KR950001869A - 노광장치와 이것을 이용한 디바이스제조방법 - Google Patents

노광장치와 이것을 이용한 디바이스제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001869A
KR950001869A KR1019940015097A KR19940015097A KR950001869A KR 950001869 A KR950001869 A KR 950001869A KR 1019940015097 A KR1019940015097 A KR 1019940015097A KR 19940015097 A KR19940015097 A KR 19940015097A KR 950001869 A KR950001869 A KR 950001869A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
exposure apparatus
stage
pattern
original
Prior art date
Application number
KR1019940015097A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0139039B1 (ko
Inventor
류이치 에비누마
Original Assignee
미타라이 하지메
캐논 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP16225393A external-priority patent/JP3244872B2/ja
Priority claimed from JP16196193A external-priority patent/JP3244871B2/ja
Application filed by 미타라이 하지메, 캐논 가부시기가이샤 filed Critical 미타라이 하지메
Publication of KR950001869A publication Critical patent/KR950001869A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0139039B1 publication Critical patent/KR0139039B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 양호한 전사정밀도를 얻을 수 있는 개량된 주사노광형 노광장치의 제공을 목적으로 하는 것으로서, 원판의 패턴의 일부를 기판상에 투영하고, 이 원판 및 기판을 동기주사시켜서, 원판의 패턴을 기판에 전사하는 노광장치에 있어서, 원판 및 웨이퍼를 각각 주사이동시키기 위한 원판용 스테이지 및 웨이퍼용 스테이지와, 상기 주사이동방향이외의 소정의 방향에 있어서의 상기 원판용 스테이지의 일탈을 계측하기 위한 계측계와, 상기 계측계에 의한 계측결과에 의거하여 상기 원판용 스테이지의 일탈의 영향을 경감시키기 위한 보정계를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

노광장치와 이것을 이용한 디바이스제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 노광장치의 개략도.

Claims (11)

  1. 원판의 패턴의 일부를 기판상에 투영하고, 이 원판 및 기판을 동기주사시켜서, 원판의 패턴을 기판에 전사하는 노광장치에 있어서, 한쪽이 원판을, 다른쪽이 기판을 주사이동시키기 위한 제1및 제2스테이지와, 상기 주사이동의 방향이외의 소정의 방향에 있어서의 상기 제1스테이지의 일탈을 계측하기 위한 계측수단과, 상기 계측수단에 의한 계측결과에 의거해서 상기 제1스테이지의 일탈의 영향을 경감시키기 위한 보정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보정수단은 상기 계측수단에 의한 계측결과에 의거해서 상기 제2스테이지의 이동을 조정하는 것임을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 계측수단은 레이저간섭계을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소정의 방향은 주사이동의 방향에 대해서 수직인 방향인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소정의 방향은 원판 또는 기판에 대해서 수직인 축을 중심으로 하는 회전방향인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 원판의 패턴을 기판에 축소투영해서, 이들 축소된 패턴을 기판의 상이한 영역에 인쇄하는 수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 원판의 패턴의 일부를 기판상에 투영하고, 이 원판 및 기판을 동기주사시켜서, 원판의 패턴을 기판에 전사하는 노광장치에 있어서, 원판 및 기판중 한쪽을 주사이동시키기 위한 스테이지와, 상기 스테이지에 설치되어 상기 스테이지의 위치계측에 사용되는 기준부재와, 상기 기준부재와 협동해서 상기 스테이지의 주사이동방향을 검출하는 검출수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 검출수단에 의한 검출결과에 의거해서 상기 주사이동방향을 보정하는 보정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 스테이지의 위치를 계측하기 위한 레이저간섭계를 또 구비하고, 상기 기준부재는 상기 레이저간섭계에 이용되는 기준반사격으로 구성된 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제7항에 있어서, 사이 검출수단은 상기 스테이지와는 독립된 위치에 설치된 오토콜리메니터를 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제7항에 있어서, 원판의 패턴을 기판상에 축소투영해서, 이들 축소된 패턴을 기판의 상이한 영역에 인쇄하는 수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940015097A 1993-06-30 1994-06-29 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 KR0139039B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16225393A JP3244872B2 (ja) 1993-06-30 1993-06-30 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法
JP16196193A JP3244871B2 (ja) 1993-06-30 1993-06-30 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法
JP93-162253 1993-06-30
JP93-161961 1993-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950001869A true KR950001869A (ko) 1995-01-04
KR0139039B1 KR0139039B1 (ko) 1998-06-01

Family

ID=26487905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940015097A KR0139039B1 (ko) 1993-06-30 1994-06-29 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5796469A (ko)
KR (1) KR0139039B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100454000B1 (ko) * 1995-11-16 2004-12-30 가부시키가이샤 니콘 리소그래피장치의제조방법
KR100482019B1 (ko) * 1995-10-16 2005-11-08 가부시키가이샤 니콘 주사형노광장치및방법

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5477304A (en) 1992-10-22 1995-12-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
USRE38113E1 (en) 1993-04-02 2003-05-06 Nikon Corporation Method of driving mask stage and method of mask alignment
US5854671A (en) * 1993-05-28 1998-12-29 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure
JP3381334B2 (ja) * 1993-10-20 2003-02-24 株式会社ニコン 投影露光装置
US6989647B1 (en) * 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
JP3363662B2 (ja) 1994-05-19 2003-01-08 キヤノン株式会社 走査ステージ装置およびこれを用いた露光装置
US5850280A (en) * 1994-06-16 1998-12-15 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure and apparatus using same
US6721034B1 (en) 1994-06-16 2004-04-13 Nikon Corporation Stage unit, drive table, and scanning exposure apparatus using the same
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
JPH08293459A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Nikon Corp ステージ駆動制御方法及びその装置
TW318255B (ko) 1995-05-30 1997-10-21 Philips Electronics Nv
DE69629087T2 (de) * 1995-05-30 2004-04-22 Asml Netherlands B.V. Positionierungsgerät mit einem referenzrahmen für ein messsystem
US5907392A (en) * 1995-07-20 1999-05-25 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3815750B2 (ja) * 1995-10-09 2006-08-30 キヤノン株式会社 ステージ装置、ならびに前記ステージ装置を用いた露光装置およびデバイス製造方法
KR970067591A (ko) 1996-03-04 1997-10-13 오노 시게오 투영노광장치
JPH09320933A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 走査型露光装置
JP3661291B2 (ja) * 1996-08-01 2005-06-15 株式会社ニコン 露光装置
JP3266515B2 (ja) * 1996-08-02 2002-03-18 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置
US6172738B1 (en) * 1996-09-24 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same
KR100525521B1 (ko) 1996-10-21 2006-01-27 가부시키가이샤 니콘 노광장치및노광방법
JP3890136B2 (ja) * 1997-03-25 2007-03-07 キヤノン株式会社 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置
US6195155B1 (en) * 1997-04-18 2001-02-27 Nikon Corporation Scanning type exposure method
US6235438B1 (en) 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3535749B2 (ja) 1997-12-10 2004-06-07 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2000124122A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法
DE10136388A1 (de) * 2001-07-26 2003-02-13 Zeiss Carl System zum Vermessen eines optischen Systems, insbesondere eines Objektives
CN103676488B (zh) * 2012-09-10 2016-02-03 上海微电子装备有限公司 掩模交接机构及具有该掩模交接机构的掩模台

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61160934A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
JPS61251025A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Canon Inc 投影露光装置
US5148214A (en) * 1986-05-09 1992-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure apparatus
JPS62262426A (ja) * 1986-05-09 1987-11-14 Canon Inc 露光装置
JP2631485B2 (ja) * 1988-01-28 1997-07-16 キヤノン株式会社 位置決め装置
DE68921687T2 (de) * 1988-09-02 1995-08-03 Canon Kk Belichtungseinrichtung.
JP2728898B2 (ja) * 1988-10-05 1998-03-18 キヤノン株式会社 露光装置
JP2777915B2 (ja) * 1989-08-30 1998-07-23 キヤノン株式会社 位置合わせ機構
JPH03198320A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Nikon Corp 投影光学装置
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
EP0444937B1 (en) * 1990-03-02 1998-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2860578B2 (ja) * 1990-03-02 1999-02-24 キヤノン株式会社 露光装置
NL9000503A (nl) * 1990-03-05 1991-10-01 Asm Lithography Bv Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH05152186A (ja) * 1991-05-01 1993-06-18 Canon Inc 測定装置及び露光装置及び露光装置の位置決め方法
JP2864060B2 (ja) * 1991-09-04 1999-03-03 キヤノン株式会社 縮小投影型露光装置及び方法
US5281996A (en) * 1992-09-04 1994-01-25 General Signal Corporation Photolithographic reduction imaging of extended field
US5291240A (en) * 1992-10-27 1994-03-01 Anvik Corporation Nonlinearity-compensated large-area patterning system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482019B1 (ko) * 1995-10-16 2005-11-08 가부시키가이샤 니콘 주사형노광장치및방법
KR100454000B1 (ko) * 1995-11-16 2004-12-30 가부시키가이샤 니콘 리소그래피장치의제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0139039B1 (ko) 1998-06-01
US5796469A (en) 1998-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001869A (ko) 노광장치와 이것을 이용한 디바이스제조방법
KR970012018A (ko) 면위치검출방법 및 이것을 이용한 주사노광방법
JP3109852B2 (ja) 投影露光装置
US5523843A (en) Position detecting system
EP1014199A3 (en) Stage control apparatus and exposure apparatus
KR970007505A (ko) 주사노광장치 및 이것을 사용한 노광방법
KR970072024A (ko) 투영노광장치
KR950014931A (ko) 스캐닝형 노출 장치 및 노출 방법
KR970067585A (ko) 결상특성의 측정방법 및 투영노광방법
KR960042227A (ko) 투영노광장치
KR950034473A (ko) 노광장치 및 방법
KR910019166A (ko) 초점면 검출 방법 및 장치
KR960015755A (ko) 주사형 광노출장치
KR960005918A (ko) 투영광학계의 코마수차검출방법
KR970016827A (ko) 노광 방법 및 노광 장치
KR960035165A (ko) 얼라인먼트 방법 및 장치
KR970705830A (ko) 위치 조정 방법
KR950019952A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
KR960002515A (ko) 노광방법 및 이 방법을 사용한 노광장치
JP3316706B2 (ja) 投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法
US6169602B1 (en) Inspection method and apparatus for projection optical systems
KR960015096A (ko) 노광 방법 및 노광 장치
KR970062822A (ko) 노광장치
JPH0510748A (ja) 位置情報検出装置およびそれを用いた転写装置
KR950004369A (ko) 투영 노광 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120127

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130123

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term