KR970705830A - 위치 조정 방법 - Google Patents

위치 조정 방법

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KR970705830A
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요수케 사라다
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오노 시게오
가부시키가이샤 니콘
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Abstract

각 숏 영역의 웨이퍼 마크를 얼라이먼트 센서로 계측하고, 이 계측결과 및 설계 데이타로부터 EGA법에 의해 각 숏 영역의 기준점의 선형 좌표치를 구한다9스텝 101~109). 그 선형 좌표치에 의서하여 근사식을 사용하고 숏 배열의 비선형 성분을 고려한 곡선 배열 좌표를 구하고(스텝110), 그 곡선 배열 좌표로부터 보간법에 의해 각 숏 영역의 윤곽을 표시하는 윤곽곡선을 구한다(스텝111), 그 윤곽 곡선으로 표시되는 갓 숏 영역의 왜곡에 대응하여 레티클 스테이지 주사방향, 회전방향 및, 웨이퍼 스테이지의 높이를 변화시키면서 노광을 행한다(스텝114).

Description

위치 조정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 위치조정방법의 1실시예를 예시하는 플로차트.

Claims (4)

  1. 마스크에 형성된 패턴을 기판상의 각 숏 영역에 전사하는 노광장치로, 상기 기판의 각 숏 영역과 상기 마스크 패턴광의 위치조정을 행하기 위한 위치조정 방법에 있어서, 상기 기판상의 전체의 숏 영역 중 소정의 복수 숏 영역에 속하는 소정의 기준점의 배열 좌표를 각각 계측하는 제1공정과, 상기 제1공정에서 계측된 실측 배열 좌표 및 상기 기판상의 소정 복수개의 숏 영역에 속하는 상기 소정의 기준점 설게상의 배열 좌표를 통계 처리하고, 상기 소정의 기준점 실측 배열좌표의 선형성분을 산출하는 제2공정과, 상기 실측 배열좌표로 부터 상기 선형부분을 빼내어 비 선형성분을 구하는 제3공정과, 상기 제3공정에서 구해진 비 선형 성분의 의거하여 상기 기판상의 각 숏 영역의 왜곡을 구하는 제4공정을 가지는 것을 특징으로 하는 위치조정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제4공정에서 검출된 각 숏 영역의왜곡에 맞추어서 상기 기판상에 있어서의 상기 마스트 패턴의 투영상을 왜곡시키는 것을 특징으로 하는 위치조정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1공정에서 계측된 실측 배열 좌표에 의거하여 상기 소정의 기준점을 통과하는 복수의 곡선을 근사하게 하고, 이 근사에 의해 얻어지는 복수의 곡선에 의거하여 상기 기판상의 각 숏 영역의 윤곽을 구하는 것을 특징으로 하는 위치조정 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 노광장치는 상기 마스트와 상기 기판을 상대적으로 주사하여 상기 마스트의 패턴을 차례로 상기 기판의 각 숏 영역에 전사하는 주사 노광형의 노광장치이며, 상기 기판상에 있어서의 상기 마스크 패턴의 투영성을 왜곡시키기 위하여, 상기 마스크와 상기 기판과의 상대 주사중에, 상대 주사방향, 주사방향에서의 위치 이탈 및 상기 기판높이의 적어도 하나를 변화시키는 것을 특징으로 하는 위치 조정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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