JPH09297408A - プリアライメント装置 - Google Patents
プリアライメント装置Info
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- JPH09297408A JPH09297408A JP8139430A JP13943096A JPH09297408A JP H09297408 A JPH09297408 A JP H09297408A JP 8139430 A JP8139430 A JP 8139430A JP 13943096 A JP13943096 A JP 13943096A JP H09297408 A JPH09297408 A JP H09297408A
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- plate
- photosensitive substrate
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明はプリアライメント装置に関し、感光基
板と装置のアライメント機構との接触を排してプリアラ
イメントを行う。 【解決手段】マスク(14)に形成された回路パターン
を投影光学系(15)を介して感光基板上に露光転写す
るときに、xyz及びθ方向に移動自在なステージ(1
6)上で感光基板(PL)を保持するホルダ(17)を
投影光学系(15)に対して移動させることによつて感
光基板(PL)を投影光学系(15)に対して粗く位置
合わせするプリアライメント装置において、ステージ
(16)上に搬送される感光基板(PL)の端部(P
E)をホルダ(17)上に設定された少なくとも3か所
の基準位置(a、b、c)において撮像手段(36)に
よつて撮像して、画像処理手段(40)によつて画面処
理を施し、これによつて得られる画像情報(S10)に
基づいて感光基板(PL)の投影光学系(15)に対す
る位置情報を検出する。
板と装置のアライメント機構との接触を排してプリアラ
イメントを行う。 【解決手段】マスク(14)に形成された回路パターン
を投影光学系(15)を介して感光基板上に露光転写す
るときに、xyz及びθ方向に移動自在なステージ(1
6)上で感光基板(PL)を保持するホルダ(17)を
投影光学系(15)に対して移動させることによつて感
光基板(PL)を投影光学系(15)に対して粗く位置
合わせするプリアライメント装置において、ステージ
(16)上に搬送される感光基板(PL)の端部(P
E)をホルダ(17)上に設定された少なくとも3か所
の基準位置(a、b、c)において撮像手段(36)に
よつて撮像して、画像処理手段(40)によつて画面処
理を施し、これによつて得られる画像情報(S10)に
基づいて感光基板(PL)の投影光学系(15)に対す
る位置情報を検出する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプリアライメント装
置に関し、特に露光装置による露光開始前にマスクと感
光基板とを粗く位置合わせするときに用いて好適なもの
である。
置に関し、特に露光装置による露光開始前にマスクと感
光基板とを粗く位置合わせするときに用いて好適なもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば液晶デイスプレイに用いら
れる液晶パネルは、露光装置によつて回路パターンを露
光転写して、これを現像することによつて作成されてい
る。ところで液晶パネルに回路パターンを露光転写する
場合、露光装置のステージ上に搬送されたプレートを高
精度にアライメントするに先立つて、プレートの位置を
粗く位置合わせするプリアライメントを行う必要があ
る。
れる液晶パネルは、露光装置によつて回路パターンを露
光転写して、これを現像することによつて作成されてい
る。ところで液晶パネルに回路パターンを露光転写する
場合、露光装置のステージ上に搬送されたプレートを高
精度にアライメントするに先立つて、プレートの位置を
粗く位置合わせするプリアライメントを行う必要があ
る。
【0003】このようなプリアライメント方法として
は、図8(A)及び(B)に示すように、図示しないス
テージに設けられたホルダ1上の3つの基準位置に配置
された基準ピン2A、2B及び2Cと、同じくホルダ1
上に設けられた押付けピン3A及び3Bとを用いる方法
がある。図8(A)に示すように基準ピン2A、2B及
び2Cは、それぞれプレートPLの長辺に対して基準ピ
ン2A及び2B、またプレートPLの短辺に対して基準
ピン2Cがそれぞれ当接するように配置されている。そ
して押付けピン3A及び3Bを、基準ピン2A及び2B
に対向する位置に押付けピン3A、また基準ピン2Cに
対向させて押付けピン3Bを対向させるようにそれぞれ
配置している。
は、図8(A)及び(B)に示すように、図示しないス
テージに設けられたホルダ1上の3つの基準位置に配置
された基準ピン2A、2B及び2Cと、同じくホルダ1
上に設けられた押付けピン3A及び3Bとを用いる方法
がある。図8(A)に示すように基準ピン2A、2B及
び2Cは、それぞれプレートPLの長辺に対して基準ピ
ン2A及び2B、またプレートPLの短辺に対して基準
ピン2Cがそれぞれ当接するように配置されている。そ
して押付けピン3A及び3Bを、基準ピン2A及び2B
に対向する位置に押付けピン3A、また基準ピン2Cに
対向させて押付けピン3Bを対向させるようにそれぞれ
配置している。
【0004】ここでプレートPLがステージ2上のxy
平面内を移動自在に設けられたホルダ1の所定位置に搬
送されると、ホルダ1上に設けられた押付けピン3A及
び3Bがそれぞれ押付けアーム4A及び4Bによつて、
図中矢印A1及びA2方向からプレートPLの一方の側
の隣り合う2辺に押し付けられる。これによりプレート
PLはホルダ1上を全体として図中矢印A3方向に移動
され、押付けピンの押し付けられた2辺の他方の対辺を
基準ピン2A、2B及び2Cに当接させられる。これに
よりプレートPLがホルダ1上において位置が固定され
た状態となる。そしてこのときの基準ピン2A、2B及
び基準ピン2Cにそれぞれ設けられたアライメントマー
クを顕微鏡を備えたセンサ等によつて検出することによ
つてプレートPLのステージ上における位置を検出して
プリアライメントを行つていた。
平面内を移動自在に設けられたホルダ1の所定位置に搬
送されると、ホルダ1上に設けられた押付けピン3A及
び3Bがそれぞれ押付けアーム4A及び4Bによつて、
図中矢印A1及びA2方向からプレートPLの一方の側
の隣り合う2辺に押し付けられる。これによりプレート
PLはホルダ1上を全体として図中矢印A3方向に移動
され、押付けピンの押し付けられた2辺の他方の対辺を
基準ピン2A、2B及び2Cに当接させられる。これに
よりプレートPLがホルダ1上において位置が固定され
た状態となる。そしてこのときの基準ピン2A、2B及
び基準ピン2Cにそれぞれ設けられたアライメントマー
クを顕微鏡を備えたセンサ等によつて検出することによ
つてプレートPLのステージ上における位置を検出して
プリアライメントを行つていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述したよう
なプリアライメント機構では、プレート端面を基準ピン
及び押付けピンに接触させるため、プレートとピンとが
互いに削られて発塵するという問題があつた。この結
果、発生した塵により基準ピン周辺にパターン不良を発
生させ、感光基板の露光転写における歩留りを低下させ
るという問題があつた。
なプリアライメント機構では、プレート端面を基準ピン
及び押付けピンに接触させるため、プレートとピンとが
互いに削られて発塵するという問題があつた。この結
果、発生した塵により基準ピン周辺にパターン不良を発
生させ、感光基板の露光転写における歩留りを低下させ
るという問題があつた。
【0006】また従来、プレートを基準ピンへの押し付
け動作させる際は、ホルダ表面からプレート裏面にエア
フローをかけてプレートを動き易くしているが、例えば
プレートに反りがあるような場合、プレートの一部分が
ホルダ表面と接触することがある。この結果、プレート
はスムーズに動けなくなくなり、基準ピンに対する押し
付けが不十分となつてプリアライメント不良を発生させ
るという問題があつた。さらにこの場合、ホルダとプレ
ートとが接触した状態でプレートをホルダ上で強引に滑
らせながら基準ピンへ押し付けるというような動作が繰
り返されると、プレート裏面とホルダ表面とが擦れて発
塵するという問題があつた。さらにはプレートによつて
ホルダが削られるため、ホルダの平坦度が損なわれると
いう問題もあつた。
け動作させる際は、ホルダ表面からプレート裏面にエア
フローをかけてプレートを動き易くしているが、例えば
プレートに反りがあるような場合、プレートの一部分が
ホルダ表面と接触することがある。この結果、プレート
はスムーズに動けなくなくなり、基準ピンに対する押し
付けが不十分となつてプリアライメント不良を発生させ
るという問題があつた。さらにこの場合、ホルダとプレ
ートとが接触した状態でプレートをホルダ上で強引に滑
らせながら基準ピンへ押し付けるというような動作が繰
り返されると、プレート裏面とホルダ表面とが擦れて発
塵するという問題があつた。さらにはプレートによつて
ホルダが削られるため、ホルダの平坦度が損なわれると
いう問題もあつた。
【0007】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、プリアライメント時にプレートとアライメント用の
ピンとの接触又は、プレートとホルダとの接触を排して
プリアライメント不良の発生を未然に防止することので
きるプリアライメント装置及びその方法を提案しようと
するものである。
で、プリアライメント時にプレートとアライメント用の
ピンとの接触又は、プレートとホルダとの接触を排して
プリアライメント不良の発生を未然に防止することので
きるプリアライメント装置及びその方法を提案しようと
するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、マスク(14)に形成された回路
パターンを投影光学系(15)を介して感光基板上に露
光転写するときに、xyz及びθ方向に移動自在なステ
ージ(16)上に感光基板(PL)をホルダ(17)に
よつて保持させて、該ホルダを投影光学系(15)に対
して移動させることによつて感光基板(PL)を投影光
学系(15)に対して粗く位置合わせするプリアライメ
ント装置において、感光基板(PL)の端部(PE)を
ホルダ(17)上に設定された少なくとも3か所の基準
位置(a、b、c)において撮像するようにした撮像手
段(36)と、該撮像手段(36)によつて撮像された
端部(PE)の画像に対して処理を施す画像処理手段
(40)と、画像に対する処理によつて得られる画像情
報(S10)に基づいて感光基板(PL)の投影光学系
(15)に対する位置情報を検出して、該位置情報に基
づいて感光基板(PL)をプリアライメントさせる制御
手段(18)とを備える。
め本発明においては、マスク(14)に形成された回路
パターンを投影光学系(15)を介して感光基板上に露
光転写するときに、xyz及びθ方向に移動自在なステ
ージ(16)上に感光基板(PL)をホルダ(17)に
よつて保持させて、該ホルダを投影光学系(15)に対
して移動させることによつて感光基板(PL)を投影光
学系(15)に対して粗く位置合わせするプリアライメ
ント装置において、感光基板(PL)の端部(PE)を
ホルダ(17)上に設定された少なくとも3か所の基準
位置(a、b、c)において撮像するようにした撮像手
段(36)と、該撮像手段(36)によつて撮像された
端部(PE)の画像に対して処理を施す画像処理手段
(40)と、画像に対する処理によつて得られる画像情
報(S10)に基づいて感光基板(PL)の投影光学系
(15)に対する位置情報を検出して、該位置情報に基
づいて感光基板(PL)をプリアライメントさせる制御
手段(18)とを備える。
【0009】これによりステージ(16)上に搬送され
る感光基板(PL)の端部(PE)をホルダ(17)上
に設定された少なくとも3か所の基準位置(a、b、
c)において撮像手段(36)によつて撮像して、画像
処理手段(40)によつて撮像された端部(PE)の画
像に対して処理を施し、画像に対する処理によつて得ら
れる画像情報(S10)に基づいて感光基板(PL)の
投影光学系(15)に対する位置情報を検出して、該位
置情報に基づいて感光基板(PL)をプリアライメント
させるようにしたことにより、ステージ(16)上の感
光基板(PL)の位置情報を撮像画像に基づいて容易に
検出し得、かくして感光基板(PL)と装置との接触を
排したプリアライメントをなし得る。
る感光基板(PL)の端部(PE)をホルダ(17)上
に設定された少なくとも3か所の基準位置(a、b、
c)において撮像手段(36)によつて撮像して、画像
処理手段(40)によつて撮像された端部(PE)の画
像に対して処理を施し、画像に対する処理によつて得ら
れる画像情報(S10)に基づいて感光基板(PL)の
投影光学系(15)に対する位置情報を検出して、該位
置情報に基づいて感光基板(PL)をプリアライメント
させるようにしたことにより、ステージ(16)上の感
光基板(PL)の位置情報を撮像画像に基づいて容易に
検出し得、かくして感光基板(PL)と装置との接触を
排したプリアライメントをなし得る。
【0010】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【0011】図1において、10は全体としてステツパ
型の露光装置を示し、光源11から照射される露光光L
1は、楕円鏡12によつて集光された後、コンデンサレ
ンズ13によつて集光され、レチクル14下面の回路パ
ターン面に結像される。レチクル14に形成された回路
パターン像は、投影光学系15によつて例えば5分の1
に縮小されてステージ16上に保持されるプレートPL
表面に結像される。
型の露光装置を示し、光源11から照射される露光光L
1は、楕円鏡12によつて集光された後、コンデンサレ
ンズ13によつて集光され、レチクル14下面の回路パ
ターン面に結像される。レチクル14に形成された回路
パターン像は、投影光学系15によつて例えば5分の1
に縮小されてステージ16上に保持されるプレートPL
表面に結像される。
【0012】プレートPLはステージ16上のxy二次
元平面内において微小角に回転可能で、かつxy平面に
対して任意の角度に傾斜可能なホルダ17によつて真空
吸着される。このホルダ17は投影光学系15の光軸A
X方向(z方向)に微小に移動可能なzステージ及びx
y二次元平面上を移動可能なxyステージを備えたステ
ージ16上に設けられる。そして、このステージ16全
体は、制御系18によりステージ駆動系19を介して駆
動制御される。
元平面内において微小角に回転可能で、かつxy平面に
対して任意の角度に傾斜可能なホルダ17によつて真空
吸着される。このホルダ17は投影光学系15の光軸A
X方向(z方向)に微小に移動可能なzステージ及びx
y二次元平面上を移動可能なxyステージを備えたステ
ージ16上に設けられる。そして、このステージ16全
体は、制御系18によりステージ駆動系19を介して駆
動制御される。
【0013】ホルダ17の端部にはステージ16上の位
置を検出するためのレーザ干渉計20が光軸をそれぞれ
x軸方向及びy軸方向に沿うようにして設けられている
(ここでは図が見えにくくならぬようにx軸方向の位置
を測定するレーザ干渉計のみを示す)。レーザ干渉形2
0は、ホルダ17上において向き合う端部において、x
方向及びy方向に所定の長さをもつて設置された棒状の
移動鏡20A及び20Bにレーザビームを照射して、そ
の反射光の照射光に対する位相差からホルダ17のx方
向又はy方向に関する移動量を検出するようになされて
いる。制御系18はこの移動量に基づいてホルダ17の
ステージ上の位置を検出することができる。ここで移動
鏡20A及び20Bの反射面は高精度に仕上げられてい
るので、z方向ガイドの真直性が悪い場合でもホルダ1
7及びそれに戴置されるプレートPLの位置を高い精度
で検出することができる。
置を検出するためのレーザ干渉計20が光軸をそれぞれ
x軸方向及びy軸方向に沿うようにして設けられている
(ここでは図が見えにくくならぬようにx軸方向の位置
を測定するレーザ干渉計のみを示す)。レーザ干渉形2
0は、ホルダ17上において向き合う端部において、x
方向及びy方向に所定の長さをもつて設置された棒状の
移動鏡20A及び20Bにレーザビームを照射して、そ
の反射光の照射光に対する位相差からホルダ17のx方
向又はy方向に関する移動量を検出するようになされて
いる。制御系18はこの移動量に基づいてホルダ17の
ステージ上の位置を検出することができる。ここで移動
鏡20A及び20Bの反射面は高精度に仕上げられてい
るので、z方向ガイドの真直性が悪い場合でもホルダ1
7及びそれに戴置されるプレートPLの位置を高い精度
で検出することができる。
【0014】ホルダ17に保持されたプレートPLのス
テージ16に対する位置情報は、露光装置10の予め設
定されている3か所のアライメント基準位置に各々設け
られたアライメント顕微鏡28を用いたアライメントシ
ステム30によつて検出される。制御系18は露光開始
前、この検出されたプレートPLの位置情報に基づいて
ステージ駆動系19を介してステージ16を微動させ
て、プレートPLをステージ16上においてプリアライ
メントする。
テージ16に対する位置情報は、露光装置10の予め設
定されている3か所のアライメント基準位置に各々設け
られたアライメント顕微鏡28を用いたアライメントシ
ステム30によつて検出される。制御系18は露光開始
前、この検出されたプレートPLの位置情報に基づいて
ステージ駆動系19を介してステージ16を微動させ
て、プレートPLをステージ16上においてプリアライ
メントする。
【0015】アライメントシステム30は、高精度アラ
イメント時にアライメントマークを検出するために設け
られたアライメント顕微鏡28の設置位置に対応させた
3か所の基準位置に設けられている。ここでアライメン
ト顕微鏡が複数本ある場合は、検出するプレートエツジ
PEに一番近い顕微鏡を使用するようにすれば良い。図
2に示すようにアライメントシステム30は、透過照明
系31の超高圧水銀ランプ等の照明光源32から照明光
L2を照射し、テレセントリツクな光学系を構成するコ
ンデンサレンズ33によつてプレートPLを下面より照
明する。この透過照明系31によつて照明されるプレー
トPLの像は受光系35においてアライメント顕微鏡
(図2では簡略化してアライメント顕微鏡28の対物レ
ンズ28Aのみを示している)を介して撮像素子36に
結像される。ここでプリアライメントされるプレートP
LのプレートエツジPE形状は台形のものとしている。
イメント時にアライメントマークを検出するために設け
られたアライメント顕微鏡28の設置位置に対応させた
3か所の基準位置に設けられている。ここでアライメン
ト顕微鏡が複数本ある場合は、検出するプレートエツジ
PEに一番近い顕微鏡を使用するようにすれば良い。図
2に示すようにアライメントシステム30は、透過照明
系31の超高圧水銀ランプ等の照明光源32から照明光
L2を照射し、テレセントリツクな光学系を構成するコ
ンデンサレンズ33によつてプレートPLを下面より照
明する。この透過照明系31によつて照明されるプレー
トPLの像は受光系35においてアライメント顕微鏡
(図2では簡略化してアライメント顕微鏡28の対物レ
ンズ28Aのみを示している)を介して撮像素子36に
結像される。ここでプリアライメントされるプレートP
LのプレートエツジPE形状は台形のものとしている。
【0016】すなわち照明光L2によつてプレートPL
を照明すると、アライメント顕微鏡28の対物レンズ2
8Aを通して撮像素子36にプレートPL端部の画像が
結像される。再び図1に戻つて、撮像素子36は、ミラ
ー37を介して撮像したプレートPL端部の画像を光電
変換し、その画像信号S10を画像処理部40に送出す
る。画像処理部40は、この画像信号S10に基づいて
プレートエツジPEの撮像された画像を処理することに
より、プレートエツジPEのステージ16上における位
置を検出するようになされている。
を照明すると、アライメント顕微鏡28の対物レンズ2
8Aを通して撮像素子36にプレートPL端部の画像が
結像される。再び図1に戻つて、撮像素子36は、ミラ
ー37を介して撮像したプレートPL端部の画像を光電
変換し、その画像信号S10を画像処理部40に送出す
る。画像処理部40は、この画像信号S10に基づいて
プレートエツジPEの撮像された画像を処理することに
より、プレートエツジPEのステージ16上における位
置を検出するようになされている。
【0017】図2に示すように、受光系35の対物レン
ズ28Aの焦点位置は、予め光軸AX方向(z方向)の
所定位置ZB に設定しておく。この結果、プレートPL
がx方向における基準位置に位置し、つまりプレートエ
ツジPEがアライメントシステム30によつて撮像でき
る撮像領域内に存在し、なおかつ対物レンズ28Aのz
方向の焦点位置に位置したときに、撮像素子36によつ
て鮮明な画像が撮像できる。これにより画像処理用のCP
U(Central Processing Unit)を備えた画像処理部40
は、撮像素子36によつて撮像した画像の画像信号S1
0に基づいてプレートPLが所定のアライメント位置に
移動されたことを認識するようになされている。
ズ28Aの焦点位置は、予め光軸AX方向(z方向)の
所定位置ZB に設定しておく。この結果、プレートPL
がx方向における基準位置に位置し、つまりプレートエ
ツジPEがアライメントシステム30によつて撮像でき
る撮像領域内に存在し、なおかつ対物レンズ28Aのz
方向の焦点位置に位置したときに、撮像素子36によつ
て鮮明な画像が撮像できる。これにより画像処理用のCP
U(Central Processing Unit)を備えた画像処理部40
は、撮像素子36によつて撮像した画像の画像信号S1
0に基づいてプレートPLが所定のアライメント位置に
移動されたことを認識するようになされている。
【0018】つまり図3に示すようにアライメントシス
テム30は、各基準位置a、b及びcにおいて制御系1
8の制御によつてzステージ15を光軸AX方向にステ
ツプ移動させ、光軸AX方向の各位置ZA 、ZB 及びZ
C においてアライメントシステム30によりプレートエ
ツジPEの画像を取り込む(図2)。そして各基準位置
a、b及びcにおいて光軸AX方向に焦点の合う位置Z
B にプレートPLのz方向の位置を位置決めする。
テム30は、各基準位置a、b及びcにおいて制御系1
8の制御によつてzステージ15を光軸AX方向にステ
ツプ移動させ、光軸AX方向の各位置ZA 、ZB 及びZ
C においてアライメントシステム30によりプレートエ
ツジPEの画像を取り込む(図2)。そして各基準位置
a、b及びcにおいて光軸AX方向に焦点の合う位置Z
B にプレートPLのz方向の位置を位置決めする。
【0019】画像処理部40は、この撮像素子36によ
り位置ZB において撮像したプレートPLの画像信号S
10を微分処理して、その結果得られる微分値の最大値
をプレートPLのx座標として認識するようになされて
いる。この場合、プレートPLのx座標xPEはレーザ干
渉計20からのステージ位置xstg 及びエツジ出力位置
xB を用いて次式
り位置ZB において撮像したプレートPLの画像信号S
10を微分処理して、その結果得られる微分値の最大値
をプレートPLのx座標として認識するようになされて
いる。この場合、プレートPLのx座標xPEはレーザ干
渉計20からのステージ位置xstg 及びエツジ出力位置
xB を用いて次式
【数1】 によつて表される。
【0020】ホルダ17上に保持されたプレートPLの
z方向の位置及び傾きは、フオーカス及びレベリングセ
ンサ45によつて検出される。フオーカス及びレベリン
グセンサ45は、投光部45Aより非露光波長の光束B
PLをプレートPL上に照射して、その反射した光束B
RLを受光部45Bによつて受光するものである。すな
わちフオーカス及びレベリングセンサ45は、まず投光
部45AからプレートPL上の露光面に光束BPLによ
るスリツトパターンを斜めに投射して、その反射光を受
光部45Bの受光面に結像させる。このときプレートP
Lがz方向に変位すると、それに応じて受光面に結像さ
れたスリツトパターン像が変位する。この関係を用い
て、予めプレートPL上の露光面が投影光学系15の結
像点に合致しているときのスリツトパターン像の結像位
置を基準位置として記憶させておくことにより、この基
準位置に対する像のずれ量を検出することができる。
z方向の位置及び傾きは、フオーカス及びレベリングセ
ンサ45によつて検出される。フオーカス及びレベリン
グセンサ45は、投光部45Aより非露光波長の光束B
PLをプレートPL上に照射して、その反射した光束B
RLを受光部45Bによつて受光するものである。すな
わちフオーカス及びレベリングセンサ45は、まず投光
部45AからプレートPL上の露光面に光束BPLによ
るスリツトパターンを斜めに投射して、その反射光を受
光部45Bの受光面に結像させる。このときプレートP
Lがz方向に変位すると、それに応じて受光面に結像さ
れたスリツトパターン像が変位する。この関係を用い
て、予めプレートPL上の露光面が投影光学系15の結
像点に合致しているときのスリツトパターン像の結像位
置を基準位置として記憶させておくことにより、この基
準位置に対する像のずれ量を検出することができる。
【0021】フオーカス及びレベリングセンサ45は、
受光部45Bで基準位置に対してずれた像を検出する
と、それに応じたフオーカス信号を制御系18に送出す
る。これにより制御系18はフオーカス信号に応じた補
正量を算出して、この補正量に基づいてステージ16の
傾きを補正し、常に光軸AX方向に対してプレートPL
の露光面が垂直になるような制御をなし得る。
受光部45Bで基準位置に対してずれた像を検出する
と、それに応じたフオーカス信号を制御系18に送出す
る。これにより制御系18はフオーカス信号に応じた補
正量を算出して、この補正量に基づいてステージ16の
傾きを補正し、常に光軸AX方向に対してプレートPL
の露光面が垂直になるような制御をなし得る。
【0022】以上の構成において、図示しない搬送系に
よつてプレートPLが露光装置10のステージ16上に
搬送されると、プレートPLはホルダ17に真空吸着さ
れる。このときプレートPLは図3に示すように、投影
光学系15の露光中心Eに対して予めホルダ17上に設
定されている3か所の基準位置a、b及びcのもとに、
ほぼプレートPLが位置するようにステージ16を駆動
することによつて位置決めされる。
よつてプレートPLが露光装置10のステージ16上に
搬送されると、プレートPLはホルダ17に真空吸着さ
れる。このときプレートPLは図3に示すように、投影
光学系15の露光中心Eに対して予めホルダ17上に設
定されている3か所の基準位置a、b及びcのもとに、
ほぼプレートPLが位置するようにステージ16を駆動
することによつて位置決めされる。
【0023】プレートPLのプレートエツジPEがステ
ージ16上において各基準位置a、b及びcのもとに位
置決めされると、アライメントシステム30により各基
準位置a、b及びcでのプレートエツジPEの撮像が開
始される。アライメントシステム30によつて撮像され
るプレートエツジPEの画像は、z方向の焦点位置が多
少ずれているとき、画像自体はぼやけたものとなるが、
輝度分布の特徴からプレートPLが撮像領域内に存在す
るか否かは認識することができる。
ージ16上において各基準位置a、b及びcのもとに位
置決めされると、アライメントシステム30により各基
準位置a、b及びcでのプレートエツジPEの撮像が開
始される。アライメントシステム30によつて撮像され
るプレートエツジPEの画像は、z方向の焦点位置が多
少ずれているとき、画像自体はぼやけたものとなるが、
輝度分布の特徴からプレートPLが撮像領域内に存在す
るか否かは認識することができる。
【0024】さて、実際の撮像は各基準位置a、b及び
cにおいて制御系18の制御によつてステージ16を光
軸AX方向にステツプ移動させ、光軸AX方向の各位置
ZA、ZB 及びZC においてアライメントシステム30
によりプレートエツジPEの画像を取り込む。この場
合、アライメント顕微鏡28の焦点位置は予め位置Bに
合わせられているので、撮像された画像のx軸方向の輝
度分布は焦点位置ZB では、プレートPLとそれ以外の
部分とで明瞭な輝度差がみられるが、それ以外の位置Z
A 又はZC では画像全体が不明瞭な輝度特性を有するも
のとして観察される。
cにおいて制御系18の制御によつてステージ16を光
軸AX方向にステツプ移動させ、光軸AX方向の各位置
ZA、ZB 及びZC においてアライメントシステム30
によりプレートエツジPEの画像を取り込む。この場
合、アライメント顕微鏡28の焦点位置は予め位置Bに
合わせられているので、撮像された画像のx軸方向の輝
度分布は焦点位置ZB では、プレートPLとそれ以外の
部分とで明瞭な輝度差がみられるが、それ以外の位置Z
A 又はZC では画像全体が不明瞭な輝度特性を有するも
のとして観察される。
【0025】ここで例えば基準位置aにおいてz軸方向
の各位置ZA 、ZB 及びZC においてプレートエツジP
Eを撮像素子36を通じて撮像した場合、画像処理部4
0は各位置ZA 、ZB 及びZC で取り込んだプレートエ
ツジPEの画像信号S10(図4(A))を微分フイル
タを用いて微分する。その結果、図5に示すような撮像
画面a1におけるz軸上の各位置ZA 、ZB 及びZC で
のx軸方向への画像信号S10の微分値の分布は図4
(B)に示すような特性を示す。ここで説明の便宜上、
プレートPLの光透過率はほぼゼロとしている。
の各位置ZA 、ZB 及びZC においてプレートエツジP
Eを撮像素子36を通じて撮像した場合、画像処理部4
0は各位置ZA 、ZB 及びZC で取り込んだプレートエ
ツジPEの画像信号S10(図4(A))を微分フイル
タを用いて微分する。その結果、図5に示すような撮像
画面a1におけるz軸上の各位置ZA 、ZB 及びZC で
のx軸方向への画像信号S10の微分値の分布は図4
(B)に示すような特性を示す。ここで説明の便宜上、
プレートPLの光透過率はほぼゼロとしている。
【0026】すなわちプレートPLをアライメント顕微
鏡28の焦点位置ZB で撮像した場合、プレートエツジ
PEの画像信号S10は焦点が合つているので画像が鮮
明なものとなり、プレートPLを撮像した部分とそうで
ない部分との輝度差が明瞭となる(図5)。従つて輝度
成分のプレートエツジPEにおける微分値を明瞭なピー
クとして捉えることができる。これにより制御系18
は、光軸AX方向においてピーク値の検出された焦点位
置ZB にプレートPLをアライメントさせることができ
る。
鏡28の焦点位置ZB で撮像した場合、プレートエツジ
PEの画像信号S10は焦点が合つているので画像が鮮
明なものとなり、プレートPLを撮像した部分とそうで
ない部分との輝度差が明瞭となる(図5)。従つて輝度
成分のプレートエツジPEにおける微分値を明瞭なピー
クとして捉えることができる。これにより制御系18
は、光軸AX方向においてピーク値の検出された焦点位
置ZB にプレートPLをアライメントさせることができ
る。
【0027】またアライメントシステム30は、アライ
メント顕微鏡28によつて撮像する撮像画面a1内にプ
レートエツジPEをxy平面上で位置合わせするための
基準の座標位置を示す指標Rを設けている。そこで制御
系18により、指標Rを用いて画像処理部40において
画像処理した撮像画面a1からプレートエツジPEの座
標xB の指標Rの座標xR に対するx方向のずれ量xD
を検出することができる。
メント顕微鏡28によつて撮像する撮像画面a1内にプ
レートエツジPEをxy平面上で位置合わせするための
基準の座標位置を示す指標Rを設けている。そこで制御
系18により、指標Rを用いて画像処理部40において
画像処理した撮像画面a1からプレートエツジPEの座
標xB の指標Rの座標xR に対するx方向のずれ量xD
を検出することができる。
【0028】制御系18は、x方向のずれ量xD をもと
にしたx方向の補正量に基づいてステージ駆動系19を
介してステージ16を駆動制御する。これによりプレー
トPLを基準位置aにおいてステージ16に対してアラ
イメントすることができる。以下、y方向のずれ量を補
正する基準位置b及びcについてもx軸方向に代えてy
軸方向を基準とすることにより上述したのと同じアライ
メント手法を用いてアライメントすることができる。こ
れにより位置検出ピン等の物理的な接触を排して、プレ
ートエツジPEを撮像した画像の処理によつてプレート
PLをステージ16上にアライメントすることができ
る。かくして露光転写する際、ステージ上に搬送される
プレートPLをプリアライメントするのに、ホルダ及び
位置検出ピンとの接触による磨耗やそれに伴う塵の発生
等を未然に防止することができる。
にしたx方向の補正量に基づいてステージ駆動系19を
介してステージ16を駆動制御する。これによりプレー
トPLを基準位置aにおいてステージ16に対してアラ
イメントすることができる。以下、y方向のずれ量を補
正する基準位置b及びcについてもx軸方向に代えてy
軸方向を基準とすることにより上述したのと同じアライ
メント手法を用いてアライメントすることができる。こ
れにより位置検出ピン等の物理的な接触を排して、プレ
ートエツジPEを撮像した画像の処理によつてプレート
PLをステージ16上にアライメントすることができ
る。かくして露光転写する際、ステージ上に搬送される
プレートPLをプリアライメントするのに、ホルダ及び
位置検出ピンとの接触による磨耗やそれに伴う塵の発生
等を未然に防止することができる。
【0029】以上の構成によれば、露光装置10に搬送
されるプレートPLにレチクル14に描画された回路パ
ターンを露光転写する際、アライメントシステム30に
おいて透過照明系31によつて照明されたプレートエツ
ジPEを撮像素子36によつて撮像して、画像処理部4
0で画像処理してプレートエツジPEのステージ16上
における位置を検出するようにしたことにより、プレー
トPLに対してピン等を接触させずにプリアライメント
することができるようになり、かくして基準ピン等の接
触を排してによる発塵を未然に防止し得る。さらに、従
来のように基準ピン等の接触がなくなることによつて、
アライメントに用いられる部位が長期間の使用により磨
耗して劣化することがなくなり、アライメント精度の低
下を防止し得る。さらに上述の実施例によれば、搬送系
によりプレートPLをホルダ17上に載置後、すぐにホ
ルダ上に吸着できるため、プレートPLをホルダ17上
で移動させることなくプリアライメントし得、ホルダ1
7上をプレートPLを滑らせることによる磨耗、それに
伴う平坦度の劣化や発塵の問題も未然に防止し得る。
されるプレートPLにレチクル14に描画された回路パ
ターンを露光転写する際、アライメントシステム30に
おいて透過照明系31によつて照明されたプレートエツ
ジPEを撮像素子36によつて撮像して、画像処理部4
0で画像処理してプレートエツジPEのステージ16上
における位置を検出するようにしたことにより、プレー
トPLに対してピン等を接触させずにプリアライメント
することができるようになり、かくして基準ピン等の接
触を排してによる発塵を未然に防止し得る。さらに、従
来のように基準ピン等の接触がなくなることによつて、
アライメントに用いられる部位が長期間の使用により磨
耗して劣化することがなくなり、アライメント精度の低
下を防止し得る。さらに上述の実施例によれば、搬送系
によりプレートPLをホルダ17上に載置後、すぐにホ
ルダ上に吸着できるため、プレートPLをホルダ17上
で移動させることなくプリアライメントし得、ホルダ1
7上をプレートPLを滑らせることによる磨耗、それに
伴う平坦度の劣化や発塵の問題も未然に防止し得る。
【0030】さらに上述の実施例によれば、プレートエ
ツジPEの位置検出を画像処理によつて行うようにした
ことにより、プレートエツジPE像の画像信号S10に
対して平均化処理やスムージング処理を施して容易にプ
リアライメント精度を向上し得る。さらに上述の実施例
によれば、プレートエツジPE面像の検出のため、既に
アライメントマークを検出するために露光装置10に組
込まれているアライメント顕微鏡28を用いることによ
つて新たにアライメントシステムを設ける際の装置コス
トを削減し得る。
ツジPEの位置検出を画像処理によつて行うようにした
ことにより、プレートエツジPE像の画像信号S10に
対して平均化処理やスムージング処理を施して容易にプ
リアライメント精度を向上し得る。さらに上述の実施例
によれば、プレートエツジPE面像の検出のため、既に
アライメントマークを検出するために露光装置10に組
込まれているアライメント顕微鏡28を用いることによ
つて新たにアライメントシステムを設ける際の装置コス
トを削減し得る。
【0031】さらに上述の実施例によれば、プレートP
Lの大きさが異なるものに対してもアライメントシステ
ム30に設定するアライメントの基準位置を変えるのみ
で、容易にプレートPLの大きさの変化に対応させたプ
リアライメントがなし得る。
Lの大きさが異なるものに対してもアライメントシステ
ム30に設定するアライメントの基準位置を変えるのみ
で、容易にプレートPLの大きさの変化に対応させたプ
リアライメントがなし得る。
【0032】なお上述の実施例においては、プレートエ
ツジPEを検出する基準位置を3か所とした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、少なくとも3か所
以上であれば良く、これによりステージ16上にプレー
トPLを位置決めすることができる。
ツジPEを検出する基準位置を3か所とした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、少なくとも3か所
以上であれば良く、これによりステージ16上にプレー
トPLを位置決めすることができる。
【0033】また上述の実施例においては、撮像素子3
6によつて撮像したプレートエツジPE画像の処理を微
分処理してプレートエツジPEを位置検出した場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、フーリ
エ変換を応用したものやテクスチユア解析等により画像
処理するようにしても上述した実施例と同様の効果を得
ることができる。
6によつて撮像したプレートエツジPE画像の処理を微
分処理してプレートエツジPEを位置検出した場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば、フーリ
エ変換を応用したものやテクスチユア解析等により画像
処理するようにしても上述した実施例と同様の効果を得
ることができる。
【0034】さらに上述の実施例においては、ステージ
16上において液晶パネル用のプレートPLをプリアラ
イメントした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、図6に示すような半導体装置のウエハWについて
プリアライメントするようにしても良い。この場合、ウ
エハWに対して設定されるプリアライメントの基準位置
として位置a′、b′及びc′が考えられる。すなわち
基準位置a′は円弧上の所定位置、基準位置b′及び
c′はオリエンテーシヨンフラツト上に設定することに
よつて効率的にプリアライメントし得る。
16上において液晶パネル用のプレートPLをプリアラ
イメントした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、図6に示すような半導体装置のウエハWについて
プリアライメントするようにしても良い。この場合、ウ
エハWに対して設定されるプリアライメントの基準位置
として位置a′、b′及びc′が考えられる。すなわち
基準位置a′は円弧上の所定位置、基準位置b′及び
c′はオリエンテーシヨンフラツト上に設定することに
よつて効率的にプリアライメントし得る。
【0035】さらに上述の実施例においては、プレート
エツジPEの形状を台形とした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えば図7(A)及び(B)に
示すようなプレートエツジPE1又は丸みのあるプレー
トエツジPE2のようなものでも良い。すなわちアライ
メントシステム30ではz方向に移動しながら、プレー
トエツジの画像を取り込むようにしたため、プレートエ
ツジの形状にかかわりなく画像処理できるという利点が
ある。さらに上述の実施例においては、プレートPLを
透過率がゼロのものとした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、光透過率がゼロでなくとも画像処理
の精度を高めたり、画像処理手法を変えることによつて
プレートエツジPEを容易に検出し得る。
エツジPEの形状を台形とした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えば図7(A)及び(B)に
示すようなプレートエツジPE1又は丸みのあるプレー
トエツジPE2のようなものでも良い。すなわちアライ
メントシステム30ではz方向に移動しながら、プレー
トエツジの画像を取り込むようにしたため、プレートエ
ツジの形状にかかわりなく画像処理できるという利点が
ある。さらに上述の実施例においては、プレートPLを
透過率がゼロのものとした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、光透過率がゼロでなくとも画像処理
の精度を高めたり、画像処理手法を変えることによつて
プレートエツジPEを容易に検出し得る。
【0036】さらに上述の実施例においては、アライメ
ントシステム30の照明系を透過照明系とした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、反射照明系によ
るものでも上述した実施例と同様の効果をえることがで
きる。
ントシステム30の照明系を透過照明系とした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、反射照明系によ
るものでも上述した実施例と同様の効果をえることがで
きる。
【0037】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、マスク
に形成された回路パターンを投影光学系を介して感光基
板上に露光転写するときに、xyz及びθ方向に移動自
在なステージ上に感光基板をホルダによつて保持させ
て、該ホルダを投影光学系に対して移動させることによ
つて感光基板を投影光学系に対して粗く位置合わせする
するようにしたプリアライメント装置において、ステー
ジ上に搬送される感光基板の端部を撮像手段によつてホ
ルダ上に設定された少なくとも3か所の基準位置におい
て撮像して、画像処理手段によつて撮像された端部の画
像に対して処理を施し、この画像処理によつて得られる
画像情報に基づいて感光基板の投影光学系に対する位置
情報を検出するようにしたことにより、ステージ上にお
ける感光基板の位置情報を撮像画像に基づいて容易に検
出し得る。かくして、該位置情報に基づいて感光基板を
装置との接触を排して容易にプリアライメントし得るプ
リアライメント装置を実現し得る。
に形成された回路パターンを投影光学系を介して感光基
板上に露光転写するときに、xyz及びθ方向に移動自
在なステージ上に感光基板をホルダによつて保持させ
て、該ホルダを投影光学系に対して移動させることによ
つて感光基板を投影光学系に対して粗く位置合わせする
するようにしたプリアライメント装置において、ステー
ジ上に搬送される感光基板の端部を撮像手段によつてホ
ルダ上に設定された少なくとも3か所の基準位置におい
て撮像して、画像処理手段によつて撮像された端部の画
像に対して処理を施し、この画像処理によつて得られる
画像情報に基づいて感光基板の投影光学系に対する位置
情報を検出するようにしたことにより、ステージ上にお
ける感光基板の位置情報を撮像画像に基づいて容易に検
出し得る。かくして、該位置情報に基づいて感光基板を
装置との接触を排して容易にプリアライメントし得るプ
リアライメント装置を実現し得る。
【図1】本発明によるプリアライメント装置の全体構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図2】アライメントシステムによる位置検出の説明に
供する略線図である。
供する略線図である。
【図3】感光基板の基準位置への位置決めの説明に供す
る平面図である。
る平面図である。
【図4】撮像画像を画像処理するときの説明に供する信
号波形図である。
号波形図である。
【図5】撮像素子によつて撮像された感光基板の撮像画
面の説明に供する略線図である。
面の説明に供する略線図である。
【図6】ウエハの基準位置の設定の説明に供する平面図
である。
である。
【図7】感光基板のエツジ形状を示す断面図である。
【図8】従来のプリアライメント方法の説明に供する上
面図である。
面図である。
10……プリアライメント装置、11……光源、12…
…楕円鏡、13……コンデンサレンズ、14……レチク
ル、15……投影光学系、16……ステージ、17……
ホルダ、、18……制御系、19……ステージ駆動系、
20……レーザ干渉計、20A、20B……移動鏡、2
8……アライメント顕微鏡、30……アライメントシス
テム、31……透過照明系、36……撮像素子、40…
…画像処理部。
…楕円鏡、13……コンデンサレンズ、14……レチク
ル、15……投影光学系、16……ステージ、17……
ホルダ、、18……制御系、19……ステージ駆動系、
20……レーザ干渉計、20A、20B……移動鏡、2
8……アライメント顕微鏡、30……アライメントシス
テム、31……透過照明系、36……撮像素子、40…
…画像処理部。
Claims (3)
- 【請求項1】マスクに形成された回路パターンを投影光
学系を介して感光基板上に露光転写するときに、xyz
及びθ方向に移動自在なステージ上に前記感光基板をホ
ルダによつて保持させて、該ホルダを前記投影光学系に
対して移動させることによつて前記感光基板を前記投影
光学系に対して粗く位置合わせするプリアライメント装
置において、 前記感光基板の端部を前記ホルダ上に設定された少なく
とも3か所の基準位置において撮像するようにした撮像
手段と、 該撮像手段によつて撮像された前記端部の画像に対して
処理を施す画像処理手段と、 前記画像に対する処理によつて得られる画像情報に基づ
いて前記感光基板の前記投影光学系に対する位置情報を
検出して、該位置情報に基づいて前記感光基板をプリア
ライメントさせる制御手段とを備えることを特徴とする
プリアライメント装置。 - 【請求項2】前記撮像手段は、前記感光基板の端部を照
明する照明系及び、照明された前記端部を拡大する顕微
鏡並びに、拡大された前記端部を撮像して光電変換する
ための光電変換素子とからなることを特徴とする請求項
1に記載のプリアライメント装置。 - 【請求項3】前記画像処理手段は、微分フイルタを有
し、撮像された前記端部の画像信号に対して微分処理を
施すことを特徴とする請求項1に記載のプリアライメン
ト装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8139430A JPH09297408A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | プリアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8139430A JPH09297408A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | プリアライメント装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09297408A true JPH09297408A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=15245020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8139430A Pending JPH09297408A (ja) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | プリアライメント装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09297408A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7126689B2 (en) | 2000-02-15 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
JP4791597B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2011-10-12 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノ・インプリント・プロセスにおける基板のアラインメント・システム及び方法 |
CN109313405A (zh) * | 2016-06-13 | 2019-02-05 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定衬底上目标结构的位置的方法和设备、用于确定衬底的位置的方法和设备 |
-
1996
- 1996-05-08 JP JP8139430A patent/JPH09297408A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7126689B2 (en) | 2000-02-15 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
JP4791597B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2011-10-12 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノ・インプリント・プロセスにおける基板のアラインメント・システム及び方法 |
CN109313405A (zh) * | 2016-06-13 | 2019-02-05 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定衬底上目标结构的位置的方法和设备、用于确定衬底的位置的方法和设备 |
KR20190013988A (ko) * | 2016-06-13 | 2019-02-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 상의 타겟 구조체의 위치를 결정하는 방법 및 장치, 기판의 위치를 결정하는 방법 및 장치 |
JP2019523905A (ja) * | 2016-06-13 | 2019-08-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上のターゲット構造の位置を決定するための方法及び装置、並びに、基板の位置を決定するための方法及び装置 |
CN109313405B (zh) * | 2016-06-13 | 2021-09-24 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定衬底上目标结构的位置的方法和设备、用于确定衬底的位置的方法和设备 |
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