JPH09293674A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH09293674A JPH09293674A JP8129151A JP12915196A JPH09293674A JP H09293674 A JPH09293674 A JP H09293674A JP 8129151 A JP8129151 A JP 8129151A JP 12915196 A JP12915196 A JP 12915196A JP H09293674 A JPH09293674 A JP H09293674A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、露光装置及び露光方法において、リ
ソグラフイ工程においてアライメントの際に生じる欠損
品を減少し得るようにする。 【解決手段】感光基板に設けられた複数のアライメント
マークを検出して第１検出信号を出力するアライメント
装置を有する露光装置において、アライメント装置によ
つてアライメントマークとは別の補充マークを検出させ
て第２検出信号を出力させると共に、第１検出信号が所
定の基準を満たしていないときに第２検出信号に基づい
て感光基板の位置を制御する制御装置を設けるようにし
た。アライメントマークの検出により得られる第１検出
信号が所定の基準を満たしていないときに、補充マーク
を予備測定することによつて第２検出信号を得るように
し、これに基づいて補正値を求め感光基板の位置を制御
することにより、補正値が求め得ないために生じるエラ
ーを低減し得る。
ソグラフイ工程においてアライメントの際に生じる欠損
品を減少し得るようにする。 【解決手段】感光基板に設けられた複数のアライメント
マークを検出して第１検出信号を出力するアライメント
装置を有する露光装置において、アライメント装置によ
つてアライメントマークとは別の補充マークを検出させ
て第２検出信号を出力させると共に、第１検出信号が所
定の基準を満たしていないときに第２検出信号に基づい
て感光基板の位置を制御する制御装置を設けるようにし
た。アライメントマークの検出により得られる第１検出
信号が所定の基準を満たしていないときに、補充マーク
を予備測定することによつて第２検出信号を得るように
し、これに基づいて補正値を求め感光基板の位置を制御
することにより、補正値が求め得ないために生じるエラ
ーを低減し得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及び露光方
法に関し、例えば半導体素子や液晶表示素子の製造工程
時においてレチクルと感光基板とを位置合わせする際に
適用して好適なものである。
法に関し、例えば半導体素子や液晶表示素子の製造工程
時においてレチクルと感光基板とを位置合わせする際に
適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子や液晶表示素子を製造
する際のリソグラフイ工程においては、レチクル上に形
成された所望のパターン像を感光剤が塗布されたウエハ
やガラスプレート等の感光基板に転写するようになされ
ている。この工程では、一般にステツプ・アンド・リピ
ート方式でなる投影型露光装置（以下、これをステツパ
と呼ぶ）が用いられている。このようなステツパではレ
チクル上の所望のパターン像を光学レンズを用いて投影
し、投影されたパターン像を感光基板上に露光する。こ
うして投影露光されたパターン像は感光基板上に予め形
成されたレジスト層に潜像され、この感光基板を現像処
理することにより感光基板上に所望のパターンが形成さ
れる。そして感光基板に形成されたパターンの上に更に
重ねてパターンを投影露光することにより、感光基板上
に形成するパターンを高集積化することができる。近年
では、このようなステツパにより感光基板上に形成し得
るパターンの解像線幅がサブ・ミクロン単位に達してい
る。
する際のリソグラフイ工程においては、レチクル上に形
成された所望のパターン像を感光剤が塗布されたウエハ
やガラスプレート等の感光基板に転写するようになされ
ている。この工程では、一般にステツプ・アンド・リピ
ート方式でなる投影型露光装置（以下、これをステツパ
と呼ぶ）が用いられている。このようなステツパではレ
チクル上の所望のパターン像を光学レンズを用いて投影
し、投影されたパターン像を感光基板上に露光する。こ
うして投影露光されたパターン像は感光基板上に予め形
成されたレジスト層に潜像され、この感光基板を現像処
理することにより感光基板上に所望のパターンが形成さ
れる。そして感光基板に形成されたパターンの上に更に
重ねてパターンを投影露光することにより、感光基板上
に形成するパターンを高集積化することができる。近年
では、このようなステツパにより感光基板上に形成し得
るパターンの解像線幅がサブ・ミクロン単位に達してい
る。
【０００３】ところで、このようなステツパによるリソ
グラフイ工程では、レチクルと感光基板とのアライメン
ト（重ね合わせ）精度が重要になつている。すなわち上
述したように、感光基板上に形成するパターンの解像度
がサブ・ミクロン単位に及んでいるため、わずかなずれ
が大きな問題となるからである。同様に、例えば感光基
板としてガラスプレートを用いた場合には、現像処理等
のプロセスの影響により、ガラスプレートが膨張してし
まい露光済のパターン領域も膨張するので、パターン間
の重ね合わせ精度が劣化するという問題があつた。この
ようなアライメント精度の向上のため、以下に説明する
ような、感光基板上に形成されたアライメントマークを
光学的に検出することにより感光基板の位置合わせを行
う手法が考案されている。
グラフイ工程では、レチクルと感光基板とのアライメン
ト（重ね合わせ）精度が重要になつている。すなわち上
述したように、感光基板上に形成するパターンの解像度
がサブ・ミクロン単位に及んでいるため、わずかなずれ
が大きな問題となるからである。同様に、例えば感光基
板としてガラスプレートを用いた場合には、現像処理等
のプロセスの影響により、ガラスプレートが膨張してし
まい露光済のパターン領域も膨張するので、パターン間
の重ね合わせ精度が劣化するという問題があつた。この
ようなアライメント精度の向上のため、以下に説明する
ような、感光基板上に形成されたアライメントマークを
光学的に検出することにより感光基板の位置合わせを行
う手法が考案されている。
【０００４】まず予め感光基板上のレジスト層に複数個
のアライメントマークを形成しておく。ここでアライメ
ントマーク自体はどのようなマークであつてもかまわな
い。またこのアライメントマークは、感光基板上に投影
露光するパターン像の妨げにならないように、主に外周
部分に形成される。さらにこのアライメントマークはマ
ーク部分以外と異なる反射率になるように形成する。次
いで、こうしてアライメントマークを形成した感光基板
に仮想的な原点を設定すると共に、この原点に対する各
アライメントマークの位置をＸ及びＹ座標で求める。得
られた各アライメントマークの座標位置は設計値データ
として記録しておく。
のアライメントマークを形成しておく。ここでアライメ
ントマーク自体はどのようなマークであつてもかまわな
い。またこのアライメントマークは、感光基板上に投影
露光するパターン像の妨げにならないように、主に外周
部分に形成される。さらにこのアライメントマークはマ
ーク部分以外と異なる反射率になるように形成する。次
いで、こうしてアライメントマークを形成した感光基板
に仮想的な原点を設定すると共に、この原点に対する各
アライメントマークの位置をＸ及びＹ座標で求める。得
られた各アライメントマークの座標位置は設計値データ
として記録しておく。
【０００５】こうして各アライメントマークの座標位置
を記録した感光基板をステツパの基板ステージ上に設置
して計測処理を行う。基板ステージ上に設置されたウエ
ハには各アライメントマーク計測用の光ビームが照射さ
れる。照射された光ビームは感光基板表面のレジスト層
で反射されて干渉計によつて受光される。各アライメン
トマークはそれ以外の部分と異なる反射率で形成されて
おり、このような反射光を受光することにより感光基板
上の各アライメントマーク位置を容易に計測することが
できる。こうして各アライメントマークの座標位置が測
定値として得られる。
を記録した感光基板をステツパの基板ステージ上に設置
して計測処理を行う。基板ステージ上に設置されたウエ
ハには各アライメントマーク計測用の光ビームが照射さ
れる。照射された光ビームは感光基板表面のレジスト層
で反射されて干渉計によつて受光される。各アライメン
トマークはそれ以外の部分と異なる反射率で形成されて
おり、このような反射光を受光することにより感光基板
上の各アライメントマーク位置を容易に計測することが
できる。こうして各アライメントマークの座標位置が測
定値として得られる。
【０００６】続いて、得られた測定値及び予め求められ
た設計値から、基板ステージ上に設置された感光基板の
アライメント補正値が得られる。すなわち、設計値によ
るアライメントマークの座標位置をＸ、Ｙとし、測定値
による座標位置をｘ、ｙとする。また得られる補正値の
各パラメータとしてεをＸ軸方向への移動量、ηをＹ軸
方向への移動量、γx をＸ軸方向への倍率、γy をＹ軸
方向への倍率、φを座標直交度、θを回転度とした場
合、
た設計値から、基板ステージ上に設置された感光基板の
アライメント補正値が得られる。すなわち、設計値によ
るアライメントマークの座標位置をＸ、Ｙとし、測定値
による座標位置をｘ、ｙとする。また得られる補正値の
各パラメータとしてεをＸ軸方向への移動量、ηをＹ軸
方向への移動量、γx をＸ軸方向への倍率、γy をＹ軸
方向への倍率、φを座標直交度、θを回転度とした場
合、
【数１】 でなる式が得られる。こうして（１）式により得られた
補正値の各パラメータに基づいて感光基板のアライメン
ト補正を行うことにより、感光基板を正しい露光位置に
位置補正することができる。ちなみに、各補正値のパラ
メータのうち幾つまで求めるかは予め設定しておく。
補正値の各パラメータに基づいて感光基板のアライメン
ト補正を行うことにより、感光基板を正しい露光位置に
位置補正することができる。ちなみに、各補正値のパラ
メータのうち幾つまで求めるかは予め設定しておく。
【０００７】通常、１枚の感光基板上には複数の異なる
パターン像が転写されるようになされているため、この
ような手法によつて数個のアライメントマークの位置を
計測するだけで、感光基板全体の各パターン像の露光位
置を一時に正しく求めることができ、リソグラフイ工程
におけるスループツトを向上させることができる。また
十分な数のアライメントマークをサンプリングすること
により、各マーク毎の測定値と設計値との誤差を（１）
式に示した統計的な演算処理によつて平均化でき、１パ
ターン毎に位置合わせした場合と同等、あるいはそれ以
上のアライメント精度で位置合わせすることができる。
パターン像が転写されるようになされているため、この
ような手法によつて数個のアライメントマークの位置を
計測するだけで、感光基板全体の各パターン像の露光位
置を一時に正しく求めることができ、リソグラフイ工程
におけるスループツトを向上させることができる。また
十分な数のアライメントマークをサンプリングすること
により、各マーク毎の測定値と設計値との誤差を（１）
式に示した統計的な演算処理によつて平均化でき、１パ
ターン毎に位置合わせした場合と同等、あるいはそれ以
上のアライメント精度で位置合わせすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような手
法によつて感光基板のアライメント補正を行う場合、予
め設定された補正値のパラメータ数に応じて、計測され
るべき必要最小限なアライメントマーク数が定まる。し
かし、前述のプロセス等の影響によつて計測不可能なマ
ーク又は誤差の大きなマークがあり、正しく計測し得る
アライメントマーク数が必要数に満たない場合、補正値
が求められずアライメント補正を行うことができないこ
とになる。このような場合、その都度、アライメント作
業を中断するためにオペレータによる指示入力が必要と
なり、生産性を低下させることになる。
法によつて感光基板のアライメント補正を行う場合、予
め設定された補正値のパラメータ数に応じて、計測され
るべき必要最小限なアライメントマーク数が定まる。し
かし、前述のプロセス等の影響によつて計測不可能なマ
ーク又は誤差の大きなマークがあり、正しく計測し得る
アライメントマーク数が必要数に満たない場合、補正値
が求められずアライメント補正を行うことができないこ
とになる。このような場合、その都度、アライメント作
業を中断するためにオペレータによる指示入力が必要と
なり、生産性を低下させることになる。
【０００９】またこのように計測不可能又は誤差が大き
い場合は、アライメントマーク自体に傷が付いている等
の不都合が生じていることが多く、正しい計測が行えな
かつたアライメントマークを再度計測しても成功する可
能性が低い。このため、大抵の場合は露光処理を中止す
ることになり、このようなウエハは欠損品となるという
問題がある。
い場合は、アライメントマーク自体に傷が付いている等
の不都合が生じていることが多く、正しい計測が行えな
かつたアライメントマークを再度計測しても成功する可
能性が低い。このため、大抵の場合は露光処理を中止す
ることになり、このようなウエハは欠損品となるという
問題がある。
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、リソグラフイ工程においてアライメントの際に生じ
る欠損品を減少させ得る露光装置及び露光方法を提案し
ようとするものである。
で、リソグラフイ工程においてアライメントの際に生じ
る欠損品を減少させ得る露光装置及び露光方法を提案し
ようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、感光基板（４）に設けられた複数
のアライメントマーク（４Ａ）を検出して第１検出信号
を出力するアライメント装置（６）を有する露光装置
（１）において、アライメント装置（６）によつてアラ
イメントマーク（４Ａ）とは別途に設けられた補充マー
ク（４Ｂ）を検出させて第２検出信号を出力させると共
に、第１検出信号が所定の基準を満たしていないときに
第２検出信号に基づいて感光基板（４）の位置を制御す
る制御装置（９）を設けるようにした。
め本発明においては、感光基板（４）に設けられた複数
のアライメントマーク（４Ａ）を検出して第１検出信号
を出力するアライメント装置（６）を有する露光装置
（１）において、アライメント装置（６）によつてアラ
イメントマーク（４Ａ）とは別途に設けられた補充マー
ク（４Ｂ）を検出させて第２検出信号を出力させると共
に、第１検出信号が所定の基準を満たしていないときに
第２検出信号に基づいて感光基板（４）の位置を制御す
る制御装置（９）を設けるようにした。
【００１２】アライメントマークの検出により得られる
第１検出信号が所定の基準を満たしていないときに、補
充マークを予備測定することによつて第２検出信号を得
るようにし、これに基づいて補正値を求めて感光基板の
位置を制御するようにしたことにより、補正値が求め得
ないために生じるエラーを低減し得る。
第１検出信号が所定の基準を満たしていないときに、補
充マークを予備測定することによつて第２検出信号を得
るようにし、これに基づいて補正値を求めて感光基板の
位置を制御するようにしたことにより、補正値が求め得
ないために生じるエラーを低減し得る。
【００１３】また本発明においては、感光基板（４）に
形成された複数のアライメントマーク（４Ａ）を検出し
て得られる検出信号が所定数得られないとき、感光基板
（４）の位置に基づく複数の補正値の中から、得られて
いる検出信号に基づいて補正できる補正値を選択する選
択手段（８及び９）を設けるようにした。
形成された複数のアライメントマーク（４Ａ）を検出し
て得られる検出信号が所定数得られないとき、感光基板
（４）の位置に基づく複数の補正値の中から、得られて
いる検出信号に基づいて補正できる補正値を選択する選
択手段（８及び９）を設けるようにした。
【００１４】補正値のパラメータ数を減らして、算出す
るパラメータ数から決定される測定値の必要最低限な個
数を減少させて、測定済の測定値だけを用いて補正値を
求め得るようにしたことにより、補正値が求め得ないた
めに生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメ
ント処理を完了し得る。
るパラメータ数から決定される測定値の必要最低限な個
数を減少させて、測定済の測定値だけを用いて補正値を
求め得るようにしたことにより、補正値が求め得ないた
めに生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメ
ント処理を完了し得る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１６】（１）第１実施例 図１において、１は全体として液晶用デイスプレイ（Ｌ
ＣＤ；Liquid CrystalDisplay）を製造する際に用いら
れる露光装置を示し、投影光Ｌ１によつてレチクル２上
に形成された所望のパターンを投影光学系３を介してレ
ジストが塗布されたガラスプレート４上に投影露光する
ことにより、ガラスプレート４に所望のパターンを形成
するようになされている。ここで露光装置１はこのよう
な露光処理の前にアライメント処理を行い、ＸＹステー
ジ５上の所定位置にガラスプレート４を配する。これに
より露光装置１は、レチクル２上に形成されたパターン
像をガラスプレート４の所定位置に正確に投影露光す
る。
ＣＤ；Liquid CrystalDisplay）を製造する際に用いら
れる露光装置を示し、投影光Ｌ１によつてレチクル２上
に形成された所望のパターンを投影光学系３を介してレ
ジストが塗布されたガラスプレート４上に投影露光する
ことにより、ガラスプレート４に所望のパターンを形成
するようになされている。ここで露光装置１はこのよう
な露光処理の前にアライメント処理を行い、ＸＹステー
ジ５上の所定位置にガラスプレート４を配する。これに
より露光装置１は、レチクル２上に形成されたパターン
像をガラスプレート４の所定位置に正確に投影露光す
る。
【００１７】露光装置１はアライメント補正部６によつ
て、ガラスプレート４上のアライメントマークの位置を
測定して得られた測定値と予め設定されている設計値と
からアライメント補正値を算出し、この補正値に基づい
てガラスプレート４の位置をアライメント補正するよう
になされている。すなわちアライメント補正部６は検出
器７、演算部８、制御部９及び駆動部１０とから構成さ
れており、まず検出器７によつてガラスプレート４上に
形成された後述する常用マークの位置を測定する。検出
器７はレーザ光源を含んでおり、ガラスプレート４に形
成された常用マークに対して発射したビーム光の反射光
を受光することにより各常用マークの位置を計測するよ
うになされている。なお、レーザ光源からのレーザは、
ガラスプレート４のレジスト層に対して極めて感度の低
い波長（非露光波長）である。
て、ガラスプレート４上のアライメントマークの位置を
測定して得られた測定値と予め設定されている設計値と
からアライメント補正値を算出し、この補正値に基づい
てガラスプレート４の位置をアライメント補正するよう
になされている。すなわちアライメント補正部６は検出
器７、演算部８、制御部９及び駆動部１０とから構成さ
れており、まず検出器７によつてガラスプレート４上に
形成された後述する常用マークの位置を測定する。検出
器７はレーザ光源を含んでおり、ガラスプレート４に形
成された常用マークに対して発射したビーム光の反射光
を受光することにより各常用マークの位置を計測するよ
うになされている。なお、レーザ光源からのレーザは、
ガラスプレート４のレジスト層に対して極めて感度の低
い波長（非露光波長）である。
【００１８】レチクルステージ１１は、レチクル２を載
置して図中に示すＸ、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）に
レチクル２の位置決めを行う。ＸＹステージ５は、図示
しない吸着機構によりガラスプレート４を吸着し、Ｘ、
Ｙ方向に移動することができる。また、ＸＹステージ５
のＸ、Ｙ方向の位置はレーザ干渉計１２によつて、例え
ば0.02〔μm 〕程度の分解能で常時検出され、ＸＹステ
ージ５の端部にはレーザ干渉計１２からのレーザビーム
を反射する移動鏡１３が固定されている。このレーザ干
渉計１２は、ＸＹステージ５のＸ、Ｙ方向の位置を後述
の制御部９に出力している。また投影光学系３には、投
影光学系３を構成する複数のレンズエレメント間の特定
の空間に封入された気体（例えば空気）の圧力を変え
て、その空間の屈折率を変えることにより倍率（焦点距
離）を変化させる倍率調整機構が備わつている。
置して図中に示すＸ、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）に
レチクル２の位置決めを行う。ＸＹステージ５は、図示
しない吸着機構によりガラスプレート４を吸着し、Ｘ、
Ｙ方向に移動することができる。また、ＸＹステージ５
のＸ、Ｙ方向の位置はレーザ干渉計１２によつて、例え
ば0.02〔μm 〕程度の分解能で常時検出され、ＸＹステ
ージ５の端部にはレーザ干渉計１２からのレーザビーム
を反射する移動鏡１３が固定されている。このレーザ干
渉計１２は、ＸＹステージ５のＸ、Ｙ方向の位置を後述
の制御部９に出力している。また投影光学系３には、投
影光学系３を構成する複数のレンズエレメント間の特定
の空間に封入された気体（例えば空気）の圧力を変え
て、その空間の屈折率を変えることにより倍率（焦点距
離）を変化させる倍率調整機構が備わつている。
【００１９】ここで図２に示すように、ガラスプレート
４にはアライメントマークとして常用マーク４Ａ及び補
充マーク４Ｂがそれぞれ複数個形成されている。各常用
マーク４Ａ及び各補充マーク４Ｂは上述したパターン像
の露光処理の妨げにならないようにガラスプレート４の
周辺部に形成されている。また各補充マーク４Ｂは各々
常用マーク４Ａの近傍でかつ各常用マーク４Ａに比して
ガラスプレート４の内側位置に形成されている。なお、
原点Ｏは仮想的に設定されたガラスプレート４の基準座
標位置でなる。このような各常用マーク４Ａ及び各補充
マーク４Ｂは、検出器７によつて他の部分と判別し分け
得るように、他の部分と異なる反射率を有するように形
成されている。さらに図３及び図４に示すように、各常
用マーク４Ａ及び各補充マーク４Ｂの位置情報はそれぞ
れ原点Ｏを基準座標としたＸ座標及びＹ座標によつて表
されている。この位置情報はガラスプレート４が予め正
しくＸＹステージ５（図１）に配置された際に設定され
たものであり、演算部８（図１）に設計値データとして
記憶されている。
４にはアライメントマークとして常用マーク４Ａ及び補
充マーク４Ｂがそれぞれ複数個形成されている。各常用
マーク４Ａ及び各補充マーク４Ｂは上述したパターン像
の露光処理の妨げにならないようにガラスプレート４の
周辺部に形成されている。また各補充マーク４Ｂは各々
常用マーク４Ａの近傍でかつ各常用マーク４Ａに比して
ガラスプレート４の内側位置に形成されている。なお、
原点Ｏは仮想的に設定されたガラスプレート４の基準座
標位置でなる。このような各常用マーク４Ａ及び各補充
マーク４Ｂは、検出器７によつて他の部分と判別し分け
得るように、他の部分と異なる反射率を有するように形
成されている。さらに図３及び図４に示すように、各常
用マーク４Ａ及び各補充マーク４Ｂの位置情報はそれぞ
れ原点Ｏを基準座標としたＸ座標及びＹ座標によつて表
されている。この位置情報はガラスプレート４が予め正
しくＸＹステージ５（図１）に配置された際に設定され
たものであり、演算部８（図１）に設計値データとして
記憶されている。
【００２０】検出器７は各常用マーク４Ａの位置を測定
して得られた測定値の個数を測定結果情報Ｓ１として制
御部９に通知する。制御部９には、最低限必要な測定値
の個数が設定値として予め設定されており、測定結果情
報Ｓ１で示される測定された常用マーク４Ａの個数がこ
れを満たす場合、検出器７に補正値の算出が可能である
ことを示す制御信号Ｓ２を送出する。検出器７はこの制
御信号Ｓ２を受けて、演算部８に常用マーク４Ａの位置
情報でなる測定値データＳ３を供給する。演算部８は測
定値データＳ３及び設計値データからＸ、Ｙ方向のシフ
ト、倍率補正、回転補正、直交度補正等の補正値を算出
する。この際、補正値の算出には上述した（１）式が用
いられる。演算部８は得られた補正値を補正値データＳ
４として制御部９に与える。制御部９は補正値データＳ
４に基づいて駆動部１０を駆動制御し、基板ステージ５
を駆動させて基板ステージ５上に配されたガラスプレー
ト４の位置をアライメント補正する。
して得られた測定値の個数を測定結果情報Ｓ１として制
御部９に通知する。制御部９には、最低限必要な測定値
の個数が設定値として予め設定されており、測定結果情
報Ｓ１で示される測定された常用マーク４Ａの個数がこ
れを満たす場合、検出器７に補正値の算出が可能である
ことを示す制御信号Ｓ２を送出する。検出器７はこの制
御信号Ｓ２を受けて、演算部８に常用マーク４Ａの位置
情報でなる測定値データＳ３を供給する。演算部８は測
定値データＳ３及び設計値データからＸ、Ｙ方向のシフ
ト、倍率補正、回転補正、直交度補正等の補正値を算出
する。この際、補正値の算出には上述した（１）式が用
いられる。演算部８は得られた補正値を補正値データＳ
４として制御部９に与える。制御部９は補正値データＳ
４に基づいて駆動部１０を駆動制御し、基板ステージ５
を駆動させて基板ステージ５上に配されたガラスプレー
ト４の位置をアライメント補正する。
【００２１】また制御部９は、検出器７から通知された
測定結果情報Ｓ１で示される測定された常用マーク４Ａ
の個数が設定値を満たさない場合、検出器７に補正値の
算出が不可能であることを示す制御信号Ｓ２を送出す
る。検出器７はこの制御信号Ｓ２を受けて、再測定を行
う。この際、検出器７は先に測定した常用マーク４Ａで
は無く、補充マーク４Ｂの位置を測定する。制御部９
は、検出器７が再測定によつて得た補充マーク４Ｂの位
置情報の個数と先に測定した常用マーク４Ａの位置情報
の個数との合計が設定値を満足したら、検出器７に補正
値の算出が可能であることを示す制御信号Ｓ２を送出す
る。具体的には検出器７は再測定の際に、補充マーク４
Ｂを１つ測定する毎に測定結果情報Ｓ１を制御部９に通
知し、制御部９はその都度制御信号Ｓ２を送出するよう
になされている。
測定結果情報Ｓ１で示される測定された常用マーク４Ａ
の個数が設定値を満たさない場合、検出器７に補正値の
算出が不可能であることを示す制御信号Ｓ２を送出す
る。検出器７はこの制御信号Ｓ２を受けて、再測定を行
う。この際、検出器７は先に測定した常用マーク４Ａで
は無く、補充マーク４Ｂの位置を測定する。制御部９
は、検出器７が再測定によつて得た補充マーク４Ｂの位
置情報の個数と先に測定した常用マーク４Ａの位置情報
の個数との合計が設定値を満足したら、検出器７に補正
値の算出が可能であることを示す制御信号Ｓ２を送出す
る。具体的には検出器７は再測定の際に、補充マーク４
Ｂを１つ測定する毎に測定結果情報Ｓ１を制御部９に通
知し、制御部９はその都度制御信号Ｓ２を送出するよう
になされている。
【００２２】検出器７は補正値が算出可能なことを示す
制御信号Ｓ２を受けて、演算部８に常用マーク４Ａ及び
補充マーク４Ｂの位置情報でなる測定値データＳ３を供
給する。演算部８は測定値データＳ３及び設計値データ
から補正値を算出する。この際、補正値の算出には上述
した（１）式が用いられる。演算部８は得られた補正値
を補正値データＳ４として制御部９に与える。制御部９
は補正値データＳ４に基づいて駆動部１０を駆動制御
し、基板ステージ５を駆動させて基板ステージ５上に配
されたガラスプレート４の位置をアライメント補正す
る。
制御信号Ｓ２を受けて、演算部８に常用マーク４Ａ及び
補充マーク４Ｂの位置情報でなる測定値データＳ３を供
給する。演算部８は測定値データＳ３及び設計値データ
から補正値を算出する。この際、補正値の算出には上述
した（１）式が用いられる。演算部８は得られた補正値
を補正値データＳ４として制御部９に与える。制御部９
は補正値データＳ４に基づいて駆動部１０を駆動制御
し、基板ステージ５を駆動させて基板ステージ５上に配
されたガラスプレート４の位置をアライメント補正す
る。
【００２３】以上の構成において、アライメント補正部
６は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート４をアライメント補正する。すな
わち図５に示すように、アライメント補正部６は、ＸＹ
ステージ５（図１）にガラスプレート４（図１）を配置
した後、ステツプＳＰ１で手順を開始する。アライメン
ト補正部６は、ステツプＳＰ２で、まず常用マーク４Ａ
（図２）の位置を測定する。次にアライメント補正部６
は、ステツプＳＰ３で、測定により得られた常用マーク
４Ａの測定値の個数が設定値に達したか否かを判別す
る。
６は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート４をアライメント補正する。すな
わち図５に示すように、アライメント補正部６は、ＸＹ
ステージ５（図１）にガラスプレート４（図１）を配置
した後、ステツプＳＰ１で手順を開始する。アライメン
ト補正部６は、ステツプＳＰ２で、まず常用マーク４Ａ
（図２）の位置を測定する。次にアライメント補正部６
は、ステツプＳＰ３で、測定により得られた常用マーク
４Ａの測定値の個数が設定値に達したか否かを判別す
る。
【００２４】アライメント補正部６は、設定値を満足す
る場合に、ステツプＳＰ４で補正値を算出する。アライ
メント補正部６は、この補正値を用いてアライメント補
正した後、ステツプ５で露光処理を実行し、ステツプＳ
Ｐ６で手順を終了する。アライメント補正部６は、設定
値を満足しない場合、すなわち得られた常用マーク４Ａ
の測定値の個数が補正値を算出し得る個数に達していな
い場合、ステツプＳＰ７以降で補充マーク４Ｂの測定を
行う。アライメント補正部６は、ステツプＳＰ７で、補
充マーク４Ｂを全て測定したか否かを判別する。アライ
メント補正部６は、補充マーク４Ｂを全て測定したにも
かかわらず、得られた測定値の個数が設定値に満たない
場合に、ステツプＳＰ８でエラー処理を行い手順を終了
する（ステツプＳＰ６）。アライメント補正部６は、測
定されていない補充マーク４Ｂが存在する場合はステツ
プＳＰ９に進む。アライメント補正部６は、ステツプＳ
Ｐ９で、補充マーク４Ｂを１つ測定させて、これにより
測定値の個数が設定値に達したか否かを判別させる（ス
テツプＳＰ３）。
る場合に、ステツプＳＰ４で補正値を算出する。アライ
メント補正部６は、この補正値を用いてアライメント補
正した後、ステツプ５で露光処理を実行し、ステツプＳ
Ｐ６で手順を終了する。アライメント補正部６は、設定
値を満足しない場合、すなわち得られた常用マーク４Ａ
の測定値の個数が補正値を算出し得る個数に達していな
い場合、ステツプＳＰ７以降で補充マーク４Ｂの測定を
行う。アライメント補正部６は、ステツプＳＰ７で、補
充マーク４Ｂを全て測定したか否かを判別する。アライ
メント補正部６は、補充マーク４Ｂを全て測定したにも
かかわらず、得られた測定値の個数が設定値に満たない
場合に、ステツプＳＰ８でエラー処理を行い手順を終了
する（ステツプＳＰ６）。アライメント補正部６は、測
定されていない補充マーク４Ｂが存在する場合はステツ
プＳＰ９に進む。アライメント補正部６は、ステツプＳ
Ｐ９で、補充マーク４Ｂを１つ測定させて、これにより
測定値の個数が設定値に達したか否かを判別させる（ス
テツプＳＰ３）。
【００２５】アライメント補正部６は、補充マーク４Ｂ
を測定することにより、得られた測定値の個数が設定値
に達したら、先に測定されている常用マーク４Ａの測定
値及び新たに予備測定された補充マーク４Ｂの測定値か
ら補正値を算出する（ステツプＳＰ４）。アライメント
補正部６は、得られた補正値に基づきアライメント補正
し、露光処理を行つた（ステツプＳＰ５）後、手順を終
了する（ステツプＳＰ６）。
を測定することにより、得られた測定値の個数が設定値
に達したら、先に測定されている常用マーク４Ａの測定
値及び新たに予備測定された補充マーク４Ｂの測定値か
ら補正値を算出する（ステツプＳＰ４）。アライメント
補正部６は、得られた補正値に基づきアライメント補正
し、露光処理を行つた（ステツプＳＰ５）後、手順を終
了する（ステツプＳＰ６）。
【００２６】アライメント補正部６は、このように常用
マーク４Ａを測定して得られた測定値の個数が設定値に
達しない場合、補充マーク４Ｂを予備測定する。すなわ
ち補正値データＳ４はＸ方向へのシフト成分、Ｙ方向へ
のシフト成分及び回転成分等の複数のパラメータ成分で
構成されており（（１）式）、このため算出を所望する
パラメータ成分の個数に応じて最低限測定すべきアライ
メントマークの個数が決定する。例えば最も簡便なアラ
イメントの場合、Ｘ方向へのシフト成分、Ｙ方向へのシ
フト成分及び回転成分の３つのみを算出してアライメン
ト補正する。この場合、最低３か所のマークの測定値を
得ることが必要である。しかし常用マーク４Ａに傷が生
じている等によつて、予め検出部７に設定された測定基
準を満足する測定値の個数が必要最低限数を満たさない
場合、補正値を算出し得ない。アライメント補正部６
は、常用マーク４Ａを測定して得られた測定値の個数が
設定値に達しない場合、補充マーク４Ｂを予備測定して
得られる測定値によつて不足する測定値の個数を補充
し、これにより補正値を算出することができる。アライ
メント補正部６は、求めた補正値に応じて、例えば投影
光学系３の倍率調整機構により倍率の補正を行ない、レ
チクルステージ１１により回転の補正をする。
マーク４Ａを測定して得られた測定値の個数が設定値に
達しない場合、補充マーク４Ｂを予備測定する。すなわ
ち補正値データＳ４はＸ方向へのシフト成分、Ｙ方向へ
のシフト成分及び回転成分等の複数のパラメータ成分で
構成されており（（１）式）、このため算出を所望する
パラメータ成分の個数に応じて最低限測定すべきアライ
メントマークの個数が決定する。例えば最も簡便なアラ
イメントの場合、Ｘ方向へのシフト成分、Ｙ方向へのシ
フト成分及び回転成分の３つのみを算出してアライメン
ト補正する。この場合、最低３か所のマークの測定値を
得ることが必要である。しかし常用マーク４Ａに傷が生
じている等によつて、予め検出部７に設定された測定基
準を満足する測定値の個数が必要最低限数を満たさない
場合、補正値を算出し得ない。アライメント補正部６
は、常用マーク４Ａを測定して得られた測定値の個数が
設定値に達しない場合、補充マーク４Ｂを予備測定して
得られる測定値によつて不足する測定値の個数を補充
し、これにより補正値を算出することができる。アライ
メント補正部６は、求めた補正値に応じて、例えば投影
光学系３の倍率調整機構により倍率の補正を行ない、レ
チクルステージ１１により回転の補正をする。
【００２７】またガラスプレート４においては、補充マ
ーク４Ｂを常用マーク４Ａの内側位置に設けるようにな
されている。一般に常用マーク４Ａから得られる測定値
の個数が設定値に満たない場合は、現像やエツチング等
のプロセスの影響により常用マーク４Ａに傷もしくは欠
損が生じたことが考えられる。また、プロセスの影響
は、ガラスプレート４の外側に向かうにつれ大きくな
る。このため、補充マーク４Ｂを常用マーク４Ａの外側
に設けた場合は補充マーク４Ｂも同様の原因で測定が困
難になつてしまうことになる。従つて、このように補充
マーク４Ｂを常用マーク４Ａの内側位置に設けることに
より、補充マーク４Ｂに生じる傷等を低減させることが
できる。
ーク４Ｂを常用マーク４Ａの内側位置に設けるようにな
されている。一般に常用マーク４Ａから得られる測定値
の個数が設定値に満たない場合は、現像やエツチング等
のプロセスの影響により常用マーク４Ａに傷もしくは欠
損が生じたことが考えられる。また、プロセスの影響
は、ガラスプレート４の外側に向かうにつれ大きくな
る。このため、補充マーク４Ｂを常用マーク４Ａの外側
に設けた場合は補充マーク４Ｂも同様の原因で測定が困
難になつてしまうことになる。従つて、このように補充
マーク４Ｂを常用マーク４Ａの内側位置に設けることに
より、補充マーク４Ｂに生じる傷等を低減させることが
できる。
【００２８】以上の構成によれば、ガラスプレート４の
露光面に形成された常用マーク４Ａの位置の測定により
得られた測定値の個数が補正値を算出するために最低限
必要な数を満たさない場合、アライメント補正部６によ
つて常用マーク４Ａとは別途に設けられた補充マーク４
Ｂを予備測定して不足する測定値の個数を補充するよう
にしたことにより補正値を算出することができ、補正値
が求め得ないために生じるエラーを低減し得る。かくし
てリソグラフイ工程におけるアライメントの際に発生す
る欠損品を減少させ得る露光装置１及び露光方法を実現
することができる。
露光面に形成された常用マーク４Ａの位置の測定により
得られた測定値の個数が補正値を算出するために最低限
必要な数を満たさない場合、アライメント補正部６によ
つて常用マーク４Ａとは別途に設けられた補充マーク４
Ｂを予備測定して不足する測定値の個数を補充するよう
にしたことにより補正値を算出することができ、補正値
が求め得ないために生じるエラーを低減し得る。かくし
てリソグラフイ工程におけるアライメントの際に発生す
る欠損品を減少させ得る露光装置１及び露光方法を実現
することができる。
【００２９】（２）第２実施例 第２実施例の構成は図１に示した第１実施例の構成と同
じであり、第２実施例はアライメント補正部６の制御の
みが第１実施例と異つている。以下、アライメント補正
部６の別の制御について説明する。
じであり、第２実施例はアライメント補正部６の制御の
みが第１実施例と異つている。以下、アライメント補正
部６の別の制御について説明する。
【００３０】即ち演算部８は、測定値データＳ３から各
パラメータの全てを算出し得ない場合、制御部９に補正
値の算出が不可能であることを通知する。制御部９は演
算部８に、補正値のパラメータ数を削減するように指示
する。ここでパラメータの削減は、図６に示すような、
所定の優先順位にしたがつてなされる。例えば第１に直
交度パラメータを補正値から削減して補正値の算出を行
い、この状態で算出し得ない場合は更にＸ方向への倍率
パラメータが削減される。
パラメータの全てを算出し得ない場合、制御部９に補正
値の算出が不可能であることを通知する。制御部９は演
算部８に、補正値のパラメータ数を削減するように指示
する。ここでパラメータの削減は、図６に示すような、
所定の優先順位にしたがつてなされる。例えば第１に直
交度パラメータを補正値から削減して補正値の算出を行
い、この状態で算出し得ない場合は更にＸ方向への倍率
パラメータが削減される。
【００３１】演算部８はパラメータを１つ削減する毎に
補正値を算出し得るか否かを判定し、算出し得ない場合
に制御部９に信号を送出する。これにより制御部９は、
補正値が算出し得る状態になるまで演算部８にパラメー
タの削減を繰り返させる。演算部８は補正値を算出し得
ることを判定した時点で補正値の算出を実行する。演算
部８は得られた補正値を補正値データとして制御部９に
与える。制御部９は補正値データに基づいて駆動部１０
を駆動制御し、ＸＹステージ５を駆動させてＸＹステー
ジ５上に配されたガラスプレート４の位置をアライメン
ト補正する。
補正値を算出し得るか否かを判定し、算出し得ない場合
に制御部９に信号を送出する。これにより制御部９は、
補正値が算出し得る状態になるまで演算部８にパラメー
タの削減を繰り返させる。演算部８は補正値を算出し得
ることを判定した時点で補正値の算出を実行する。演算
部８は得られた補正値を補正値データとして制御部９に
与える。制御部９は補正値データに基づいて駆動部１０
を駆動制御し、ＸＹステージ５を駆動させてＸＹステー
ジ５上に配されたガラスプレート４の位置をアライメン
ト補正する。
【００３２】以上の構成において、アライメント補正部
６は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート４をアライメント補正する。すな
わちＸＹステージ５（図１）にガラスプレート４を配置
した後、ステツプＳＰ１０で手順を開始する。アライメ
ント補正部６は、ステツプＳＰ１１で、常用マーク４Ａ
（図２）の位置を測定する。次にアライメント補正部６
は、ステツプＳＰ１２で、測定により得られた測定値デ
ータから予め設定された全てのパラメータについて補正
値が算出可能か否かを判別する。アライメント補正部６
は、全パラメータを算出し得る場合に、ステツプＳＰ１
３で補正値の算出を実行する。この補正値を用いてアラ
イメント補正した後、ステツプＳＰ１４で露光処理がな
され、ステツプＳＰ１５で手順を終了する。
６は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート４をアライメント補正する。すな
わちＸＹステージ５（図１）にガラスプレート４を配置
した後、ステツプＳＰ１０で手順を開始する。アライメ
ント補正部６は、ステツプＳＰ１１で、常用マーク４Ａ
（図２）の位置を測定する。次にアライメント補正部６
は、ステツプＳＰ１２で、測定により得られた測定値デ
ータから予め設定された全てのパラメータについて補正
値が算出可能か否かを判別する。アライメント補正部６
は、全パラメータを算出し得る場合に、ステツプＳＰ１
３で補正値の算出を実行する。この補正値を用いてアラ
イメント補正した後、ステツプＳＰ１４で露光処理がな
され、ステツプＳＰ１５で手順を終了する。
【００３３】アライメント補正部６は、全パラメータを
算出し得ない場合に、ステツプＳＰ１６で、補正値とし
て算出するパラメータが削除可能か否かを判別する。ア
ライメント補正部６は、補正値のパラメータをこれ以上
削減し得ない場合は、ステツプＳＰ１７でエラー処理を
行い、手順を終了する（ステツプＳＰ１５）。アライメ
ント補正部６は、パラメータを削減しても、算出される
補正値がまだアライメント補正のための精度を保ち得る
場合に、ステツプＳＰ１８で、パラメータを１つ削除す
る。この際、パラメータの削除は所定の優先順位（図
７）にしたがつてなされる。アライメント補正部６は、
パラメータ数を削減したら、測定により得られた測定値
から残りのパラメータを算出し得るか否かを判別する
（ステツプＳＰ１２）。こうしてエラー状態になるか、
測定値データから補正値を算出し得るようになるまでパ
ラメータの削減を繰り返す。アライメント補正部６は、
測定値データから削除して残つたパラメータを算出し得
る状態になつた時点で補正値の算出を実行する（ステツ
プＳＰ１３）。アライメント補正部６が得られた補正値
を用いてアライメント補正した後、露光処理がなされ
（ステツプＳＰ１４）、手順を終了する（ステツプＳＰ
１５）。
算出し得ない場合に、ステツプＳＰ１６で、補正値とし
て算出するパラメータが削除可能か否かを判別する。ア
ライメント補正部６は、補正値のパラメータをこれ以上
削減し得ない場合は、ステツプＳＰ１７でエラー処理を
行い、手順を終了する（ステツプＳＰ１５）。アライメ
ント補正部６は、パラメータを削減しても、算出される
補正値がまだアライメント補正のための精度を保ち得る
場合に、ステツプＳＰ１８で、パラメータを１つ削除す
る。この際、パラメータの削除は所定の優先順位（図
７）にしたがつてなされる。アライメント補正部６は、
パラメータ数を削減したら、測定により得られた測定値
から残りのパラメータを算出し得るか否かを判別する
（ステツプＳＰ１２）。こうしてエラー状態になるか、
測定値データから補正値を算出し得るようになるまでパ
ラメータの削減を繰り返す。アライメント補正部６は、
測定値データから削除して残つたパラメータを算出し得
る状態になつた時点で補正値の算出を実行する（ステツ
プＳＰ１３）。アライメント補正部６が得られた補正値
を用いてアライメント補正した後、露光処理がなされ
（ステツプＳＰ１４）、手順を終了する（ステツプＳＰ
１５）。
【００３４】アライメント補正部６は、このように常用
マーク４Ａを測定して得られた測定値から補正値の全パ
ラメータを算出し得ない場合、補正値のパラメータ数を
削減する。すなわち補正値データはＸ方向へのシフト成
分、Ｙ方向へのシフト成分及び回転成分等の複数のパラ
メータ成分で構成されており（（１）式）、このため算
出を所望するパラメータ成分の個数に応じて最低限測定
すべきアライメントマークの個数が決定する。例えば最
も簡便なアライメントの場合、Ｘ方向へのシフト成分、
Ｙ方向へのシフト成分及び回転成分の３つのみを算出し
てアライメント補正する。この場合、最低３か所のマー
クの測定値を得ることが必要である。
マーク４Ａを測定して得られた測定値から補正値の全パ
ラメータを算出し得ない場合、補正値のパラメータ数を
削減する。すなわち補正値データはＸ方向へのシフト成
分、Ｙ方向へのシフト成分及び回転成分等の複数のパラ
メータ成分で構成されており（（１）式）、このため算
出を所望するパラメータ成分の個数に応じて最低限測定
すべきアライメントマークの個数が決定する。例えば最
も簡便なアライメントの場合、Ｘ方向へのシフト成分、
Ｙ方向へのシフト成分及び回転成分の３つのみを算出し
てアライメント補正する。この場合、最低３か所のマー
クの測定値を得ることが必要である。
【００３５】しかし常用マーク４Ａに傷が生じている等
によつて、予め検出部７に設定された測定基準を満足す
る測定値の個数が必要最低限数を満たさない場合、補正
値を算出し得ない。アライメント補正部６は、常用マー
ク４Ａを測定して得られた測定値の個数が補正値の全パ
ラメータを算出するために不足する場合、パラメータを
削減して補正値の算出のために必要な測定値の必要最低
限数を減少させることにより、得られている測定値デー
タのみで補正値を算出することができる。
によつて、予め検出部７に設定された測定基準を満足す
る測定値の個数が必要最低限数を満たさない場合、補正
値を算出し得ない。アライメント補正部６は、常用マー
ク４Ａを測定して得られた測定値の個数が補正値の全パ
ラメータを算出するために不足する場合、パラメータを
削減して補正値の算出のために必要な測定値の必要最低
限数を減少させることにより、得られている測定値デー
タのみで補正値を算出することができる。
【００３６】以上のように、常用マーク４Ａの位置を測
定した際に得られる測定値の個数が補正値の全パラメー
タを求めるために要する必要最低限数を満たさない場
合、アライメント補正部６によつて補正値のパラメータ
数を所定の優先順位に従つて減らして、算出すべきパラ
メータ数から決定される測定値の必要最低限な個数を減
少させて、得られている測定値データのみで補正値を算
出するようにしたことにより、補正値が求め得ないため
に生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメン
ト処理を完了し得る。かくしてリソグラフイ工程におけ
るアライメントの際に発生する欠損品を減少させ得る露
光装置１及び露光方法を実現することができる。なお、
レチクル２のパターンの精度が厳しいときには、補充マ
ーク４Ｂを用いたパラメータの演算を行い、レチクル２
のパターンの精度がラフなときには、求めるパラメータ
の数を減らすように、アライメント補正部６の制御を選
択すればいい。
定した際に得られる測定値の個数が補正値の全パラメー
タを求めるために要する必要最低限数を満たさない場
合、アライメント補正部６によつて補正値のパラメータ
数を所定の優先順位に従つて減らして、算出すべきパラ
メータ数から決定される測定値の必要最低限な個数を減
少させて、得られている測定値データのみで補正値を算
出するようにしたことにより、補正値が求め得ないため
に生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメン
ト処理を完了し得る。かくしてリソグラフイ工程におけ
るアライメントの際に発生する欠損品を減少させ得る露
光装置１及び露光方法を実現することができる。なお、
レチクル２のパターンの精度が厳しいときには、補充マ
ーク４Ｂを用いたパラメータの演算を行い、レチクル２
のパターンの精度がラフなときには、求めるパラメータ
の数を減らすように、アライメント補正部６の制御を選
択すればいい。
【００３７】（３）他の実施例 なお上述の第１実施例においては、周辺領域に形成され
た常用マーク４Ａの近傍でかつ内側位置に補充マーク４
Ｂを設けた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、他の位置に設けるようにしてもよい。すなわち補充
マーク４Ｂを設けたことにより得られる上述の効果は補
充マーク４Ｂを設ける位置及び補充マーク４Ｂの形状に
左右されない。
た常用マーク４Ａの近傍でかつ内側位置に補充マーク４
Ｂを設けた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、他の位置に設けるようにしてもよい。すなわち補充
マーク４Ｂを設けたことにより得られる上述の効果は補
充マーク４Ｂを設ける位置及び補充マーク４Ｂの形状に
左右されない。
【００３８】また上述の第１及び第２実施例において
は、線形パラメータでなる補正値（（１）式）を求める
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
非線形でなるパラメータを追加した補正値を求め、これ
を用いてアライメント補正するようにしてもよい。
は、線形パラメータでなる補正値（（１）式）を求める
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
非線形でなるパラメータを追加した補正値を求め、これ
を用いてアライメント補正するようにしてもよい。
【００３９】さらに上述の第１実施例においては、予備
測定の際に補充マーク４Ｂを一つづつ測定する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えばガラスプ
レート４上のアライメントマークを一度に測定する検出
器を設けて、得られた測定値によつて先に測定された測
定値による不足分を補充するようにしてもよい。
測定の際に補充マーク４Ｂを一つづつ測定する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えばガラスプ
レート４上のアライメントマークを一度に測定する検出
器を設けて、得られた測定値によつて先に測定された測
定値による不足分を補充するようにしてもよい。
【００４０】また上述の第２実施例においては、所定の
優先順位（図６）にしたがつて補正値のパラメータを削
減する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
削減のための優先順位はどのような順位に設定してもよ
い。
優先順位（図６）にしたがつて補正値のパラメータを削
減する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
削減のための優先順位はどのような順位に設定してもよ
い。
【００４１】また上述の第１及び第２実施例において
は、本発明を液晶用デイスプレイを製造する際に用いら
れる露光装置１に適用した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、例えば半導体素子を製造する際に用
いられる露光装置に適用してもよい。要は、露光処理の
際にアライメント処理する露光装置であれば、どのよう
なものにも適用し得る。
は、本発明を液晶用デイスプレイを製造する際に用いら
れる露光装置１に適用した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、例えば半導体素子を製造する際に用
いられる露光装置に適用してもよい。要は、露光処理の
際にアライメント処理する露光装置であれば、どのよう
なものにも適用し得る。
【００４２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、感光基板
に設けられた複数のアライメントマークを検出して第１
検出信号を出力するアライメント装置を有する露光装置
において、アライメント装置によつてアライメントマー
クとは別途に設けられた補充マークを検出させて第２検
出信号を出力させると共に、第１検出信号が所定の基準
を満たしていないときに第２検出信号に基づいて感光基
板の位置を制御する制御装置を設けて、アライメントマ
ークの検出により得られる第１検出信号が所定の基準を
満たしていないときに、補充マークを予備測定すること
によつて第２検出信号を得るようにし、これに基づいて
補正値を求めて感光基板の位置を制御するようにしたこ
とにより、補正値が求め得ないために生じるエラーを低
減させることができる。かくしてリソグラフイ工程にお
いてアライメントの際に生じる欠損品を減少させ得る露
光装置及び露光方法を実現することができる。
に設けられた複数のアライメントマークを検出して第１
検出信号を出力するアライメント装置を有する露光装置
において、アライメント装置によつてアライメントマー
クとは別途に設けられた補充マークを検出させて第２検
出信号を出力させると共に、第１検出信号が所定の基準
を満たしていないときに第２検出信号に基づいて感光基
板の位置を制御する制御装置を設けて、アライメントマ
ークの検出により得られる第１検出信号が所定の基準を
満たしていないときに、補充マークを予備測定すること
によつて第２検出信号を得るようにし、これに基づいて
補正値を求めて感光基板の位置を制御するようにしたこ
とにより、補正値が求め得ないために生じるエラーを低
減させることができる。かくしてリソグラフイ工程にお
いてアライメントの際に生じる欠損品を減少させ得る露
光装置及び露光方法を実現することができる。
【００４３】また本発明によれば、感光基板に形成され
た複数のアライメントマークを検出して得られる検出信
号が所定数得られないとき、感光基板の位置に基づく複
数の補正値の中から、得られている検出信号に基づいて
補正できる補正値を選択する選択手段を設けて、補正値
のパラメータ数を減らすことにより算出するパラメータ
数から決定される測定値の必要最低限な個数を減少させ
て、測定済の測定値だけを用いて補正値を求め得るよう
にしたことにより、補正値が求め得ないために生じるエ
ラーを低減し得ると共に速やかにアライメント処理を完
了し得る。かくしてリソグラフイ工程において生産性を
損なうこと無く、アライメントの際に生じる欠損品を減
少させ得る露光装置及び露光方法を実現することができ
る。
た複数のアライメントマークを検出して得られる検出信
号が所定数得られないとき、感光基板の位置に基づく複
数の補正値の中から、得られている検出信号に基づいて
補正できる補正値を選択する選択手段を設けて、補正値
のパラメータ数を減らすことにより算出するパラメータ
数から決定される測定値の必要最低限な個数を減少させ
て、測定済の測定値だけを用いて補正値を求め得るよう
にしたことにより、補正値が求め得ないために生じるエ
ラーを低減し得ると共に速やかにアライメント処理を完
了し得る。かくしてリソグラフイ工程において生産性を
損なうこと無く、アライメントの際に生じる欠損品を減
少させ得る露光装置及び露光方法を実現することができ
る。
【図１】第１実施例による露光装置の構成を示すブロツ
ク図である。
ク図である。
【図２】基板上に形成された常用マーク及び補充マーク
の配置を示す平面図である。
の配置を示す平面図である。
【図３】常用マークの基板上での位置を表す座標情報を
示す図表である。
示す図表である。
【図４】補充マークの基板上での位置を表す座標情報を
示す図表である。
示す図表である。
【図５】第１実施例による露光手順を示すフローチヤー
トである。
トである。
【図６】第２実施例によるパラメータ削除の際の優先削
除順位を示す図表である。
除順位を示す図表である。
【図７】第２実施例による露光手順を示すフローチヤー
トである。
トである。
１……露光装置、２……レチクル、３……投影光学系、
４……ガラスプレート、４Ａ……常用マーク、４Ｂ……
補充マーク、５……ＸＹステージ、６……アライメント
補正部、７……検出器、８……演算部、９……制御部、
１０……駆動部。
４……ガラスプレート、４Ａ……常用マーク、４Ｂ……
補充マーク、５……ＸＹステージ、６……アライメント
補正部、７……検出器、８……演算部、９……制御部、
１０……駆動部。
Claims (6)
- 【請求項１】パターンを有したマスクに光源からの光束
を照射する照明光学系と、前記マスクを透過した光束を
複数のアライメントマークを有した感光基板に投影する
投影光学系と、前記アライメントマークを検出して、こ
の検出した第１検出信号を出力するアライメント装置と
を備えた露光装置において、 前記感光基板には前記アライメントマークとは別のアラ
イメント補充マークが形成されており、前記アライメン
ト装置は前記アライメント補充マークを検出したときに
第２検出信号を出力し、 前記第１検出信号が所定の基準を満たしていないとき
に、前記第２検出信号に基づいて、前記感光基板の位置
を制御する制御装置とを具えることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】前記アライメント補充マークは、前記アラ
イメントマークよりも内側に設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】前記制御装置は、 前記複数のアライメントマークから検出し得た前記第１
検出信号の数が所定の数より少ないときに前記第２検出
信号を用いることを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項４】パターンを有したマスクに光源からの光束
を照射する照明光学系と、前記マスクを透過した光束を
複数のアライメントマークを有した感光基板に投影する
投影光学系と、前記アライメントマークを検出して、こ
の検出した検出信号を出力するアライメント装置と、前
記検出信号に基づいて、前記感光基板の位置に関する複
数の補正値を演算する演算装置とを備えた露光装置にお
いて、 前記検出信号が所定数得られないときに、前記検出信号
に基づいて前記複数の補正値の中から補正できる補正値
を選択する選択手段を具えることを特徴とする露光装
置。 - 【請求項５】感光基板の露光面に形成された複数のアラ
イメントマークの位置を測定して得られた測定値と予め
設定された前記アライメントマークの位置情報を表す設
定値とに基づいて複数のパラメータからなる補正値を求
め、該補正値を用いて前記基板のアライメント補正を行
う露光方法において、 前記基板の露光面に形成された複数の前記アライメント
マークの位置を測定する測定ステツプと、 所定の測定基準を満足する測定値の個数が前記補正値を
求めるために予め設定された必要最低限数を満たすか否
かを判定する判定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たさない場合、前
記アライメントマークとは別途に設けられた補充マーク
を予備測定する予備測定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たす場合は該測定
値に基づいて前記補正値を求め、該測定値の個数が該必
要最低限数を満たさない場合は測定済でなる該測定値と
予備測定された前記補充マークの測定値とに基づいて前
記補正値を求める補正値算出ステツプと、 得られた補正値に基づいて前記基板をアライメント補正
するアライメント補正ステツプとを具えることを特徴と
する露光方法。 - 【請求項６】感光基板の露光面に形成された複数のアラ
イメントマークの位置を測定して得られた測定値と予め
設定された前記アライメントマークの位置情報を表す設
定値とに基づいて複数のパラメータからなる補正値を求
め、該補正値を用いて前記基板のアライメント補正を行
う露光方法において、 前記感光基板の露光面に形成された複数の前記アライメ
ントマークの位置を測定する測定ステツプと、 所定の測定基準を満足する測定値の個数が前記補正値を
求めるために予め設定された必要最低限数を満たすか否
かを判定する判定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たさない場合、前
記補正値のパラメータ数を所定の優先順位に従つて減ら
すパラメータ削除ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たす場合は該測定
値に基づいて前記補正値を求め、該測定値の個数が該必
要最低限数を満たさない場合は測定済でなる該測定値を
用いて前記パラメータ削除ステツプで残したパラメータ
だけを補正値として求める補正値算出ステツプと、 得られた補正値に基づいて前記基板をアライメント補正
するアライメント補正ステツプとを具えることを特徴と
する露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129151A JPH09293674A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129151A JPH09293674A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293674A true JPH09293674A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=15002408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129151A Pending JPH09293674A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201423A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
| US11181363B2 (en) | 2016-04-25 | 2021-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement device, imprint apparatus, method for manufacturing product, light amount determination method, and light amount adjustment method |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP8129151A patent/JPH09293674A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016201423A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
| TWI634589B (zh) * | 2015-04-08 | 2018-09-01 | 佳能股份有限公司 | 壓印設備及物品製造方法 |
| US10732522B2 (en) | 2015-04-08 | 2020-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method |
| US11181363B2 (en) | 2016-04-25 | 2021-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement device, imprint apparatus, method for manufacturing product, light amount determination method, and light amount adjustment method |
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