CN104991424B - 黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及液晶显示器制备工艺技术领域,公开了一种黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统,用以提高补正精度,进而提高显示面板的显示效果。其中黑矩阵曝光图案的补正方法,包括:获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,回转方向为工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;根据第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器制备工艺技术领域,特别涉及一种黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统。
背景技术
随着显示技术的不断发展,人们对显示装置的显示效果要求越来越高。在薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD,Thin Film Transistor—Liquid Crystal Display)行业的制备彩膜基板(CF,Color Filter)工艺中,在基板上形成黑矩阵(BM,Black Matrix)是首道工艺,但在采用掩模板进行曝光时,掩模板与基板之间没有对位标记,曝光时由于曝光设备存在波动,在基板上形成黑色矩阵曝光图案后,需要对曝光图案的位置进行补正,以保证形成的黑矩阵曝光图案中对应的每个液晶盒的位置与阵列基板达成精准对盒。因为在实际生产中,彩膜基板与阵列基板对盒时,若液晶盒的位置偏离,会导致液晶面板漏光现象的发生。
现有的技术中,黑矩阵曝光图案的补正方法是通过基板的支撑台的移动调整基板的X,Y和θ三个参数,其中:X方向和Y方向在同一水平面内,X方向和Y方向相互垂直,X和Y为水平面内的调整参数,θ是以曝光中心为轴(Z轴),在回转方向的调整参数,调整时,根据待修补区域对应的液晶盒位置的实际测量值与设计值之间的差值计算出X、Y以及θ值,以实现对与待修补区域对应的掩模板和基板之间的相对位置的调整,进而可以对黑矩阵曝光图案正待修补的区域进行补正。
如图1和图2所示,其中:图1为一种畸形黑矩阵曝光图案,图2为另一种畸形黑矩阵曝光图案,对于图1和图2所示的畸形黑矩阵曝光图案,采用现有技术中的补正方法对待修补区域01补正,补正效果不好,甚至无法补正,影响显示面板的品质。
发明内容
本发明提供了一种黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统,用以提高补正精度,进而提高显示面板的显示效果。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种黑矩阵曝光图案的补正方法,包括:
获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法,可以在三维空间内对掩模板和基台的位置关系进行调整,进而可以调整基板与掩模板之间的位置关系,以便对有黑矩阵曝光图案内待修补区域进行补正,调整后形成的曝光图案更好,可以提高补正精度,进而提高显示面板的显示效果。
在一些可选的实施方式中,所述获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数包括:
获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数。
在一些可选的实施方式中,所述确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数具体包括:
根据所述待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
在一些可选的实施方式中,所述根据所述间隙调整参数控制所述工作台移动具体包括:
根据所述间隙调整参数控制所述工作台的支撑座的高度。
本发明还提供了一种黑矩阵曝光图案的补正装置,包括:
获得模块,用于获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
处理模块,用于根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
在一些可选的实施方式中,所述获得模块包括:
获取模块,用于获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
计算模块,用于确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数。
在一些可选的实施方式中,所述计算模块具体用于:
根据所述待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
在一些可选的实施方式中,所述处理模块具体用于:
根据所述间隙调整参数控制所述工作台的支撑座的高度。
本发明还提供了一种曝光系统,包括:用于支撑基板的工作台、位于所述工作台上方、用于支撑掩模板的基台,所述工作台背离所述基板的一面设有多个支撑座,还包括:
控制装置,用于获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
还用于根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
在一些可选的实施方式中,上述曝光系统还包括:
采集装置,用于获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
确定装置,用于根据所述待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
附图说明
图1为一种畸形黑矩阵曝光图案;
图2为另一种畸形黑矩阵曝光图案;
图3为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法的一种流程图;
图4为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法的另一种流程图;
图5为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正装置的一种结构示意图;
图6为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正装置的另一种结构示意图;
图7为本发明提供的曝光系统的一种结构示意图;
图8为本发明提供的曝光系统的另一种结构示意图。
附图标记:
01-待修补区域 1-获得模块
11-获取模块 12-计算模块
2-处理模块 3-输入装置
4-工作台 41-支撑座
5-基板 6-掩模板
7-控制装置 8-采集装置
9-确定装置
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
如图3所示,图3为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法的一种流程图;本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法,包括:
步骤S301:获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,回转方向为工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
步骤S302:根据第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法,可以在三维空间内对掩模板和基台的位置关系进行调整,进而可以调整基板与掩模板之间的位置关系,以便对有黑矩阵曝光图案内待修补区域进行补正,调整后形成的曝光图案更好,可以提高补正精度,进而提高显示面板的显示效果。
需要说明的是上述回转角度可以理解为:假设工作台和基台均为长方体结构,基台的一边投影在工作台的支撑面上、与工作台的一边相交所成的角度为回转角度。上述支撑掩模板的基台的中心轴为垂直于基台的中心的轴。
进一步的,如图4所示,图4为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正方法的另一种流程图,上述步骤S301:获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数包括:
步骤S3011:获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
步骤S3012:确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数。
当然上述曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数也可以通过人为计算出来。
更进一步的,上述步骤S3012:确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数具体包括:
根据待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
上述根据间隙调整参数控制工作台移动具体包括:
根据间隙调整参数控制工作台的支撑座的高度。通过改变一个或几个支撑座的高度,实现基台与待修补区域之间的间隙调整。
如图5所示,图5为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正装置的一种结构示意图;本发明还提供的黑矩阵曝光图案的补正装置,包括:
获得模块1,用于获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,回转方向为工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
处理模块2,用于根据第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正装置,可以在三维空间内对掩模板和基台的位置关系进行调整,进而可以调整基板与掩模板之间的位置关系,以便对有黑矩阵曝光图案内待修补区域进行补正,调整后形成的曝光图案更好,可以以提高补正精度,进而提高显示面板的显示效果。
如图6所示,图6为本发明提供的黑矩阵曝光图案的补正装置的另一种结构示意图,上述获得模块1包括:
获取模块11,用于获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
计算模块12,用于确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数。
当然上述曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数也可以通过人为计算出来,再手动输入给获得模块。
一种具体实施方式中,计算模块12具体用于:
根据待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
上述处理模块2具体用于:
根据间隙调整参数控制工作台的支撑座的高度。
如图7所示,图7为本发明提供的曝光系统的一种结构示意图;本发明提供的曝光系统,包括:用于支撑基板5的工作台4、位于工作台4上方、用于支撑掩模板6的基台,工作台4背离基板5的一面设有多个支撑座41,还包括:
控制装置7,用于获取曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
还用于根据第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台4移动。
如图8所示,图8为本发明提供的曝光系统的另一种结构示意图,上述曝光系统还包括:
采集装置8,用于采集基板5上的黑矩阵曝光图案信息;
确定装置9,用于根据待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制工作台移动。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种黑矩阵曝光图案的补正方法,其特征在于,包括:
获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
2.根据权利要求1所述的黑矩阵曝光图案的补正方法,其特征在于,所述获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数包括:
获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数。
3.根据权利要求2所述的黑矩阵曝光图案的补正方法,其特征在于,所述确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数具体包括:
根据所述待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数。
4.根据权利要求1~3任一项所述的黑矩阵曝光图案的补正方法,其特征在于,所述根据所述间隙调整参数控制所述工作台移动具体包括:
根据所述间隙调整参数控制所述工作台的支撑座的高度。
5.一种黑矩阵曝光图案的补正装置,其特征在于,包括:
获得模块,用于获得曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
处理模块,用于根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
6.根据权利要求5所述的黑矩阵曝光图案的补正装置,其特征在于,所述获得模块包括:
获取模块,用于获取基板上的黑矩阵曝光图案信息;
计算模块,用于确定黑矩阵曝光图案内的待修补区域,并确定曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数。
7.根据权利要求6所述的黑矩阵曝光图案的补正装置,其特征在于,所述计算模块具体用于:
根据所述待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数。
8.根据权利要求5~7任一项所述的黑矩阵曝光图案的补正装置,其特征在于,所述处理模块具体用于:
根据所述间隙调整参数控制所述工作台的支撑座的高度。
9.一种曝光系统,包括:用于支撑基板的工作台、位于所述工作台上方、用于支撑掩模板的基台,所述工作台背离所述基板的一面设有多个支撑座,其特征在于,还包括:
控制装置,用于获取曝光装置中用于支撑基板的工作台在第一方向和第二方向上的位移调整参数、回转方向上的回转角度调整参数以及与所述掩模板之间距离的间隙调整参数,其中第一方向和第二方向相互垂直且位于同一水平面内,所述回转方向为所述工作台绕支撑掩模板的基台的中心轴旋转的方向;
还用于根据所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数控制所述工作台移动。
10.根据权利要求9所述的曝光系统,其特征在于,还包括:
采集装置,用于采集基板上的黑矩阵曝光图案信息;
确定装置,用于根据待修补区域对应的液晶盒的实际位置测量值与设计值之间的差值得到所述第一方向和第二方向上的位移调整参数、角度调整参数以及间隙调整参数。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510444202.XA CN104991424B (zh) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 黑矩阵曝光图案的补正方法和装置以及曝光系统 |
US15/135,373 US9841690B2 (en) | 2015-07-23 | 2016-04-21 | Method and apparatus for exposure pattern correction and exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9841690B2 (zh) |
CN (1) | CN104991424B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6258495B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-07-10 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Process for aligning work and mask |
EP1465017A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-06 | Sony Corporation | Semiconductor wafer and exposure mask with alignment marks, mark detecting method and method of exposure |
CN101213492A (zh) * | 2005-06-29 | 2008-07-02 | 富士胶片株式会社 | 基板制造方法和曝光装置 |
CN103064255A (zh) * | 2011-09-19 | 2013-04-24 | 株式会社日立高科技 | 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法 |
CN104122770A (zh) * | 2013-04-27 | 2014-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种偏差补正方法和装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4636626A (en) * | 1983-01-14 | 1987-01-13 | Nippon Kogaku K.K. | Apparatus for aligning mask and wafer used in semiconductor circuit element fabrication |
JPH03198320A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
CN1120683A (zh) * | 1994-03-15 | 1996-04-17 | 松下电器产业株式会社 | 曝光方法及其装置 |
JP3198320B2 (ja) | 1997-08-15 | 2001-08-13 | 株式会社 エイエンディ | ストレインゲージ式ロードセルを利用した液体の液位/液量測 定システム及びその測定方法 |
KR100336525B1 (ko) * | 2000-08-07 | 2002-05-11 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조를 위한 노광 방법 |
-
2015
- 2015-07-23 CN CN201510444202.XA patent/CN104991424B/zh active Active
-
2016
- 2016-04-21 US US15/135,373 patent/US9841690B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6258495B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-07-10 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Process for aligning work and mask |
EP1465017A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-06 | Sony Corporation | Semiconductor wafer and exposure mask with alignment marks, mark detecting method and method of exposure |
CN101213492A (zh) * | 2005-06-29 | 2008-07-02 | 富士胶片株式会社 | 基板制造方法和曝光装置 |
CN103064255A (zh) * | 2011-09-19 | 2013-04-24 | 株式会社日立高科技 | 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法 |
CN104122770A (zh) * | 2013-04-27 | 2014-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种偏差补正方法和装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)生产线专用设备分析;董大为;《中国集成电路》;20070331;33-36 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9841690B2 (en) | 2017-12-12 |
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