CN104281014A - 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法 - Google Patents

掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104281014A
CN104281014A CN201410577776.XA CN201410577776A CN104281014A CN 104281014 A CN104281014 A CN 104281014A CN 201410577776 A CN201410577776 A CN 201410577776A CN 104281014 A CN104281014 A CN 104281014A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask plate
exposure
exposed
substrate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410577776.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104281014B (zh
Inventor
刘正
郭总杰
张小祥
张治超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410577776.XA priority Critical patent/CN104281014B/zh
Publication of CN104281014A publication Critical patent/CN104281014A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104281014B publication Critical patent/CN104281014B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法,所述掩模板包括透光区域和不透光区域;所述透光区域包括:至少一个沿第一方向延伸设置的第一透光部;以及至少一个沿与所述第一方向之间呈第一角度的第二方向延伸设置的第二透光部。本发明中,掩模板的透光区域上设置有第一透光部和第二透光部,将掩模板移动至待曝光基板上方的不同预设位置,在每一预设位置处利用掩膜板对待曝光基板进行曝光,通过这种多次曝光的方式,利用掩膜板上的第一透光部和第二透光部作为曝光区进行曝光,可以实现在待曝光基板上形成任意大小的矩形或菱形图案,从而可以利用一块掩模板来制备不同型号的紫外掩模基板,节约了开发费用和制作成本。

Description

掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)在当前的显示领域中占据了主导地位,其产品具有体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点,已经被广泛应用于现代数字信息化设备中。TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒而成,在阵列基板和彩膜基板对盒工艺过程中,需要通过紫外光(UV)照射的方法实现封框胶的固化。为保证显示面板有效显示区域(Active Area)的液晶分子不被UV光照射而对液晶产生污染,需要通过紫外掩模基板(UV Glass)上的金属图形来遮挡面板有效显示区域(ActiveArea),以防止液晶分子被UV照射。
而现有技术中,通过曝光机上的掩模板对沉积有某种金属的玻璃基板进行曝光、经刻蚀等工艺得到具有一定图案的紫外掩模基板。由于液晶显示器件新产品的不断开发,不同产品的面板需要不同型号的紫外掩模基板来满足面板在对盒工艺过程中有效显示区域不受紫外照射的影响,即需要不同的掩模板来获得不同型号的紫外掩模基板。现有技术中只能通过购买各种型号的掩模板,得到待曝光基板上不同大小的图案。而购买掩模板的费用较高,不利于节约曝光工艺的实现成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法,。
本发明实施方式所提供的技术方案如下:
一种掩模板,包括透光区域和不透光区域;所述透光区域包括:
至少一个沿第一方向延伸设置的第一透光部;
以及至少一个沿与所述第一方向之间呈第一角度的第二方向延伸设置的第二透光部。
进一步的,所述第一角度为90度。
进一步的,所述透光区域包括平行设置的至少两个所述第一透光部。
进一步的,所述透光区域包括平行设置的至少两个所述第二透光部。
进一步的,至少两个所述第二透光部中的至少一个所述第二透光部靠近所述掩模板的第一边缘设置,至少另一个所述第二透光部靠近所述掩模板的与所述第一边缘相对的第二边缘设置。
一种曝光设备,包括:
如上所述的掩模板;
以及,能够相对所述掩模板移动,以与所述掩模板配合形成不同的曝光区域的挡板。
进一步的,所述曝光设备还包括:用于移动所述掩模板的第一移动部件。
进一步的,所述曝光设备还包括:
用于移动所述挡板的第二移动部件。
一种紫外掩模基板的制备方法,所述方法包括:
采用如上所述的曝光设备对待曝光基板进行多次曝光,其中在每次曝光过程中,根据紫外掩膜基板的图形,利用所述掩模板和所述挡板配合形成不同的曝光区域。
进一步的,移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域;
移动掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第一曝光区域,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成包括沿所述第一方向延伸和沿所述第二方向延伸的全部曝光图形。
进一步的,所述待曝光基板划分为靠近第一侧的第一部分和靠近与所述第一侧相对的第二侧的第二部分;
其中,当所述掩模板位于所述待曝光基板的第一部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第一边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域;
当所述掩模板位于所述待曝光基板的第二部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第二边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域。
进一步的,移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第二曝光区域;
移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第二曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第一方向延伸的全部曝光图形。
进一步的,所述方法还包括:
移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第三曝光区域;
移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第三曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第二方向延伸的全部曝光图形。
本发明的有益效果如下:
上述方案中,掩模板的透光区域上设置有呈第一角度设置的第一透光部和第二透光部,可以将掩模板移动至待曝光基板上方的不同预设位置,在每一预设位置处利用所述掩膜板对所述待曝光基板进行曝光,通过这种多次曝光的方式,利用掩膜板上的第一透光部和第二透光部作为曝光区进行曝光,可以实现在待曝光基板上形成任意大小的矩形或菱形图案,从而可以利用一块掩模板来制备不同型号的紫外掩模基板,节约了开发费用和制作成本。
附图说明
图1为本发明所提供的掩模板的第一种实施例的结构示意图;
图2为本发明所提供的掩模板的第二种实施例的结构示意图;
图3为本发明所提供的紫外掩模基板的制造方法中步骤S1的结构示意图;
图4为本发明所提供的紫外掩模基板的制造方法中步骤S2的结构示意图;
图5为采用本发明提供的方法在掩模板处于第一位置进行曝光完成后基板上的曝光图形示意图;
图6为采用本发明提供的方法曝光完成后基板上的曝光图形示意图;
图7为本发明所提供的紫外掩模基板的制造方法中步骤S5的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
现有技术中需要不同的掩模板来获得不同型号的紫外掩模基板,存在成本较高,本发明提供了一种掩模板、曝光设备及紫外掩模基板,可以利用一块掩模板来制备不同型号的紫外掩模基板,节省了成本。
如图1和图2所示,本发明所提供的掩模板包括透光区域和不透光区域;所述透光区域包括:
至少一个沿第一方向延伸设置的第一透光部100;以及至少一个沿与所述第一方向之间呈第一角度的第二方向延伸设置的第二透光部200。
本发明所提供的掩模板的透光区域上设置有呈第一角度设置的第一透光部100和第二透光部200,从而,可以将掩模板移动至待曝光基板上方的不同预设位置,在每一预设位置处利用所述掩膜板对所述待曝光基板进行曝光,通过这种多次曝光的方式,利用掩膜板上的第一透光部100和第二透光部200进行曝光,可以实现在待曝光基板上形成任意大小的矩形或者菱形图案,从而可以利用一块掩模板来制备不同型号的紫外掩模基板,节约了开发费用和制作成本。
通常在紫外掩模基板曝光工艺中是采用正性光刻胶,因此,本发明中,优选的,所述第一透光部100和所述第二透光部200均为条形透光结构。
由于传统的显示面板上有效显示区域呈矩形,紫外掩模基板上金属图形为对应的矩形图形,因此,优选的,本发明所提供的实施例中,所述第一角度为90度,也就是说,所述第一透光部与所述第二透光部相互垂直设置。当然可以理解的是,在实际应用中,所述第一角度也可以为其他角度,以利用该掩模板制造出具有菱形图形的基板。
并且,如图2所示,优选的,所述透光区域的图形包括平行设置的两个所述第二透光部200。进一步优选的,至少两个所述第二透光部中的至少一个所述第二透光部靠近所述掩模板的第一边缘设置,至少另一个所述第二透光部靠近所述掩模板的与所述第一边缘相对的第二边缘设置。
采用上述方案,第二透光部200设置为两个,可以减少曝光设备占用空间,具体地,待曝光基板上具有相对的第一侧和第二侧,整个待曝光基板可以划分为靠近第一侧的第一部分和靠近第二侧的第二部分,其中,当所述掩模板位于所述待曝光基板的第一部分上方的任一预定位置上时,利用掩模板曝光待曝光基板的第一部分的图案时,可以采用两个第二透光部200中靠近掩模板的第一边缘设置的一个第二透光部形成曝光区域来进行曝光;
而当所述掩模板位于所述待曝光基板的第二部分上方的任一预定位置上时,利用掩模板曝光待曝光基板的第二部分的图案时,受曝光设备的空间局限,两个第二透光部200中靠近待曝光基板的第一侧的一个第二透光部可能没有足够空间可以移动至基板的第二部分所对应的位置,此时可以采用两个第二透光部200中靠近掩模板的第二边缘设置的另一个第二透光部形成曝光区域来进行曝光。
当然可以理解的是,根据实际需求,本发明的实施例中也可以是在掩模板上平行设置至少两个第一透光部。
此外,本发明实施例中,优选的,两个平行设置的第二透光部200之间的间距为紫外掩模基板的矩形图形在第一方向上的长度的整数倍,可以在制备紫外掩模基板过程中减少曝光次数。
当然可以理解的是,本发明所提供的掩模板中,所述第一透光部100和所述第二透光部200的尺寸以及布置方式可以根据基板(紫外掩模基板)的型号大小以及曝光设备的空间等因素来设置,例如:所述透光区域还可以是包括两个以上的所述第二透光部200,或者所述透光区域还可以包括两个以上所述第一透光部100。
本发明还一个目的是提供一种曝光设备,该曝光设备包括:
本发明实施例所提供的掩模板;
以及,能够相对所述掩模板移动,以与所述掩模板配合形成不同的曝光区域的挡板。
本发明所提供的曝光设备,其掩模板的透光区域上设置有呈第一角度设置的第一透光部100和第二透光部200,从而,可以将掩模板移动至待曝光基板上方的不同预设位置,在每一预设位置处利用所述掩膜板与挡板配合形成不同曝光区域,对所述待曝光基板进行曝光,通过这种多次曝光的方式,利用掩膜板上的第一透光部100和第二透光部200进行曝光,可以实现在待曝光基板上形成任意大小的矩形或者菱形图案,从而可以利用一块掩模板来制备不同型号的紫外掩模基板,节约了开发费用和制作成本。
本发明的实施例中,优选的,所述曝光设备还包括:用于移动所述掩模板的第一移动部件。采用上述方案,可以利用曝光设备上的第一移动部件实现对掩模板的移动,将掩模板移动至待曝光基板上方的任一位置上,实现对待曝光基板的多次曝光。
此外,本发明的实施例中,进一步优选的,所述曝光设备还可以包括:用于移动所述挡板的第二移动部件。采用上述方案,可以利用曝光设备上的第二移动部件实现对挡板的移动,以在掩模板移动至待曝光基板上方的任一位置时,与掩模板配合形成不同曝光区域。
需要说明的是,本发明所提供的掩模板以及曝光设备可以用于制备具有任意大小的矩形或者菱形图形的基板,该基板可以是具有矩形或者菱形图形的任意基板,包括但并不仅限于制造紫外掩模基板。
此外,本发明还提供了一种紫外掩模基板的制备方法,该方法中采用本发明实施例所提供的掩模板对待曝光基板进行曝光,所述方法包括:
在衬底基板上形成金属膜层;
在衬底基板上涂覆光刻胶,形成待曝光基板;
采用本发明实施例所述的曝光设备对待曝光基板进行多次曝光,其中在每次曝光过程中,根据紫外掩膜基板的图形,利用所述掩模板和所述挡板配合形成不同的曝光区域;
将曝光后的基板经显影工艺处理。
以下说明本发明所提供的紫外掩模基板制造方法的几种优选实施例。
实施例1
本实施例中提供的紫外掩模基板的制备方法中,在衬底基板上形成金属膜层,在衬底基板上涂覆光刻胶,形成待曝光基板之后,采用本发明实施例所提供的掩模板对待曝光基板进行曝光,具体的曝光过程包括以下步骤;
步骤S1、移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域(如图4所示);
如图5所示为经步骤S1中一次曝光后在待曝光基板上所形成的曝光图形的示意图,所述第一曝光区域中,所述第一透光部100用于使得待曝光基板300经曝光后形成沿第一方向延伸的第一曝光图形500,所述第二透光部100用于使得待曝光基板300经曝光后形成沿第二方向延伸的第二曝光图形600;
步骤S2、移动掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第一曝光区域,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
本步骤中,将掩模板移动至下一位置上,保持掩模板与挡板的相对位置不变,以使得所述挡板与所述掩模板配合的曝光区域保持不变,对待曝光基板进行第二次曝光;
步骤S3、按照上述步骤S1和S2,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成包括沿所述第一方向延伸和沿所述第二方向延伸的全部曝光图形,其中,如图6所示为经步骤S3之后的待曝光基板上的曝光图形的示意图。
本实施例所提供的方法中,是将掩模板与挡板配合,从而利用掩模板上的一个第一透光部和一个第二透光部形成曝光区域,在待曝光基板上进行多次曝光,在每次曝光过程中,保持该曝光区域不变,可以形成多个矩形图形。
需要说明的是,通常在待曝光基板上还分为周边对位区域以及中部图形区域,多个矩形图形形成于所述中部图形区域,周边对位区域上设置有对位标记。上述步骤S1-S3可以形成所述中部图形区域的用于构成各矩形图形的沿第一方向和第二方向延伸的全部曝光图形,在本实施例中,所述的方法还可以包括:
S4、将待曝光基板的周边对位标记所在区域进行曝光。
具体地,步骤S4中,将掩模板10移动至靠近待曝光基板300的周边对位区域的上方的任一位置处,利用挡板和掩模板10配合,使得与待曝光基板300的周边对位区域所对应的区域形成曝光区(例如:如图3所示,利用挡板400遮挡住所述掩模板10上的第一透光部100的一部分和第二透光部200的一部分,所述掩模板10的边缘与衬底基板的边框之间保留部分空白区域形成曝光区域),对待曝光基板300进行曝光,在曝光完成后,移动所述掩模板10至待曝光基板300的周边对位区域上方的下一位置处进行曝光,直至将待曝光基板300的对位标记所在区域全部曝光完成。
此外,还需要说明的是,在制造不同型号的紫外掩模基板时,在移动掩模板进行曝光的过程中,需要尽可能保证多个矩形图形中位于中部的矩形图形的尺寸精确,因此有可能会在待曝光基板的中部图形区域中处于外围的矩形图形的尺寸略有偏差(外围形成的矩形图形的尺寸大于实际矩形图形的尺寸),因此,本实施例中,所述的方法还可以包括:
步骤S5、将待曝光基板的中部图形区域的外围余出部分进行曝光。
具体地,步骤S5中,将掩模板10移动至靠近待曝光基板300的第一侧的任一位置处,利用挡板和掩模板10配合,使得与待曝光基板300的中部图形区域的外围余出部分形成曝光区域(例如:如图7所示,利用挡板400遮挡住所述掩模板10上的第一透光部100和第二透光部200,所述掩模板10的边缘与待曝光基板的边框之间保留部分空白区域形成曝光区域),对待曝光基板300进行曝光,在曝光完成后,移动所述掩模板10至靠近待曝光基板300的第一侧的下一位置处进行曝光,直至将待曝光基板的第一侧的中部图形区域的外围余出部分;
同样地,可以利用掩模板与挡板配合形成不同曝光区域,在待曝光基板的其他侧的中部图形区域的外围余出部分进行曝光。
此外,还需说明的是,所述待曝光基板的中部图形区域还可以划分为靠近第一侧的第一部分和靠近与所述第一侧相对的第二侧的第二部分。
本实施例所提供的方法中,优选的,当所述掩模板位于所述待曝光基板的第一部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第一边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域;
当所述掩模板位于所述待曝光基板的第二部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第二边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域。
采用上述方案,当所述掩模板位于所述待曝光基板的第一部分上方的任一预定位置上时,利用掩模板曝光待曝光基板的第一部分的图案时,可以采用两个第二透光部200中靠近掩模板的第一边缘设置的一个第二透光部形成曝光区域来进行曝光;而当所述掩模板位于所述待曝光基板的第二部分上方的任一预定位置上时,利用掩模板曝光待曝光基板的第二部分的图案时,受曝光设备的空间局限,两个第二透光部200中靠近待曝光基板的第一侧的一个第二透光部200a可能没有足够空间可以移动至基板的第二部分所对应的位置,此时可以采用两个第二透光部200中靠近掩模板的第二边缘设置的一个第二透光部形成曝光区域来进行曝光。
实施例2
本实施例中提供的紫外掩模基板的制备方法中,在衬底基板上形成金属膜层,在衬底基板上涂覆光刻胶,形成待曝光基板之后,采用本发明实施例所提供的掩模板对待曝光基板进行曝光,具体的曝光过程包括以下步骤;
步骤S01、移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第二曝光区域;
步骤S02、移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第二曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
步骤S03、按照上述步骤步骤S01-S02、,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第一方向延伸的全部曝光图形。
步骤S04、移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第三曝光区域;
步骤S05、移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第三曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
步骤S06、按照上述步骤步骤S04-S05、,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第二方向延伸的全部曝光图形。
本实施例所提供中,是将掩模板与挡板配合,从而利用掩模板上的至少一个第一透光部形成曝光区域,在待曝光基板上进行多次曝光,在每次曝光过程中,保持该曝光区域不变,可以形成沿第一方向延伸的曝光图形;再利用掩模板的至少一个第二透光部形成曝光区域,在待曝光基板上进行多次曝光,在每次曝光过程中,保持该曝光区域不变,可以形成沿第二方向延伸的曝光图形,从而在待曝光基板上形成沿第一方向和第二方向延伸的全部曝光图形。
本实施例与实施例1相比区别在于,在曝光过程中,挡板与掩模板配合形成的曝光区域不同。应当理解的是,在本发明的其他实施例中,在曝光过程中,挡板与掩模板配合形成的曝光区域还可以根据实际需求进行调整,在此不再一一列举。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种掩模板,包括透光区域和不透光区域;其特征在于,所述透光区域包括:
至少一个沿第一方向延伸设置的第一透光部;
以及至少一个沿与所述第一方向之间呈第一角度的第二方向延伸设置的第二透光部。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,
所述第一角度为90度。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,
所述透光区域包括平行设置的至少两个所述第一透光部。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,
所述透光区域包括平行设置的至少两个所述第二透光部。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,
至少两个所述第二透光部中的至少一个所述第二透光部靠近所述掩模板的第一边缘设置,至少另一个所述第二透光部靠近所述掩模板的与所述第一边缘相对的第二边缘设置。
6.一种曝光设备,其特征在于,包括:
如权利要求1至5任一项所述的掩模板;
以及,能够相对所述掩模板移动,以与所述掩模板配合形成不同的曝光区域的挡板。
7.根据权利要求6所述的曝光设备,其特征在于,
所述曝光设备还包括:用于移动所述掩模板的第一移动部件。
8.根据权利要求6所述的曝光设备,其特征在于,
所述曝光设备还包括:用于移动所述挡板的第二移动部件。
9.一种紫外掩模基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
采用如权利要求6至8任一项所述的曝光设备对待曝光基板进行多次曝光,其中在每次曝光过程中,根据紫外掩膜基板的图形,利用所述掩模板和所述挡板配合形成不同的曝光区域。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域;
移动掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第一曝光区域,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成包括沿所述第一方向延伸和沿所述第二方向延伸的全部曝光图形。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述待曝光基板划分为靠近第一侧的第一部分和靠近与所述第一侧相对的第二侧的第二部分;
其中,当所述掩模板位于所述待曝光基板的第一部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第一边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域;
当所述掩模板位于所述待曝光基板的第二部分上方的任一预定位置上时,所述挡板遮挡住除靠近所述掩模板的第二边缘设置的第一透光部和至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第一曝光区域。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法包括:
移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第一透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第二曝光区域;
移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第二曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第一方向延伸的全部曝光图形。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
移动所述掩模板及挡板,使所述掩模板位于待曝光基板上方的任一预定位置上,对所述待曝光基板进行一次曝光,其中,所述挡板遮挡住除至少一个所述第二透光部之外的区域,以与所述掩模板配合形成第三曝光区域;
移动掩模板及挡板,其中所述挡板与所述掩模板配合形成所述第三曝光区域,使所述掩模板位于待曝光基板上方的下一预定位置上,对所述待曝光基板进行下一次曝光;
按照上述步骤,对所述待曝光基板进行多次曝光,直至完成对整个所述待曝光基板的曝光处理,以在所述待曝光基板上形成沿所述第二方向延伸的全部曝光图形。
CN201410577776.XA 2014-10-24 2014-10-24 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法 Expired - Fee Related CN104281014B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410577776.XA CN104281014B (zh) 2014-10-24 2014-10-24 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410577776.XA CN104281014B (zh) 2014-10-24 2014-10-24 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104281014A true CN104281014A (zh) 2015-01-14
CN104281014B CN104281014B (zh) 2017-05-03

Family

ID=52256028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410577776.XA Expired - Fee Related CN104281014B (zh) 2014-10-24 2014-10-24 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104281014B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104701144A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法
CN105353566A (zh) * 2015-10-26 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置及其制作方法、封框胶固化方法
CN106200258A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板、对其曝光的方法以及电路面板的制造方法
CN106226926A (zh) * 2016-08-08 2016-12-14 深圳市科利德光电材料股份有限公司 一种液晶显示器及改善姆拉现象的方法
CN108255012A (zh) * 2018-03-26 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板及基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法
CN108646515A (zh) * 2018-04-27 2018-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板、阵列基板
CN110441985A (zh) * 2019-08-15 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、以及采用掩模板进行图案化的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050271952A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Laser beam pattern mask and crystallization method using the same
JP2008205417A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Takeshi Toida 機能パターン用多種レジスト塗布基板及びその基板を用いた機能パターン基板の製造方法
KR20090049407A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 하이닉스반도체 이중 노광을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법
CN101986206A (zh) * 2010-07-30 2011-03-16 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 利用功能掩膜板制造封接胶固化用掩膜基板的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050271952A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Laser beam pattern mask and crystallization method using the same
JP2008205417A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Takeshi Toida 機能パターン用多種レジスト塗布基板及びその基板を用いた機能パターン基板の製造方法
KR20090049407A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 하이닉스반도체 이중 노광을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성방법
CN101986206A (zh) * 2010-07-30 2011-03-16 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 利用功能掩膜板制造封接胶固化用掩膜基板的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104701144A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法
CN105353566A (zh) * 2015-10-26 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置及其制作方法、封框胶固化方法
CN106226926A (zh) * 2016-08-08 2016-12-14 深圳市科利德光电材料股份有限公司 一种液晶显示器及改善姆拉现象的方法
CN106226926B (zh) * 2016-08-08 2019-08-23 深圳市科利德光电材料股份有限公司 一种液晶显示器及改善姆拉现象的方法
CN106200258A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板、对其曝光的方法以及电路面板的制造方法
CN106200258B (zh) * 2016-08-31 2019-11-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板、对其曝光的方法以及电路面板的制造方法
CN108255012A (zh) * 2018-03-26 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板及基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法
WO2019184908A1 (zh) * 2018-03-26 2019-10-03 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板及基于光学掩膜板的光学掩膜基板的制备方法
CN108646515A (zh) * 2018-04-27 2018-10-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种掩膜板、阵列基板
CN110441985A (zh) * 2019-08-15 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、以及采用掩模板进行图案化的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104281014B (zh) 2017-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104281014A (zh) 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法
CN202372754U (zh) 一种曝光机及曝光系统
CN103268037B (zh) 一种彩膜基板、制备方法以及显示装置
CN103199084B (zh) 基板对位标记、基板及基板对位标记的制作方法
US10241361B2 (en) Color film substrate, manufacturing method thereof and display device
US20180052395A1 (en) Exposure method, substrate and exposure apparatus
CN104102094B (zh) 掩模挡板及其制造方法
CN101661220B (zh) 液晶显示器面板和掩模板
CN201974631U (zh) 掩膜版及掩膜版组
US9632366B2 (en) Mask and method of manufacturing photoresist spacers with the mask
CN103034049A (zh) 金属线及阵列基板的制作方法
CN101986206A (zh) 利用功能掩膜板制造封接胶固化用掩膜基板的方法
CN103984202A (zh) 掩膜板和彩膜基板的制作方法
CN105093813B (zh) 光掩模板和曝光系统
CN104155809A (zh) 曲面式显示面板及其制造方法
CN105093812A (zh) 阵列基板母板及其制作方法、掩膜板
US10620526B2 (en) Mask, manufacturing method thereof, patterning method employing mask, optical filter
CN103135334A (zh) 彩色膜层掩模板、彩色滤光片的制作方法及彩色滤光片
CN103092005A (zh) 玻璃基板的曝光对位方法
CN103926809A (zh) 一种基板的制备方法
US20150362833A1 (en) Mask plate and method of patterning using the mask plate
CN105045032A (zh) 一种掩模板、隔垫物及显示装置
CN102736405B (zh) 一种光罩及其修正方法
CN105629679B (zh) 边缘曝光机及边缘曝光区域打码方法
US9568843B2 (en) Exposure method and exposure device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170503

Termination date: 20201024

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee