状态，图19中，夹盘10a、10b通过各移动平台的Y平台16而从图18所示的状态朝向Y方向移动。本实施方式中，在曝光位置处的基板1的步进移动时，即使通过移动平台使夹盘10a、10b朝向XY方向移动，但如图18以及图19所示，分光干涉激光位移计41始终对条状镜35的相同部位进行测定，因此因条状镜35的平坦度造成的测定误差消失。而且，在夹盘10a、10b向θ方向倾斜的状态下，即使通过移动平台使夹盘10a、10b朝向XY方向移动，但从分光干涉激光位移计41到条状镜35为止的距离仍不会发生变动，测定范围不会变广，因此能够将多个分光干涉激光位移计41设置得更远。
进而，激光位移计42的输出特性会视设置状态而发生变动，相对于被测定物的微小的角度变化，线性有所不同。因此，如专利文献1以及专利文献2所记载的，当使用多个激光位移计42来检测夹盘在θ方向上的斜率时，各激光位移计的测定值中包含取决于夹盘10a、10b的角度的变动值，有可能无法高精度地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。
本实施方式中使用的分光干涉激光位移计41与专利文献1以及专利文献2所记载的技术中使用的激光位移计42相比，因被测定物的微小的角度变化造成的输出特性的变化小而精度高，但测定范围窄。本发明中，与专利文献1以及专利文献2所记载的技术不同，在夹盘10a、10b向θ方向倾斜的状态下，即使通过移动平台来朝向XY方向移动夹盘10a、10b，从分光干涉激光位移计41到条状镜35为止的距离也不会发生变动，因此可使用测定范围窄但精度高的分光干涉激光位移计41，能够进一步精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。
根据以上所说明的本实施方式，在各移动平台的Y平台16上安装条状镜35，通过激光干涉仪33，对来自激光光源31的激光光线与由条状镜35所反射的激光光线的干涉进行测定，根据测定结果来检测各移动平台在Y方向上的位置，并对安装于各移动平台的Y平台16的条状镜35在θ方向上的位置偏移进行检测，在夹盘10a、10b上设置多个光学式位移计41，通过多个光学式位移计41，在多处部位对直至安装于各移动平台的Y平台16的条状镜35为止的距离进行测定，基于条状镜35在θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据多个光学式位移计41的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率，由此，能够以低价的结构来精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率，以精度良好地进行基板1在θ方向上的定位。
进而，在安装于Y平台16的条状镜35的表面，设置多个位置偏移检测用标记37，获取条状镜35的多个位置偏移检测用标记37的图像，对所获取的各位置偏移检测用标记37的图像进行处理，以检测各位置偏移检测用标记37的位置，并根据所检测的各位置偏移检测用标记37的位置，来检测条状镜35在θ方向上的位置偏移，由此，通过各位置偏移检测用标记37的图像处理，能够精度良好地检测条状镜35在θ方向上的位置偏移。
或者，通过多个激光干涉仪33，在多处部位对来自激光光源31的激光光线与由条状镜35所反射的激光光线的干涉进行测定，根据多个激光干涉仪33的测定结果来检测条状镜35在θ方向上的位置偏移，由此，利用用于对各移动平台在Y方向上的位置进行检测的激光干涉仪33，能够检测条状镜35在θ方向上的位置偏移。
进而，使用分光干涉激光位移计41作为光学式位移计，由此，能够进一步精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜率。
进而，通过多个激光干涉仪33，在多处部位对来自激光光源31的激光光线与由条状镜35所反射的激光光线的干涉进行测定，根据多个激光干涉仪33的测定结果来检测X平台14以及Y平台16移动时的偏摆，由此，利用安装于Y平台16的条状镜35，能够检测移动平台移动时的偏摆。
使用本发明的接近曝光装置来进行基板的曝光，或者，使用本发明的接近曝光装置的基板定位方法来定位基板以进行基板的曝光，由此，能够精度良好地进行曝光时的基板在θ方向上的定位，因此能够精度良好地进行图案的烧附，以制造高品质的基板。
例如，图20是表示液晶显示器装置的TFT基板的制造工序的一例的流程图。在薄膜形成工序(步骤101)中，通过溅镀法或等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等，在基板上形成作为液晶驱动用透明电极的导电体膜或绝缘体膜等的薄膜。在抗蚀剂涂布工序(步骤102)中，通过辊(ro11)式涂布法等来涂布感光树脂材料(光致抗蚀剂)，以在薄膜形成工序(步骤101)中所形成的薄膜上形成光致抗蚀剂膜。在曝光工序(步骤103)中，使用接近曝光装置或投影曝光装置等，来将光罩的图案转印到光致抗蚀剂膜上。在显影工序(步骤104)中，通过淋浴式(shower)显影法等，将显影液供给至光致抗蚀剂膜上，以去除光致抗蚀剂膜的多余部分。在蚀刻工序(步骤105)中，通过湿式(wet)蚀刻，将薄膜形成工序(步骤101)中形成的薄膜内的未被光致抗蚀剂膜所遮盖的部分予以去除。在剥离工序(步骤106)中，将在蚀刻工序(步骤105)中完成了光罩作用的光致抗蚀剂膜通过剥离液而剥离。在所述各工序之前或之后，视需要而实施基板的清洗/干燥工序。反复进行数次这些工序，从而在基板上形成TFT阵列(array)。
而且，图21是表示液晶显示器装置的彩色滤光器基板的制造工序的一例的流程图。在黑矩阵(black matrix)形成工序(步骤201)中，通过抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等的处理，在基板上形成黑矩阵。在着色图案形成工序(步骤202)中，通过染色法、颜料分散法、印刷法、电镀法等，在基板上形成着色图案。针对R、G、B的着色图案，反复进行该工序。在保护膜形成工序(步骤203)中，在着色图案之上形成保护膜，在透明电极膜形成工序(步骤204)中，在保护膜上形成透明电极膜。在所述各工序之前、中途或之后，视需要而实施基板的清洗/干燥工序。
在图20所示的TFT基板的制造工序中，在曝光工序(步骤103)中，在图21所示的彩色滤光器基板的制造工序中，在黑矩阵形成工序(步骤201)的曝光处理中，能够适用本发明的接近曝光装置以及接近曝光装置的基板定位方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种接近曝光装置，包括支撑基板的夹盘以及保持光罩的光罩架，在所述光罩与所述基板之间设置微小的间隙而将所述光罩的图案转印至所述基板上，所述接近曝光装置的特征在于包括：
移动平台，具有朝向X方向或Y方向移动的第1平台、搭载于所述第1平台上且朝向所述Y方向或所述X方向移动的第2平台、以及搭载于所述第2平台上且朝向θ方向旋转的第3平台，搭载所述夹盘以进行由所述夹盘所支撑的所述基板的定位；
激光测长系统，具有产生激光光线的光源、安装于所述第1平台的第1反射装置、安装于所述第2平台的第2反射装置、对来自所述光源的所述激光光线与由所述第1反射装置所反射的所述激光光线的干涉进行测定的第1激光干涉仪、以及对来自所述光源的所述激光光线与由所述第2反射装置所反射的所述激光光线的干涉进行测定的第2激光干涉仪；
第1检测装置，根据所述第1激光干涉仪以及所述第2激光干涉仪的测定结果，来检测所述移动平台在XY方向上的位置；
位置偏移检测装置，对安装于所述第2平台的所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移进行检测；
多个光学式位移计，设于所述夹盘上，在多处部位对直至安装于所述第2平台的所述第2反射装置为止的距离进行测定；
第2检测装置，基于由所述位置偏移检测装置所检测的所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移，并根据所述多个光学式位移计的测定结果来检测所述夹盘在所述θ方向上的斜率；
平台驱动电路，驱动所述移动平台；以及
控制装置，基于所述第2检测装置的检测结果来控制所述平台驱动电路，通过所述第3平台使所述夹盘朝向所述θ方向旋转，以进行所述基板在所述θ方向上的定位，并基于所述第1检测装置的检测结果来控制所述平台驱动电路，通过所述第1平台以及所述第2平台来使所述夹盘朝向所述XY方向移动，以进行所述基板在所述XY方向上的定位。
2.根据权利要求1所述的接近曝光装置，其特征在于，
安装于所述第2平台的所述第2反射装置在表面具有多个位置偏移检测用标记，
所述位置偏移检测装置具有多个图像获取装置及图像处理装置，根据由所述图像处理装置所检测的各所述位置偏移检测用标记的位置来检测所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移，所述多个图像获取装置获取所述第2反射装置的所述多个位置偏移检测用标记的图像，所述图像处理装置对由各所述图像获取装置所获取的各所述位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各所述位置偏移检测用标记的位置。
3.根据权利要求1所述的接近曝光装置，其特征在于，
所述激光测长系统具有多个所述第2激光干涉仪，
所述位置偏移检测装置根据所述多个第2激光干涉仪的测定结果，来检测安装于所述第2平台的所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的接近曝光装置，其特征在于，
所述多个光学式位移计是分光干涉激光位移计，所述分光干涉激光位移计将宽波长带宽的光照射至参照反射面以及被测定物，根据来自所述参照反射面的反射光与来自所述被测定物的反射光的干涉光的波长以及强度，来测定直至所述被测定物为止的距离。
5.一种接近曝光装置的基板定位方法，所述接近曝光装置包括支撑基板的夹盘以及保持光罩的光罩架，在所述光罩与所述基板之间设置微小的间隙而将所述光罩的图案转印至所述基板上，所述接近曝光装置的基板定位方法的特征在于，
将所述夹盘搭载于移动平台上，所述移动平台具有朝向X方向或Y方向移动的第1平台、搭载于所述第1平台且朝向所述Y方向或所述X方向移动的第2平台、以及搭载于所述第2平台且朝向θ方向旋转的第3平台，
在所述第1平台上安装第1反射装置，通过第1激光干涉仪，对来自光源的激光光线与由所述第1反射装置所反射的所述激光光线的干涉进行测定，
在所述第2平台上安装第2反射装置，通过第2激光干涉仪，对来自所述光源的所述激光光线与由所述第2反射装置所反射的所述激光光线的干涉进行测定，
对安装于所述第2平台的所述第2反射装置在θ方向上的位置偏移进行检测，
在所述夹盘上设置多个光学式位移计，通过所述多个光学式位移计，在多处部位对直至安装于所述第2平台的所述第2反射装置为止的距离进行测定，
基于所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移的检测结果，并根据所述多个光学式位移计的测定结果来检测所述夹盘在所述θ方向上的斜率，且基于检测结果，通过第3平台来使所述夹盘朝向所述θ方向旋转，以进行所述基板在所述θ方向上的定位，
根据所述第1激光干涉仪以及所述第2激光干涉仪的测定结果，检测所述移动平台在XY方向上的位置，并基于检测结果，通过所述第1平台以及所述第2平台来使所述夹盘朝向所述XY方向移动，以进行所述基板在所述XY方向上的定位。
6.根据权利要求5所述的接近曝光装置的基板定位方法，其特征在于，
在安装于所述第2平台的所述第2反射装置的表面，设置多个位置偏移检测用标记，
获取所述第2反射装置的所述多个位置偏移检测用标记的图像，对所获取的各所述位置偏移检测用标记的图像进行处理，以检测各所述位置偏移检测用标记的位置，并根据所检测的各所述位置偏移检测用标记的位置，来检测所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移。
7.根据权利要求5所述的接近曝光装置的基板定位方法，其特征在于，
通过多个所述第2激光干涉仪，在多处部位对来自所述光源的所述激光光线与由所述第2反射装置所反射的所述激光光线的干涉进行测定，
根据所述多个第2激光干涉仪的测定结果，对安装于所述第2平台的所述第2反射装置在所述θ方向上的位置偏移进行检测。
8.根据权利要求5至7中任一权利要求所述的接近曝光装置的基板定位方法，其特征在于，
使用分光干涉激光位移计作为所述光学式位移计，所述分光干涉激光位移计将宽波长带宽的光照射至参照反射面以及被测定物，根据来自所述参照反射面的反射光与来自所述被测定物的反射光的干涉光的波长以及强度，来测定直至所述被测定物为止的距离。
9.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，
使用根据权利要求1至4中任一权利要求所述的接近曝光装置来进行基板的曝光。
10.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，
使用根据权利要求5至8中任一权利要求所述的接近曝光装置的基板定位方法来定位基板，以进行基板的曝光。
CN2012103062528A 2011-09-19 2012-08-17 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法 Pending CN103064255A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-203912 2011-09-19
JP2011203912A JP5687165B2 (ja) 2011-09-19 2011-09-19 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103064255A true CN103064255A (zh) 2013-04-24

Family

ID=48106936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012103062528A Pending CN103064255A (zh) 2011-09-19 2012-08-17 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5687165B2 (zh)
KR (1) KR101387312B1 (zh)
CN (1) CN103064255A (zh)
TW (1) TW201314379A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104238272A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 群创光电股份有限公司 曝光系统与曝光方法
CN104991424A (zh) * 2015-07-23 2015-10-21 合肥京东方光电科技有限公司 黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331542A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP2005340315A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Nikon Corp 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用（工具）レチクル
JP2008051988A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
JP2008298906A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN101359185A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 株式会社日立高科技 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法
CN101840157A (zh) * 2009-03-16 2010-09-22 株式会社日立高科技 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2646417B2 (ja) 1992-10-30 1997-08-27 キヤノン株式会社 露光装置
JP2010276901A (ja) 2009-05-29 2010-12-09 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331542A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
JP2005340315A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Nikon Corp 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用（工具）レチクル
JP2008051988A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
JP2008298906A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN101359185A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 株式会社日立高科技 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法
CN101840157A (zh) * 2009-03-16 2010-09-22 株式会社日立高科技 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104238272A (zh) * 2013-06-18 2014-12-24 群创光电股份有限公司 曝光系统与曝光方法
CN104238272B (zh) * 2013-06-18 2017-02-01 群创光电股份有限公司 曝光系统与曝光方法
CN104991424A (zh) * 2015-07-23 2015-10-21 合肥京东方光电科技有限公司 黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统
US9841690B2 (en) 2015-07-23 2017-12-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Method and apparatus for exposure pattern correction and exposure system
CN104991424B (zh) * 2015-07-23 2018-01-12 合肥京东方光电科技有限公司 黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统

Also Published As

Publication number Publication date
TW201314379A (zh) 2013-04-01
JP2013065730A (ja) 2013-04-11
JP5687165B2 (ja) 2015-03-18
KR20130030722A (ko) 2013-03-27
KR101387312B1 (ko) 2014-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101359185B (zh) 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法
CN101840157B (zh) 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法
CN103064255A (zh) 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法
CN102799073A (zh) 曝光装置及曝光、检查方法及显示用面板基板的制造方法
TWI716147B (zh) 用於微影系統的對準方法
JP4994273B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板移動方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011003605A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4609167B2 (ja) 露光システム、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2013195778A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5537063B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5355245B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011007974A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR20100028733A (ko) 평판표시패널용 연마장치와 그 구동방법 및 이를 구비하는 리페어 시스템
JP2014066870A (ja) パターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法
JP2012032666A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2008009012A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013054270A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP3472078B2 (ja) 露光方法及び露光装置
KR101067370B1 (ko) 평판표시패널용 연마장치와 그 구동방법 및 이를 구비하는 리페어 시스템
JP2011123103A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013205678A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012103584A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441800B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法
JP2012068434A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011082370A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130424