TW201314379A - 鄰近曝光裝置、鄰近曝光裝置的基板定位方法及顯示用面板基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種鄰近曝光裝置、鄰近曝光裝置的基板定位方法及顯示用面板基板的製造方法。在搭載於第1平台且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平台上安裝第2反射裝置，以對第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測。在夾盤上設置多個光學式位移計，透過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平台的第2反射裝置為止的距離進行測定。基於第2反射裝置在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果，來檢測夾盤在θ方向上的斜率，且基於檢測結果，透過第3平台來使夾盤朝向θ方向旋轉，以進行基板在θ方向上的定位。

Description

鄰近曝光裝置、鄰近曝光裝置的基板定位方法及顯示 用面板基板的製造方法
本發明涉及一種在液晶顯示器(display)裝置等的顯示用面板基板的製造中，使用鄰近(proximity)方式來進行基板曝光的鄰近曝光裝置、鄰近曝光裝置的基板定位方法以及使用這些裝置和方法的顯示用面板(panel)基板的製造方法，尤其涉及一種透過移動平台(stage)來使支撐基板的夾盤(chuck)朝XY方向移動以及朝θ方向旋轉以進行曝光時的基板定位的鄰近曝光裝置、鄰近曝光裝置的基板定位方法以及使用這些裝置和方法的顯示用面板基板的製造方法。
用作顯示用面板的液晶顯示器裝置的薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基板或彩色濾光器(color filter)基板、電漿(plasma)顯示器面板用基板、有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示面板用基板等的製造是使用曝光裝置，透過光刻(photolithography)技術在基板上形成圖案(pattern)而進行。作為曝光裝置，有使用透鏡(lens)或鏡子來將光罩(mask)的圖案投影到基板上的投影(projection)方式、以及在光罩與基板之間設置微小的間隙(鄰近間隙(proximity gap))而將光罩的圖案轉印到基板上的鄰近方式。與投影方式相比，鄰近方式的圖案析象性能差，但是照射光學系統的結構簡單，且處理能力高，適合於量產用途。
近年來，在顯示用面板的各種基板的製造中，為了應對大型化以及尺寸的多樣化，須準備相對較大的基板，並根據顯示用面板的尺寸來從一片基板中製造出一片或多片顯示用面板基板。此時，對於鄰近方式而言，如果要統一曝光基板的一面，則需要與基板相同大小的光罩，從而導致昂貴的光罩成本(cost)進一步增大。因此，使用相對於基板較小的光罩，透過移動平台來使基板朝向XY方向步進移動，將基板的一面分成多次照射(shot)來進行曝光的方式成為主流。
在鄰近曝光裝置中，為了精度良好地進行圖案的燒附，必須精度良好地進行曝光時的基板定位。進行基板定位的移動平台具備朝向X方向移動的X平台、朝向Y方向移動的Y平台以及朝向θ方向旋轉的θ平台，搭載支撐基板的夾盤以朝向XY方向移動以及朝向θ方向旋轉。專利文獻1以及專利文獻2中公開了下述技術，即：在定位基板時，使用雷射(laser)測長系統來檢測移動平台在XY方向上的位置，而且使用多個雷射位移計來檢測夾盤在θ方向上的斜率。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-298906號公報專利文獻2：日本專利特開2009-31639號公報
專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤 上安裝條狀鏡(bar mirror)，透過設在X平台上的多個雷射位移計而在多處部位測定條狀鏡的位移，以檢測夾盤在θ方向上的斜率。因此，需要專用的條狀鏡，但該條狀鏡必須高精度地將表面加工成平坦，因此價格非常高昂，需要耗費巨大的費用。
而且，專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在X平台上設有雷射位移計，因此當透過Y平台來使夾盤朝向Y方向移動時，條狀鏡的位置相對于雷射位移計而發生變化。因此，在測定結果中有可能包含因條狀鏡的平坦度造成的誤差。
與此相對，如果在Y平台上設置多個雷射位移計，並使多個雷射位移計與夾盤一同朝向XY方向移動，則由各雷射位移計所測定的夾盤的位移將不會因夾盤的移動而發生變動。但此時，移動Y平台時，在搭載有Y平台的導軌(guide)上因滑動阻力而產生大量的熱，該熱傳遞至Y平台而導致Y平台產生因熱變形造成的形變，設在Y平台上的各雷射位移計的設置狀態發生變化，從而在夾盤位移的測定結果中也有可能產生誤差。另一方面，如果取代在Y平台上設置多個雷射位移計的做法，而在夾盤上設置多個雷射位移計，並在Y平台上安裝條狀鏡，則當Y平台產生因熱變形造成的形變時，條狀鏡的設置狀態會發生變化，從而導致條狀鏡產生θ方向的位置偏移，這樣有可能無法準確地檢測夾盤在θ方向上的斜率。
如專利文獻1以及專利文獻2所記載的，當使用多個 雷射位移計來檢測夾盤在θ方向上的斜率時，多個雷射位移計設置得越遠，則越能夠精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率。但是，雷射位移計的輸出特性缺乏直線性，如果加寬測定範圍，則測定誤差將變大。在專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤向θ方向傾斜的狀態下，若透過Y平台使夾盤朝Y方向移動，則從各雷射位移計到條狀鏡為止的距離會發生變動，因此若使多個雷射位移計設置得更遠，則雷射位移計的測定範圍將變廣，從而測定誤差有可能變大。
進而，雷射位移計的輸出特性會視設置狀態而發生變動，相對於被測定物的微小的角度變化，線性有所不同。因此，如專利文獻1以及專利文獻2所記載的，使用多個雷射位移計來檢測夾盤在θ方向上的斜率時，在各雷射位移計的測定值中包含取決於夾盤角度的變動值，有可能無法高精度地檢測夾盤在θ方向上的斜率。
本發明的課題在於，以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率，以精度良好地進行基板在θ方向上的定位。而且，本發明的課題在於，精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的顯示用面板基板。
本發明的鄰近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在光罩與基板之間設置微小的間隙而將光罩的圖案轉印至基板上，此鄰近曝光裝置包括：移動平台，具有朝向X方向(或Y方向)移動的第1平台、搭載於第1平台上且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平台、以 及搭載於第2平台上且朝向θ方向旋轉的第3平台，搭載夾盤以進行由夾盤所支撐的基板的定位；雷射測長系統，具有產生雷射光線的光源、安裝於第1平台的第1反射裝置、安裝於第2平台的第2反射裝置、對來自光源的雷射光線與由第1反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定的第1雷射干涉儀、以及對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定的第2雷射干涉儀；第1檢測裝置，根據第1雷射干涉儀以及第2雷射干涉儀的測定結果，來檢測移動平台在XY方向上的位置；位置偏移檢測裝置，對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測；多個光學式位移計，設於夾盤上，在多處部位對直至安裝於第2平台的第2反射裝置為止的距離進行測定；第2檢測裝置，基於由位置偏移檢測裝置所檢測的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在θ方向上的斜率；平台驅動電路，驅動移動平台；以及控制裝置，基於第2檢測裝置的檢測結果來控制平台驅動電路，透過第3平台使夾盤朝向θ方向旋轉，以進行基板在θ方向上的定位，並基於第1檢測裝置的檢測結果來控制平台驅動電路，透過第1平台以及第2平台來使夾盤朝向XY方向移動，以進行基板在XY方向上的定位。
而且，本發明的鄰近曝光裝置的基板定位方法中，鄰近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在光罩與基板之間設置微小的間隙而將光罩的圖案轉印至 基板上，其中，將夾盤搭載於移動平台上，所述移動平台具有朝向X方向(或Y方向)移動的第1平台、搭載於第1平台且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平台、以及搭載於第2平台且朝向θ方向旋轉的第3平台，在第1平台上安裝第1反射裝置，透過第1雷射干涉儀，對來自光源的雷射光線與由第1反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定，在第2平台上安裝第2反射裝置，透過第2雷射干涉儀，對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定，對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤上設置多個光學式位移計，透過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平台的第2反射裝置為止的距離進行測定，基於第2反射裝置在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在θ方向上的斜率，且基於檢測結果，透過第3平台來使夾盤朝向θ方向旋轉，以進行基板在θ方向上的定位，根據第1雷射干涉儀以及第2雷射干涉儀的測定結果，檢測移動平台在XY方向上的位置，並基於檢測結果，透過第1平台以及第2平台來使夾盤朝向XY方向移動，以進行基板在XY方向上的定位。
在夾盤上設置多個光學式位移計，透過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平台的第2反射裝置為止的距離進行測定，根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在θ方向上的斜率，因此安裝於第2平台的第 2反射裝置被兼用於使用第2雷射干涉儀的移動平台的位置檢測與使用多個光學式位移計的夾盤在θ方向上的斜率檢測，不再需要用於檢測夾盤在θ方向上的斜率的專用反射裝置(條狀鏡)。並且，即使透過移動平台來使夾盤朝向XY方向移動，但光學式位移計始終對第2反射裝置的相同部位進行測定，因此因第2反射裝置的平坦度造成的測定誤差消失。進而，對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測，基於第2反射裝置在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在θ方向上的斜率，因此當第2平台產生因熱變形造成的形變時，即使第2反射裝置的設置狀態發生變化而第2反射裝置產生θ方向的位置偏移，也能準確地檢測夾盤在θ方向上的斜率。而且，在夾盤向θ方向傾斜的狀態下，即使透過移動平台來朝向XY方向移動夾盤，從光學式位移計到第2反射裝置為止的距離也不會發生變動，測定範圍不會變廣，因此能夠使多個光學式位移計設置得更遠。因而，能以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率，從而精度良好地進行基板在θ方向上的定位。
進而，本發明的鄰近曝光裝置中，安裝於第2平台的第2反射裝置在表面具有多個位置偏移檢測用標記，位置偏移檢測裝置具有多個圖像獲取裝置及圖像處理裝置，根據由圖像處理裝置所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置來檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移，所述多個圖 像獲取裝置獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，所述圖像處理裝置對由各圖像獲取裝置所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置。
而且，本發明的鄰近曝光裝置的基板定位方法中，在安裝於第2平台的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。
在安裝於第2平台的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移，因此透過各位置偏移檢測用標記的圖像處理，可精度良好地檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。
或者，本發明的鄰近曝光裝置中，雷射測長系統具有多個第2雷射干涉儀，位置偏移檢測裝置根據多個第2雷射干涉儀的測定結果，來檢測安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。而且，本發明的鄰近曝光裝置的基板定位方法中，透過多個第2雷射干涉儀，在多處 部位對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據多個第2雷射干涉儀的測定結果，對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測。利用用於對移動平台在Y方向(或X方向)上的位置進行檢測的第2雷射干涉儀，能夠檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。
進而，本發明的鄰近曝光裝置中，多個光學式位移計是分光干涉雷射位移計，分光干涉雷射位移計將寬波長帶寬(wavelength bandwidth)的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的干涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。而且，本發明的鄰近曝光裝置的基板定位方法中，使用分光干涉雷射位移計作為光學式位移計，所述分光干涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的干涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。
分光干涉雷射位移計與專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計相比，因被測定物的微小的角度變化造成的輸出特性的變化變小而精度高，但測定範圍窄。本發明中，與專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術不同，在夾盤向θ方向傾斜的狀態下，即使透過移動平台來朝向XY方向移動夾盤，從光學式位移計到第2反射裝置為止的距離也不會發生變動，因此可使用測定範 圍窄但精度高的分光干涉雷射位移計來作為光學式位移計，能夠進一步精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率。
本發明的顯示用面板基板的製造方法使用上述任一種鄰近曝光裝置來進行基板的曝光，或者，使用上述任一種鄰近曝光裝置的基板定位方法來定位基板以進行基板的曝光。可精度良好地進行曝光時的基板在θ方向上的定位，因此可精度良好地進行圖案的燒附，從而製造高品質的顯示用面板基板。
根據本發明的鄰近曝光裝置以及鄰近曝光裝置的基板定位方法，在第2平台上安裝第2反射裝置，透過第2雷射干涉儀，對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據測定結果來檢測移動平台在Y方向(或X方向)上的位置，並對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤上設置多個光學式位移計，透過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平台的第2反射裝置為止的距離進行測定，基於第2反射裝置在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在θ方向上的斜率，由此，能夠以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率，以精度良好地進行基板在θ方向上的定位。
進而，根據本發明的鄰近曝光裝置以及鄰近曝光裝置的基板定位方法，在安裝於第2平台的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的 多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移，由此，透過各位置偏移檢測用標記的圖像處理，能夠精度良好地檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。
或者，根據本發明的鄰近曝光裝置以及鄰近曝光裝置的基板定位方法，透過多個第2雷射干涉儀，在多處部位對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據多個第2雷射干涉儀的測定結果，對安裝於第2平台的第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測，由此，利用用於對移動平台在Y方向(或X方向)上的位置進行檢測的第2雷射干涉儀，能夠檢測第2反射裝置在θ方向上的位置偏移。
進而，根據本發明的鄰近曝光裝置以及鄰近曝光裝置的基板定位方法，透過使用分光干涉雷射位移計來作為光學式位移計，能夠進一步精度良好地檢測夾盤在θ方向上的斜率。
根據本發明的顯示用面板基板的製造方法，能夠精度良好地進行曝光時的基板在θ方向上的定位，因此能夠精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的顯示用面板基板。
圖1是表示本發明的一實施方式的鄰近曝光裝置的概 略結構的圖。本實施方式示出了具有多個夾盤的鄰近曝光裝置的例子。鄰近曝光裝置是包括多個夾盤10a、10b、主平台底座(base)11、多個副平台底座11a、11b、台12、X導軌13、多個移動平台、光罩架20、雷射測長系統控制裝置30、雷射測長系統、雷射位移計控制裝置40、分光干涉雷射位移計41、圖像處理裝置60、多個相機(camera)61、主控制裝置70、輸出入介面(interface)電路71、72以及平台驅動電路80a、80b而構成。除了這些構件以外，鄰近曝光裝置還包括將基板1搬入夾盤10且從夾盤10搬出基板1的基板搬送機器人(robot)、照射曝光用光的照射光學系統、進行裝置內的溫度管理的溫度控制單元等。
另外，本實施方式中，各設有2個夾盤、副平台底座、移動平台以及平台驅動電路，但這些構件也可各設置1個或3個以上。而且，以下說明的實施方式中的XY方向僅為例示，也可調換X方向與Y方向。
在圖1中，在進行基板1的曝光的曝光位置的上空，設置著保持光罩2的光罩架20。在光罩架20上，設有曝光用光所透過的開口20a，在開口20a的下方，安裝著光罩2。在光罩架20下表面的開口20a周圍設有吸附槽，光罩架20透過吸附槽來真空吸附並保持光罩2的周邊部。在由光罩架20所保持的光罩2的上空，配置著未圖示的照射光學系統。在基板1的表面，塗佈有感光樹脂材料(光致抗蝕劑(photo resist))，在曝光時，來自照射光學系統的曝光用光透過光罩2而照射至基板1，由此，將光罩2的 圖案轉印至基板1的表面，以在基板1上形成圖案。
在光罩架20的下方，配置著主平台底座11。在主平台底座11的左右，鄰接於主平台底座11的X方向而配置著副平台底座11a、11b。在主平台底座11的Y方向上安裝著台12。夾盤10a透過後述的移動平台，在副平台底座11a上的裝載/卸載位置與主平台底座11上的曝光位置之間移動。而且，夾盤10b透過後述的移動平台，在副平台底座11b上的裝載/卸載位置與主平台底座11上的曝光位置之間移動。
基板1在副平台底座11a、11b上的裝載/卸載位置，由未圖示的基板搬送機器人搬入夾盤10a、10b，而且從夾盤10a、10b搬出。基板1向夾盤10a、10b上的裝載以及基板1從夾盤10a、10b上的卸載是使用夾盤10a、10b上所設的多個上頂銷(pin)來進行。上頂銷被收納於夾盤10a、10b的內部，當從夾盤10a、10b的內部上升而將基板1裝載於夾盤10a、10b時，該上頂銷從基板搬送機器人接納基板1，當從夾盤10a、10b卸載基板1時，該上頂銷將基板1交付給基板搬送機器人。夾盤10a、10b真空吸附並支撐基板1。
圖2是表示夾盤10a位於曝光位置且夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。而且，圖3是表示夾盤10a位於曝光位置且夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。在圖2中，在主平台底座11上以及副平台底座11a、11b上，設有從主平台底座11上沿X方向延伸 至副平台底座11a、11b上的X導軌13。
在圖3中，夾盤10a、10b分別搭載於移動平台。各移動平台是包括X平台14、Y導軌15、Y平台16、θ平台17以及夾盤支撐台19而構成。X平台14被搭載於X導軌13上，且沿著X導軌13朝向X方向移動。Y平台16被搭載於X平台14上所設的Y導軌15上，且沿著Y導軌15朝向Y方向(圖3的圖面縱深方向)移動。θ平台17被搭載於Y平台16上，且朝向θ方向旋轉。夾盤支撐台19被搭載於θ平台17上，且在多處部位支撐夾盤10a、10b。
透過各移動平台的X平台14朝向X方向的移動，夾盤10a在副平台底座11a上的裝載/卸載位置與主平台底座11上的曝光位置之間移動，夾盤10b在副平台底座11b上的裝載/卸載位置與主平台底座11上的曝光位置之間移動。圖4是表示夾盤10b位於曝光位置且夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。而且，圖5是表示夾盤10b位於曝光位置且夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。在副平台底座11a、11b上的裝載/卸載位置處，透過各移動平台的X平台14朝向X方向的移動、Y平台16朝向Y方向的移動以及θ平台17朝向θ方向的旋轉，來進行被搭載於夾盤10a、10b上的基板1的預對準(prealignment)。
在主平台底座11上的曝光位置處，透過各移動平台的X平台14朝向X方向的移動以及Y平台16朝向Y方向的移動，進行由夾盤10a、10b所保持的基板1朝向XY方 向的步進移動。而且，透過未圖示的Z-傾斜(tilt)機構來使光罩架20朝向Z方向(圖3以及圖5的圖面上下方向)移動及傾斜，從而進行光罩2與基板1的間隙合攏。並且，透過各移動平台的X平台14朝向X方向的移動、Y平台16朝向Y方向的移動以及θ平台17朝向θ方向的旋轉，進行曝光時的基板1的定位。
在各移動平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17上，設有滾珠螺杆以及馬達或線性馬達(linear motor)等的未圖示的驅動機構。在圖1中，平台驅動電路80a透過主控制裝置70的控制來對搭載夾盤10a的移動平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17進行驅動。而且，平台驅動電路80b透過主控制裝置70的控制來對搭載夾盤10b的移動平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17進行驅動。
另外，本實施方式中，透過使光罩架20朝向Z方向移動及傾斜，進行光罩2與基板1的間隙合攏，但也可透過在各移動平台上設置Z-傾斜機構而使夾盤10a、10b朝向Z方向移動及傾斜，從而進行光罩2與基板1的間隙合攏。
以下，對本實施方式的鄰近曝光裝置的基板的定位動作進行說明。在圖1中，雷射測長系統是包括雷射光源31、雷射干涉儀32a、32b、33、後述的條狀鏡34a、34b以及條狀鏡35而構成。本實施方式中，使用雷射干涉儀32a來對搭載夾盤10a的移動平台在X方向上的位置進行檢 測，並使用雷射干涉儀32b來對搭載夾盤10b的移動平台在X方向上的位置進行檢測。而且，使用2個雷射干涉儀33來對主平台底座11上的各移動平台在Y方向上的位置進行檢測。
圖6是位於主平台底座上的移動平台的俯視圖。圖7是位於主平台底座上的移動平台的X方向的局部剖面側視圖。圖8是位於主平台底座上的移動平台的Y方向的側視圖。圖6~圖8表示搭載夾盤10a的移動平台，搭載夾盤10b的移動平台呈在X方向上與搭載夾盤10a的移動平台左右對稱的結構。另外，圖7中省略了X導軌13，圖8中省略了雷射干涉儀32a、32b。
在圖8中，移動平台的X平台14被搭載於X導軌13上，因此在主平台底座11以及副平台底座11a、11b與X平台14之間，產生與X導軌13的高度相應的空間。雷射測長系統的條狀鏡34a利用該空間而安裝於X平台14之下。條狀鏡34b也同樣。雷射干涉儀32a如圖1所示，設置在遠離主平台底座11的X導軌13的位置上。雷射干涉儀32b也同樣。
在圖6~圖8中，條狀鏡35透過臂(arm)36，以大致為夾盤10a的高度而安裝於Y平台16上。搭載夾盤10b的移動平台也同樣地，條狀鏡35以大致為夾盤10b的高度而安裝於Y平台16上。2個雷射干涉儀33如圖6以及圖8所示，設置在安裝於主平台底座11的Y方向上的台12上。
圖9以及圖10是說明雷射測長系統的動作的圖。另外，圖9表示夾盤10a位於曝光位置且夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態，圖10表示夾盤10b位於曝光位置且夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態。
在圖9以及圖10中，雷射干涉儀32a將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡34a，並接收由條狀鏡34a所反射的雷射光線，以對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡34a所反射的雷射光線的干涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30透過主控制裝置70的控制，根據雷射干涉儀32a的測定結果來對搭載夾盤10a的移動平台在X方向上的位置進行檢測。主控制裝置70經由輸出入介面電路71而輸入雷射測長系統控制裝置30的檢測結果。
在圖9以及圖10中，雷射干涉儀32b將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡34b，並接收由條狀鏡34b所反射的雷射光線，以對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡34b所反射的雷射光線的干涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30透過主控制裝置70的控制，根據雷射干涉儀32b的測定結果來對搭載夾盤10b的移動平台在X方向上的位置進行檢測。主控制裝置70經由輸出入介面電路71來輸入雷射測長系統控制裝置30的檢測結果。
由於將雷射測長系統的條狀鏡34a、34b安裝於各移動平台的X平台14之下，並將雷射干涉儀32a、32b設置於 遠離主平台底座11的X導軌13的位置上，因此各移動平台在移動副平台底座11a、11b與主平台底座11時不會與雷射干涉儀32a、32b發生碰撞。並且，由於將雷射干涉儀32a、32b設置於主平台底座11上，因此雷射干涉儀32a、32b不會受到副平台底座11a、11b的振動的影響。而且，從雷射干涉儀32a、32b到主平台底座11上的各移動平台為止的測定距離變短。因而，可精度良好地檢測各移動平台在X方向上的位置。
在圖9以及圖10中，2個雷射干涉儀33將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡35，並接收由條狀鏡35所反射的雷射光線，以在兩處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的干涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30透過主控制裝置70的控制，根據2個雷射干涉儀33的測定結果，對主平台底座11上的各移動平台在Y方向上的位置進行檢測，而且，對在主平台底座11上各移動平台的X平台14以及Y平台16朝向XY方向移動時的偏擺(yawing)進行檢測。
由於將各雷射干涉儀33設置在安裝於主平台底座11的Y方向上的台12上，因此各雷射干涉儀33不會受到副平台底座11a、11b的振動的影響。而且，從各雷射干涉儀33到主平台底座11上的各移動平台為止的測定距離變短。因而，可使用各雷射干涉儀33來精度良好地檢測主平台底座11上的各移動平台在Y方向上的位置。而且，由於將雷射測長系統的各條狀鏡35安裝至大致為各移動平 台所搭載的夾盤10a、10b的高度，因此可在基板1的附近檢測各移動平台在Y方向上的位置。並且，利用安裝於Y平台16的條狀鏡35，能夠對移動平台移動時的偏擺進行檢測。
在圖1中，在夾盤10a、10b上分別設有2個分光干涉雷射位移計41。圖11(a)是分光干涉雷射位移計的俯視圖，圖11(b)是分光干涉雷射位移計的側視圖。如圖11(a)、圖11(b)所示，各分光干涉雷射位移計41透過安裝件50，面對條狀鏡35的背面而安裝於夾盤10a、10b的下表面。本實施方式中所用的分光干涉雷射位移計41是利用干涉光的光學式位移計，在前端的頭(head)部具有參照反射面，將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的干涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。
在圖11(a)、圖11(b)中，2個分光干涉雷射位移計41在兩處部位對直至條狀鏡35的背面為止的距離進行測定。在圖1中，雷射位移計控制裝置40透過主控制裝置70的控制，基於後述的條狀鏡35在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據2個分光干涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。主控制裝置70經由輸出入介面電路72來輸入雷射位移計控制裝置40的檢測結果。
在圖6中，在搭載夾盤10a的移動平台的Y平台16 上所安裝的條狀鏡35的上表面，設有多個位置偏移檢測用標記37。搭載夾盤10b的移動平台的Y平台16上所安裝的條狀鏡35也同樣。本實施方式中，在沿X方向延伸的條狀鏡35的兩邊附近，分別設有位置偏移檢測用標記37。位置偏移檢測用標記37只要是適合於後述的圖像處理裝置60的圖像處理的形狀即可。
在圖7以及圖8中，在主平台底座11的上空，對應於條狀鏡35上表面的各位置偏移檢測用標記37而設置著多個相機61。本實施方式中，對應於沿X方向延伸的條狀鏡35的兩邊附近所設的各位置偏移檢測用標記37而設有2個相機61。但是，位置偏移檢測用標記37以及相機61的數量以及位置並不限於圖6~圖8所示的例子。
各相機61例如包含電荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)相機，用於獲取條狀鏡35的上表面的位置偏移檢測用標記37的圖像。各相機61被固定於光罩架20的上方所設的未圖示的框架(frame)，且以與條狀鏡35的位置偏移檢測用標記37的間隔相同的間隔而設置。
圖12是表示本發明的一實施方式的鄰近曝光裝置的基板定位方法的流程圖。另外，對搭載於夾盤10a的基板1與搭載於夾盤10b的基板1，交替地進行曝光位置處的處理，在一者在曝光位置處的處理的期間，進行另一者在裝載/卸載位置處的處理。
首先，在裝載/卸載位置處，進行基板1向夾盤10a、10b的裝載(步驟301)。主控制裝置70透過平台驅動電路 80a、80b來驅動各移動平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17，從而在各裝載/卸載位置處使夾盤10a、10b朝向XY方向移動及朝向θ方向旋轉，以進行基板1的預對準(步驟302)。
接下來，主控制裝置70透過平台驅動電路80a、80b來驅動各移動平台的X平台14，以使夾盤10a、10b朝向曝光位置移動，使各移動平台朝向對條狀鏡35的位置偏移進行檢測的位置移動(步驟303)。圖13是表示使移動平台朝向對條狀鏡的位置偏移進行檢測的位置移動的狀態的俯視圖。當使各移動平台朝向對條狀鏡35的位置偏移進行檢測的位置移動時，條狀鏡35的上表面的各位置偏移檢測用標記37位於各相機61的視野內。
當使各移動平台的Y平台16朝向Y方向移動時，搭載有Y平台16的Y導軌15會因滑動阻力產生大量的熱。當該熱傳遞至Y平台16而使Y平台16產生因熱變形造成的形變時，安裝於Y平台16的條狀鏡35的設置狀態會發生變化，條狀鏡35將從X方向開始稍許旋轉，從而導致條狀鏡35產生θ方向的位置偏移。各相機61獲取條狀鏡35上表面的各位置偏移檢測用標記37的圖像，並將圖像信號輸出至圖1的圖像處理裝置60。
在圖1中，圖像處理裝置60對從各相機61輸出的各位置偏移檢測用標記37的圖像信號進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置。該各位置偏移檢測用標記37的位置檢測例如是對各相機61所獲取的各位置偏移檢 測用標記37的圖像、與預先準備的條狀鏡35無θ方向的位置偏移時的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行比較而進行。雷射位移計控制裝置40根據圖像處理裝置60所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置，檢測出條狀鏡35在θ方向上的位置偏移(圖12的步驟304)。
本實施方式中，在安裝於Y平台16的條狀鏡35的表面，設置多個位置偏移檢測用標記37，透過多個相機61來獲取條狀鏡35的各位置偏移檢測用標記37的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置來檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移，因此透過各位置偏移檢測用標記37的圖像處理，可精度良好地檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移。
但是，本發明並不限於此，也可透過多個雷射干涉儀33而在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的干涉進行測定，並根據多個雷射干涉儀33的測定結果來檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移。利用用於對各移動平台在Y方向上的位置進行檢測的雷射干涉儀33，能夠檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移。或者，也可將用於對條狀鏡35在θ方向上的位置偏移進行檢測的雷射干涉儀獨立於用於對各移動平台在Y方向上的位置進行檢測的雷射干涉儀33而設。
在圖12中，接下來，主控制裝置70透過平台驅動電路80a、80b來驅動各移動平台的X平台14以及Y平台 16，以使基板1朝向曝光位置的進行第1次照射的位置移動(步驟305)。繼而，主控制裝置70基於未圖示的間隙傳感器(sensor)的測定結果，驅動Z-傾斜機構來進行光罩2與基板1的間隙合攏(步驟306)。接下來，主控制裝置70透過平台驅動電路80a、80b來驅動各移動平台的X平台14、Y平台16以及θ平台17，以在曝光位置使夾盤10a、10b朝向XY方向移動及朝向θ方向旋轉，從而進行基板1的對準(步驟307)。
進行基板1的對準(步驟307)時，雷射位移計控制裝置40透過主控制裝置70的控制，基於步驟304中檢測出的條狀鏡35在θ方向上的位置偏移，並根據2個分光干涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。主控制裝置70基於雷射位移計控制裝置40對夾盤10a、10b在θ方向上的斜率的檢測結果，控制平台驅動電路80a、80b，透過各移動平台的θ平台17來使夾盤10a、10b朝向θ方向旋轉，以進行基板1在θ方向上的定位。而且，主控制裝置70基於雷射測長系統控制裝置30對各移動平台在XY方向上的位置的檢測結果，控制平台驅動電路80a、80b，透過各移動平台的X平台14以及Y平台16來使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，以進行基板1在XY方向上的定位。
圖14(a)是表示未進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖，圖14(b)是表示透過本發明來進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光 區域的一例的圖。圖14(a)、圖14(b)示出了對於基板1的6個曝光區域1a、1b、1c、1d、1e、1f，將每個曝光區域分成6次照射來進行曝光的例子。
當條狀鏡35產生了θ方向的位置偏移時，如果不進行條狀鏡35的位置偏移管理，而根據2個分光干涉雷射位移計41的測定結果，以夾盤10a、10b與條狀鏡35成平行的方式來進行基板1在θ方向上的定位，則搭載於夾盤10a、10b的基板1以向θ方向傾斜條狀鏡35在θ方向上的位置偏移量的狀態而定位。因此，如圖14(a)所示，各次照射的曝光區域1a、1b、1c、1d、1e、1f在基板1上分別向θ方向傾斜。
例如，在液晶顯示器裝置的製造中，貼合TFT基板與彩色濾光器基板而構成液晶面板的作業通常是已在基板1上對多個曝光區域進行了曝光的狀態下進行。因此，如圖14(a)所示，若各次照射的曝光區域1a、1b、1c、1d、1e、1f在基板1上分別向θ方向傾斜，則會產生下述問題，即，各曝光區域中形成的圖案的位置將偏離欲貼合的TFT基板上或彩色濾光器基板上的各曝光區域中形成的圖案的位置。
本實施方式中，對安裝於Y平台16的條狀鏡35在θ方向上的位置偏移進行檢測，基於條狀鏡35在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個分光干涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率，因此當各移動平台的Y平台16產生因熱變形造成的形變時， 即使條狀鏡35的設置狀態發生變化而條狀鏡35產生θ方向的位置偏移，但仍可準確地檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。因而，如圖14(b)所示，各次照射的曝光區域1a、1b、1c、1d、1e、1f不會在基板1上分別向θ方向傾斜，從而不會產生下述問題，即，各曝光區域中形成的圖案的位置偏離欲貼合的TFT基板上或彩色濾光器基板上的各曝光區域中形成的圖案的位置。
另外，在圖12中，基板1的對準(步驟307)也可在光罩2與基板1的間隙合攏(步驟306)過程中，從光罩2與基板1鄰近至對準用的傳感器能夠對基板1以及光罩2上所設的對準用標記進行檢測的距離的時刻開始。此時，能夠部分並列地進行光罩2與基板1的間隙合攏(步驟306)和基板1的對準(步驟307)，因此節拍時間(tact time)縮短。
當光罩2與基板1的間隙合攏結束並進行照射(步驟308)後，主控制裝置70判斷所有照射是否已結束(步驟309)。當所有照射尚未結束時，主控制裝置70使Z-傾斜機構移動到預先決定的光罩2與基板1無接觸可能的退避位置後，透過平台驅動電路80a、80b來驅動各移動平台的X平台14以及Y平台16，以進行基板1朝向XY方向的步進移動(步驟310)，使基板1朝向進行下次照射的位置移動。然後，回到步驟306，反復進行步驟306~步驟310，直至所有照射結束照射為止。
當所有照射結束時，主控制裝置70驅動Z-傾斜機構 來使光罩2與基板1的間隙擴大後，透過平台驅動電路80a、80b來驅動各移動平台的X平台14以及Y平台16以使夾盤10a、10b朝向裝載/卸載位置移動(步驟311)。然後，在裝載/卸載位置處，進行基板1從夾盤10a、10b的卸載(步驟312)。
圖15~圖17(a)、圖17(b)是說明先前的雷射位移計的動作的圖。圖15表示在專利文獻1以及專利文獻2中，安裝在搭載夾盤10a的移動平台上的雷射位移計42。用於對夾盤10a在θ方向上的斜率進行檢測的專用的條狀鏡44被安裝在夾盤10a的朝向Y方向延伸的一側面。2個雷射位移計42分別透過臂46，以條狀鏡44的高度而安裝於X平台14。安裝在搭載夾盤10b的移動平台上的條狀鏡44以及雷射位移計42呈在X方向上與圖15左右對稱的結構。專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計42是應用了三角測量的光學式位移計，將來自雷射光源的雷射光線照射至被測定物，並利用CCD傳感器等的受光元件來接收來自被測定物的反射光，以測定被測定物的位移。
專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤10a、10b上安裝條狀鏡44，透過設在X平台14上的多個雷射位移計42，在多處部位測定條狀鏡44的位移，以檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。因此，需要專用的條狀鏡44，但該條狀鏡44需要以高精度將表面加工成平坦，因此非常昂貴，要耗費巨大的費用。
本實施方式中，在夾盤10a、10b上設置多個分光干涉雷射位移計41，透過多個分光干涉雷射位移計41，在多處部位對直至安裝於Y平台16的條狀鏡35為止的距離進行測定，並根據多個分光干涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率，因此安裝於Y平台16的條狀鏡35被兼用於使用雷射干涉儀33的移動平台的位置檢測與使用多個分光干涉雷射位移計41的夾盤10a、10b在θ方向上的斜率檢測，不再需要用於檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率的專用條狀鏡。
圖16表示從圖15所示的狀態，透過Y平台16使夾盤10a朝向Y方向移動的狀態。專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在X平台14上設有雷射位移計42，因此在曝光位置處的基板的步進移動時，當透過Y平台16使夾盤10a、10b朝向Y方向移動時，如圖15以及圖16所示，條狀鏡44的位置相對于雷射位移計42而發生變化。因此，測定結果中有可能包含因條狀鏡44的平坦度造成的誤差。
圖17(a)表示在圖15所示的狀態下，夾盤10a向θ方向傾斜時的雷射位移計42與條狀鏡44的位置關係，圖17(b)表示在圖16所示的狀態下，夾盤10a向θ方向傾斜時的雷射位移計42與條狀鏡44的位置關係。
如專利文獻1以及專利文獻2所記載的，當使用多個雷射位移計42來檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率時，多個雷射位移計42設定得越遠，越能夠精度良好地檢測夾 盤10a、10b在θ方向上的斜率。但是，雷射位移計42的輸出特性缺乏直線性，如果加寬測定範圍，則測定誤差將變大。專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤10a、10b向θ方向傾斜的狀態下，若透過Y平台16使夾盤10a、10b朝向Y方向移動，則如圖17(a)、圖17(b)所示，從各雷射位移計42到條狀鏡44為止的距離會發生變動，因此若使多個雷射位移計42設置得更遠，則雷射位移計42的測定範圍將變廣，從而測定誤差有可能變大。
圖18以及圖19是說明分光干涉雷射位移計的動作的圖。圖18以及圖19表示使基板1朝向進行各次照射的位置移動的狀態，圖19中，夾盤10a、10b透過各移動平台的Y平台16而從圖18所示的狀態朝向Y方向移動。本實施方式中，在曝光位置處的基板1的步進移動時，即使透過移動平台使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，但如圖18以及圖19所示，分光干涉雷射位移計41始終對條狀鏡35的相同部位進行測定，因此因條狀鏡35的平坦度造成的測定誤差消失。而且，在夾盤10a、10b向θ方向傾斜的狀態下，即使透過移動平台使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，但從分光干涉雷射位移計41到條狀鏡35為止的距離仍不會發生變動，測定範圍不會變廣，因此能夠將多個分光干涉雷射位移計41設置得更遠。
進而，雷射位移計42的輸出特性會視設置狀態而發生變動，相對於被測定物的微小的角度變化，線性有所不同。因此，如專利文獻1以及專利文獻2所記載的，當使用多 個雷射位移計42來檢測夾盤在θ方向上的斜率時，各雷射位移計的測定值中包含取決於夾盤10a、10b的角度的變動值，有可能無法高精度地檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。
本實施方式中使用的分光干涉雷射位移計41與專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計42相比，因被測定物的微小的角度變化造成的輸出特性的變化小而精度高，但測定範圍窄。本發明中，與專利文獻1以及專利文獻2所記載的技術不同，在夾盤10a、10b向θ方向傾斜的狀態下，即使透過移動平台來朝向XY方向移動夾盤10a、10b，從分光干涉雷射位移計41到條狀鏡35為止的距離也不會發生變動，因此可使用測定範圍窄但精度高的分光干涉雷射位移計41，能夠進一步精度良好地檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。
根據以上所說明的本實施方式，在各移動平台的Y平台16上安裝條狀鏡35，透過雷射干涉儀33，對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據測定結果來檢測各移動平台在Y方向上的位置，並對安裝於各移動平台的Y平台16的條狀鏡35在θ方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤10a、10b上設置多個光學式位移計41，透過多個光學式位移計41，在多處部位對直至安裝於各移動平台的Y平台16的條狀鏡35為止的距離進行測定，基於條狀鏡35在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計41的測定結果來檢 測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率，由此，能夠以低價的結構來精度良好地檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率，以精度良好地進行基板1在θ方向上的定位。
進而，在安裝於Y平台16的條狀鏡35的表面，設置多個位置偏移檢測用標記37，獲取條狀鏡35的多個位置偏移檢測用標記37的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置，來檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移，由此，透過各位置偏移檢測用標記37的圖像處理，能夠精度良好地檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移。
或者，透過多個雷射干涉儀33，在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據多個雷射干涉儀33的測定結果來檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移，由此，利用用於對各移動平台在Y方向上的位置進行檢測的雷射干涉儀33，能夠檢測條狀鏡35在θ方向上的位置偏移。
進而，使用分光干涉雷射位移計41作為光學式位移計，由此，能夠進一步精度良好地檢測夾盤10a、10b在θ方向上的斜率。
進而，透過多個雷射干涉儀33，在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的干涉進行測定，根據多個雷射干涉儀33的測定結果來檢測X平台14以及Y平台16移動時的偏擺，由此，利用安裝 於Y平台16的條狀鏡35，能夠檢測移動平台移動時的偏擺。
使用本發明的鄰近曝光裝置來進行基板的曝光，或者，使用本發明的鄰近曝光裝置的基板定位方法來定位基板以進行基板的曝光，由此，能夠精度良好地進行曝光時的基板在θ方向上的定位，因此能夠精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的基板。
例如，圖20是表示液晶顯示器裝置的TFT基板的製造工序的一例的流程圖。在薄膜形成工序(步驟101)中，透過濺鍍法或電漿化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法等，在基板上形成作為液晶驅動用透明電極的導電體膜或絕緣體膜等的薄膜。在抗蝕劑塗佈工序(步驟102)中，透過輥(roll)式塗佈法等來塗佈感光樹脂材料(光致抗蝕劑)，以在薄膜形成工序(步驟101)中所形成的薄膜上形成光致抗蝕劑膜。在曝光工序(步驟103)中，使用鄰近曝光裝置或投影曝光裝置等，來將光罩的圖案轉印到光致抗蝕劑膜上。在顯影工序(步驟104)中，透過淋浴式(shower)顯影法等，將顯影液供給至光致抗蝕劑膜上，以去除光致抗蝕劑膜的多餘部分。在蝕刻工序(步驟105)中，透過濕式(wet)蝕刻，將薄膜形成工序(步驟101)中形成的薄膜內的未被光致抗蝕劑膜所遮蓋的部分予以去除。在剝離工序(步驟106)中，將在蝕刻工序(步驟105)中完成了光罩作用的光致抗蝕劑膜透過剝離液而剝離。在所述各工序之前或之後，視需要而 實施基板的清洗/乾燥工序。反復進行數次這些工序，從而在基板上形成TFT陣列(array)。
而且，圖21是表示液晶顯示器裝置的彩色濾光器基板的製造工序的一例的流程圖。在黑矩陣(black matrix)形成工序(步驟201)中，透過抗蝕劑塗佈、曝光、顯影、蝕刻、剝離等的處理，在基板上形成黑矩陣。在著色圖案形成工序(步驟202)中，透過染色法、顏料分散法、印刷法、電鍍法等，在基板上形成著色圖案。針對R、G、B的著色圖案，反復進行該工序。在保護膜形成工序(步驟203)中，在著色圖案之上形成保護膜，在透明電極膜形成工序(步驟204)中，在保護膜上形成透明電極膜。在所述各工序之前、中途或之後，視需要而實施基板的清洗/乾燥工序。
在圖20所示的TFT基板的製造工序中，在曝光工序(步驟103)中，在圖21所示的彩色濾光器基板的製造工序中，在黑矩陣形成工序(步驟201)的曝光處理中，能夠適用本發明的鄰近曝光裝置以及鄰近曝光裝置的基板定位方法。
1‧‧‧基板
1a、1b、1c、1d、1e、1f‧‧‧曝光區域
2‧‧‧光罩
10a、10b‧‧‧夾盤
11‧‧‧主平台底座
11a、11b‧‧‧副平台底座
12‧‧‧台
13‧‧‧X導軌
14‧‧‧X平台
15‧‧‧Y導軌
16‧‧‧Y平台
17‧‧‧θ平台
19‧‧‧夾盤支撐台
20‧‧‧光罩架
20a‧‧‧開口
30‧‧‧雷射測長系統控制裝置
31‧‧‧雷射光源
32a、32b、33‧‧‧雷射干涉儀
34a、34b、35、44‧‧‧條狀鏡
36、46‧‧‧臂
37‧‧‧位置偏移檢測用標記
40‧‧‧雷射位移計控制裝置
41‧‧‧分光干涉雷射位移計
42‧‧‧雷射位移計
50‧‧‧安裝件
60‧‧‧圖像處理裝置
61‧‧‧相機
70‧‧‧主控制裝置
71、72‧‧‧輸出入介面電路
80a、80b‧‧‧平台驅動電路
101~106、201~204、301~312‧‧‧步驟
X、Y、θ‧‧‧方向
圖1是表示本發明的一實施方式的鄰近曝光裝置的概略結構的圖。
圖2是表示夾盤10a位於曝光位置且夾盤10b位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。
圖3是表示夾盤10a位於曝光位置且夾盤10b位於裝 載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。
圖4是表示夾盤10b位於曝光位置且夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。
圖5是表示夾盤10b位於曝光位置且夾盤10a位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。
圖6是位於主平台底座上的移動平台的俯視圖。
圖7是位於主平台底座上的移動平台的X方向的局部剖面側視圖。
圖8是位於主平台底座上的移動平台的Y方向的側視圖。
圖9是說明雷射測長系統的動作的圖。
圖10是說明雷射測長系統的動作的圖。
圖11(a)是分光干涉雷射位移計的俯視圖，圖11(b)是分光干涉雷射位移計的側視圖。
圖12是表示本發明的一實施方式的鄰近曝光裝置的基板定位方法的流程圖。
圖13是表示使移動平台向檢測條狀鏡的位置偏移的位置移動的狀態的俯視圖。
圖14(a)是表示不進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖，圖14(b)是表示透過本發明來進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖。
圖15是說明先前的雷射位移計的動作的圖。
圖16是說明先前的雷射位移計的動作的圖。
圖17(a)、圖17(b)是說明先前的雷射位移計的動作的圖。
圖18是說明分光干涉雷射位移計的動作的圖。
圖19是說明分光干涉雷射位移計的動作的圖。
圖20是表示液晶顯示器裝置的TFT基板的製造工序的一例的流程圖。
圖21是表示液晶顯示器裝置的彩色濾光器基板的製造工序的一例的流程圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧光罩
10a、10b‧‧‧夾盤
11‧‧‧主平台底座
11a、11b‧‧‧副平台底座
12‧‧‧台
13‧‧‧X導軌
20‧‧‧光罩架
20a‧‧‧開口
30‧‧‧雷射測長系統控制裝置
31‧‧‧雷射光源
32a、32b、33‧‧‧雷射干涉儀
35‧‧‧條狀鏡
40‧‧‧雷射位移計控制裝置
41‧‧‧分光干涉雷射位移計
60‧‧‧圖像處理裝置
61‧‧‧相機
70‧‧‧主控制裝置
71、72‧‧‧輸出入介面電路
80a、80b‧‧‧平台驅動電路
X、Y、θ‧‧‧方向

Claims (10)

  1. 一種鄰近曝光裝置，包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在所述光罩與所述基板之間設置微小的間隙而將所述光罩的圖案轉印至所述基板上，所述鄰近曝光裝置的特徵在於包括：移動平台，具有朝向X方向或Y方向移動的第1平台、搭載於所述第1平台上且朝向所述Y方向或所述X方向移動的第2平台、以及搭載於所述第2平台上且朝向θ方向旋轉的第3平台，搭載所述夾盤以進行由所述夾盤所支撐的所述基板的定位；雷射測長系統，具有產生雷射光線的光源、安裝於所述第1平台的第1反射裝置、安裝於所述第2平台的第2反射裝置、對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第1反射裝置所反射的所述雷射光線的干涉進行測定的第1雷射干涉儀、以及對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的干涉進行測定的第2雷射干涉儀；第1檢測裝置，根據所述第1雷射干涉儀以及所述第2雷射干涉儀的測定結果，來檢測所述移動平台在XY方向上的位置；位置偏移檢測裝置，對安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移進行檢測；多個光學式位移計，設於所述夾盤上，在多處部位對直至安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置為止的距離 進行測定；第2檢測裝置，基於由所述位置偏移檢測裝置所檢測的所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移，並根據所述多個光學式位移計的測定結果來檢測所述夾盤在所述0方向上的斜率；平台驅動電路，驅動所述移動平台；以及控制裝置，基於所述第2檢測裝置的檢測結果來控制所述平台驅動電路，透過所述第3平台使所述夾盤朝向所述θ方向旋轉，以進行所述基板在所述θ方向上的定位，並基於所述第1檢測裝置的檢測結果來控制所述平台驅動電路，透過所述第1平台以及所述第2平台來使所述夾盤朝向所述XY方向移動，以進行所述基板在所述XY方向上的定位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鄰近曝光裝置，其中安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置在表面具有多個位置偏移檢測用標記，所述位置偏移檢測裝置具有多個圖像獲取裝置及圖像處理裝置，根據由所述圖像處理裝置所檢測的各所述位置偏移檢測用標記的位置來檢測所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移，所述多個圖像獲取裝置獲取所述第2反射裝置的所述多個位置偏移檢測用標記的圖像，所述圖像處理裝置對由各所述圖像獲取裝置所獲取的各所述位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各所述位置偏移檢測用標記的位置。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之鄰近曝光裝置，其中所述雷射測長系統具有多個所述第2雷射干涉儀，所述位置偏移檢測裝置根據所述多個第2雷射干涉儀的測定結果，來檢測安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之鄰近曝光裝置，其中所述多個光學式位移計是分光干涉雷射位移計，所述分光干涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自所述參照反射面的反射光與來自所述被測定物的反射光的干涉光的波長以及強度，來測定直至所述被測定物為止的距離。
  5. 一種鄰近曝光裝置的基板定位方法，所述鄰近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在所述光罩與所述基板之間設置微小的間隙而將所述光罩的圖案轉印至所述基板上，所述鄰近曝光裝置的基板定位方法的特徵在於，將所述夾盤搭載於移動平台上，所述移動平台具有朝向X方向或Y方向移動的第1平台、搭載於所述第1平台且朝向所述Y方向或所述X方向移動的第2平台、以及搭載於所述第2平台且朝向θ方向旋轉的第3平台，在所述第1平台上安裝第1反射裝置，透過第1雷射干涉儀，對來自光源的雷射光線與由所述第1反射裝置所反射的所述雷射光線的干涉進行測定， 在所述第2平台上安裝第2反射裝置，透過第2雷射干涉儀，對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的干涉進行測定，對安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測，在所述夾盤上設置多個光學式位移計，透過所述多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置為止的距離進行測定，基於所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據所述多個光學式位移計的測定結果來檢測所述夾盤在所述θ方向上的斜率，且基於檢測結果，透過第3平台來使所述夾盤朝向所述θ方向旋轉，以進行所述基板在所述θ方向上的定位，根據所述第1雷射干涉儀以及所述第2雷射干涉儀的測定結果，檢測所述移動平台在XY方向上的位置，並基於檢測結果，透過所述第1平台以及所述第2平台來使所述夾盤朝向所述XY方向移動，以進行所述基板在所述XY方向上的定位。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之鄰近曝光裝置的基板定位方法，其中在安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取所述第2反射裝置的所述多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各所述位置偏移檢測用標記的圖像 進行處理，以檢測各所述位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各所述位置偏移檢測用標記的位置，來檢測所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之鄰近曝光裝置的基板定位方法，其中透過多個所述第2雷射干涉儀，在多處部位對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的干涉進行測定，根據所述多個第2雷射干涉儀的測定結果，對安裝於所述第2平台的所述第2反射裝置在所述θ方向上的位置偏移進行檢測。
  8. 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項所述之鄰近曝光裝置的基板定位方法，其中使用分光干涉雷射位移計作為所述光學式位移計，所述分光干涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自所述參照反射面的反射光與來自所述被測定物的反射光的干涉光的波長以及強度，來測定直至所述被測定物為止的距離。
  9. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於，使用如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之鄰近曝光裝置來進行基板的曝光。
  10. 一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於，使用如申請專利範圍第5項至第8項中任一項所述之鄰近曝光裝置的基板定位方法來定位基板，以進行基板的 曝光。
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