JPH09293674A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

Info

Publication number
JPH09293674A
JPH09293674A JP8129151A JP12915196A JPH09293674A JP H09293674 A JPH09293674 A JP H09293674A JP 8129151 A JP8129151 A JP 8129151A JP 12915196 A JP12915196 A JP 12915196A JP H09293674 A JPH09293674 A JP H09293674A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
correction value
correction
mark
measured
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8129151A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuyuki Aoki
淳行 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8129151A priority Critical patent/JPH09293674A/ja
Publication of JPH09293674A publication Critical patent/JPH09293674A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、露光装置及び露光方法において、リ
ソグラフイ工程においてアライメントの際に生じる欠損
品を減少し得るようにする。 【解決手段】感光基板に設けられた複数のアライメント
マークを検出して第1検出信号を出力するアライメント
装置を有する露光装置において、アライメント装置によ
つてアライメントマークとは別の補充マークを検出させ
て第2検出信号を出力させると共に、第1検出信号が所
定の基準を満たしていないときに第2検出信号に基づい
て感光基板の位置を制御する制御装置を設けるようにし
た。アライメントマークの検出により得られる第1検出
信号が所定の基準を満たしていないときに、補充マーク
を予備測定することによつて第2検出信号を得るように
し、これに基づいて補正値を求め感光基板の位置を制御
することにより、補正値が求め得ないために生じるエラ
ーを低減し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及び露光方
法に関し、例えば半導体素子や液晶表示素子の製造工程
時においてレチクルと感光基板とを位置合わせする際に
適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子や液晶表示素子を製造
する際のリソグラフイ工程においては、レチクル上に形
成された所望のパターン像を感光剤が塗布されたウエハ
やガラスプレート等の感光基板に転写するようになされ
ている。この工程では、一般にステツプ・アンド・リピ
ート方式でなる投影型露光装置(以下、これをステツパ
と呼ぶ)が用いられている。このようなステツパではレ
チクル上の所望のパターン像を光学レンズを用いて投影
し、投影されたパターン像を感光基板上に露光する。こ
うして投影露光されたパターン像は感光基板上に予め形
成されたレジスト層に潜像され、この感光基板を現像処
理することにより感光基板上に所望のパターンが形成さ
れる。そして感光基板に形成されたパターンの上に更に
重ねてパターンを投影露光することにより、感光基板上
に形成するパターンを高集積化することができる。近年
では、このようなステツパにより感光基板上に形成し得
るパターンの解像線幅がサブ・ミクロン単位に達してい
る。
【0003】ところで、このようなステツパによるリソ
グラフイ工程では、レチクルと感光基板とのアライメン
ト(重ね合わせ)精度が重要になつている。すなわち上
述したように、感光基板上に形成するパターンの解像度
がサブ・ミクロン単位に及んでいるため、わずかなずれ
が大きな問題となるからである。同様に、例えば感光基
板としてガラスプレートを用いた場合には、現像処理等
のプロセスの影響により、ガラスプレートが膨張してし
まい露光済のパターン領域も膨張するので、パターン間
の重ね合わせ精度が劣化するという問題があつた。この
ようなアライメント精度の向上のため、以下に説明する
ような、感光基板上に形成されたアライメントマークを
光学的に検出することにより感光基板の位置合わせを行
う手法が考案されている。
【0004】まず予め感光基板上のレジスト層に複数個
のアライメントマークを形成しておく。ここでアライメ
ントマーク自体はどのようなマークであつてもかまわな
い。またこのアライメントマークは、感光基板上に投影
露光するパターン像の妨げにならないように、主に外周
部分に形成される。さらにこのアライメントマークはマ
ーク部分以外と異なる反射率になるように形成する。次
いで、こうしてアライメントマークを形成した感光基板
に仮想的な原点を設定すると共に、この原点に対する各
アライメントマークの位置をX及びY座標で求める。得
られた各アライメントマークの座標位置は設計値データ
として記録しておく。
【0005】こうして各アライメントマークの座標位置
を記録した感光基板をステツパの基板ステージ上に設置
して計測処理を行う。基板ステージ上に設置されたウエ
ハには各アライメントマーク計測用の光ビームが照射さ
れる。照射された光ビームは感光基板表面のレジスト層
で反射されて干渉計によつて受光される。各アライメン
トマークはそれ以外の部分と異なる反射率で形成されて
おり、このような反射光を受光することにより感光基板
上の各アライメントマーク位置を容易に計測することが
できる。こうして各アライメントマークの座標位置が測
定値として得られる。
【0006】続いて、得られた測定値及び予め求められ
た設計値から、基板ステージ上に設置された感光基板の
アライメント補正値が得られる。すなわち、設計値によ
るアライメントマークの座標位置をX、Yとし、測定値
による座標位置をx、yとする。また得られる補正値の
各パラメータとしてεをX軸方向への移動量、ηをY軸
方向への移動量、γx をX軸方向への倍率、γy をY軸
方向への倍率、φを座標直交度、θを回転度とした場
合、
【数1】 でなる式が得られる。こうして(1)式により得られた
補正値の各パラメータに基づいて感光基板のアライメン
ト補正を行うことにより、感光基板を正しい露光位置に
位置補正することができる。ちなみに、各補正値のパラ
メータのうち幾つまで求めるかは予め設定しておく。
【0007】通常、1枚の感光基板上には複数の異なる
パターン像が転写されるようになされているため、この
ような手法によつて数個のアライメントマークの位置を
計測するだけで、感光基板全体の各パターン像の露光位
置を一時に正しく求めることができ、リソグラフイ工程
におけるスループツトを向上させることができる。また
十分な数のアライメントマークをサンプリングすること
により、各マーク毎の測定値と設計値との誤差を(1)
式に示した統計的な演算処理によつて平均化でき、1パ
ターン毎に位置合わせした場合と同等、あるいはそれ以
上のアライメント精度で位置合わせすることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような手
法によつて感光基板のアライメント補正を行う場合、予
め設定された補正値のパラメータ数に応じて、計測され
るべき必要最小限なアライメントマーク数が定まる。し
かし、前述のプロセス等の影響によつて計測不可能なマ
ーク又は誤差の大きなマークがあり、正しく計測し得る
アライメントマーク数が必要数に満たない場合、補正値
が求められずアライメント補正を行うことができないこ
とになる。このような場合、その都度、アライメント作
業を中断するためにオペレータによる指示入力が必要と
なり、生産性を低下させることになる。
【0009】またこのように計測不可能又は誤差が大き
い場合は、アライメントマーク自体に傷が付いている等
の不都合が生じていることが多く、正しい計測が行えな
かつたアライメントマークを再度計測しても成功する可
能性が低い。このため、大抵の場合は露光処理を中止す
ることになり、このようなウエハは欠損品となるという
問題がある。
【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、リソグラフイ工程においてアライメントの際に生じ
る欠損品を減少させ得る露光装置及び露光方法を提案し
ようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、感光基板(4)に設けられた複数
のアライメントマーク(4A)を検出して第1検出信号
を出力するアライメント装置(6)を有する露光装置
(1)において、アライメント装置(6)によつてアラ
イメントマーク(4A)とは別途に設けられた補充マー
ク(4B)を検出させて第2検出信号を出力させると共
に、第1検出信号が所定の基準を満たしていないときに
第2検出信号に基づいて感光基板(4)の位置を制御す
る制御装置(9)を設けるようにした。
【0012】アライメントマークの検出により得られる
第1検出信号が所定の基準を満たしていないときに、補
充マークを予備測定することによつて第2検出信号を得
るようにし、これに基づいて補正値を求めて感光基板の
位置を制御するようにしたことにより、補正値が求め得
ないために生じるエラーを低減し得る。
【0013】また本発明においては、感光基板(4)に
形成された複数のアライメントマーク(4A)を検出し
て得られる検出信号が所定数得られないとき、感光基板
(4)の位置に基づく複数の補正値の中から、得られて
いる検出信号に基づいて補正できる補正値を選択する選
択手段(8及び9)を設けるようにした。
【0014】補正値のパラメータ数を減らして、算出す
るパラメータ数から決定される測定値の必要最低限な個
数を減少させて、測定済の測定値だけを用いて補正値を
求め得るようにしたことにより、補正値が求め得ないた
めに生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメ
ント処理を完了し得る。
【0015】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
【0016】(1)第1実施例 図1において、1は全体として液晶用デイスプレイ(L
CD;Liquid CrystalDisplay)を製造する際に用いら
れる露光装置を示し、投影光L1によつてレチクル2上
に形成された所望のパターンを投影光学系3を介してレ
ジストが塗布されたガラスプレート4上に投影露光する
ことにより、ガラスプレート4に所望のパターンを形成
するようになされている。ここで露光装置1はこのよう
な露光処理の前にアライメント処理を行い、XYステー
ジ5上の所定位置にガラスプレート4を配する。これに
より露光装置1は、レチクル2上に形成されたパターン
像をガラスプレート4の所定位置に正確に投影露光す
る。
【0017】露光装置1はアライメント補正部6によつ
て、ガラスプレート4上のアライメントマークの位置を
測定して得られた測定値と予め設定されている設計値と
からアライメント補正値を算出し、この補正値に基づい
てガラスプレート4の位置をアライメント補正するよう
になされている。すなわちアライメント補正部6は検出
器7、演算部8、制御部9及び駆動部10とから構成さ
れており、まず検出器7によつてガラスプレート4上に
形成された後述する常用マークの位置を測定する。検出
器7はレーザ光源を含んでおり、ガラスプレート4に形
成された常用マークに対して発射したビーム光の反射光
を受光することにより各常用マークの位置を計測するよ
うになされている。なお、レーザ光源からのレーザは、
ガラスプレート4のレジスト層に対して極めて感度の低
い波長(非露光波長)である。
【0018】レチクルステージ11は、レチクル2を載
置して図中に示すX、Y方向及び回転方向(θ方向)に
レチクル2の位置決めを行う。XYステージ5は、図示
しない吸着機構によりガラスプレート4を吸着し、X、
Y方向に移動することができる。また、XYステージ5
のX、Y方向の位置はレーザ干渉計12によつて、例え
ば0.02〔μm 〕程度の分解能で常時検出され、XYステ
ージ5の端部にはレーザ干渉計12からのレーザビーム
を反射する移動鏡13が固定されている。このレーザ干
渉計12は、XYステージ5のX、Y方向の位置を後述
の制御部9に出力している。また投影光学系3には、投
影光学系3を構成する複数のレンズエレメント間の特定
の空間に封入された気体(例えば空気)の圧力を変え
て、その空間の屈折率を変えることにより倍率(焦点距
離)を変化させる倍率調整機構が備わつている。
【0019】ここで図2に示すように、ガラスプレート
4にはアライメントマークとして常用マーク4A及び補
充マーク4Bがそれぞれ複数個形成されている。各常用
マーク4A及び各補充マーク4Bは上述したパターン像
の露光処理の妨げにならないようにガラスプレート4の
周辺部に形成されている。また各補充マーク4Bは各々
常用マーク4Aの近傍でかつ各常用マーク4Aに比して
ガラスプレート4の内側位置に形成されている。なお、
原点Oは仮想的に設定されたガラスプレート4の基準座
標位置でなる。このような各常用マーク4A及び各補充
マーク4Bは、検出器7によつて他の部分と判別し分け
得るように、他の部分と異なる反射率を有するように形
成されている。さらに図3及び図4に示すように、各常
用マーク4A及び各補充マーク4Bの位置情報はそれぞ
れ原点Oを基準座標としたX座標及びY座標によつて表
されている。この位置情報はガラスプレート4が予め正
しくXYステージ5(図1)に配置された際に設定され
たものであり、演算部8(図1)に設計値データとして
記憶されている。
【0020】検出器7は各常用マーク4Aの位置を測定
して得られた測定値の個数を測定結果情報S1として制
御部9に通知する。制御部9には、最低限必要な測定値
の個数が設定値として予め設定されており、測定結果情
報S1で示される測定された常用マーク4Aの個数がこ
れを満たす場合、検出器7に補正値の算出が可能である
ことを示す制御信号S2を送出する。検出器7はこの制
御信号S2を受けて、演算部8に常用マーク4Aの位置
情報でなる測定値データS3を供給する。演算部8は測
定値データS3及び設計値データからX、Y方向のシフ
ト、倍率補正、回転補正、直交度補正等の補正値を算出
する。この際、補正値の算出には上述した(1)式が用
いられる。演算部8は得られた補正値を補正値データS
4として制御部9に与える。制御部9は補正値データS
4に基づいて駆動部10を駆動制御し、基板ステージ5
を駆動させて基板ステージ5上に配されたガラスプレー
ト4の位置をアライメント補正する。
【0021】また制御部9は、検出器7から通知された
測定結果情報S1で示される測定された常用マーク4A
の個数が設定値を満たさない場合、検出器7に補正値の
算出が不可能であることを示す制御信号S2を送出す
る。検出器7はこの制御信号S2を受けて、再測定を行
う。この際、検出器7は先に測定した常用マーク4Aで
は無く、補充マーク4Bの位置を測定する。制御部9
は、検出器7が再測定によつて得た補充マーク4Bの位
置情報の個数と先に測定した常用マーク4Aの位置情報
の個数との合計が設定値を満足したら、検出器7に補正
値の算出が可能であることを示す制御信号S2を送出す
る。具体的には検出器7は再測定の際に、補充マーク4
Bを1つ測定する毎に測定結果情報S1を制御部9に通
知し、制御部9はその都度制御信号S2を送出するよう
になされている。
【0022】検出器7は補正値が算出可能なことを示す
制御信号S2を受けて、演算部8に常用マーク4A及び
補充マーク4Bの位置情報でなる測定値データS3を供
給する。演算部8は測定値データS3及び設計値データ
から補正値を算出する。この際、補正値の算出には上述
した(1)式が用いられる。演算部8は得られた補正値
を補正値データS4として制御部9に与える。制御部9
は補正値データS4に基づいて駆動部10を駆動制御
し、基板ステージ5を駆動させて基板ステージ5上に配
されたガラスプレート4の位置をアライメント補正す
る。
【0023】以上の構成において、アライメント補正部
6は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート4をアライメント補正する。すな
わち図5に示すように、アライメント補正部6は、XY
ステージ5(図1)にガラスプレート4(図1)を配置
した後、ステツプSP1で手順を開始する。アライメン
ト補正部6は、ステツプSP2で、まず常用マーク4A
(図2)の位置を測定する。次にアライメント補正部6
は、ステツプSP3で、測定により得られた常用マーク
4Aの測定値の個数が設定値に達したか否かを判別す
る。
【0024】アライメント補正部6は、設定値を満足す
る場合に、ステツプSP4で補正値を算出する。アライ
メント補正部6は、この補正値を用いてアライメント補
正した後、ステツプ5で露光処理を実行し、ステツプS
P6で手順を終了する。アライメント補正部6は、設定
値を満足しない場合、すなわち得られた常用マーク4A
の測定値の個数が補正値を算出し得る個数に達していな
い場合、ステツプSP7以降で補充マーク4Bの測定を
行う。アライメント補正部6は、ステツプSP7で、補
充マーク4Bを全て測定したか否かを判別する。アライ
メント補正部6は、補充マーク4Bを全て測定したにも
かかわらず、得られた測定値の個数が設定値に満たない
場合に、ステツプSP8でエラー処理を行い手順を終了
する(ステツプSP6)。アライメント補正部6は、測
定されていない補充マーク4Bが存在する場合はステツ
プSP9に進む。アライメント補正部6は、ステツプS
P9で、補充マーク4Bを1つ測定させて、これにより
測定値の個数が設定値に達したか否かを判別させる(ス
テツプSP3)。
【0025】アライメント補正部6は、補充マーク4B
を測定することにより、得られた測定値の個数が設定値
に達したら、先に測定されている常用マーク4Aの測定
値及び新たに予備測定された補充マーク4Bの測定値か
ら補正値を算出する(ステツプSP4)。アライメント
補正部6は、得られた補正値に基づきアライメント補正
し、露光処理を行つた(ステツプSP5)後、手順を終
了する(ステツプSP6)。
【0026】アライメント補正部6は、このように常用
マーク4Aを測定して得られた測定値の個数が設定値に
達しない場合、補充マーク4Bを予備測定する。すなわ
ち補正値データS4はX方向へのシフト成分、Y方向へ
のシフト成分及び回転成分等の複数のパラメータ成分で
構成されており((1)式)、このため算出を所望する
パラメータ成分の個数に応じて最低限測定すべきアライ
メントマークの個数が決定する。例えば最も簡便なアラ
イメントの場合、X方向へのシフト成分、Y方向へのシ
フト成分及び回転成分の3つのみを算出してアライメン
ト補正する。この場合、最低3か所のマークの測定値を
得ることが必要である。しかし常用マーク4Aに傷が生
じている等によつて、予め検出部7に設定された測定基
準を満足する測定値の個数が必要最低限数を満たさない
場合、補正値を算出し得ない。アライメント補正部6
は、常用マーク4Aを測定して得られた測定値の個数が
設定値に達しない場合、補充マーク4Bを予備測定して
得られる測定値によつて不足する測定値の個数を補充
し、これにより補正値を算出することができる。アライ
メント補正部6は、求めた補正値に応じて、例えば投影
光学系3の倍率調整機構により倍率の補正を行ない、レ
チクルステージ11により回転の補正をする。
【0027】またガラスプレート4においては、補充マ
ーク4Bを常用マーク4Aの内側位置に設けるようにな
されている。一般に常用マーク4Aから得られる測定値
の個数が設定値に満たない場合は、現像やエツチング等
のプロセスの影響により常用マーク4Aに傷もしくは欠
損が生じたことが考えられる。また、プロセスの影響
は、ガラスプレート4の外側に向かうにつれ大きくな
る。このため、補充マーク4Bを常用マーク4Aの外側
に設けた場合は補充マーク4Bも同様の原因で測定が困
難になつてしまうことになる。従つて、このように補充
マーク4Bを常用マーク4Aの内側位置に設けることに
より、補充マーク4Bに生じる傷等を低減させることが
できる。
【0028】以上の構成によれば、ガラスプレート4の
露光面に形成された常用マーク4Aの位置の測定により
得られた測定値の個数が補正値を算出するために最低限
必要な数を満たさない場合、アライメント補正部6によ
つて常用マーク4Aとは別途に設けられた補充マーク4
Bを予備測定して不足する測定値の個数を補充するよう
にしたことにより補正値を算出することができ、補正値
が求め得ないために生じるエラーを低減し得る。かくし
てリソグラフイ工程におけるアライメントの際に発生す
る欠損品を減少させ得る露光装置1及び露光方法を実現
することができる。
【0029】(2)第2実施例 第2実施例の構成は図1に示した第1実施例の構成と同
じであり、第2実施例はアライメント補正部6の制御の
みが第1実施例と異つている。以下、アライメント補正
部6の別の制御について説明する。
【0030】即ち演算部8は、測定値データS3から各
パラメータの全てを算出し得ない場合、制御部9に補正
値の算出が不可能であることを通知する。制御部9は演
算部8に、補正値のパラメータ数を削減するように指示
する。ここでパラメータの削減は、図6に示すような、
所定の優先順位にしたがつてなされる。例えば第1に直
交度パラメータを補正値から削減して補正値の算出を行
い、この状態で算出し得ない場合は更にX方向への倍率
パラメータが削減される。
【0031】演算部8はパラメータを1つ削減する毎に
補正値を算出し得るか否かを判定し、算出し得ない場合
に制御部9に信号を送出する。これにより制御部9は、
補正値が算出し得る状態になるまで演算部8にパラメー
タの削減を繰り返させる。演算部8は補正値を算出し得
ることを判定した時点で補正値の算出を実行する。演算
部8は得られた補正値を補正値データとして制御部9に
与える。制御部9は補正値データに基づいて駆動部10
を駆動制御し、XYステージ5を駆動させてXYステー
ジ5上に配されたガラスプレート4の位置をアライメン
ト補正する。
【0032】以上の構成において、アライメント補正部
6は以下の手順で補正値を算出し、得られた補正値に基
づいてガラスプレート4をアライメント補正する。すな
わちXYステージ5(図1)にガラスプレート4を配置
した後、ステツプSP10で手順を開始する。アライメ
ント補正部6は、ステツプSP11で、常用マーク4A
(図2)の位置を測定する。次にアライメント補正部6
は、ステツプSP12で、測定により得られた測定値デ
ータから予め設定された全てのパラメータについて補正
値が算出可能か否かを判別する。アライメント補正部6
は、全パラメータを算出し得る場合に、ステツプSP1
3で補正値の算出を実行する。この補正値を用いてアラ
イメント補正した後、ステツプSP14で露光処理がな
され、ステツプSP15で手順を終了する。
【0033】アライメント補正部6は、全パラメータを
算出し得ない場合に、ステツプSP16で、補正値とし
て算出するパラメータが削除可能か否かを判別する。ア
ライメント補正部6は、補正値のパラメータをこれ以上
削減し得ない場合は、ステツプSP17でエラー処理を
行い、手順を終了する(ステツプSP15)。アライメ
ント補正部6は、パラメータを削減しても、算出される
補正値がまだアライメント補正のための精度を保ち得る
場合に、ステツプSP18で、パラメータを1つ削除す
る。この際、パラメータの削除は所定の優先順位(図
7)にしたがつてなされる。アライメント補正部6は、
パラメータ数を削減したら、測定により得られた測定値
から残りのパラメータを算出し得るか否かを判別する
(ステツプSP12)。こうしてエラー状態になるか、
測定値データから補正値を算出し得るようになるまでパ
ラメータの削減を繰り返す。アライメント補正部6は、
測定値データから削除して残つたパラメータを算出し得
る状態になつた時点で補正値の算出を実行する(ステツ
プSP13)。アライメント補正部6が得られた補正値
を用いてアライメント補正した後、露光処理がなされ
(ステツプSP14)、手順を終了する(ステツプSP
15)。
【0034】アライメント補正部6は、このように常用
マーク4Aを測定して得られた測定値から補正値の全パ
ラメータを算出し得ない場合、補正値のパラメータ数を
削減する。すなわち補正値データはX方向へのシフト成
分、Y方向へのシフト成分及び回転成分等の複数のパラ
メータ成分で構成されており((1)式)、このため算
出を所望するパラメータ成分の個数に応じて最低限測定
すべきアライメントマークの個数が決定する。例えば最
も簡便なアライメントの場合、X方向へのシフト成分、
Y方向へのシフト成分及び回転成分の3つのみを算出し
てアライメント補正する。この場合、最低3か所のマー
クの測定値を得ることが必要である。
【0035】しかし常用マーク4Aに傷が生じている等
によつて、予め検出部7に設定された測定基準を満足す
る測定値の個数が必要最低限数を満たさない場合、補正
値を算出し得ない。アライメント補正部6は、常用マー
ク4Aを測定して得られた測定値の個数が補正値の全パ
ラメータを算出するために不足する場合、パラメータを
削減して補正値の算出のために必要な測定値の必要最低
限数を減少させることにより、得られている測定値デー
タのみで補正値を算出することができる。
【0036】以上のように、常用マーク4Aの位置を測
定した際に得られる測定値の個数が補正値の全パラメー
タを求めるために要する必要最低限数を満たさない場
合、アライメント補正部6によつて補正値のパラメータ
数を所定の優先順位に従つて減らして、算出すべきパラ
メータ数から決定される測定値の必要最低限な個数を減
少させて、得られている測定値データのみで補正値を算
出するようにしたことにより、補正値が求め得ないため
に生じるエラーを低減し得ると共に速やかにアライメン
ト処理を完了し得る。かくしてリソグラフイ工程におけ
るアライメントの際に発生する欠損品を減少させ得る露
光装置1及び露光方法を実現することができる。なお、
レチクル2のパターンの精度が厳しいときには、補充マ
ーク4Bを用いたパラメータの演算を行い、レチクル2
のパターンの精度がラフなときには、求めるパラメータ
の数を減らすように、アライメント補正部6の制御を選
択すればいい。
【0037】(3)他の実施例 なお上述の第1実施例においては、周辺領域に形成され
た常用マーク4Aの近傍でかつ内側位置に補充マーク4
Bを設けた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、他の位置に設けるようにしてもよい。すなわち補充
マーク4Bを設けたことにより得られる上述の効果は補
充マーク4Bを設ける位置及び補充マーク4Bの形状に
左右されない。
【0038】また上述の第1及び第2実施例において
は、線形パラメータでなる補正値((1)式)を求める
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
非線形でなるパラメータを追加した補正値を求め、これ
を用いてアライメント補正するようにしてもよい。
【0039】さらに上述の第1実施例においては、予備
測定の際に補充マーク4Bを一つづつ測定する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、例えばガラスプ
レート4上のアライメントマークを一度に測定する検出
器を設けて、得られた測定値によつて先に測定された測
定値による不足分を補充するようにしてもよい。
【0040】また上述の第2実施例においては、所定の
優先順位(図6)にしたがつて補正値のパラメータを削
減する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
削減のための優先順位はどのような順位に設定してもよ
い。
【0041】また上述の第1及び第2実施例において
は、本発明を液晶用デイスプレイを製造する際に用いら
れる露光装置1に適用した場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、例えば半導体素子を製造する際に用
いられる露光装置に適用してもよい。要は、露光処理の
際にアライメント処理する露光装置であれば、どのよう
なものにも適用し得る。
【0042】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、感光基板
に設けられた複数のアライメントマークを検出して第1
検出信号を出力するアライメント装置を有する露光装置
において、アライメント装置によつてアライメントマー
クとは別途に設けられた補充マークを検出させて第2検
出信号を出力させると共に、第1検出信号が所定の基準
を満たしていないときに第2検出信号に基づいて感光基
板の位置を制御する制御装置を設けて、アライメントマ
ークの検出により得られる第1検出信号が所定の基準を
満たしていないときに、補充マークを予備測定すること
によつて第2検出信号を得るようにし、これに基づいて
補正値を求めて感光基板の位置を制御するようにしたこ
とにより、補正値が求め得ないために生じるエラーを低
減させることができる。かくしてリソグラフイ工程にお
いてアライメントの際に生じる欠損品を減少させ得る露
光装置及び露光方法を実現することができる。
【0043】また本発明によれば、感光基板に形成され
た複数のアライメントマークを検出して得られる検出信
号が所定数得られないとき、感光基板の位置に基づく複
数の補正値の中から、得られている検出信号に基づいて
補正できる補正値を選択する選択手段を設けて、補正値
のパラメータ数を減らすことにより算出するパラメータ
数から決定される測定値の必要最低限な個数を減少させ
て、測定済の測定値だけを用いて補正値を求め得るよう
にしたことにより、補正値が求め得ないために生じるエ
ラーを低減し得ると共に速やかにアライメント処理を完
了し得る。かくしてリソグラフイ工程において生産性を
損なうこと無く、アライメントの際に生じる欠損品を減
少させ得る露光装置及び露光方法を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例による露光装置の構成を示すブロツ
ク図である。
【図2】基板上に形成された常用マーク及び補充マーク
の配置を示す平面図である。
【図3】常用マークの基板上での位置を表す座標情報を
示す図表である。
【図4】補充マークの基板上での位置を表す座標情報を
示す図表である。
【図5】第1実施例による露光手順を示すフローチヤー
トである。
【図6】第2実施例によるパラメータ削除の際の優先削
除順位を示す図表である。
【図7】第2実施例による露光手順を示すフローチヤー
トである。
【符号の説明】
1……露光装置、2……レチクル、3……投影光学系、
4……ガラスプレート、4A……常用マーク、4B……
補充マーク、5……XYステージ、6……アライメント
補正部、7……検出器、8……演算部、9……制御部、
10……駆動部。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】パターンを有したマスクに光源からの光束
    を照射する照明光学系と、前記マスクを透過した光束を
    複数のアライメントマークを有した感光基板に投影する
    投影光学系と、前記アライメントマークを検出して、こ
    の検出した第1検出信号を出力するアライメント装置と
    を備えた露光装置において、 前記感光基板には前記アライメントマークとは別のアラ
    イメント補充マークが形成されており、前記アライメン
    ト装置は前記アライメント補充マークを検出したときに
    第2検出信号を出力し、 前記第1検出信号が所定の基準を満たしていないとき
    に、前記第2検出信号に基づいて、前記感光基板の位置
    を制御する制御装置とを具えることを特徴とする露光装
    置。
  2. 【請求項2】前記アライメント補充マークは、前記アラ
    イメントマークよりも内側に設けられていることを特徴
    とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】前記制御装置は、 前記複数のアライメントマークから検出し得た前記第1
    検出信号の数が所定の数より少ないときに前記第2検出
    信号を用いることを特徴とする請求項1に記載の露光装
    置。
  4. 【請求項4】パターンを有したマスクに光源からの光束
    を照射する照明光学系と、前記マスクを透過した光束を
    複数のアライメントマークを有した感光基板に投影する
    投影光学系と、前記アライメントマークを検出して、こ
    の検出した検出信号を出力するアライメント装置と、前
    記検出信号に基づいて、前記感光基板の位置に関する複
    数の補正値を演算する演算装置とを備えた露光装置にお
    いて、 前記検出信号が所定数得られないときに、前記検出信号
    に基づいて前記複数の補正値の中から補正できる補正値
    を選択する選択手段を具えることを特徴とする露光装
    置。
  5. 【請求項5】感光基板の露光面に形成された複数のアラ
    イメントマークの位置を測定して得られた測定値と予め
    設定された前記アライメントマークの位置情報を表す設
    定値とに基づいて複数のパラメータからなる補正値を求
    め、該補正値を用いて前記基板のアライメント補正を行
    う露光方法において、 前記基板の露光面に形成された複数の前記アライメント
    マークの位置を測定する測定ステツプと、 所定の測定基準を満足する測定値の個数が前記補正値を
    求めるために予め設定された必要最低限数を満たすか否
    かを判定する判定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たさない場合、前
    記アライメントマークとは別途に設けられた補充マーク
    を予備測定する予備測定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たす場合は該測定
    値に基づいて前記補正値を求め、該測定値の個数が該必
    要最低限数を満たさない場合は測定済でなる該測定値と
    予備測定された前記補充マークの測定値とに基づいて前
    記補正値を求める補正値算出ステツプと、 得られた補正値に基づいて前記基板をアライメント補正
    するアライメント補正ステツプとを具えることを特徴と
    する露光方法。
  6. 【請求項6】感光基板の露光面に形成された複数のアラ
    イメントマークの位置を測定して得られた測定値と予め
    設定された前記アライメントマークの位置情報を表す設
    定値とに基づいて複数のパラメータからなる補正値を求
    め、該補正値を用いて前記基板のアライメント補正を行
    う露光方法において、 前記感光基板の露光面に形成された複数の前記アライメ
    ントマークの位置を測定する測定ステツプと、 所定の測定基準を満足する測定値の個数が前記補正値を
    求めるために予め設定された必要最低限数を満たすか否
    かを判定する判定ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たさない場合、前
    記補正値のパラメータ数を所定の優先順位に従つて減ら
    すパラメータ削除ステツプと、 該測定値の個数が該必要最低限数を満たす場合は該測定
    値に基づいて前記補正値を求め、該測定値の個数が該必
    要最低限数を満たさない場合は測定済でなる該測定値を
    用いて前記パラメータ削除ステツプで残したパラメータ
    だけを補正値として求める補正値算出ステツプと、 得られた補正値に基づいて前記基板をアライメント補正
    するアライメント補正ステツプとを具えることを特徴と
    する露光方法。
JP8129151A 1996-04-24 1996-04-24 露光装置及び露光方法 Pending JPH09293674A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8129151A JPH09293674A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 露光装置及び露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8129151A JPH09293674A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 露光装置及び露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09293674A true JPH09293674A (ja) 1997-11-11

Family

ID=15002408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8129151A Pending JPH09293674A (ja) 1996-04-24 1996-04-24 露光装置及び露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09293674A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201423A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
US11181363B2 (en) 2016-04-25 2021-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Measurement device, imprint apparatus, method for manufacturing product, light amount determination method, and light amount adjustment method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016201423A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
TWI634589B (zh) * 2015-04-08 2018-09-01 佳能股份有限公司 壓印設備及物品製造方法
US10732522B2 (en) 2015-04-08 2020-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method
US11181363B2 (en) 2016-04-25 2021-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Measurement device, imprint apparatus, method for manufacturing product, light amount determination method, and light amount adjustment method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4844835B2 (ja) 補正方法及び露光装置
WO2007043535A1 (ja) 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
JPH0950951A (ja) リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP2005129674A (ja) 走査露光装置およびデバイス製造方法
WO2011061928A1 (ja) 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
US8384900B2 (en) Exposure apparatus
JP4434372B2 (ja) 投影露光装置およびデバイス製造方法
JP5428671B2 (ja) 露光方法、デバイス製造方法、及び露光システム
WO2005053007A1 (ja) 露光方法及びデバイス製造方法、露光装置、並びにプログラム
JP2018072541A (ja) パターン形成方法、基板の位置決め方法、位置決め装置、パターン形成装置、及び、物品の製造方法
US5734462A (en) Exposure apparatus and exposure method
JPH05226223A (ja) 露光装置
JP3466893B2 (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH08227839A (ja) 移動鏡曲がりの計測方法
JP2009259966A (ja) 計測方法、ステージ移動特性の調整方法、露光方法及びデバイス製造方法
CN116880129A (zh) 自由形式畸变校正
JP3651630B2 (ja) 投影露光方法及び投影露光装置
JPH09293674A (ja) 露光装置及び露光方法
JPS60177623A (ja) 露光装置
JPH1083954A (ja) 露光装置
JP2006030021A (ja) 位置検出装置及び位置検出方法
JP2011060790A (ja) 露光装置および基板の傾き補正方法
JP5630627B2 (ja) 検出方法、光学特性計測方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2006228890A (ja) 位置合わせ方法及び露光装置
JPH07201713A (ja) 露光装置及び露光方法