KR970007503A - 노광방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 웨이퍼상의 제1의 쇼트영역을 투영광학계의 노광필드내에서 결상면에 촛점조성시키고, 레티클의 패턴상을 노광한다. 그 후, 제2의 쇼트영역을 노광필드내로 이동하고, 스테이지의 주행면과 그 결상면과의 각도에 따른 웨이퍼의 높이의 변화분을 상쇄하도록, Z레벨링 스테이지를 통해 웨이퍼의 높이를 보정한 후, AF센서로 제2의 쇼트영역의 그 결상면에 대한 디포커스량을 계측하고 기억한다. 그 후, 촛점조정을 행하여 노광을 행하고, 각 쇼트영역에 대하여 구한 디포커스량으로부터 웨이퍼의 이면의 이물을 검출한다. 또한 제1의 쇼트영역을 노광할 때에 웨이퍼의 표면의 높이경사각을 결상면에 합친다. 그 후 상기 경사각을 고정한 채로 제2의 쇼트영역으로 이동하고, 그리하여 웨이퍼 표면의 표면의 경사각을 계측하고 기억한 후, 웨이퍼 표면의 높이 및 경사각을 결상면에 합쳐서 노광을 행한다. 웨이퍼 표면의 경사각의 분포에서 이물을 검출한다.

Description

노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 제1의 실시의 형태의 노광동작을 나타내는 흐름도, 제2도는, 본 발명의 실시의 형태에서 사용되는 투영노광장치를 나타내는 일부 절결된 개략구성도, 제4A도는, 제1의 실시의 형태로 노광이 행하여진 웨이퍼상의 각 쇼트영역의 디포커스량의 분포의 일례를 나타내는 도면, 제4B도는 그 디포커스량을 적산하여 구한 요청량의 분포를 나타내는 도면, 제6도는, 제2의 실시의 형태의 노광동작을 나타내는 흐름도, 제9도는, 제3의 실시의 형태의 노광동작을 나타내는 흐름도.

Claims (8)

  1. 기판스테이지에 의해 기판을 위치결정하여 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 순차 마스크 패턴 투영광학계를 통해 투영하는 노광방법에 있어서, 상기 기판상의 제1의 쇼트영역을 상기 투영광학계의 노광필드내로 설정하고, 상기 노광필드내의 소정의 계측점에서 상기 기판의 표면을 상기 투영광학계의 결상면에 촛점조정시켜 상기 제1의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제1공정과 상기 기판스테이지를 통해 상기 기판을 소정의 주행면을 따라서 이동하고, 상기 기판상의 제2의 쇼트영역을 상기 투영 광학계의 노광필드내로 설정하고, 상기 소정의 주행면과 상기 투영광학계의 결상면과의 편차량분만큼 상기 기판스테이지를 통해 상기 기판의 높이를 조정하고, 상기 소정의 계측점에서 상기 기판의 표면과 상기 투영광학계의 결상면과의 디포커스량을 계측하고 기억하는 제2공정과; 상기 소정의 계측점에서 상기 기판의 표면을 상기 투영광학계의 결상면에 촛점조정시켜 상기 제2의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제3공정을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 대하여 상기 제2공정 및 제3공정을 반복하여 얻어지는 복수의 디포커스량에서 상기 기판과 상기 기판스테이지의 사이의 이물의 검출을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2공정 및 제3공정을 반복하여 얻어지는 복수의 디포커스량에서 상기 기판의 표면의 경사각의 분포를 구하고, 해당 구해진 분포에서 상기 기판과 상기 기판스테이지의 사이의 이물의 위치 및 크기를 산출하고, 해당 산출된 이물의 위치 및 크기를 표시장치에 표시하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  4. 기판스테이지에 의해 기판을 위치결정하여 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 순차 마스크 패턴 투영광학계를 통해 투영하는 노광방법에 있어서, 상기 기판상의 제1의 쇼트영역을 상기 투영광학계의 노광필드내로 설정하고, 상기 기판의 표면의 높이 및 경사각을 각각 상기 투영광학계의 결상면에 합쳐서 상기 제1의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제1공정과; 상기 기판스테이지를 통해 상기 기판의 경사각을 고정한 상태로 상기 기판을 상기 소정의 주행면을 따라서 이동함에 의해, 상기 기판상의 제2의 쇼트영역을 상기 노광필드로 설정하고, 상기 노광필드내에서의 상기 기판의 표면의 상기 결상면에 대한 경사각을 계측하고 기억한 후, 상기 기판의 표면의 높이 및 경사각을 각각 상기 결상면에 합쳐서 상기 제2의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제2공정과; 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 대하여 상기 제2공정을 반복하여 얻어지는 복수의 경사각의 분포에서, 상기 기판과 상기 기판스테이지의 사이의 이물을 검출하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  5. 기판스테이지에 의해 기판을 위치결정하여 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 순차 마스크 패턴을 투영광학계를 통해 투영하는 노광방법에 있어서, 상기 기판상의 제1의 쇼트영역을 상기 투영광학계의 노광필드내로 설정하고, 상기 기판의 표면의 높이를 상기 투영광학계의 결상면에 맞추고, 상기 결상면에 대한 상기 기판의 표면의 경사량을 기억하고, 상기 제1의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제1공정과; 상기 기판스테이지를 통해 상기 기판의 경사를 고정한 상태로 상기 기판을 상기 소정의 주행면을 따라서 이동하고, 상기 기판상의 제2의 쇼트영역을 상기 투영광학계의 노광필드로 설치함과 동시에, 상기 소정의 계측점에서 상기 기판의 표면과 상기 투영광학계의 결상면과의 디포커스량을 계측하고 기억하는 제2공정과; 상기 소정의 계측점에서 상기 기판의 표면을 상기 투영광학계의 결상면에 촛점조정시켜 상기 제2의 쇼트영역에 마스크 패턴을 투영노광하는 제3공정을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 경사량은, 쇼트영역의 결상면에 대한 경사각과 쇼트영역의 간격에 의해서 산출되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기판상의 복수의 쇼트영역에 대하여 T상기 제1공정, 상기 제2공정 및 상기 제3공정을 반복하여 얻어지는 복수의 상기 디포커스량에서 상기 기판과 상기 기판스테이지의 사이의 이물의 검출을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1공정, 상기 제2공정 및 상기 제3공정을 반복하여 얻어지는 복수의 상기 경사량 및 상기 디포커스량에서 상기 기판의 표면의 경사량 및 디포스량의 분포를 구하고, 해당 구해진 분포에서 상기 기판과 상기 기판스테이지의 사이의 이물의 위치 및 크기를 산출하고, 해당 산출된 이물의 위치 및 크기를 표시장치에 표시하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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