CN101840157A - 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法 - Google Patents

接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101840157A
CN101840157A CN201010110987A CN201010110987A CN101840157A CN 101840157 A CN101840157 A CN 101840157A CN 201010110987 A CN201010110987 A CN 201010110987A CN 201010110987 A CN201010110987 A CN 201010110987A CN 101840157 A CN101840157 A CN 101840157A
Authority
CN
China
Prior art keywords
platform
laser
chuck
substrate
measurement result
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010110987A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101840157B (zh
Inventor
森顺一
松山胜章
樋川博志
原保彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Publication of CN101840157A publication Critical patent/CN101840157A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101840157B publication Critical patent/CN101840157B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明的接近式曝光装置的基板定位方法，使用多个激光位移计来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，以精度良好地进行基板在θ方向上的定位。搭载着夹盘而移动的移动平台具有：向X方向(或Y方向)移动的第1平台；搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台；以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台。在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，并通过多个激光位移计而在多处对夹盘的位移进行测定。根据测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜度，并根据检测结果，通过第3平台而将夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。

Description

接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种在制造液晶显示装置等的显示用面板(panel)基板时，进行基板的曝光的曝光装置、曝光方法以及使用所述曝光装置和曝光方法的显示用面板基板的制造方法，特别是涉及一种通过移动平台而将支持基板的夹盘(chuck)向XY方向移动以及向θ方向旋转，以进行曝光时的基板的定位的曝光装置、曝光方法以及使用所述曝光装置和曝光方法的显示用面板基板的制造方法。
背景技术
用作显示用面板的液晶显示装置的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)基板或彩色滤光器(color filter)基板、等离子体显示面板(plasma display panel)用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示面板用基板等的制造，是使用曝光装置，并通过光刻(photolithography)技术在基板上形成图案(pattern)而进行。作为曝光装置，有使用透镜(lens)或镜面来将遮罩(mask)的图案投影到基板上的投影(projection)方式；以及在遮罩和基板之间设置微小的间隙(接近缝隙(proximity gap))，以将遮罩的图案转印到基板上的接近方式。接近方式与投影方式相比，图案析象性能较差，但照射光学系统的构成简单，且处理能力较高，适合于量产用。
在接近式曝光装置中，为了精度良好地进行图案的烧制，必须精度良好地进行曝光时的基板的定位。进行基板的定位的移动平台具备向X方向移动的X平台、向Y方向移动的Y平台以及向θ方向旋转的θ平台，且搭载着支持基板的夹盘而向XY方向移动以及向θ方向旋转。在日本专利特开2008-298906号公报中揭示了如下技术：使用激光测长系统来检测移动平台在XY方向上的位置，并且使用多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜度。
如日本专利特开2008-298906号公报所记载般，在使用多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜度时，越是将多个激光位移计设置得更隔开，越能精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度。然而，激光位移计的输出特性缺乏直线性，若扩大测定范围，则测定误差将变大。在日本专利特开2008-298906号公报所记载的技术中，由于是在X平台上设置多个激光位移计来检测夹盘在θ方向上的斜度，因此当利用Y平台而将夹盘向Y方向移动时，由激光位移计所测定的夹盘的位移会因夹盘朝向Y方向的移动而发生变动。因此，如果将多个激光位移计设置得更隔开，则激光位移计的测定范围扩大，从而发生测定误差变大的问题。
由此可见，上述现有的接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法在产品结构、方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法存在的缺陷，而提供一种新的接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法，所要解决的技术问题是使其使用多个激光位移计来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，以精度良好地进行基板在θ方向上的定位，而且，精度良好地进行图案的烧制，以制造高品质的显示用面板基板，非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。为达到上述目的，依据本发明的接近式曝光装置，包括支持基板的夹盘以及保持遮罩的遮罩架，且在遮罩和基板之间设置微小的缝隙，以将遮罩的图案转印到基板上，此接近式曝光装置包括：移动平台，具有向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台，且该移动平台搭载夹盘，以进行由夹盘所支持的基板的定位；多个激光位移计，设置在第2平台上，与夹盘一同向XY方向移动，在多处测定夹盘的位移；第1检测机构，根据多个激光位移计的测定结果，而检测夹盘在θ方向上的斜度；平台驱动电路，驱动该移动平台；以及控制装置，根据第1检测机构的检测结果来控制该平台驱动电路，并通过第3平台来使夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。
而且，本发明的接近式曝光装置的基板定位方法是如下的接近式曝光装置的基板定位方法，此接近式曝光装置包括支持基板的夹盘以及保持遮罩的遮罩架，且在遮罩和基板之间设置微小的缝隙，以将遮罩的图案转印到基板上，此接近式曝光装置的基板定位方法中，在移动平台上搭载夹盘，该移动平台具有向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台，在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，通过多个激光位移计而在多处测定夹盘的位移，根据测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜度，根据检测结果，通过第3平台而将夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。
在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，通过多个激光位移计而在多处测定夹盘的位移，因此由各激光位移计所测定的夹盘的位移不会因夹盘的移动而发生变动。即使夹盘向XY方向移动，激光位移计的测定范围也不会扩大，因此可将多个激光位移计设置得更隔开。因此，可精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，且精度良好地进行基板在θ方向上的定位。
进而，本发明的接近式曝光装置，包括：激光测长系统，具有产生激光的光源、安装在第1平台上的第1反射机构、安装在第2平台上的第2反射机构、对来自光源的激光与由第1反射机构所反射的激光的干涉进行测定的第1激光干涉仪、以及在多处对来自光源的激光与由第2反射机构所反射的激光的干涉进行测定的多个第2激光干涉仪；以及第2检测机构，根据激光测长系统的第1激光干涉仪及多个第2激光干涉仪的测定结果，而检测移动平台在XY方向上的位置，且，控制装置根据第2检测机构的检测结果来控制平台驱动电路，并通过第1平台及第2平台来使夹盘向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。
而且，本发明的接近式曝光装置的基板定位方法是在第1平台上安装第1反射机构，在第2平台上安装第2反射机构，通过第1激光干涉仪，而对来自光源的激光与由第1反射机构所反射的激光的干涉进行测定，通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第2反射机构所反射的激光的干涉进行测定，并根据测定结果来检测移动平台在XY方向上的位置，根据检测结果，通过第1平台及第2平台而将夹盘向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。使用激光测长系统而精度良好地检测移动平台在XY方向上的位置，且精度良好地进行基板在XY方向上的定位。而且，可根据多个第2激光干涉仪的测定结果而检测移动平台向XY方向移动时的平摆(yawing)。
进而，本发明的接近式曝光装置包括安装在夹盘上的第3反射机构，且，激光测长系统通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第3反射机构所反射的激光的干涉进行测定，第2检测机构根据激光测长系统的多个第2激光干涉仪的测定结果，来检测夹盘的位移，第1检测机构根据第2检测机构所检测出的夹盘的位移和多个激光位移计的测定结果，来制作对多个激光位移计的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来对多个激光位移计的测定结果进行修正，并根据修正后的多个激光位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜度。
而且，本发明的接近式曝光装置的基板定位方法是在夹盘上安装第3反射机构，通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第3反射机构所反射的激光的干涉进行测定，根据测定结果来检测夹盘的位移，根据检测结果和多个激光位移计的测定结果，制作对多个激光位移计的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来对多个激光位移计的测定结果进行修正，根据修正后的多个激光位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜度。在制作对激光位移计的测定结果进行修正的修正式时，使用激光测长系统而精度良好地检测夹盘的位移，且精度良好地修正激光位移计的测定结果。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。为达到上述目的，依据本发明提出的显示用面板基板的制造方法是使用上述的任一种接近式曝光装置来进行基板的曝光，或者使用上述的任一种接近式曝光装置的基板定位方法来对基板进行定位，以进行基板的曝光。由于可精度良好地进行曝光时的基板的定位，因此可精度良好地进行图案的烧制，从而制造高品质的显示用面板基板。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法至少具有下列优点及有益效果：
根据本发明的接近式曝光装置以及接近式曝光装置的基板定位方法，在移动平台上搭载夹盘，该移动平台具有向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台，且在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，通过多个激光位移计而在多处测定夹盘的位移，根据测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜度，并根据检测结果，通过第3平台而将夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位，以此，可将多个激光位移计设置得更隔开，因此可精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，且精度良好地进行基板在θ方向上的定位。
进而，根据本发明的接近式曝光装置以及接近式曝光装置的基板定位方法，在第1平台上安装第1反射机构，在第2平台上安装第2反射机构，通过第1激光干涉仪，而对来自光源的激光与由第1反射机构所反射的激光的干涉进行测定，通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第2反射机构所反射的激光的干涉进行测定，并根据测定结果来检测移动平台在XY方向上的位置，根据检测结果，通过第1平台以及第2平台而将夹盘向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位，以此可精度良好地检测移动平台在XY方向上的位置，因此可精度良好地进行基板在XY方向上的定位。而且，可根据多个第2激光干涉仪的测定结果来检测该移动平台向XY方向移动时的平摆。
进而，根据本发明的接近式曝光装置以及接近式曝光装置的基板定位方法，在夹盘上安装第3反射机构，通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第3反射机构所反射的激光的干涉进行测定，根据测定结果来检测夹盘的位移，根据检测结果和多个激光位移计的测定结果，制作对多个激光位移计的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来对多个激光位移计的测定结果进行修正，根据修正后的多个激光位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜度，以此，在制作对激光位移计的测定结果进行修正的修正式时，可使用激光测长系统而精度良好地检测夹盘的位移，且可精度良好地修正激光位移计的测定结果。因此，可进一步精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，且进一步精度良好地进行基板在θ方向上的定位。
根据本发明的显示用面板基板的制造方法，可精度良好地进行曝光时的基板的定位，因此可精度良好地进行图案的烧制，从而可制造高品质的显示用面板基板。
综上所述，本发明的接近式曝光装置的基板定位方法，使用多个激光位移计来精度良好地检测夹盘在θ方向上的斜度，以精度良好地进行基板在θ方向上的定位。搭载着夹盘而移动的移动平台具有：向X方向(或Y方向)移动的第1平台；搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台；以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台。在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，并通过多个激光位移计而在多处对夹盘的位移进行测定。根据测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜度，并根据检测结果，通过第3平台而将夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是表示本发明一实施形态的接近式曝光装置的概略构成的图。
图2是本发明一实施形态的接近式曝光装置的正面图。
图3是本发明一实施形态的接近式曝光装置的侧面图。
图4是说明激光测长系统的动作的图。
图5是说明激光测长系统的动作的图。
图6是移动平台的俯视图。
图7是移动平台的侧面图。
图8是表示激光位移计的输出特性的图。
图9是说明激光位移计的测定结果的修正方法的图。
图10A是表示修正前的激光位移计的测定结果的图，图10B是表示修正后的激光位移计的测定结果的图。
图11是表示液晶显示装置的TFT基板的制造工序的一例的流程图。
图12是表示液晶显示装置的彩色滤光器基板的制造工序的一例的流程图。
1：基板                         2：遮罩
10a、10b：夹盘                  11：基座
12：台                          13：X引导器
14：X平台                       15：Y引导器
16：Y平台                       17：θ平台
19：夹盘支持台                  20：遮罩架
30：激光测长系统控制装置        31：激光源
32a、32b、33：激光干涉仪        34a、34b、35、45、46、47：棒镜
36、48：臂                      40：激光位移计控制装置
42、43、44：激光位移计          50：镜面单元
51：马达                        52：升降引导器
53、54：镜面                    70：主控制装置
71、72：输入输出接口电路        80a、80b：平台驱动电路
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的接近式曝光装置、其基板定位方法以及显示用面板基板的制造方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
图1是表示本发明一实施形态的接近式曝光装置的概略构成的图。而且，图2是本发明一实施形态的接近式曝光装置的正面图，图3是本发明一实施形态的接近式曝光装置的侧面图。本实施形态表示使用两个移动平台的接近式曝光装置的示例。接近式曝光装置包括夹盘(chuck)10a、10b；基座(base)11；台12；X引导器(guider)13；移动平台；遮罩架(maskholder)20；激光测长系统控制装置30；激光测长系统；激光位移计控制装置40；激光位移计42、43、44；棒镜(bar mirror)45、46、47；主控制装置70；输入输出接口(interface)电路71、72；以及平台驱动电路80a、80b而构成。此外，图2以及图3中，省略了激光测长系统控制装置30，激光测长系统的激光源31，激光位移计控制装置40，主控制装置70，输入输出接口电路71、72以及平台驱动电路80a、80b。接近式曝光装置除了这些部分以外，还包括照射曝光用光的照射光学系统、基板搬送机器人以及进行装置内的温度管理的温度控制单元等。
此外，以下说明的实施形态中的XY方向仅为例示，亦可将X方向与Y方向对调。
在图1以及图2中，夹盘10a位于进行基板1的曝光的曝光位置，夹盘10b位于进行基板1的加载/卸载的加载/卸载位置。针对夹盘10a的加载/卸载位置位于曝光位置的图式左侧。夹盘10a、10b通过下述的各移动平台，从各加载/卸载位置向曝光位置交替地移动。在各加载/卸载位置上，通过未图示的各基板搬送机器人，将基板1搬入到夹盘10a、10b上，而且从夹盘10a、10b搬出基板1。夹盘10a、10b真空吸附地支持基板1。
在曝光位置的上空，设置着保持遮罩2的遮罩架20。遮罩架20真空吸附地保持遮罩2的周边部。在遮罩架20上所保持的遮罩2的上空，配置着未图示的照射光学系统。曝光时，来自照射光学系统的曝光用光透过遮罩2而向基板1照射，以此将遮罩2的图案转印到基板1的表面上，从而在基板1上形成图案。
在图2中，夹盘10a、10b分别搭载在移动平台上。各移动平台包括X平台14、Y引导器15、Y平台16、θ平台17以及夹盘支持台19而构成。X平台14搭载在基座11上所设的X引导器13上，沿着X引导器13向X方向移动。Y平台16搭载在X平台14上所设的Y引导器15上，沿着Y引导器15向Y方向移动。θ平台17搭载在Y平台16上，向θ方向旋转。夹盘支持台19在多处支持夹盘10a、10b。
通过各移动平台的X平台14向X方向的移动，夹盘10a、10b在各加载/卸载位置与曝光位置之间移动。在各加载/卸载位置上，通过各移动平台的X平台14向X方向的移动、Y平台16向Y方向的移动、以及θ平台17向θ方向的旋转，而进行夹盘10a、10b上所搭载的基板1的预对准(pre-alignment)。在曝光位置上，通过各移动平台的X平台14向X方向的移动以及Y平台16向Y方向的移动，而进行由夹盘10a、10b所支持的基板1的朝向XY方向的步进(step)移动。并且，通过各移动平台的X平台14向X方向的移动、Y平台16向Y方向的移动、以及θ平台17向θ方向的旋转，而进行曝光时的基板1的定位。而且，通过未图示的Z-倾斜(tilt)机构，将遮罩架20向Z方向移动以及倾斜，以此来进行遮罩2与基板1的缝隙对准。
在图1中，平台驱动电路80a通过主控制装置70的控制，对搭载着夹盘10a的移动平台的X平台14、Y平台16、以及θ平台17进行驱动。而且，平台驱动电路80b通过主控制装置70的控制，对搭载着夹盘10b的移动平台的X平台14、Y平台16、以及θ平台17进行驱动。
此外，在本实施形态中，通过将遮罩架20向Z方向移动以及倾斜，从而进行遮罩2与基板1的缝隙对准，但也可在各移动平台的夹盘支持台19上设置Z-倾斜机构，以将夹盘10a、10b向Z方向移动以及倾斜，以此来进行遮罩2与基板1的缝隙对准。
以下，对本实施形态的接近式曝光装置的基板的定位动作进行说明。在图1中，激光测长系统包括激光源31；激光干涉仪32a、32b、33；棒镜34a、34b、35以及镜面单元50而构成。各移动平台的X平台14搭载在X引导器13上，因此在基座11与X平台14之间，产生与X引导器13的高度相应的空间。向Y方向延伸的棒镜34a、34b利用该空间而安装在X平台14之下。两个激光干涉仪32a、32b分别设置在基座11的离开X引导器13的位置上。在图2以及图3中，向X方向延伸的棒镜35通过臂36，以大致夹盘10a、10b的高度而安装在各移动平台的Y平台16上。两个激光干涉仪33设置在基座11上所设的台12上。
图4以及图5是说明激光测长系统的动作的图。此外，图4表示夹盘10a位于曝光位置，夹盘10b位于加载/卸载位置的状态，图5表示夹盘10b位于曝光位置，夹盘10a位于加载/卸载位置的状态。在图4以及图5中，两个激光干涉仪32a将来自激光源31的激光照射到棒镜34a，并接收由棒镜34a所反射的激光，以在两处对来自激光源31的激光与由棒镜34a所反射的激光的干涉进行测定。而且，两个激光干涉仪32b将来自激光源31的激光照射到棒镜34b，并接收由棒镜34b所反射的激光，以在两处对来自激光源31的激光与由棒镜34b所反射的激光的干涉进行测定。
在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据两个激光干涉仪32a的测定结果来检测搭载着夹盘10a的移动平台在X方向上的位置，而且检测X平台14向X方向移动时的平摆(yawing)。而且，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据两个激光干涉仪32b的测定结果来检测搭载着夹盘10b的移动平台在X方向上的位置，而且检测X平台14向X方向移动时的平摆。使用激光测长系统而精度良好地检测各移动平台在X方向上的位置。而且，可根据两个激光干涉仪32a、32b各自的测定结果，来检测各移动平台的X平台14向X方向移动时的平摆。
在图4以及图5中，两个激光干涉仪33将来自激光源31的激光照射到棒镜35，并接收由棒镜35所反射的激光，以在两处对来自激光源31的激光与由棒镜35所反射的激光的干涉进行测定。在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据两个激光干涉仪33的测定结果来检测搭载着位于曝光位置的夹盘10a、10b的移动平台在Y方向上的位置，而且检测搭载着位于曝光位置的夹盘10a、10b的移动平台向XY方向移动时的平摆。使用激光测长系统而精度良好地检测搭载着位于曝光位置的夹盘10a、10b的移动平台在Y方向上的位置。而且，可根据两个激光干涉仪33的测定结果，来检测搭载着位于曝光位置的夹盘10a、10b的移动平台向XY方向移动时的平摆。
图6是移动平台的俯视图，图7是移动平台的侧面图。此外，图6以及图7表示搭载着夹盘10a的移动平台，搭载着夹盘10b的移动平台除了激光位移计42以及棒镜45的配置不同以外，与搭载着夹盘10a的移动平台为相同的构成。在图6以及图7中，向Y方向延伸的棒镜45安装在X平台14上。激光位移计42是与棒镜45相向地安装在Y平台16之下。激光位移计42将激光照射到棒镜45，并接收由棒镜45所反射的激光，以测定Y平台16在X方向上的位移。在图1中，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，根据激光位移计42的测定结果来检测Y平台16向Y方向移动时的横摇。
在图6以及图7中，向X方向延伸的棒镜46安装在夹盘10a的背面。两个激光位移计43是与棒镜46相向地安装在通过臂36而安装在Y平台16上的棒镜35之下。各激光位移计43安装在Y平台16上，因此通过X平台14以及Y平台16而将夹盘10a向XY方向移动时，各激光位移计43与夹盘10a一同向XY方向移动。两个激光位移计43将激光照射到棒镜46，并接收由棒镜46所反射的激光，以在两处测定棒镜46在Y方向上的位移。在图1中，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，根据两个激光位移计43的测定结果来检测夹盘10a在θ方向上的斜度。
在Y平台16上设置两个激光位移计43，将两个激光位移计43与夹盘10a一同向XY方向移动，并通过两个激光位移计43而在多处测定夹盘10a的位移，因此由各激光位移计43所测定的夹盘10a的位移不会因夹盘10a的移动而发生变动。即使将夹盘10a向XY方向移动，激光位移计43的测定范围亦不会扩大，因此可将两个激光位移计43设置得更隔开。
在图6中，向Y方向延伸的棒镜47安装在夹盘10a的背面。激光位移计44通过臂48而与棒镜47相向地安装在Y平台16上。激光位移计44将激光照射到棒镜47，并接收由棒镜47所反射的激光，以测定棒镜47在X方向上的位移。在图1中，激光位移计控制装置40通过主控制装置70的控制，根据两个激光位移计43的测定结果以及激光位移计44的测定结果，来检测因向θ方向的旋转而引起的夹盘10a在XY方向上的位置变化。
在图1中，主控制装置70经由输入输出接口电路71而输入激光测长系统控制装置30的检测结果。而且，主控制装置70经由输入输出接口电路72而输入激光位移计控制装置40的检测结果。并且，主控制装置70根据激光位移计控制装置40对夹盘10a、10b在θ方向上的斜度的检测结果，来控制平台驱动电路80a、80b，并通过θ平台17而使夹盘10a、10b向θ方向旋转，以进行基板1在θ方向上的定位。而且，主控制装置70根据激光测长系统控制装置30对移动平台在XY方向上的位置的检测结果，来控制平台驱动电路80a、80b，并通过X平台14以及Y平台16而使夹盘10a、10b向XY方向移动，以进行曝光时的基板1在XY方向上的定位。
其次，对激光位移计43的测定结果的修正进行说明。图8是表示激光位移计的输出特性的图。图8的横轴表示以激光位移计而测定的实际位移，纵轴表示激光位移计的输出。如图8所示，在将激光位移计的测定结果近似为直线时，在近似直线由以虚线来表示的理想直线偏离的情况下，必须对激光位移计的测定结果进行修正。激光位移计的输出特性缺乏直线性，若扩大测定范围，则测定结果会较大地偏离该近似直线。因此，使用测定结果与该近似直线之差处于规定的容许值以内的范围来作为测定范围。
图9是说明激光位移计的测定结果的修正方法的图。激光测长系统的镜面单元50包括马达(motor)51、升降引导器52以及镜面53、54而构成。如图6所示，镜面53、54在X方向上设置有2组。在图9中，在设置着激光测长系统的两个激光干涉仪33的台12的侧面，安装着马达51以及升降引导器52。马达51包括脉冲马达(pulse motor)、连接于脉冲马达的滚珠螺杆(ball screw)以及杆(rod)而构成，利用脉冲马达来驱动滚珠螺杆，由此，杆上升以及下降。在马达51的杆的前端安装着2组镜面53、54，各镜面53、54通过马达51而沿着升降引导器52进行升降。
如图7所示，各镜面53、54平时是通过马达51而下降。如图9所示，当通过马达51而使各镜面53、54上升时，从各激光干涉仪33照射的激光由各镜面53、54反射，而分别照射到棒镜46。并且，由棒镜46所反射的激光由各镜面54、53反射，而分别照射到各激光干涉仪33。两个激光干涉仪33接收由棒镜46所反射的激光，以在两处对来自激光源31的激光与由棒镜46所反射的激光的干涉进行测定。
在图1中，激光测长系统控制装置30通过主控制装置70的控制，根据两个激光干涉仪33的测定结果来检测夹盘10a、10b在Y方向上的位移。激光位移计控制装置40根据激光测长系统控制装置30而检测出的夹盘10a、10b的位移和两个激光位移计43的测定结果来制作修正式，该修正式用于对两个激光位移计43的测定结果进行修正，以使两个激光位移计43的测定结果与激光测长系统控制装置30检测出的夹盘10a、10b的位移一致。并且，激光位移计控制装置40每当各激光位移计43对棒镜46在Y方向上的位移进行测定时，通过制作成的修正式来修正各激光位移计43的测定结果。
图10(a)是表示修正前的激光位移计的测定结果的图，图10(b)是表示修正后的激光位移计的测定结果的图。修正前的激光位移计43的测定结果中，近似直线偏离理想直线，因此在测定范围内产生图10(a)所示的测定误差。修正后的激光位移计43的测定结果中，如图10(b)所示，近似直线与理想直线重合，测定误差变小。在图1中，激光位移计控制装置40根据修正后的两个激光位移计43的测定结果，来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度。
在夹盘10a、10b上安装棒镜46，通过两个激光干涉仪33，而在多处对来自激光源31的激光与由棒镜46所反射的激光的干涉进行测定，并根据测定结果来检测夹盘10a、10b的位移，根据检测结果与两个激光位移计43的测定结果，而制作对两个激光位移计43的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来修正两个激光位移计43的测定结果，并根据修正后的两个激光位移计43的测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度，因此在制作对激光位移计43的测定结果进行修正的修正式时，使用激光测长系统而精度良好地检测夹盘10a、10b的位移，且精度良好地修正激光位移计43的测定结果。
根据以上所说明的本实施形态，在移动平台上搭载夹盘10a、10b，该移动平台具有向X方向移动的X平台14、搭载在X平台14上并向Y方向移动的Y平台16、以及搭载在Y平台16上并向θ方向旋转的θ平台17，且在Y平台16上设置两个激光位移计43，以将两个激光位移计43与夹盘10a、10b一同向XY方向移动，通过两个激光位移计43而在多处测定夹盘10a、10b的位移，根据测定结果来检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度，并根据检测结果，通过θ平台17而将夹盘10a、10b向θ方向旋转，以进行基板1在θ方向上的定位，以此可将两个激光位移计43设置得更隔开，因此可精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度，以精度良好地进行基板1在θ方向上的定位。
进而，在X平台14上安装棒镜34a、34b，在Y平台16上安装棒镜35，通过激光干涉仪32a、32b，对来自激光源31的激光与由棒镜34a、34b所反射的激光的干涉进行测定，并通过两个激光干涉仪33而在两处对来自激光源31的激光与由棒镜35所反射的激光的干涉进行测定，根据测定结果来检测移动平台在XY方向上的位置，并根据检测结果，通过X平台14以及Y平台16而将夹盘10a、10b向XY方向移动，以进行基板1在XY方向上的定位，以此可精度良好地检测移动平台在XY方向上的位置，因此可精度良好地进行基板1在XY方向上的定位。而且，根据两个激光干涉仪33的测定结果，可对搭载着位于曝光位置的夹盘10a、10b的移动平台向XY方向移动时的平摆进行检测。
进而，在夹盘10a、10b上安装棒镜46，通过两个激光干涉仪33而在多处对来自激光源31的激光与由棒镜46所反射的激光的干涉进行测定，根据测定结果来检测夹盘10a、10b的位移，并根据检测结果和两个激光位移计43的测定结果，而制作对两个激光位移计43的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来修正两个激光位移计43的测定结果，并根据修正后的两个激光位移计43的测定结果，而检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度，以此，在制作对激光位移计43的测定结果进行修正的修正式时，可使用激光测长系统来精度良好地检测夹盘10a、10b的位移，且可精度良好地修正激光位移计43的测定结果。因此，可进一步精度良好地检测夹盘10a、10b在θ方向上的斜度，且进一步精度良好地进行基板1在θ方向上的定位。
使用本发明的接近式曝光装置来进行基板的曝光，或者使用本发明的接近式曝光装置的基板定位方法来对基板进行定位，以进行基板的曝光，以此可精度良好地进行曝光时的基板的定位，因此可精度良好地进行图案的烧制，以制造高品质的显示用面板基板。
例如，图11是表示液晶显示装置的TFT基板的制造工序的一例的流程图。在薄膜形成工序(步骤101)中，通过溅镀(sputter)法或等离子体化学气相成长(chemical vapor deposition，CVD)法等，在基板上形成作为液晶驱动用透明电极的导电体膜或绝缘体膜等的薄膜。在抗蚀剂涂布工序(步骤102)中，利用辊(roll)涂布法等而涂布感光树脂材料(光阻剂)，在薄膜形成工序(步骤101)中形成的薄膜上形成光阻剂膜。在曝光工序(步骤103)中，使用接近式曝光装置或投影曝光装置等，将遮罩的图案转印到光阻剂膜上。在显影工序(步骤104)中，利用喷淋(shower)显影法等，将显影液供给到光阻剂膜上，去除光阻剂膜的多余部分。在蚀刻工序(步骤105)中，利用湿式蚀刻(wet etching)，将薄膜形成工序(步骤101)中形成的薄膜内未被光阻剂膜遮掩的部分予以去除。在剥离工序(步骤106)中，利用剥离液，将蚀刻工序(步骤105)中完成遮罩作用的光阻剂膜予以剥离。在这些各工序之前或之后，视需要而实施基板的清洗/干燥工序。反复进行这些工序数次，在基板上形成TFT阵列(array)。
而且，图12是表示液晶显示装置的彩色滤光器基板的制造工序的一例的流程图。在黑色矩阵(black matrix)形成工序(步骤201)中，通过抗蚀剂涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等的处理，而在基板上形成黑色矩阵。在着色图案形成工序(步骤202)中，通过染色法、颜料分散法、印刷法、电解沉积法等，而在基板上形成着色图案。针对R、G、B的着色图案而反复进行该工序。在保护膜形成工序(步骤203)中，在着色图案上形成保护膜，在透明电极膜形成工序(步骤204)中，在保护膜上形成透明电极膜。在这些各工序之前、中途或之后，视需要而实施基板的清洗/干燥工序。
在图11所示的TFT基板的制造工序中，在曝光工序(步骤103)中，在图12所示的彩色滤光器基板的制造工序中，在黑色矩阵形成工序(步骤201)以及着色图案形成工序(步骤202)的曝光处理中，可适用本发明的接近式曝光装置或本发明的接近式曝光装置的基板定位方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种接近式曝光装置，包括支持基板的夹盘以及保持遮罩的遮罩架，且在遮罩和基板之间设置微小的缝隙，以将遮罩的图案转印到基板上，此接近式曝光装置的特征在于包括：
移动平台，具有向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台，且该移动平台搭载所述夹盘，以进行由所述夹盘所支持的基板的定位；
多个激光位移计，设置在所述第2平台上，与所述夹盘一同向XY方向移动，在多处测定所述夹盘的位移；
第1检测机构，根据所述多个激光位移计的测定结果，而检测所述夹盘在θ方向上的斜度；
平台驱动电路，驱动所述移动平台；以及
控制装置，根据所述第1检测机构的检测结果来控制所述平台驱动电路，并通过所述第3平台来使所述夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。
2.根据权利要求1所述的接近式曝光装置，其特征在于包括：
激光测长系统，具有产生激光的光源、安装在所述第1平台上的第1反射机构、安装在所述第2平台上的第2反射机构、对来自光源的激光与由第1反射机构所反射的激光的干涉进行测定的第1激光干涉仪、以及在多处对来自光源的激光与由第2反射机构所反射的激光的干涉进行测定的多个第2激光干涉仪；以及
第2检测机构，根据所述激光测长系统的第1激光干涉仪及多个第2激光干涉仪的测定结果，而检测所述移动平台在XY方向上的位置，且
所述控制装置根据所述第2检测机构的检测结果来控制所述平台驱动电路，并通过所述第1平台及所述第2平台来使所述夹盘向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。
3.根据权利要求2所述的接近式曝光装置，其特征在于包括：
安装在所述夹盘上的第3反射机构，且
所述激光测长系统通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第3反射机构所反射的激光的干涉进行测定，
所述第2检测机构根据所述激光测长系统的多个第2激光干涉仪的测定结果，来检测所述夹盘的位移，
所述第1检测机构根据所述第2检测机构所检测出的所述夹盘的位移和所述多个激光位移计的测定结果，来制作对所述多个激光位移计的测定结果进行修正的修正式，通过制作成的修正式来对所述多个激光位移计的测定结果进行修正，并根据修正后的所述多个激光位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜度。
4.一种接近式曝光装置的基板定位方法，此接近式曝光装置包括支持基板的夹盘以及保持遮罩的遮罩架，且在遮罩和基板之间设置微小的缝隙，以将遮罩的图案转印到基板上，此接近式曝光装置的基板定位方法的特征在于，
在移动平台上搭载夹盘，该移动平台具有向X方向(或Y方向)移动的第1平台、搭载在第1平台上并向Y方向(或X方向)移动的第2平台、以及搭载在第2平台上并向θ方向旋转的第3平台，
在第2平台上设置多个激光位移计，将多个激光位移计与夹盘一同向XY方向移动，
通过多个激光位移计而在多处测定夹盘的位移，
根据测定结果来检测夹盘在θ方向上的斜度，
根据检测结果，通过第3平台而将夹盘向θ方向旋转，以进行基板在θ方向上的定位。
5.根据权利要求4所述的接近式曝光装置的基板定位方法，其特征在于，
在第1平台上安装第1反射机构，
在第2平台上安装第2反射机构，
通过第1激光干涉仪，而对来自光源的激光与由第1反射机构所反射的激光的干涉进行测定，
通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第2反射机构所反射的激光的干涉进行测定，
根据测定结果来检测移动平台在XY方向上的位置，
根据检测结果，通过第1平台及第2平台而将夹盘向XY方向移动，以进行基板在XY方向上的定位。
6.根据权利要求5所述的接近式曝光装置的基板定位方法，其特征在于，
在夹盘上安装第3反射机构，
通过多个第2激光干涉仪，而在多处对来自光源的激光与由第3反射机构所反射的激光的干涉进行测定，
根据测定结果来检测夹盘的位移，
根据检测结果和多个激光位移计的测定结果，制作对多个激光位移计的测定结果进行修正的修正式，
通过制作成的修正式来对多个激光位移计的测定结果进行修正，
根据修正后的多个激光位移计的测定结果，来检测夹盘在θ方向上的斜度。
7.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，使用根据权利要求1至3中任一权利要求所述的接近式曝光装置，来进行基板的曝光。
8.一种显示用面板基板的制造方法，其特征在于，使用根据权利要求4至6中任一权利要求所述的接近式曝光装置的基板定位方法来对基板进行定位，以进行基板的曝光。
CN2010101109874A 2009-03-16 2010-02-05 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法 Expired - Fee Related CN101840157B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-063265 2009-03-16
JP2009063265A JP5349093B2 (ja) 2009-03-16 2009-03-16 プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101840157A true CN101840157A (zh) 2010-09-22
CN101840157B CN101840157B (zh) 2012-08-29

Family

ID=42743612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101109874A Expired - Fee Related CN101840157B (zh) 2009-03-16 2010-02-05 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5349093B2 (zh)
KR (1) KR101148241B1 (zh)
CN (1) CN101840157B (zh)
TW (1) TW201035697A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102541090A (zh) * 2012-01-12 2012-07-04 合肥芯硕半导体有限公司 平台移动精确定位控制系统
CN103064255A (zh) * 2011-09-19 2013-04-24 株式会社日立高科技 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012103584A (ja) * 2010-11-12 2012-05-31 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP6522277B2 (ja) * 2013-11-19 2019-05-29 Hoya株式会社 フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
JP6722048B2 (ja) * 2016-06-09 2020-07-15 キヤノン株式会社 ステージ装置およびリニアアクチュエータ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363196A (en) * 1992-01-10 1994-11-08 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus for measuring a departure from flatness or straightness of a nominally-plane mirror for a precision X-Y movable-stage
JP2001307983A (ja) * 2000-04-20 2001-11-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7630059B2 (en) * 2006-07-24 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4808676B2 (ja) * 2007-05-30 2011-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP4863948B2 (ja) * 2007-07-30 2012-01-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103064255A (zh) * 2011-09-19 2013-04-24 株式会社日立高科技 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法
CN102541090A (zh) * 2012-01-12 2012-07-04 合肥芯硕半导体有限公司 平台移动精确定位控制系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR101148241B1 (ko) 2012-05-21
TW201035697A (en) 2010-10-01
JP5349093B2 (ja) 2013-11-20
JP2010219236A (ja) 2010-09-30
CN101840157B (zh) 2012-08-29
KR20100105425A (ko) 2010-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101359185B (zh) 曝光装置、曝光方法以及显示用面板基板的制造方法
CN101840157B (zh) 接近式曝光装置、其基板定位方法及面板基板的制造方法
CN101738870B (zh) 接近式曝光装置、其掩模搬送方法及面板基板的制造方法
CN102193326B (zh) 邻近曝光装置、载台温度控制方法及面板基板的制造方法
JP4808676B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN102799073A (zh) 曝光装置及曝光、检查方法及显示用面板基板的制造方法
JP2013195778A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011007974A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5355245B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN103064255A (zh) 接近曝光装置、其基板定位方法及显示用面板基板的制法
JP5537063B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012032666A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2008009012A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441770B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012008243A (ja) 露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板製造方法
CN102096327B (zh) 曝光装置、曝光方法、及显示用面板基板的制造方法
JP2013054270A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010276901A (ja) 露光装置、露光装置のチャック位置検出方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2011123103A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のギャップ制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2010191059A (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5441800B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに光学式変位計を用いた微小角度検出方法
JP2013205757A (ja) プロキシミティ露光装置
JP2013205678A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012103584A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012068434A (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120829

Termination date: 20150205

EXPY Termination of patent right or utility model