JPS58103136A - 基板の傾き設定装置 - Google Patents
基板の傾き設定装置Info
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- JPS58103136A JPS58103136A JP56203050A JP20305081A JPS58103136A JP S58103136 A JPS58103136 A JP S58103136A JP 56203050 A JP56203050 A JP 56203050A JP 20305081 A JP20305081 A JP 20305081A JP S58103136 A JPS58103136 A JP S58103136A
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- mask
- wafer
- gap
- plane
- gap sensor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスクとウェハとの双方の面を近接した状態
においてマスクのパターンなウェハ上に転写するいわゆ
るプｐキシミティ４光装置におけるギャップ設定装置に
関する。
においてマスクのパターンなウェハ上に転写するいわゆ
るプｐキシミティ４光装置におけるギャップ設定装置に
関する。
従来、プロキシミテイ露光装置において、パターンを有
するマスクと感光剤の塗布されたウェハトノＴｏｌに数
μｍ〜数十μｍ程度の僅かなギャップを設ける方法とし
て、所定のギャップに相当する段差を有する基準面工具
にウェハを押し付けた後、その工具を取り除いて、機械
的にギャップを設定する方法と、第１図のようにギャッ
プセンサーを用いてウェハ上の各点までの距離を測定し
てギャップを設定する方法とが公知である。前者は転写
毎にマスクをｔまずして工具をセットしなければならな
いから手数がかかり、そのうえ、転写毎に工具がウェハ
に接触するので、そのウェハ面が傷つきやすい欠点があ
る。
するマスクと感光剤の塗布されたウェハトノＴｏｌに数
μｍ〜数十μｍ程度の僅かなギャップを設ける方法とし
て、所定のギャップに相当する段差を有する基準面工具
にウェハを押し付けた後、その工具を取り除いて、機械
的にギャップを設定する方法と、第１図のようにギャッ
プセンサーを用いてウェハ上の各点までの距離を測定し
てギャップを設定する方法とが公知である。前者は転写
毎にマスクをｔまずして工具をセットしなければならな
いから手数がかかり、そのうえ、転写毎に工具がウェハ
に接触するので、そのウェハ面が傷つきやすい欠点があ
る。
この欠点を解決するものとして第１図囚および（！３１
のような後者の方法が知らｈている。
のような後者の方法が知らｈている。
従来技術の第１図（３）において、ウェハ１は、３偏の
ねじ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ（ただし２Ｃは不図示）で支持さ
れたウェハチャック３に真空吸着にて保持され、ウェハ
チャック３の高さおよび面の傾きは、ねじ２Ａ、２Ｂ、
２Ｃに接続された３個のモーター４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（た
だし４Ｃは不図示）にて調整される。また、支持台５と
ウェハチャック３とは、引張ばね６によって結合されて
いる。一方、マスク７も、マスクチー−／ル８に真空吸
着で固定されたマスクホルダー９によって真空吸着にて
固定さり、そのマスタ７を囲むようｃ３個のギャップセ
ンサー１ＯＡ、１０Ｂ、１０Ｃ（１０Ｃは不図示）がマ
スクホルダー９に設けらｈｌこのギャップセンナ−１Ｏ
Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによってマスクとウェハとのギャッ
プを測定し得るように構成されている。従つ１て、この
装置においては、ウェハとマスクを接触させることなく
、３個のギャップセンサーの値を見ながら３個のモータ
ー４Ａ。
ねじ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ（ただし２Ｃは不図示）で支持さ
れたウェハチャック３に真空吸着にて保持され、ウェハ
チャック３の高さおよび面の傾きは、ねじ２Ａ、２Ｂ、
２Ｃに接続された３個のモーター４Ａ、４Ｂ、４Ｃ（た
だし４Ｃは不図示）にて調整される。また、支持台５と
ウェハチャック３とは、引張ばね６によって結合されて
いる。一方、マスク７も、マスクチー−／ル８に真空吸
着で固定されたマスクホルダー９によって真空吸着にて
固定さり、そのマスタ７を囲むようｃ３個のギャップセ
ンサー１ＯＡ、１０Ｂ、１０Ｃ（１０Ｃは不図示）がマ
スクホルダー９に設けらｈｌこのギャップセンナ−１Ｏ
Ａ、１０Ｂ、１０Ｃによってマスクとウェハとのギャッ
プを測定し得るように構成されている。従つ１て、この
装置においては、ウェハとマスクを接触させることなく
、３個のギャップセンサーの値を見ながら３個のモータ
ー４Ａ。
４Ｂ、４Ｃを制御することにより、ギャップを任意ｃＷ
ａ整することができる。しかし乍、この装置では、マス
クの外偶にギャップセンサーが配置されているので、転
写すべきウェハ面を直接計測できない。最近の傾向とし
てウェハは、ますます大口径化され、さらに種々のプロ
セスを径ることにより複雑な弯曲な呈している。こ坂 のような問題の有るウェハに対して第１図囚の装置で転
写すると、平面度の差により部分的にギャップに差を生
じるため、ウェハ全面についてはギャップが所定の値に
設定されないことになる。従ってウェハ全面にわたって
均一な転写ができず、さらに、ギャップ値が小さい場合
にｔｔ ｓ 公的にウェハとマスクが接触してしまう恐
りがある。
ａ整することができる。しかし乍、この装置では、マス
クの外偶にギャップセンサーが配置されているので、転
写すべきウェハ面を直接計測できない。最近の傾向とし
てウェハは、ますます大口径化され、さらに種々のプロ
セスを径ることにより複雑な弯曲な呈している。こ坂 のような問題の有るウェハに対して第１図囚の装置で転
写すると、平面度の差により部分的にギャップに差を生
じるため、ウェハ全面についてはギャップが所定の値に
設定されないことになる。従ってウェハ全面にわたって
均一な転写ができず、さらに、ギャップ値が小さい場合
にｔｔ ｓ 公的にウェハとマスクが接触してしまう恐
りがある。
上記第１図（４）の従来技術の欠点を解決するために、
ウェハの面が希望する平面度内にあるように、大口径の
ウェー・の面を小領域にわけ、各領域毎に転写を繰り返
すようにするために、その小領域内をギャップセンサー
で予め直接高さを測定し、その値を計算機に記憶し、こ
の記憶さｈた＾さに基づいて小領域内のギャップを設定
しようという試みが公開さｈた。この第５の方法は、第
１＠ω）に示すように、ウェハ２１を、ＸＹマスタジ２
２、ｚステージ２３上に組重りたウェハホルダー２４上
に真空吸着によって固定し、マスク２５が真空吸着され
ているマスクホルダー２６を保持するマスクテーブル２
７に設けられた１個のギャップセンサー２８１こてウェ
ハ面を走査し、ウェハ２１上の各点の座標（ｘ、ｙ）ｒ
一対するウニ・・の高さくＺ）を測定し、その値を計算
４２９ ｔこ記憶させ、次に、ｘＹステージ２２をマス
ク２５の下に移動して、計算機２９に記憶さｈたウェハ
２１上の各点の座標に対するウニへの高さの値に応じて
、２ステージ２３を制御して、マスク２５とウェハ２１
の転写領域とのギャップが常ｔこ一定になるようにする
ものである。しかし乍この第３の方法は、転写領域内の
１個所の高さ測定値に対してギャップ設定を行なうもの
であって、面の傾斜に考慮が払われていないため、狭い
転写領域であっても、その中を均等なギャップにするに
は不充分である。
ウェハの面が希望する平面度内にあるように、大口径の
ウェー・の面を小領域にわけ、各領域毎に転写を繰り返
すようにするために、その小領域内をギャップセンサー
で予め直接高さを測定し、その値を計算機に記憶し、こ
の記憶さｈた＾さに基づいて小領域内のギャップを設定
しようという試みが公開さｈた。この第５の方法は、第
１＠ω）に示すように、ウェハ２１を、ＸＹマスタジ２
２、ｚステージ２３上に組重りたウェハホルダー２４上
に真空吸着によって固定し、マスク２５が真空吸着され
ているマスクホルダー２６を保持するマスクテーブル２
７に設けられた１個のギャップセンサー２８１こてウェ
ハ面を走査し、ウェハ２１上の各点の座標（ｘ、ｙ）ｒ
一対するウニ・・の高さくＺ）を測定し、その値を計算
４２９ ｔこ記憶させ、次に、ｘＹステージ２２をマス
ク２５の下に移動して、計算機２９に記憶さｈたウェハ
２１上の各点の座標に対するウニへの高さの値に応じて
、２ステージ２３を制御して、マスク２５とウェハ２１
の転写領域とのギャップが常ｔこ一定になるようにする
ものである。しかし乍この第３の方法は、転写領域内の
１個所の高さ測定値に対してギャップ設定を行なうもの
であって、面の傾斜に考慮が払われていないため、狭い
転写領域であっても、その中を均等なギャップにするに
は不充分である。
前述の第１図囚及び（Ｂ） ｃ示されたギャップセンす
−を用いる方法は、いずれもマスクが理懇的な平行平置
であることを１ｌｔｌ提としている。しかし、軟Ｘ線を
使用する露光装置の揚台には、マスクとして軟Ｘ線（波
長１〜５０Ａ程度）に対する透過率が小さいガラス材（
酸化シリコン５ｉｎｓ）が使用できず、ウェハと同材質
（シリコンＳｉ）やホリイミドの薄膜等が使用さｈる。
−を用いる方法は、いずれもマスクが理懇的な平行平置
であることを１ｌｔｌ提としている。しかし、軟Ｘ線を
使用する露光装置の揚台には、マスクとして軟Ｘ線（波
長１〜５０Ａ程度）に対する透過率が小さいガラス材（
酸化シリコン５ｉｎｓ）が使用できず、ウェハと同材質
（シリコンＳｉ）やホリイミドの薄膜等が使用さｈる。
そのため、ウェハと同様にマスクの厚さが１スク全而に
わたって均一では無く、いわゆる楔形を呈していたり、
弯曲したりする。それ故、このようなマスクに対しては
、ウェハとマスクとの間のギャツ゛プを、ウェー・全面
にわたって所定の値内に保つことはさらに困難である。
わたって均一では無く、いわゆる楔形を呈していたり、
弯曲したりする。それ故、このようなマスクに対しては
、ウェハとマスクとの間のギャツ゛プを、ウェー・全面
にわたって所定の値内に保つことはさらに困難である。
本発＠は、上記従来技術の欠点を解決し、ウェハとマス
クのいずれか一方または双方のテーパーや弯−を補正し
、ウェハ全面に対して高い精度によりギャップを制御し
得るギャップ設定装置を提供することを目的とする。
クのいずれか一方または双方のテーパーや弯−を補正し
、ウェハ全面に対して高い精度によりギャップを制御し
得るギャップ設定装置を提供することを目的とする。
以下、添付の図面に示さｈた実施例に基づいて本発明の
詳細な説明する。
詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例であって、マスク５１ヲ真空機
着によって保持するマスクホルダー５２は、３偏の調節
ねじ５！ｉＡ、５３Ｂ、 ５５Ｃ（ただし５３Ｃは不図
示）と３個の引張ばね５４ Ａ、 ５４ Ｂ、 ５４
Ｃ（ただし５４Ｃは不図示）とによって、マスクステー
ジ５５Ｃ上方から支持されている。また、このマスクホ
ルダー５２の＾さおよび面の傾きは、３個の調節ねじ５
５＾、５３Ｂ、５３Ｃにそｈぞｈ接続された５Ｉ１ｍｌ
のそ一ター５６Ａ、５６Ｂ、５６ＣＣただし５６Ｃは不
図示）によって、コンビエータ−５８の指令ｃより、イ
ンターフェース５７を介して開塾されるように構成され
ている。ｉスＩステージ５５には第１ギヤツプセンサー
５９が固定されており、ウェハ６０と第１ギヤツプセン
サー５９との間隔ｇ豐がこのギャップセンナ−５９ｃよ
って測定さり、その測定値はインターフェース５７１−
介してコンピューター５８ＩＣ入力される。なおこのイ
ンターフェース５７、コンビエータ−５８、調節ねじ５
５．６２、そ−ター５３．６４替により調節装置が構成
される。
着によって保持するマスクホルダー５２は、３偏の調節
ねじ５！ｉＡ、５３Ｂ、 ５５Ｃ（ただし５３Ｃは不図
示）と３個の引張ばね５４ Ａ、 ５４ Ｂ、 ５４
Ｃ（ただし５４Ｃは不図示）とによって、マスクステー
ジ５５Ｃ上方から支持されている。また、このマスクホ
ルダー５２の＾さおよび面の傾きは、３個の調節ねじ５
５＾、５３Ｂ、５３Ｃにそｈぞｈ接続された５Ｉ１ｍｌ
のそ一ター５６Ａ、５６Ｂ、５６ＣＣただし５６Ｃは不
図示）によって、コンビエータ−５８の指令ｃより、イ
ンターフェース５７を介して開塾されるように構成され
ている。ｉスＩステージ５５には第１ギヤツプセンサー
５９が固定されており、ウェハ６０と第１ギヤツプセン
サー５９との間隔ｇ豐がこのギャップセンナ−５９ｃよ
って測定さり、その測定値はインターフェース５７１−
介してコンピューター５８ＩＣ入力される。なおこのイ
ンターフェース５７、コンビエータ−５８、調節ねじ５
５．６２、そ−ター５３．６４替により調節装置が構成
される。
一方、ウェハ６０を保持するウェハホルダー６１は、５
個の調節ねじ４２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ（ただし４２Ｃは
不図示）と引張ばね６５によって保持さｈており、この
ウェハホルダー６１の高さおよび傾斜線、５個の調節ね
じ６２Ａ、６２Ｂ、６２ＣＣそれぞれ接続された５個の
モーター６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ（ただし、６４Ｃは不
図示）Ｃよって、コンピューター５８の指令に応じてイ
ンターフェース５７を介して開塾されるように構成さｈ
ている。この３個の調節ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを
介してウェハホルダー６１を支持するｘＹステージ６５
はまた、ベヤリンダ６６を介して基準面としてのペース
６７上に載置されており、コンビエータ−５８の指令に
より、インターフェース５７を介してｘｙ方向の任意の
位置に移動し得るように構成されている。また、このｘ
Ｙステージ６５には第２ギヤツプセンサー６８が固設さ
ｈており、マスタ５１と第２ギャップセンナ−６６との
間隔ｇ■ を測定し、その測定値はインターフェース５
７を介してコンピューター５８Ｃ入力さ九るように構成
されている。なお、マスタステージ５５とベース６７と
は機械的に一体に構成されている。
個の調節ねじ４２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ（ただし４２Ｃは
不図示）と引張ばね６５によって保持さｈており、この
ウェハホルダー６１の高さおよび傾斜線、５個の調節ね
じ６２Ａ、６２Ｂ、６２ＣＣそれぞれ接続された５個の
モーター６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ（ただし、６４Ｃは不
図示）Ｃよって、コンピューター５８の指令に応じてイ
ンターフェース５７を介して開塾されるように構成さｈ
ている。この３個の調節ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを
介してウェハホルダー６１を支持するｘＹステージ６５
はまた、ベヤリンダ６６を介して基準面としてのペース
６７上に載置されており、コンビエータ−５８の指令に
より、インターフェース５７を介してｘｙ方向の任意の
位置に移動し得るように構成されている。また、このｘ
Ｙステージ６５には第２ギヤツプセンサー６８が固設さ
ｈており、マスタ５１と第２ギャップセンナ−６６との
間隔ｇ■ を測定し、その測定値はインターフェース５
７を介してコンピューター５８Ｃ入力さ九るように構成
されている。なお、マスタステージ５５とベース６７と
は機械的に一体に構成されている。
次に、上記実施例の動作について、さらに第５図ないし
１１５図を参照しつつ説明する。なお、第５図は、後で
詳細に説明するフンビニ−ター５８による処理や各種演
算を、それらの機能に基づいてプ田ツク化して表わした
ものである。
１１５図を参照しつつ説明する。なお、第５図は、後で
詳細に説明するフンビニ−ター５８による処理や各種演
算を、それらの機能に基づいてプ田ツク化して表わした
ものである。
本来、コンビエータ−による処理、演算の手続は、プｐ
ダラム、あるいはフローチャートで表わされるべきであ
るが、本発明の実施例をよりわかり易く説明するために
、ギヤ′ツブセンサー５９．６８、調整モーター６４．
６５およびインターフェース５７を含めてブーツタ図に
して表わしである。
ダラム、あるいはフローチャートで表わされるべきであ
るが、本発明の実施例をよりわかり易く説明するために
、ギヤ′ツブセンサー５９．６８、調整モーター６４．
６５およびインターフェース５７を含めてブーツタ図に
して表わしである。
まず、マスクホルダー５１の高さおよび面傾斜を調整す
る３個の調節ねじ５３Ａ、５！ｉＢ。
る３個の調節ねじ５３Ａ、５！ｉＢ。
ｓｓｃを一定位ｆｆｉに回転し、マスクホルダー５２の
高さを固定し、その下面にマスタ５１を真空吸着によっ
て保持させる。次ｃ、ｘｙステージ６５を移動してマス
タ５１を第２ギヤツプセンサー６８によって走査し、ｉ
スタ５１上のその中心に対する各点の座標（Ｘ％ｙ）ｃ
応じたマスタ５１の高さくりを測定し、その値をコンピ
ューター５８の記憶部１０１に一記憶する。さらに詳し
く述べるならば、あらかじめｉスタ５１上の５つ以上の
点の座標値（Ｘ％Ｆ）を記憶部１０１は記憶しており、
コンビエーター５８はその座標値Ｃｘ５ｙ）に従って、
順次ＸＹステージ６５を移動させ、１１１２ギャップセ
ンナ−６８Ｃよってその座標における間隔ｇｗを測定す
る。この測定された間隔ｇｌＩＫ−１基準平面としての
ベース６７から第２ギヤツプセンす−６８の先端までの
高さく一定値）を加えた値を、その座標値（Ｘ％Ｆ）に
対するマスク５１のウェハ６０と対向する面（以下「対
向面」と称する。）の高さａ）とする。もちろん、高さ
くＺｌは単に間隔ｇ＋＋ の値としてもよい。この動作
ニヨリ、記憶部１０１ｃは、マスク５１０対向面上の複
数点がそれぞれ５次元の座標値（１１１％ ｇ）として
記憶さｈる。また一方、ウェハホルダー６１の高さおよ
び面傾斜を調整する５儂の調節ねじ６２Ａ、６２８．６
２Ｃを一定位置に回転し、ウェハホルダー６１の高さを
固定し、次にｘＹステージ６５を移動してウェハ６０を
第１ギヤツプセンサー５９の下で走査し、ウェハ６０の
中心に対する各点の座標Ｃｘ’、ｙ’）に応じて、ウニ
への高さ■）を測定してその値をコンビエータ−５８の
記憶部２０１【記憶する。
高さを固定し、その下面にマスタ５１を真空吸着によっ
て保持させる。次ｃ、ｘｙステージ６５を移動してマス
タ５１を第２ギヤツプセンサー６８によって走査し、ｉ
スタ５１上のその中心に対する各点の座標（Ｘ％ｙ）ｃ
応じたマスタ５１の高さくりを測定し、その値をコンピ
ューター５８の記憶部１０１に一記憶する。さらに詳し
く述べるならば、あらかじめｉスタ５１上の５つ以上の
点の座標値（Ｘ％Ｆ）を記憶部１０１は記憶しており、
コンビエーター５８はその座標値Ｃｘ５ｙ）に従って、
順次ＸＹステージ６５を移動させ、１１１２ギャップセ
ンナ−６８Ｃよってその座標における間隔ｇｗを測定す
る。この測定された間隔ｇｌＩＫ−１基準平面としての
ベース６７から第２ギヤツプセンす−６８の先端までの
高さく一定値）を加えた値を、その座標値（Ｘ％Ｆ）に
対するマスク５１のウェハ６０と対向する面（以下「対
向面」と称する。）の高さａ）とする。もちろん、高さ
くＺｌは単に間隔ｇ＋＋ の値としてもよい。この動作
ニヨリ、記憶部１０１ｃは、マスク５１０対向面上の複
数点がそれぞれ５次元の座標値（１１１％ ｇ）として
記憶さｈる。また一方、ウェハホルダー６１の高さおよ
び面傾斜を調整する５儂の調節ねじ６２Ａ、６２８．６
２Ｃを一定位置に回転し、ウェハホルダー６１の高さを
固定し、次にｘＹステージ６５を移動してウェハ６０を
第１ギヤツプセンサー５９の下で走査し、ウェハ６０の
中心に対する各点の座標Ｃｘ’、ｙ’）に応じて、ウニ
への高さ■）を測定してその値をコンビエータ−５８の
記憶部２０１【記憶する。
この記憶部２０１についても、基本的には１述の記憶部
１０１の動作と同じである。すなわち、記憶部２０１に
はあらかじめウェハ６０上の３つ以上の座標値（ｘｌ、
ｙｌ ）が記憶されている。
１０１の動作と同じである。すなわち、記憶部２０１に
はあらかじめウェハ６０上の３つ以上の座標値（ｘｌ、
ｙｌ ）が記憶されている。
そして、コンビエータ−５８は、この座標値（！’、
３１’） Ｃ従って、ｘｙステージ６５を移動させ、第
１ギヤツプセンサー５９によって、その座標における間
隔ｇｗを測定する。そこで、座標値（ｘ’、ｙ’）ｃ対
するウェハ６ｏの転写面ノ高さ鎖は、基準平面としての
ベース６７から第１ギヤツプセンサー５９の先端までの
高さく一定値）から、測定された間隔ｇｗを減じた値と
する。もちろん、高さくイ）は単に間隔ｇｗ。
３１’） Ｃ従って、ｘｙステージ６５を移動させ、第
１ギヤツプセンサー５９によって、その座標における間
隔ｇｗを測定する。そこで、座標値（ｘ’、ｙ’）ｃ対
するウェハ６ｏの転写面ノ高さ鎖は、基準平面としての
ベース６７から第１ギヤツプセンサー５９の先端までの
高さく一定値）から、測定された間隔ｇｗを減じた値と
する。もちろん、高さくイ）は単に間隔ｇｗ。
値としてもよい。この動作により記憶部２０１には、ウ
ェハ６０の転写面の複数点が、そｈぞれ３次元の座標値
（ｘｌｌ、＋１．＋）として記憶さｈる。ただし、マス
ク５１のパターンをウェハ６０全面に一括露光する場合
と、ウェハ６０の小領域毎に露光をくり返す場合とでは
、記憶部２０１ｃ記憶される座標値（ｘｌ、ｙｌｌ、＋
）の数や、記憶するタイ芝ング等が異なることもある。
ェハ６０の転写面の複数点が、そｈぞれ３次元の座標値
（ｘｌｌ、＋１．＋）として記憶さｈる。ただし、マス
ク５１のパターンをウェハ６０全面に一括露光する場合
と、ウェハ６０の小領域毎に露光をくり返す場合とでは
、記憶部２０１ｃ記憶される座標値（ｘｌ、ｙｌｌ、＋
）の数や、記憶するタイ芝ング等が異なることもある。
このことについては、後で詳しく述べる。
次に、フンビニ−ター５８は％記ｔＬ１１１０１Ｃ記憶
さｈた複数の座標値（Ｉ％ｙ、ｚ）Ｃ基づいて、マスク
５１０対向面に最も近い平面の式を算出する。この計算
方法は次のようにして行なわれる。そのマスク５１０対
向面に最も近い平面、いわゆる近似平面の式を今仮りに
Ｚ −ａ ｘ ＋ ｂ ｙ ＋ ｃ −＝ （１）とお
く。
さｈた複数の座標値（Ｉ％ｙ、ｚ）Ｃ基づいて、マスク
５１０対向面に最も近い平面の式を算出する。この計算
方法は次のようにして行なわれる。そのマスク５１０対
向面に最も近い平面、いわゆる近似平面の式を今仮りに
Ｚ −ａ ｘ ＋ ｂ ｙ ＋ ｃ −＝ （１）とお
く。
また前記高さに）の測定値に対しては、各測定位置の座
標を（Ｘ％Ｆ）、（Ｘｓｓ Ｆ＊） （ＸｈＦｍ ）・
・・・・・・・・・・・（ｉｎ％ｙｎ ）とし、高さく
Ｚ）の測定データーとしてそれぞｈ Ｚｒ、２１％ Ｚ
ｌ・・曲・・・Ｚｎを対応ずけるものとする。この時ｎ
の値は、（１）式の係数１、ｂ、ｃを決定するためには
少なくとも５点を必要とするが、ｎの値が多けｈばそれ
だけ精度は上昇する。上記の条件により（１）式のａ、
ｂ％ Ｃを決定する手段として最小２乗法を用いるもの
とすれば、下記の３式の連立方程式を解けばよい。
標を（Ｘ％Ｆ）、（Ｘｓｓ Ｆ＊） （ＸｈＦｍ ）・
・・・・・・・・・・・（ｉｎ％ｙｎ ）とし、高さく
Ｚ）の測定データーとしてそれぞｈ Ｚｒ、２１％ Ｚ
ｌ・・曲・・・Ｚｎを対応ずけるものとする。この時ｎ
の値は、（１）式の係数１、ｂ、ｃを決定するためには
少なくとも５点を必要とするが、ｎの値が多けｈばそれ
だけ精度は上昇する。上記の条件により（１）式のａ、
ｂ％ Ｃを決定する手段として最小２乗法を用いるもの
とすれば、下記の３式の連立方程式を解けばよい。
Ｂｎ
庁Ｊ！Ｚ−Ｚ″）゛＝′虐パ“＋５′””°−“ゝｘｉ
ｘｏ−°−＝ （２１−！−Ｘ （Ｚ−Ｚｉ）”＝ ２
Σ（ａｘｉ＋ｂｙｉ＋ｃ−Ｚｉ ）ｙｉ＝０−＝−＝
（５）”ｉ＝１ ｉ＝１ ｎ 房ｊ、Ｚ−Ｚｉ ）”＝ ２１＝、”“＋ｂｙ儀１°−
２′）＝０°゛°°゛°°°゛°（“）上記の連立方程
式よりａ、ｂ、ｃの係数が計算できるので、その値から
マスク５１０対向面の近似平面の式が決定さｈる。これ
はコンビエーター５８の係数演算部１０２により記憶部
１０１に記憶さｈた複数の座標値（ｘｎ％ｙｎ）と高さ
くＺｎ）に基づいて計算される。
ｘｏ−°−＝ （２１−！−Ｘ （Ｚ−Ｚｉ）”＝ ２
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（５）”ｉ＝１ ｉ＝１ ｎ 房ｊ、Ｚ−Ｚｉ ）”＝ ２１＝、”“＋ｂｙ儀１°−
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式よりａ、ｂ、ｃの係数が計算できるので、その値から
マスク５１０対向面の近似平面の式が決定さｈる。これ
はコンビエーター５８の係数演算部１０２により記憶部
１０１に記憶さｈた複数の座標値（ｘｎ％ｙｎ）と高さ
くＺｎ）に基づいて計算される。
次にマスク５１の対向面の高さおよび面傾斜を調整する
調節ねじ５３＾、５３Ｂ、５！ｉＣのマスク中心に対す
る座標（具体的には、調節ねじ５５とマスクホルダー５
２との当接位置）を、第４図に示すように（Ｘｙ、Ｆｔ
ｓ、ｚｌ−）、（Ｘ霊Ｓ％ＹＭｍ１Ｚ＠自）％（Ｋｍｍ
ｓ ”ＩＩ’１”８・）とし、近似的にマスクの対向面
の延長上に当接位置すなわち駆動点が存在するものとす
れば、次の５式の関係が成立する。
調節ねじ５３＾、５３Ｂ、５！ｉＣのマスク中心に対す
る座標（具体的には、調節ねじ５５とマスクホルダー５
２との当接位置）を、第４図に示すように（Ｘｙ、Ｆｔ
ｓ、ｚｌ−）、（Ｘ霊Ｓ％ＹＭｍ１Ｚ＠自）％（Ｋｍｍ
ｓ ”ＩＩ’１”８・）とし、近似的にマスクの対向面
の延長上に当接位置すなわち駆動点が存在するものとす
れば、次の５式の関係が成立する。
ｚ、、 ＝ ＩＩＥＩｓ ＋ ｂｙｌｍ ＋ ｃ ・−
＝（５）ｚ、、 ｗ ａＸｌｍ 十ｂｙｔｅ ＋ ｃ
＝＝−＝−・−＜６）ｚ、、 ＝ Ｊｌ！ｌｅ ＋ ｂ
ｙ訃十Ｃ・・・・・・・・・・・・（ハただし、この近
似式を適用するＣは、マスクの半径に対して駆動点のマ
スク中心からの距離が十分大きい方が良く、またマスク
ホルダー５２が薄い方がより正確である。なお、座標（
ＸＦｓｙｌ、）、（Ｘ１ｍ、カ、）、（ｘｓ＊ ｓ Ｙ
ｓ＊ ）は機械的にあらかじめ決めらｈた定数であり、
コンビエータ−５８の記憶部１０４に記憶されている。
＝（５）ｚ、、 ｗ ａＸｌｍ 十ｂｙｔｅ ＋ ｃ
＝＝−＝−・−＜６）ｚ、、 ＝ Ｊｌ！ｌｅ ＋ ｂ
ｙ訃十Ｃ・・・・・・・・・・・・（ハただし、この近
似式を適用するＣは、マスクの半径に対して駆動点のマ
スク中心からの距離が十分大きい方が良く、またマスク
ホルダー５２が薄い方がより正確である。なお、座標（
ＸＦｓｙｌ、）、（Ｘ１ｍ、カ、）、（ｘｓ＊ ｓ Ｙ
ｓ＊ ）は機械的にあらかじめ決めらｈた定数であり、
コンビエータ−５８の記憶部１０４に記憶されている。
ここで、３個の調節ねじ５５Ａ、５３Ｂ、５５Ｃを回転
させて、各駆動点をそれぞれ２方向にΔｚ１−、ノＺ、
、Ａｚｐだけ移動したものとすると、別の平面になるた
め、その時の平面式の係数を飼犬の係数１、ｂ、ｃｃ対
応してａ’、 ｂ’、’ ｃ’トスルト、ｚ１＃＋
ΔＺ１ｓｓｗ ａ’Ｘ１ｓ＋ ｂｌ ｙＩｓ ＋ ｃ’
−−−（８）Ｚｈ ＋ｊＺａ＝ａ’ｘｐ＋ ｂ’ｙ１
ｍ ＋ ｃ’−・（９）ｚ訃＋ΔＺ＃Ｗ ｍ’ｘ３ｓ＋
ｂ’ｙｊｓ ＋ ｃ’ −・−−−−−・−Ｑｌ）と
なる。この時、もしマスク５１０対向園をＸＹ平面すな
わちステージ６５の移動面に平行にし且つマスク５１の
中心の＾さを移動する前と変らないようにするためには
、 ａｌｌ−ｂ１＃０・・・・・・・・・ＱＩＣ′ＩＣ・・
・・・・・・・（２）である必要がある。そｈ故、前記
（８）、（９）、（２）式％式％ （２） （） （２） ところが、前述の計算よりａ、ｂ、ｃの値ｉｔ既知であ
り、駆動点ｘｙ座標（Ｘｌｓ％ｙ１勝）、（ｘｓ−％Ｙ
ｍｓ）、（Ｘ’ｓ ｓ ｙｓｓ ）は機械的に設定さｈ
て既知であるから、（１）式に基づく（５）、（６）、
Ｃハ式に代入することによって％ Ｚｌｓ ％ Ｚ＠ｓ
％ＺＳＳは、コンビエータ−５８の駆動点演算部１０５
ｃよって計算して求められる。従って、輪、（ロ）、（
２）式を計算する駆動量演算部１０３によって、Δｚ１
９、Δ２＃、Δｚ。
させて、各駆動点をそれぞれ２方向にΔｚ１−、ノＺ、
、Ａｚｐだけ移動したものとすると、別の平面になるた
め、その時の平面式の係数を飼犬の係数１、ｂ、ｃｃ対
応してａ’、 ｂ’、’ ｃ’トスルト、ｚ１＃＋
ΔＺ１ｓｓｗ ａ’Ｘ１ｓ＋ ｂｌ ｙＩｓ ＋ ｃ’
−−−（８）Ｚｈ ＋ｊＺａ＝ａ’ｘｐ＋ ｂ’ｙ１
ｍ ＋ ｃ’−・（９）ｚ訃＋ΔＺ＃Ｗ ｍ’ｘ３ｓ＋
ｂ’ｙｊｓ ＋ ｃ’ −・−−−−−・−Ｑｌ）と
なる。この時、もしマスク５１０対向園をＸＹ平面すな
わちステージ６５の移動面に平行にし且つマスク５１の
中心の＾さを移動する前と変らないようにするためには
、 ａｌｌ−ｂ１＃０・・・・・・・・・ＱＩＣ′ＩＣ・・
・・・・・・・（２）である必要がある。そｈ故、前記
（８）、（９）、（２）式％式％ （２） （） （２） ところが、前述の計算よりａ、ｂ、ｃの値ｉｔ既知であ
り、駆動点ｘｙ座標（Ｘｌｓ％ｙ１勝）、（ｘｓ−％Ｙ
ｍｓ）、（Ｘ’ｓ ｓ ｙｓｓ ）は機械的に設定さｈ
て既知であるから、（１）式に基づく（５）、（６）、
Ｃハ式に代入することによって％ Ｚｌｓ ％ Ｚ＠ｓ
％ＺＳＳは、コンビエータ−５８の駆動点演算部１０５
ｃよって計算して求められる。従って、輪、（ロ）、（
２）式を計算する駆動量演算部１０３によって、Δｚ１
９、Δ２＃、Δｚ。
が計算される。
以上の計算をコンピューター５８で行い、ΔＺｙ、ｊＺ
、、ΔＺ、Ｃ相当する量を、マスク５１０対向面の高さ
および面傾斜を調整するためのモーター５６＾、５６Ｂ
、５６ＣＣ指令して駆動することにより、マスク５１の
近似平面−１％ＸＹステージ６５の移動面すなわちＸＹ
平面に平行になり、第２ギヤツプセンサー６８に対して
、ギャップ−〇が保たれることになる。このように、マ
スク５１０対向面の近似平面なｘｙ平面（基準平面）と
平行にする動作は、ウニ・・への露光次（、ウェハ６ｏ
にマスタ５１のパターンをくり返し露光していく場合に
ついて説明する。この場合、前述した記憶部２０１は、
各露光領域毎に少なくとも５点の座標値（”、ｒ’ｓが
）を記憶する。そして、各露光領域毎【ウェハ６゜の転
写面の近似平向を求めて、マスク５１の近似平面と平行
にする。以上のよう【してマスタ５１の調整が完了した
ならば、次にｘＹステージ６５をマスク５１の下に移動
して、ウニへ６０１ｉ上に塗布された感光材にマスク５
１のパターンをくり返し転写して行くが、その際、ウェ
ハ面上を第１ギヤツプセンサー５９によって走査して得
られ、既にコンビエータ−５８ｃ記憶されているウェハ
面の高さのデーターにより、以下の計算を各露光領域毎
に行う。この場合、第５図に示すように、ウェハ６ｏ上
の第１の露光領域６９Ｅ対して、記憶１Ｉ２ｏ１に記憶
さｈたこの露光領域内のウェハ６ｏの転写面上のデータ
ーを使用して計算を行う。このＩｌｌの露光領域６９に
含まｈる各測定点の座標をウェハ中心に対して（ｘ１＋
ｓ ｙ１’ ）、（ｘ雪’、Ｆ！’ ）−−・（ｘｍ
’ １１ｍつとし、その測定点に対するそｈぞｈの高さ
を２八ｚ７・・・・・−Ｚｍ’とする。ただし、ｍは３
以上の整数値である必要がある。ここで第１の露光領域
６９に対する近似平面の式を Ｚ’ ｍ Ａ！’＋ Ｂｙ’ ＋ Ｄ ・・−・−−−
−−Ｑｌｌとすると、マスク５１の場合と同様に最小２
乗法を使用して、下記の、３式の連立方程式を解く。
、、ΔＺ、Ｃ相当する量を、マスク５１０対向面の高さ
および面傾斜を調整するためのモーター５６＾、５６Ｂ
、５６ＣＣ指令して駆動することにより、マスク５１の
近似平面−１％ＸＹステージ６５の移動面すなわちＸＹ
平面に平行になり、第２ギヤツプセンサー６８に対して
、ギャップ−〇が保たれることになる。このように、マ
スク５１０対向面の近似平面なｘｙ平面（基準平面）と
平行にする動作は、ウニ・・への露光次（、ウェハ６ｏ
にマスタ５１のパターンをくり返し露光していく場合に
ついて説明する。この場合、前述した記憶部２０１は、
各露光領域毎に少なくとも５点の座標値（”、ｒ’ｓが
）を記憶する。そして、各露光領域毎【ウェハ６゜の転
写面の近似平向を求めて、マスク５１の近似平面と平行
にする。以上のよう【してマスタ５１の調整が完了した
ならば、次にｘＹステージ６５をマスク５１の下に移動
して、ウニへ６０１ｉ上に塗布された感光材にマスク５
１のパターンをくり返し転写して行くが、その際、ウェ
ハ面上を第１ギヤツプセンサー５９によって走査して得
られ、既にコンビエータ−５８ｃ記憶されているウェハ
面の高さのデーターにより、以下の計算を各露光領域毎
に行う。この場合、第５図に示すように、ウェハ６ｏ上
の第１の露光領域６９Ｅ対して、記憶１Ｉ２ｏ１に記憶
さｈたこの露光領域内のウェハ６ｏの転写面上のデータ
ーを使用して計算を行う。このＩｌｌの露光領域６９に
含まｈる各測定点の座標をウェハ中心に対して（ｘ１＋
ｓ ｙ１’ ）、（ｘ雪’、Ｆ！’ ）−−・（ｘｍ
’ １１ｍつとし、その測定点に対するそｈぞｈの高さ
を２八ｚ７・・・・・−Ｚｍ’とする。ただし、ｍは３
以上の整数値である必要がある。ここで第１の露光領域
６９に対する近似平面の式を Ｚ’ ｍ Ａ！’＋ Ｂｙ’ ＋ Ｄ ・・−・−−−
−−Ｑｌｌとすると、マスク５１の場合と同様に最小２
乗法を使用して、下記の、３式の連立方程式を解く。
上記の連立方程式からＡ、Ｂ％Ｄの係数が計算でき、ウ
ェハ６ｏの第１の露光領域６９の近似平面式（至）が決
定される。こｈはコンビエータ−５８の係数演算部２ｏ
２ｃよって計算さｈる。
ェハ６ｏの第１の露光領域６９の近似平面式（至）が決
定される。こｈはコンビエータ−５８の係数演算部２ｏ
２ｃよって計算さｈる。
調節ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃｒ）ウェハ中心に対す
る座標（具体的には調節ねじ６２とウェハホルダー６１
との当接位置）を第５図に示すよ うに （Ｉｔｓ’ｓ
ｙ１ｍ’、２一つ、 （Ｘｉ’ｓ Ｆ＃’％
１６’） 、ＣＸｍａ’ｓ’Ｉｌｌ’、ｍｙ・）とし、
近似的に、ウェハの転写面の第１の露光領域面の延長上
に、その当接位置すなわち駆動点が存在するものとすれ
ば、次の３式の関係が成立する。すなわち Ｚ１ｍ’ ＝ ＡＸｌ、’ ＋ ８３１ｎ’ ＋
Ｄ −−−曽Ｚｓ’ ＝ｋｘ＊＊’ ＋ Ｂｙ
ｅｓ’ ＋ Ｄ −−−＠Ｚｌａ’ ｓｗ １１１ｎ’
＋ ８７１ｎ’ ＋ Ｄ −−−磐タタシ、この近似
式を適用するには、ウニへの半径に対してウェハ中心か
ら各駆動点までの距離が十分に大きく、ウェハホルダー
６１が十分に薄いことが望ましい。なお座標値（ＸＩＪ
ｓ ｙ、、ｊ ）、（ｘ−１，７Ｆ’）、（ｘ、、ｌ、
ｙｐつは機械的にあらかじめ決められた定歌であり、コ
ンビエータ−５８の記憶部２０４に記憶さｈている。こ
こで３個の調節ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを回転させ
て、各駆動点をそれぞれ２方向にΔｚ１．′、ΔＺ＠ｈ
’、）Ｚ＠Ｊ移動したものとすると、（至）式とは別の
平面になるため、その時の平面式の係数を１式のＡ、
Ｂ。
る座標（具体的には調節ねじ６２とウェハホルダー６１
との当接位置）を第５図に示すよ うに （Ｉｔｓ’ｓ
ｙ１ｍ’、２一つ、 （Ｘｉ’ｓ Ｆ＃’％
１６’） 、ＣＸｍａ’ｓ’Ｉｌｌ’、ｍｙ・）とし、
近似的に、ウェハの転写面の第１の露光領域面の延長上
に、その当接位置すなわち駆動点が存在するものとすれ
ば、次の３式の関係が成立する。すなわち Ｚ１ｍ’ ＝ ＡＸｌ、’ ＋ ８３１ｎ’ ＋
Ｄ −−−曽Ｚｓ’ ＝ｋｘ＊＊’ ＋ Ｂｙ
ｅｓ’ ＋ Ｄ −−−＠Ｚｌａ’ ｓｗ １１１ｎ’
＋ ８７１ｎ’ ＋ Ｄ −−−磐タタシ、この近似
式を適用するには、ウニへの半径に対してウェハ中心か
ら各駆動点までの距離が十分に大きく、ウェハホルダー
６１が十分に薄いことが望ましい。なお座標値（ＸＩＪ
ｓ ｙ、、ｊ ）、（ｘ−１，７Ｆ’）、（ｘ、、ｌ、
ｙｐつは機械的にあらかじめ決められた定歌であり、コ
ンビエータ−５８の記憶部２０４に記憶さｈている。こ
こで３個の調節ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを回転させ
て、各駆動点をそれぞれ２方向にΔｚ１．′、ΔＺ＠ｈ
’、）Ｚ＠Ｊ移動したものとすると、（至）式とは別の
平面になるため、その時の平面式の係数を１式のＡ、
Ｂ。
ＤＣ対しテＡ’％Ｂ’、 Ｄ’ｔ！＝すルト、Ｚ１ｍ’
＋ ＩＩＺ＠ｍ’ −Ａ’Ｘ４ｓ’ ＋ Ｂｌ、、、
ｌ ＋ Ｄ’ −−−＠ＩＺ１ｍ’ ＋ ｊＺ１ｓ’
−Ａ’Ｘ１ｅ’ ＋ Ｂｌ、、ｌ ＋ Ｄ’ −−
−９４Ｚｐ’ ＋ ｊＺ１ｅ’ −Ａ’！ｌｅ’ ＋
Ｂ’Ｙ＃’ ＋ Ｄ’ 曲中・・＠となる。この時、
もしウェハ上の第１の露光領域６９４ｅマスｐの対向面
ｃ平行にし、マスク５１０対向面とウェハ６０の転写面
との第１の露光位置におけるギャップを所望のギャップ
値Ｇ（任急に設定可能）にするためには、第１ギヤツプ
センサー５９と第２ギヤツプセンサー６８とのｚ方向の
間隔をｂとすれば、マスク５１の近似平面は、ＸＹ平面
に既（平行に調整されているから、 に−ＢＴ −０−・−・・・・−・＠ Ｃ＋
Ｄ’ −４Ｐ −Ｇ 川明・・＠に とすればよい。そこで式（２）、（財）を式（２）、（
２）、（２）に代入すると次のようになる。すなわち２
誇１＋Δ２−眞Ｇ＋ｈ−Ｃ叫用・・ 翰Ｚ、Ｉ＋ΔＺ＠
Ｊ −Ｇ 十ｈ −Ｃ・・川・・＝ ＄１ＺＩＩＩ＋Δ
Ｚ＠＊’ −Ｇ 十ｈ −Ｃ−−−＠ｌ）ところが、前
述の計算により、係数Ａ％Ｂ、ＤおよびＧ、ｈ、Ｃの値
はいずれも既知であり、また駆動点のＸＹ座標（狗？、
Ｆｔｓ’ ）、（ｘｌｊ、ｙｐつ、（ｗｅ’、Ｆ＃・）
は機械的に決定されて既知であるから、輪、（２）、（
２）式に代入することにより２１．・、Ｚ１ｍ’、ｚ、
ｌは、コンビエータ−５８の駆動点演算部２０５Ｃて計
算して求められる。従って（至）、（２）、（至）式の
計算を行う駆動量演算部２０５によって、ΔＺ１ｍ’ｓ
ΔＺｐ’）Δ２．酔１が算出される。
＋ ＩＩＺ＠ｍ’ −Ａ’Ｘ４ｓ’ ＋ Ｂｌ、、、
ｌ ＋ Ｄ’ −−−＠ＩＺ１ｍ’ ＋ ｊＺ１ｓ’
−Ａ’Ｘ１ｅ’ ＋ Ｂｌ、、ｌ ＋ Ｄ’ −−
−９４Ｚｐ’ ＋ ｊＺ１ｅ’ −Ａ’！ｌｅ’ ＋
Ｂ’Ｙ＃’ ＋ Ｄ’ 曲中・・＠となる。この時、
もしウェハ上の第１の露光領域６９４ｅマスｐの対向面
ｃ平行にし、マスク５１０対向面とウェハ６０の転写面
との第１の露光位置におけるギャップを所望のギャップ
値Ｇ（任急に設定可能）にするためには、第１ギヤツプ
センサー５９と第２ギヤツプセンサー６８とのｚ方向の
間隔をｂとすれば、マスク５１の近似平面は、ＸＹ平面
に既（平行に調整されているから、 に−ＢＴ −０−・−・・・・−・＠ Ｃ＋
Ｄ’ −４Ｐ −Ｇ 川明・・＠に とすればよい。そこで式（２）、（財）を式（２）、（
２）、（２）に代入すると次のようになる。すなわち２
誇１＋Δ２−眞Ｇ＋ｈ−Ｃ叫用・・ 翰Ｚ、Ｉ＋ΔＺ＠
Ｊ −Ｇ 十ｈ −Ｃ・・川・・＝ ＄１ＺＩＩＩ＋Δ
Ｚ＠＊’ −Ｇ 十ｈ −Ｃ−−−＠ｌ）ところが、前
述の計算により、係数Ａ％Ｂ、ＤおよびＧ、ｈ、Ｃの値
はいずれも既知であり、また駆動点のＸＹ座標（狗？、
Ｆｔｓ’ ）、（ｘｌｊ、ｙｐつ、（ｗｅ’、Ｆ＃・）
は機械的に決定されて既知であるから、輪、（２）、（
２）式に代入することにより２１．・、Ｚ１ｍ’、ｚ、
ｌは、コンビエータ−５８の駆動点演算部２０５Ｃて計
算して求められる。従って（至）、（２）、（至）式の
計算を行う駆動量演算部２０５によって、ΔＺ１ｍ’ｓ
ΔＺｐ’）Δ２．酔１が算出される。
以上の計算をコンピューター５８で行い、ΔＺ＠ｍ’、
ΔＺ＊Ｊ、ｊＺ１ｅ’ｃ相当する量をもって、ウェハの
転写面の高さおよび面傾斜を調整するモーター６４に、
６４８．６４ＣＣ指令して駆動することにより、ウェハ
６０上の第１の露光領域６９の近似平面と、マスタ５１
の近似平面とを平行にすることができ、さらに丙子面間
のギャップ値を所望の値ＧＥ保持することができる。こ
の状態において、ウェハ６０のＩｌｌの露光領域６９に
対して露光を行い、第２の露光領域１０以降については
、第１露光領域６９にて行ッたことをくり返して行えば
良い。
ΔＺ＊Ｊ、ｊＺ１ｅ’ｃ相当する量をもって、ウェハの
転写面の高さおよび面傾斜を調整するモーター６４に、
６４８．６４ＣＣ指令して駆動することにより、ウェハ
６０上の第１の露光領域６９の近似平面と、マスタ５１
の近似平面とを平行にすることができ、さらに丙子面間
のギャップ値を所望の値ＧＥ保持することができる。こ
の状態において、ウェハ６０のＩｌｌの露光領域６９に
対して露光を行い、第２の露光領域１０以降については
、第１露光領域６９にて行ッたことをくり返して行えば
良い。
以上、ウェハ６０上にくり返し露光する場合を述べたが
、あらかじめ各露光領域毎に上述の駆動ΔＺ１ｍ’、ノ
ｚ！ｍｌ、ΔＺＢ＊’を演算し、その結果をコンビエー
タ−５８内の他の記憶部に記憶しておいてもよい。そし
て実際にｘＹステージ６５を歩進させて、各露光領域を
露光するときに、その１［ｊ１ｉｃ対応Ｌり駆１１１１
量ｊＺ１ｅ’、Δｚｔ１、ΔＺＢ＊’に一基づいて、そ
−ター６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃを駆動するようにすれば
、ウェハ全面に対する露光が前述の場合よりも短時間に
完了するいわゆるスループットが向上する利点もある。
、あらかじめ各露光領域毎に上述の駆動ΔＺ１ｍ’、ノ
ｚ！ｍｌ、ΔＺＢ＊’を演算し、その結果をコンビエー
タ−５８内の他の記憶部に記憶しておいてもよい。そし
て実際にｘＹステージ６５を歩進させて、各露光領域を
露光するときに、その１［ｊ１ｉｃ対応Ｌり駆１１１１
量ｊＺ１ｅ’、Δｚｔ１、ΔＺＢ＊’に一基づいて、そ
−ター６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃを駆動するようにすれば
、ウェハ全面に対する露光が前述の場合よりも短時間に
完了するいわゆるスループットが向上する利点もある。
また、くり返し露光の場合、各露光領域毎に、マスク５
１のパターンとその領域中に既に形成さｈたパターンと
を７ライメント（位置合わせ）する必要がある場合があ
る。この場合には、前述のように、あらかじめウェハ６
０の各露光領域での駆動量ΔＺ１ｍ’、ΔＺ！ｍ’ｓΔ
ＺＢｓ’を記憶した時点に、各露光領域毎に７ライメン
トを行い、その時のマスタ５１とウェハ６０との相対的
な位置を、例えばレーザ干渉計等で計測して、その値も
記憶しておくようにすれば、実際の露光時には、単に記
憶された各種データーに基づいて、そ−ター６４ Ａ、
６４ Ｂ、 ６４ Ｃを駆動シタリ、ＸＹＸチーシロ
５を移動したりするだけでよい。また、上述の動作は、
（り返し露光について述べたが、一括露光の場合には、
コンビエータ−５８の記憶部２０１に、ウェハ６０の全
転写面上の少なくとも３点の座標値（ｘｎｓＹ”％８ｎ
）（ただしれは５以上の整数）を記憶してお（たけでよ
い。
１のパターンとその領域中に既に形成さｈたパターンと
を７ライメント（位置合わせ）する必要がある場合があ
る。この場合には、前述のように、あらかじめウェハ６
０の各露光領域での駆動量ΔＺ１ｍ’、ΔＺ！ｍ’ｓΔ
ＺＢｓ’を記憶した時点に、各露光領域毎に７ライメン
トを行い、その時のマスタ５１とウェハ６０との相対的
な位置を、例えばレーザ干渉計等で計測して、その値も
記憶しておくようにすれば、実際の露光時には、単に記
憶された各種データーに基づいて、そ−ター６４ Ａ、
６４ Ｂ、 ６４ Ｃを駆動シタリ、ＸＹＸチーシロ
５を移動したりするだけでよい。また、上述の動作は、
（り返し露光について述べたが、一括露光の場合には、
コンビエータ−５８の記憶部２０１に、ウェハ６０の全
転写面上の少なくとも３点の座標値（ｘｎｓＹ”％８ｎ
）（ただしれは５以上の整数）を記憶してお（たけでよ
い。
第２図の実施例においては、第１ｃマスク５１の下面を
第２ギャップセンナ−６８で走査し、各座標における高
さの値をコンピューター５８（第３図の記憶部１０１）
Ｉｃ入力し、演算処理された結果に基づいて、マスク調
整上−ター５６を制御してマスク５１の近似平面なｘｙ
平面に平行にし、次にウニＩ・６０の上面を第１ギヤツ
プセンサー５９で走査し、各座ＩＩＣおける高すｔｆ＞
値をコンビエータ−５８（第３図の記憶部２０１）に入
力し、演算処理された結果に基づいて、ウニ１１調整そ
一ター６４を制御して、ウェハ６０の各露光領域６９．
７０・・・・・・・・・・・・毎の近似平面を、マスタ
５１の近似平面と平行にして、所望のギャップ値Ｇを得
るように構成さｈている。しかしながら第５図のブロッ
ク図かられかるように、ウェハ側のデーターの処理順序
とマスク側のデーターの処理順序ははｄ同様であるから
、第１Ｋ−ウェハ全面の近似平面なｘｙ平面に平行にし
、各露光領域毎に、各露光領域の近似平面に平行になる
ようにマスク側を制御して所望のギャップを得るように
してもよい。
第２ギャップセンナ−６８で走査し、各座標における高
さの値をコンピューター５８（第３図の記憶部１０１）
Ｉｃ入力し、演算処理された結果に基づいて、マスク調
整上−ター５６を制御してマスク５１の近似平面なｘｙ
平面に平行にし、次にウニＩ・６０の上面を第１ギヤツ
プセンサー５９で走査し、各座ＩＩＣおける高すｔｆ＞
値をコンビエータ−５８（第３図の記憶部２０１）に入
力し、演算処理された結果に基づいて、ウニ１１調整そ
一ター６４を制御して、ウェハ６０の各露光領域６９．
７０・・・・・・・・・・・・毎の近似平面を、マスタ
５１の近似平面と平行にして、所望のギャップ値Ｇを得
るように構成さｈている。しかしながら第５図のブロッ
ク図かられかるように、ウェハ側のデーターの処理順序
とマスク側のデーターの処理順序ははｄ同様であるから
、第１Ｋ−ウェハ全面の近似平面なｘｙ平面に平行にし
、各露光領域毎に、各露光領域の近似平面に平行になる
ようにマスク側を制御して所望のギャップを得るように
してもよい。
また第２図実施例においては、マスク５１とウェハ６０
の双方の近似平面を、基準となるＸＹ平面に平行になる
ようにするために、そｈぞｈＣＺ方向の開塾装置が設け
らｈているが、マスク側とウェハ側のいずｈか一方にの
み２方向調整装置を設け、固定さｈた他方の面の調整駆
動量（例えばＨｓ図の駆動量演算部１０５の演算値４２
１．．４２意９、Δｚ３．）を一方の駆動量（例えば第
３図の駆動量演算部２０３の演算値ｊＺ１ｓ’）’Ｚｏ
ｏ’、’Ｚ＊’ ）に加算して２方向調整装置（例えハ
ウエバ勇葺そ一ター５６）を制御するように構成しても
よい。なお第２図においては、第１ギヤツプセンす−５
９および第２ギヤツプセンサー６８は共ｃ１個のみ設け
られているが、これをウェハ面、マスク面共に少なくと
も３個のギャップセンサーで同時に計測するように構成
することによって、測定のためにｘＹステージ６５の走
査を省略することが可能となり、ギャップ設定の時間を
短縮できる。
の双方の近似平面を、基準となるＸＹ平面に平行になる
ようにするために、そｈぞｈＣＺ方向の開塾装置が設け
らｈているが、マスク側とウェハ側のいずｈか一方にの
み２方向調整装置を設け、固定さｈた他方の面の調整駆
動量（例えばＨｓ図の駆動量演算部１０５の演算値４２
１．．４２意９、Δｚ３．）を一方の駆動量（例えば第
３図の駆動量演算部２０３の演算値ｊＺ１ｓ’）’Ｚｏ
ｏ’、’Ｚ＊’ ）に加算して２方向調整装置（例えハ
ウエバ勇葺そ一ター５６）を制御するように構成しても
よい。なお第２図においては、第１ギヤツプセンす−５
９および第２ギヤツプセンサー６８は共ｃ１個のみ設け
られているが、これをウェハ面、マスク面共に少なくと
も３個のギャップセンサーで同時に計測するように構成
することによって、測定のためにｘＹステージ６５の走
査を省略することが可能となり、ギャップ設定の時間を
短縮できる。
以上の如く本発明によれば、ウニ／１の全面にわたり正
しいギャップが設定さｈるばかりでなくマスク自体のテ
ーパー、ウェハのテーパー、ウェハの反り等を補正して
ウエノ・全面に対して極めて高い精度によりギャップを
コン）１＝−ルすることができる。またマスクとマスク
ホルダーとの間に微小な異物（塵埃）がはさまって、マ
スクの対向面が傾いたとしても、本発明によれば、マス
クとウニ・・とを所定の間隔で正確に平行になし一得る
ので、取扱いがすこぶる容易であるＯ
しいギャップが設定さｈるばかりでなくマスク自体のテ
ーパー、ウェハのテーパー、ウェハの反り等を補正して
ウエノ・全面に対して極めて高い精度によりギャップを
コン）１＝−ルすることができる。またマスクとマスク
ホルダーとの間に微小な異物（塵埃）がはさまって、マ
スクの対向面が傾いたとしても、本発明によれば、マス
クとウニ・・とを所定の間隔で正確に平行になし一得る
ので、取扱いがすこぶる容易であるＯ
第１図は従来装置の断面図、第２図は本発明の一実施例
の断面図、第４図および第５図は第２図実施例のそれぞ
れマスクとウエノ・の測定面の説明図、第３図は第２図
実施例のコンピューター内のデーターの流れを示すプＶ
ツ？図である。 ５１・・・・・・・・・マスク ５９・・・・・・・・・第１測定手段 ６０・・・・・・・・・ウェハ ６８・・・・・・・・・第２測定手段 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男
の断面図、第４図および第５図は第２図実施例のそれぞ
れマスクとウエノ・の測定面の説明図、第３図は第２図
実施例のコンピューター内のデーターの流れを示すプＶ
ツ？図である。 ５１・・・・・・・・・マスク ５９・・・・・・・・・第１測定手段 ６０・・・・・・・・・ウェハ ６８・・・・・・・・・第２測定手段 出願人 日本光学工業株式会社 代理人 渡 辺 隆 男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）対向するマスクとウェハとを近接してマスクのパ
ターンをウェハ上に転写する露光装置において、ウニへ
の転写面の近似平面と所定の基準平面との傾ぎに応じた
第１の情報を得るための第１淘定手段と；前記ウェハの
転写面に対向するマスクの対向面の近似平面と所定の基
準平面との傾きに応じた第２の情報を得るための第２測
定手段と；前記第１と第２の情Ｉｌｃ基づいて前記ウェ
ハと前記マスクの両近似平面とが所定の間隔で平行にな
るようＣウェハとマスクを相対的に移動するための移動
手段を有するｉｗ＊装置とから構成されていることを特
徴とするギャップ設定装置。 （２１特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記
第１測定手段は前記マスク６υを支持するマスクステー
ジｅｉ！９に設けられ、前記第２測定手段は前記ウエノ
・−を載置して２次元移動するｘＹステージ（至）に設
けられていることを特徴とするギャップ設定装置。 （５）特許請求の範囲第２項記載の装置にお−１て、前
記第１一定手段は前記ウニ・・の転写面との間隔を測定
し、その測定値を電気信号として出力する第１ギヤツプ
センサーａｌニよって構成され、前記第２ｆａｌｌ定手
段は前記マスク６００対向面との間隔を測定し、その測
定値を電気信号として出力する第２ギャップセンサー−
によって構成されていることを特徴とするギャップ設定
装置。 （４） 特許請求の範囲第３項記載の装置におり１て
、前記調整装置は、前記第１ギャップセンサー−および
第２ギヤツプセンサーＩｓによって、測定さｈたギャッ
プ値に基づいて、それぞれ最小２乗法により１記転写面
の近似平面の式と前記対向面の近似平面の式との傾きに
関するパラメーターを演算する演算手段６Ｄを含むこと
を特赦とするギャップ設定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203050A JPS58103136A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 基板の傾き設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203050A JPS58103136A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 基板の傾き設定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103136A true JPS58103136A (ja) | 1983-06-20 |
| JPH035652B2 JPH035652B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=16467506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203050A Granted JPS58103136A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 基板の傾き設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103136A (ja) |
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| WO2019192681A1 (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system and method for aligning a substrate |
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-
1981
- 1981-12-16 JP JP56203050A patent/JPS58103136A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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| WO2014106557A1 (en) | 2013-01-04 | 2014-07-10 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
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| US9824909B2 (en) | 2013-01-04 | 2017-11-21 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
| WO2019192681A1 (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system and method for aligning a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035652B2 (ja) | 1991-01-28 |
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