CN104701144A - 一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法 - Google Patents

一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域,公开了一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法。所述基板的制作方法包括:利用已有的掩膜板进行图形化,来形成基板上的对位标记,满足了对位标记的微米级精度要求;利用扫描设备进行图形化,来形成基板上的遮光图形,满足了遮光图形的毫米级精度要求。由于不需要专门定制掩膜板,大大降低了所述基板(具体为掩膜板)的制作成本,进一步降低了利用所述基板进行图形化的显示基板的制作成本。而且对位标记图形和遮光图形通过单独的工艺形成,适用于不同尺寸尤其是大尺寸基板的制作,具有较高的通用性。

Description

一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种基板及其制作方法、显示面板的制作方法。
背景技术
液晶显示器件的制作工艺包括阵列基板和彩膜基板的密封对盒。现有技术中通过在阵列基板或彩膜基板的周边密封区域涂覆密封胶,并采用独立设计的掩膜板来对密封胶进行固化,来实现阵列基板和彩膜基板的密封对盒。其中,掩膜板的作用是:在阵列基板和彩膜基板对盒后,允许光线透过掩膜板对密封胶进行固化,在这个过程中,为防止光线照射到中心的显示区域,掩膜板对应显示区域的位置需要设置含遮光图形,来对显示区域进行遮挡,从而防止光照射显示区域的结构(如:薄膜晶体管、液晶),造成不良,影响显示品质。
其中,掩膜板上包括对位标记图形和对应显示区域的遮光图形,两者精度分别微米级和毫米级,即,所述遮光图形对精度要求较低。
目前,大致有两类工艺来制作掩膜板:
一、完全采用已有产品的掩膜板进行拼接来制作新产品的掩膜板,此方法的优点是可完全取消购买掩膜板,劣势是仅适合几款产品,应用范围极窄;
二、采用专门定制的掩膜板制作掩膜板的对位标记,掩膜板的其他遮光图形采用单独方法制作,此方法虽然取消了新产品掩膜板的采购,但必须单独采购一张用于对位标记曝光的掩膜板(约7万美元),成本依然很高。
发明内容
本发明提供一种基板及其制作方法,所述基板为掩膜板,所述制作方法包括形成对位标记和遮光图形,用以解决现有技术中掩膜板的制作方法存在的技术问题。
本发明还提供一种显示面板的制作方法,利用上述掩膜板来对显示面板的密封胶进行固化,来实现显示面板的对盒,降低了生产成本。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种基板的制作方法,包括形成对位标记和第一遮光图形的步骤,其中,形成对位标记的步骤包括:
提供一衬底基板和一掩膜板,所述掩膜板包括所述对位标记的图形;
在所述衬底基板上形成第一不透光薄膜,所述第一不透光薄膜为非光敏材料;
利用所述掩膜板对所述第一不透光薄膜进行图形化,将所述掩膜板上的对位标记图形复制到第一不透光薄膜上。
形成第一遮光图形的步骤包括:
在所述衬底基板上形成第二不透光薄膜,所述第二不透光薄膜为非光敏材料;
利用扫描设备对所述第二不透光薄膜进行图形化,形成所述第一遮光图形。
如上所述的制作方法,优选的是,所述利用扫描设备对所述第二不透光薄膜进行图案化,形成所述第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第二不透光薄膜上形成光刻胶,利用光学镜头对光刻胶进行扫描曝光,显影后,保留第一遮光图形所在区域的光刻胶,刻蚀掉第一遮光图形所在区域之外的第二不透光薄膜,并剥离剩余的光刻胶,形成第一遮光图形。
如上所述的制作方法,优选的是,所述第一不透光薄膜和第二不透光薄膜为同一薄膜;
形成对位标记和第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第一不透光薄膜上形成光刻胶,以所述掩膜板为阻挡,对所述光刻胶进行曝光和显影,形成第一光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第一光刻胶保留区域至少对应所述对位标记所在的区域,以及包括第一遮光图形所在区域的第一区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
利用光学镜头对所述第一区域的光刻胶进行扫描曝光,显影后,形成第二光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第二光刻胶保留区域至少对应所述第一遮光图形所在的区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
刻蚀掉光刻胶不保留区域的第一不透光薄膜;
剥离剩余的光刻胶,形成第一不透光薄膜的图形,所述第一不透光薄膜的图形至少包括对位标记的图形和第一遮光图形。
如上所述的制作方法,优选的是,所述第一不透光薄膜的材料为金属。
如上所述的制作方法,优选的是,所述基板的边角区域均设置有对位标记。
如上所述的制作方法,优选的是,通过一次构图工艺将掩膜板上的对位标记复制到所述基板的一个边角区域,通过多次构图工艺在所述基板的所有边角区域形成对位标记。
本发明实施例中还提供一种基板,其特征在于,采用如上所述的制作方法制得。
本发明实施例中还提供一种显示面板的制作方法,包括对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤,其中,对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤包括:
在第一显示基板和/或第二显示基板的密封区域涂覆密封胶;
对盒第一显示基板和第二显示基板,所述第一显示基板和第二显示基板上的对位标记位置对应;
将如上所述的基板上的对位标记和第一显示基板上的对位标记对齐,所述基板的第一遮光图形对应显示面板的显示区域;
以所述基板为阻挡,光照所述第一显示基板和第二显示基板,对所述第一显示基板和第二显示基板之间的密封胶进行固化。
如上所述的制作方法,优选的是,所述密封胶为封框胶,利用紫外光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
如上所述的制作方法,优选的是,所述密封胶为玻璃胶,利用激光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,利用已有的掩膜板进行图形化,来形成基板上的对位标记,满足了对位标记的微米级精度要求,并利用扫描设备进行图形化,来形成基板上的遮光图形,满足了遮光图形的毫米级精度要求。由于不需要专门定制掩膜板,大大降低了所述基板的制作成本。而且对位标记图形和遮光图形通过单独的工艺形成,适用于不同尺寸尤其是大尺寸基板的制作,具有较高的通用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中具有对位标记图形的掩膜板的结构示意图;
图2表示本发明实施例中在形成对位标记图形时,用于保护第一遮光图形所在区域的光刻胶不被曝光的遮光板的结构示意图;
图3、图5-图12表示本发明实施例中形成对位标记图形的过程示意图;
图4表示图3沿A-A方向的剖视图;
图13表示图12沿B-B方向的剖视图;
图14表示具有对位标记图形和第一遮光图形的基板的结构示意图;
图15表示图14沿C-C的剖视图;
图16表示对图14中基板进行刻蚀工艺后沿C-C的剖视图。
具体实施方式
在半导体器件制作工艺中,通过对薄膜的图形化来完成元件的制作以及元件之间的连接,从而实现特定的功能。利用掩膜板进行图形化是图形化的方法之一。掩膜板上包括对位标记和遮光图形,利用掩膜板进行图形化的过程实际上就是复制掩膜板上的遮光图形的过程。具体为:在薄膜上涂覆光刻胶,通过对位标记进行对位后,以掩膜板为阻挡对光刻胶进行曝光,显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,并刻蚀掉光刻胶不保留区域的薄膜,最后剥离剩余的光刻胶。其中,掩膜板的对位标记和遮光图形的精度分别为微米级和毫米级。现有技术中,掩膜板的制作工艺存在成本高和通用性差的缺陷。
为了克服上述缺陷,本发明提供一种基板及其制作方法,所述基板具体为掩膜板,包括对位标记和遮光图形。所述制作方法利用已有的掩膜板进行图形化,来形成基板上的对位标记,满足了对位标记的微米级精度要求,并利用扫描设备进行图形化,来形成基板上的遮光图形,满足了遮光图形的毫米级精度要求。由于不需要专门定制掩膜板,大大降低了所述基板的制作成本。而且对位标记图形和遮光图形通过两个单独的工艺形成,适用于不同尺寸尤其是大尺寸基板的制作,具有较高的通用性。
其中,对位标记通常设置在基板的至少两个边角区域。
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明实施例中提供一种基板的制作方法,包括形成对位标记和第一遮光图形的步骤。其中,形成对位标记的步骤包括:
提供一衬底基板和一掩膜板,所述掩膜板包括所述对位标记的图形;
在所述衬底基板上形成第一不透光薄膜,所述第一不透光薄膜为非光敏材料;
利用所述掩膜板对所述第一不透光薄膜进行图形化,将所述掩膜板上的对位标记图形复制到第一不透光薄膜上。
形成所述第一遮光图形的步骤包括:
在所述衬底基板上形成第二不透光薄膜,所述第二不透光薄膜为非光敏材料;
利用扫描设备对所述第二不透光薄膜进行图形化,形成所述第一遮光图形。
其中,所述第一不透光薄膜和第二不透光薄膜的材料可以选择金属。
上述制作方法中,利用已有的掩膜板进行图形化来形成对位标记,满足了对位标记的微米级精度要求,并利用扫描设备进行图形化来形成遮光图形,满足了遮光图形的毫米级精度要求。从而不需要专门定制掩膜板,大大降低了基板的制作成本。而且对位标记图形和遮光图形通过单独的工艺形成,适用于不同尺寸尤其是大尺寸基板的制作,具有较高的通用性。
需要说明的是,在同一半导体器件的制作工艺中,不同薄膜的图形化工艺中使用的掩膜板不同,但是所有掩膜板上对位标记的坐标相同,以实现不同薄膜图形的对位。
本发明实施例中,在基板的边角区域均设置有对位标记。
进一步地,通过一次构图工艺将已有掩膜板上的对位标记复制到所述基板一个边角区域,通过多次构图工艺在所述基板的所有边角区域形成对位标记,而第一遮光图形通过扫描设备来形成,有利于制作不同尺寸和大尺寸的基板,提高通用性。
在一个具体的实施方式中,形成所述第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第二不透光薄膜上形成光刻胶,利用光学镜头对光刻胶进行扫描曝光,显影后,保留第一遮光图形所在区域的光刻胶,刻蚀掉第一遮光图形所在区域之外的第二不透光薄膜,并剥离剩余的光刻胶,形成第一遮光图形。
优选地,形成对位标记的第一不透光薄膜和形成第一遮光图形的第二不透光薄膜为同一薄膜。则形成对位标记和第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第一不透光薄膜上形成光刻胶,以所述掩膜板为阻挡,对所述光刻胶进行曝光和显影,形成第一光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第一光刻胶保留区域至少对应所述对位标记所在的区域,以及包括第一遮光图形所在区域的第一区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
利用光学镜头对所述第一区域的光刻胶进行扫描曝光,显影后,形成第二光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第二光刻胶保留区域至少对应所述第一遮光图形所在的区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
刻蚀掉光刻胶不保留区域的第一不透光薄膜;
剥离剩余的光刻胶,形成第一不透光薄膜的图形,所述第一不透光薄膜的图形至少包括对位标记的图形和第一遮光图形。
上述步骤中,首先对第一不透光薄膜进行第一次图形化,形成对位标记的图形,然后对第一不透光薄膜进行第二次图形化,形成第一遮光图形。由于对位标记和第一遮光图形由同一不透光薄膜形成,降低了生产成本。并在对位标记的图形化过程中,保留包括第一遮光图形所在区域的第一区域的光刻胶,具体可以通过遮光板遮挡来实现。在完成对位标记图形的制作后,用遮光板遮挡对位标记,然后通过光学镜头对所述第一区域的光刻胶进行扫描曝光,仅保留第一遮光图形所在区域的光刻胶,形成第一遮光图形。
当然,也可以首先对第一不透光薄膜进行第一次图形化,形成第一遮光图形,然后对第一不透光薄膜进行第二次图形化,形成对位标记的图形。并在第一遮光图形的图形化过程中,保留包括对位标记所在区域的第二区域的光刻胶,具体可以通过遮光板遮挡来实现。在完成第一遮光图形的制作后,用遮光板遮挡第一遮光图形,然后利用已有的掩膜板对所述第二区域的光刻胶进行曝光,仅保留对位标记所在区域的光刻胶,形成对位标记的图形。
作为一个优选的实施方式,所述基板的边角区域均设置有对位标记,对位标记和第一遮光图形由同一不透光薄膜形成。并通过一次构图工艺将已有掩膜板上的对位标记复制到所述基板的一个边角区域,通过多次构图工艺在所述基板的所有边角区域形成对位标记。在每个边界区域形成对位标记时,利用遮光板遮挡来保护包括第一遮光图形所在区域的第一区域的光刻胶,和包括其他对位标记所在区域的第二区域的光刻胶不被曝光。在完成所有对位标记图形的制作后,用遮光板遮挡所有对位标记,通过光学镜头对所述第一区域的光刻胶进行扫描曝光,仅保留第一遮光图形所在区域的光刻胶,形成第一遮光图形。
结合图1-图16所示,本发明实施例中基板100的具体制作过程为:
步骤S1、形成对位标记1的步骤,具体包括:
步骤S10、提供一衬底基板101(如图4所示)、一掩膜板10(如图1所示)和一第一遮光板20(如图2所示),掩膜板10包括对位标记的图形1';
步骤S11、在衬底基板10上形成第一不透光薄膜102,在第一不透光薄膜102上形成光刻胶103,如图4所示,其中,第一不透光薄膜102为非光敏材料;
步骤S12、用第一遮光板20遮挡包括第一遮光图形所在区域的第一区域的光刻胶,和包括其他对位标记所在区域的第二区域的光刻胶,然后利用掩膜板10对光刻胶103进行曝光,如图5所示,显影后,形成一个对位标记的图形1,如图6所示;
步骤S13、用第一遮光板20遮挡包括第一遮光图形所在区域的第一区域的光刻胶,和包括其他对位标记所在区域的第二区域的光刻胶,然后利用掩膜板10对剩余的光刻胶103进行曝光,如图7所示,显影后,形成第二个对位标记的图形1,如图8所示;
步骤S14、重复步骤S13,完成剩余两个对位标记的图形1的制作,结合图9-图13所示。
通过步骤S1完成了对位标记图形1的制作,基板100上剩余的光刻胶对应包括第一遮光图形的第一区域200,如图12所示。
步骤S2、形成第一遮光图形2的步骤,具体包括:
步骤S20、用第二遮光板30遮挡所有对位标记所在区域的光刻胶,然后通过光学镜头对图12中第一区域200的光刻胶进行扫描曝光,显影后,仅保留第一遮光图形2所在区域的光刻胶,形成第一遮光图形2,结合图12-图15所示;
其中,第一区域200的光刻胶对应第一遮光图形2所在区域周边的部分的宽度为毫米级,以满足第一遮光图形2的精度要求。
步骤S21、刻蚀掉未保留光刻胶区域的第一不透光薄膜102,并剥离剩余的光刻胶,形成对位标记1和第一遮光图形2,如图16所示。
通过步骤S1和S2完成了基板100上的对位标记1和第一遮光图形2的制作。
其中,第一遮光板20并不局限于图2中的结构,第二遮光板30也并不局限于图14中的结构,也可以为其他形状或多个遮光板的拼接,只要能保护对应区域的光刻胶不被曝光即可。
相应地,本发明实施例中还提供一种基板,采用本发明实施例中的制作方法制得,具有较低的制作成本。
基于同一发明构思,本发明实施例中还提供一种显示面板的制作方法,所述制作方法包括对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤。所述第一显示基板具体为阵列基板和彩膜基板中的其中一个,第二显示基板则为另一个。
其中,对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤包括:
在第一显示基板和/或第二显示基板的密封区域涂覆密封胶;
对盒第一显示基板和第二显示基板,所述第一显示基板和第二显示基板上的对位标记位置对应;
将本发明实施例中的基板上的对位标记和第一显示基板上的对位标记对齐,所述基板的第一遮光图形对应显示面板的显示区域;
以所述基板为阻挡,光照所述第一显示基板和第二显示基板,对所述第一显示基板和第二显示基板之间的密封胶进行固化。
当所述密封胶为封框胶,具体利用紫外光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
当所述密封胶为玻璃胶,具体利用激光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
上述技术方案中,通过本发明实施例中的基板为阻挡,对显示面板的密封胶进行固化,降低了显示面板的生产成本。
需要说明的是,本发明实施例中基板的制作方法不仅可以用于密封胶固化用掩膜板的制作,还可以用于薄膜图形化用掩膜板的制作。具体的使用方法与现有技术中的掩膜板相同,在此不再详述。
本发明的技术方案中,基板的制作方法包括:利用已有的掩膜板进行图形化,来形成基板上的对位标记,满足了对位标记的微米级精度要求;利用扫描设备进行图形化工艺,来形成基板上的遮光图形,满足了遮光图形的毫米级精度要求。由于不需要专门定制掩膜板,大大降低了所述基板(具体为掩膜板)的制作成本。而且对位标记图形和遮光图形通过单独的工艺形成,适用于不同尺寸尤其是大尺寸基板的制作,具有较高的通用性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基板的制作方法,包括形成对位标记和第一遮光图形的步骤,其特征在于,形成对位标记的步骤包括:
提供一衬底基板和一掩膜板,所述掩膜板包括所述对位标记的图形;
在所述衬底基板上形成第一不透光薄膜,所述第一不透光薄膜为非光敏材料;
利用所述掩膜板对所述第一不透光薄膜进行图形化,将所述掩膜板上的对位标记图形复制到第一不透光薄膜上。
形成第一遮光图形的步骤包括:
在所述衬底基板上形成第二不透光薄膜,所述第二不透光薄膜为非光敏材料;
利用扫描设备对所述第二不透光薄膜进行图形化,形成所述第一遮光图形。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述利用扫描设备对所述第二不透光薄膜进行图案化,形成所述第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第二不透光薄膜上形成光刻胶,利用光学镜头对光刻胶进行扫描曝光,显影后,保留第一遮光图形所在区域的光刻胶,刻蚀掉第一遮光图形所在区域之外的第二不透光薄膜,并剥离剩余的光刻胶,形成第一遮光图形。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述第一不透光薄膜和第二不透光薄膜为同一薄膜;
形成对位标记和第一遮光图形的步骤具体包括:
在所述第一不透光薄膜上形成光刻胶,以所述掩膜板为阻挡,对所述光刻胶进行曝光和显影,形成第一光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第一光刻胶保留区域至少对应所述对位标记所在的区域,以及包括第一遮光图形所在区域的第一区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
利用光学镜头对所述第一区域的光刻胶进行扫描曝光,显影后,形成第二光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域,第二光刻胶保留区域至少对应所述第一遮光图形所在的区域,光刻胶不保留区域对应其他区域;
刻蚀掉光刻胶不保留区域的第一不透光薄膜;
剥离剩余的光刻胶,形成第一不透光薄膜的图形,所述第一不透光薄膜的图形至少包括对位标记的图形和第一遮光图形。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第一不透光薄膜的材料为金属。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制作方法,其特征在于,所述基板的边角区域均设置有对位标记。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,通过一次构图工艺将掩膜板上的对位标记复制到所述基板的一个边角区域,通过多次构图工艺在所述基板的所有边角区域形成对位标记。
7.一种基板,其特征在于,采用权利要求1-6任一项所述的制作方法制得。
8.一种显示面板的制作方法,包括对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤,其特征在于,对盒第一显示基板和第二显示基板的步骤包括:
在第一显示基板和/或第二显示基板的密封区域涂覆密封胶;
对盒第一显示基板和第二显示基板,所述第一显示基板和第二显示基板上的对位标记位置对应;
将权利要求7所述的基板上的对位标记和第一显示基板上的对位标记对齐,所述基板的第一遮光图形对应显示面板的显示区域;
以所述基板为阻挡,光照所述第一显示基板和第二显示基板,对所述第一显示基板和第二显示基板之间的密封胶进行固化。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述密封胶为封框胶,利用紫外光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述密封胶为玻璃胶,利用激光照射所述第一显示基板和第二显示基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105867066A (zh) * 2016-06-27 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
CN112510015A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板以及电子设备
CN113451274A (zh) * 2020-10-28 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片组件、显示面板及制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162615A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法並びに露光マスク及び露光装置
CN1435715A (zh) * 2002-02-01 2003-08-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 制造液晶显示器件的方法
US20050174523A1 (en) * 2002-11-28 2005-08-11 Jung Sung S. Method for forming seal pattern of liquid crystal display device
KR20070058743A (ko) * 2005-12-05 2007-06-11 삼성전자주식회사 노광 마스크와 그를 이용한 노광 방법 및 장치와 액정 패널제조 방법
CN103553362A (zh) * 2013-10-15 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 固化框胶用遮光罩的制作方法
CN104281014A (zh) * 2014-10-24 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162615A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法並びに露光マスク及び露光装置
CN1435715A (zh) * 2002-02-01 2003-08-13 Lg.菲利浦Lcd株式会社 制造液晶显示器件的方法
US20050174523A1 (en) * 2002-11-28 2005-08-11 Jung Sung S. Method for forming seal pattern of liquid crystal display device
KR20070058743A (ko) * 2005-12-05 2007-06-11 삼성전자주식회사 노광 마스크와 그를 이용한 노광 방법 및 장치와 액정 패널제조 방법
CN103553362A (zh) * 2013-10-15 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 固化框胶用遮光罩的制作方法
CN104281014A (zh) * 2014-10-24 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、曝光设备及紫外掩模基板的制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105867066A (zh) * 2016-06-27 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
CN113451274A (zh) * 2020-10-28 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片组件、显示面板及制备方法
CN113451274B (zh) * 2020-10-28 2022-08-05 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片组件、显示面板及制备方法
CN112510015A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板以及电子设备
CN112510015B (zh) * 2020-11-30 2024-02-20 武汉天马微电子有限公司 显示面板以及电子设备

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