JPH1073407A - パターン位置測定方法およびパターン位置測定装置 - Google Patents
パターン位置測定方法およびパターン位置測定装置Info
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- JPH1073407A JPH1073407A JP8231824A JP23182496A JPH1073407A JP H1073407 A JPH1073407 A JP H1073407A JP 8231824 A JP8231824 A JP 8231824A JP 23182496 A JP23182496 A JP 23182496A JP H1073407 A JPH1073407 A JP H1073407A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ペリクル膜がたわんでいても正確にパターン
位置を測定することができるパターン位置測定方法およ
びパターン位置測定装置の提供。 【解決手段】 ペリクル膜２が設けられたマスク１のパ
ターン位置を測定するパターン位置測定装置において、
たわみ測定装置４によりペリクル膜２の表面形状を検出
し、制御装置２０によりたわみ測定装置４の検出値に基
づいてマスク１上におけるビームＢｉの照射位置ずれ量
を算出し、それに基づき測定されたパターン位置を補正
する。なお、たわみ測定装置４には超音波センサ，光学
式変位センサ，静電容量型変位センサまたは磁気変位セ
ンサ等が用いられる。
位置を測定することができるパターン位置測定方法およ
びパターン位置測定装置の提供。 【解決手段】 ペリクル膜２が設けられたマスク１のパ
ターン位置を測定するパターン位置測定装置において、
たわみ測定装置４によりペリクル膜２の表面形状を検出
し、制御装置２０によりたわみ測定装置４の検出値に基
づいてマスク１上におけるビームＢｉの照射位置ずれ量
を算出し、それに基づき測定されたパターン位置を補正
する。なお、たわみ測定装置４には超音波センサ，光学
式変位センサ，静電容量型変位センサまたは磁気変位セ
ンサ等が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ごみ等の異物付着
防止用のペリクル膜が設けられたマスクやレチクル等の
パターン位置を正確に測定することができるパターン位
置測定方法およびパターン位置測定装置に関する。
防止用のペリクル膜が設けられたマスクやレチクル等の
パターン位置を正確に測定することができるパターン位
置測定方法およびパターン位置測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に用いられるマスク，レチク
ル等の基板（以下ではマスクと称する）のパターン面上
にごみ等が付着すると、光露光工程においてパターンの
像とともにごみの像までがウエハ上に転写されてしま
い、回路パターンに欠陥が生じるおそれがあった。従来
は、このようなごみの像の転写によるデバイスの欠陥を
減らすため、マスクのパターン面およびパターン面と反
対側の基板面の両者または一方に数ｍｍ隔ててペリクル
膜と呼ばれる厚さ数μｍ程度の光透過性薄膜を配し、投
影レンズの被写界深度内にごみが付着するのを防止して
いる。図５（ａ）に示すマスク１ではパターンＰが形成
された面側にペリクル膜２が設けられ、ペリクル膜２を
支持するペリクル枠３（アルミニウム等から成る）を介
してマスク１に取付けられる。
ル等の基板（以下ではマスクと称する）のパターン面上
にごみ等が付着すると、光露光工程においてパターンの
像とともにごみの像までがウエハ上に転写されてしま
い、回路パターンに欠陥が生じるおそれがあった。従来
は、このようなごみの像の転写によるデバイスの欠陥を
減らすため、マスクのパターン面およびパターン面と反
対側の基板面の両者または一方に数ｍｍ隔ててペリクル
膜と呼ばれる厚さ数μｍ程度の光透過性薄膜を配し、投
影レンズの被写界深度内にごみが付着するのを防止して
いる。図５（ａ）に示すマスク１ではパターンＰが形成
された面側にペリクル膜２が設けられ、ペリクル膜２を
支持するペリクル枠３（アルミニウム等から成る）を介
してマスク１に取付けられる。
【０００３】ところで、電子ビーム露光装置やホトリピ
ータなどにより描画されたマスク１のパターンＰは、パ
ターン位置測定装置でパターンＰの位置を測定すること
によって必要な精度で形成されているか否かが厳密に管
理される。このとき、パターンＰの位置は数ｎｍ程度の
高精度で測定する必要がある。図６はパターン位置測定
装置の一例を示す図であり、マスク１はステージ６に配
設されたホルダ５上に装着される。ステージ６はモータ
７ｘ，７ｙによってそれぞれｘ，ｙ方向に二次元的に駆
動されるとともに、ステージ６上に固定された各移動鏡
８ｘ，８ｙの位置をレーザ干渉計１０ｘ，１０ｙでそれ
ぞれ測定することによってステージ６の二次元位置が正
確に計測される。９はレーザ光を発生する光源である。
なお、図６ではマスク１に設けられたペリクル膜２，ペ
リクル枠３を省略して示した。
ータなどにより描画されたマスク１のパターンＰは、パ
ターン位置測定装置でパターンＰの位置を測定すること
によって必要な精度で形成されているか否かが厳密に管
理される。このとき、パターンＰの位置は数ｎｍ程度の
高精度で測定する必要がある。図６はパターン位置測定
装置の一例を示す図であり、マスク１はステージ６に配
設されたホルダ５上に装着される。ステージ６はモータ
７ｘ，７ｙによってそれぞれｘ，ｙ方向に二次元的に駆
動されるとともに、ステージ６上に固定された各移動鏡
８ｘ，８ｙの位置をレーザ干渉計１０ｘ，１０ｙでそれ
ぞれ測定することによってステージ６の二次元位置が正
確に計測される。９はレーザ光を発生する光源である。
なお、図６ではマスク１に設けられたペリクル膜２，ペ
リクル枠３を省略して示した。
【０００４】パターンＰの位置測定の際には、マスク１
のパターンＰが形成された面に計測光学系１１からの収
束光Ｂｉが照射される。パターンＰのエッジに収束光Ｂ
ｉが照射されると散乱光の発生や正反射光の増減が生じ
るので、これらの光信号を計測光学系１１に内蔵された
受光素子で検出することによりパターンＰを検出するこ
とができる。したがって、計測光学系１１によってパタ
ーンＰが検出されたときのステージ６の位置をレーザ干
渉計１０ｘ，１０ｙで計測することにより、パターンＰ
の位置を高精度に測定することができる。
のパターンＰが形成された面に計測光学系１１からの収
束光Ｂｉが照射される。パターンＰのエッジに収束光Ｂ
ｉが照射されると散乱光の発生や正反射光の増減が生じ
るので、これらの光信号を計測光学系１１に内蔵された
受光素子で検出することによりパターンＰを検出するこ
とができる。したがって、計測光学系１１によってパタ
ーンＰが検出されたときのステージ６の位置をレーザ干
渉計１０ｘ，１０ｙで計測することにより、パターンＰ
の位置を高精度に測定することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ａ）のように設けられたペリクル膜２では、ペリクル
膜２の内外に気圧差が生じたりマスク１の基板およびペ
リクル膜２が帯電した場合、ペリクル膜２にたわみが生
じる。図５（ｂ）はペリクル膜２が上方にたわんだ場合
を示している。この状態でパターンＰの位置測定を行う
と、収束光Ｂｉの主光線Ｂｍはペリクル膜２に対して斜
に（図に示すようにペリクル膜２の法線に対して角度θ
で）入射するため、ペリクル膜２によって屈折されてマ
スク１上における収束光Ｂｉの照射位置がずれ、パター
ン位置測定に誤差が生じるという問題があった。
（ａ）のように設けられたペリクル膜２では、ペリクル
膜２の内外に気圧差が生じたりマスク１の基板およびペ
リクル膜２が帯電した場合、ペリクル膜２にたわみが生
じる。図５（ｂ）はペリクル膜２が上方にたわんだ場合
を示している。この状態でパターンＰの位置測定を行う
と、収束光Ｂｉの主光線Ｂｍはペリクル膜２に対して斜
に（図に示すようにペリクル膜２の法線に対して角度θ
で）入射するため、ペリクル膜２によって屈折されてマ
スク１上における収束光Ｂｉの照射位置がずれ、パター
ン位置測定に誤差が生じるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、ペリクル膜がたわんでい
ても正確にパターン位置を測定することができるパター
ン位置測定方法およびパターン位置測定装置を提供する
ことにある。
ても正確にパターン位置を測定することができるパター
ン位置測定方法およびパターン位置測定装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１および図２に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、パターン位置測定ビームＢｉ
をペリクル膜２が設けられたマスクやレチクル等の基板
１に照射して、基板１上に形成されたパターンＰの位置
を測定するパターン位置測定方法に適用され、ペリクル
膜２の表面形状を検出し、その検出値に基づいて基板１
上におけるビームＢｉの照射位置ずれ量ΔＱを算出し、
測定されたパターン位置を照射位置ずれ量ΔＱに基づい
て補正することにより上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載のパターン位
置測定方法において、前記ビームＢｉの主光線Ｂｍとペ
リクル膜表面の法線とのなす角度θに基づいて、照射位
置のずれ量ΔＱを算出する。 （３）請求項３の発明は、請求項２に記載のパターン位
置測定方法において、ペリクル膜表面の各位置における
変位量を検出し、その検出値とビームのペリクル膜照射
位置とに基づいて角度θを算出する。 （４）請求項４の発明は、ペリクル膜２が設けられたマ
スクやレチクル等の基板１のパターン位置を測定するパ
ターン位置測定装置に適用され、ペリクル膜２の表面形
状を検出する検出手段４と、測定されたパターン位置を
検出手段４の検出値に基づいて補正するパターン位置補
正手段２０とを備えて上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、請求項４に記載のパターン位
置測定装置において、検出手段４を、ペリクル膜２の表
面位置を検出する超音波センサ，光学式変位センサ，静
電容量型変位センサまたは磁気変位センサ等の位置検出
センサとした。
図１および図２に対応付けて説明する。 （１）請求項１の発明は、パターン位置測定ビームＢｉ
をペリクル膜２が設けられたマスクやレチクル等の基板
１に照射して、基板１上に形成されたパターンＰの位置
を測定するパターン位置測定方法に適用され、ペリクル
膜２の表面形状を検出し、その検出値に基づいて基板１
上におけるビームＢｉの照射位置ずれ量ΔＱを算出し、
測定されたパターン位置を照射位置ずれ量ΔＱに基づい
て補正することにより上述の目的を達成する。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載のパターン位
置測定方法において、前記ビームＢｉの主光線Ｂｍとペ
リクル膜表面の法線とのなす角度θに基づいて、照射位
置のずれ量ΔＱを算出する。 （３）請求項３の発明は、請求項２に記載のパターン位
置測定方法において、ペリクル膜表面の各位置における
変位量を検出し、その検出値とビームのペリクル膜照射
位置とに基づいて角度θを算出する。 （４）請求項４の発明は、ペリクル膜２が設けられたマ
スクやレチクル等の基板１のパターン位置を測定するパ
ターン位置測定装置に適用され、ペリクル膜２の表面形
状を検出する検出手段４と、測定されたパターン位置を
検出手段４の検出値に基づいて補正するパターン位置補
正手段２０とを備えて上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、請求項４に記載のパターン位
置測定装置において、検出手段４を、ペリクル膜２の表
面位置を検出する超音波センサ，光学式変位センサ，静
電容量型変位センサまたは磁気変位センサ等の位置検出
センサとした。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して本発
明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるパター
ン位置測定装置の一実施の形態を示す図である。図１に
おいて、４はペリクル膜２（不図示、図２参照）の高さ
を測定するたわみ測定装置であり、超音波変位センサ，
光学式変位センサ，静電容量型変位センサ，磁気変位セ
ンサ等の非接触センサが用いられる。２０は制御装置で
あり、レーザ干渉計，測定光学系１１およびたわみ測定
装置４からの信号が入力されるとともにモータ７ｘ，７
ｙを制御してステージ６をｘ，ｙ方向に移動させる。ま
た、制御部２０は、たわみ測定装置４によって測定され
た高さデータを記憶する記憶部、および高さデータに基
づいてペリクル膜面の傾きを算出したりパターン位置補
正等を行う演算部を備えている。その他の構成は図６の
装置と同様であり説明を省略する。なお、図１ではペリ
クル膜２を省略して示したが、図２に示すようにマスク
１にはペリクル膜２がペリクル枠３を介して取り付けら
れている。
明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるパター
ン位置測定装置の一実施の形態を示す図である。図１に
おいて、４はペリクル膜２（不図示、図２参照）の高さ
を測定するたわみ測定装置であり、超音波変位センサ，
光学式変位センサ，静電容量型変位センサ，磁気変位セ
ンサ等の非接触センサが用いられる。２０は制御装置で
あり、レーザ干渉計，測定光学系１１およびたわみ測定
装置４からの信号が入力されるとともにモータ７ｘ，７
ｙを制御してステージ６をｘ，ｙ方向に移動させる。ま
た、制御部２０は、たわみ測定装置４によって測定され
た高さデータを記憶する記憶部、および高さデータに基
づいてペリクル膜面の傾きを算出したりパターン位置補
正等を行う演算部を備えている。その他の構成は図６の
装置と同様であり説明を省略する。なお、図１ではペリ
クル膜２を省略して示したが、図２に示すようにマスク
１にはペリクル膜２がペリクル枠３を介して取り付けら
れている。
【００１０】図２（ａ）はペリクル膜２が設けられたマ
スク１の断面図、図２（ｂ）はペリクル膜２上の主光線
Ｂｍの入射点近傍の部分拡大図であり、これらの図を用
いてペリクル膜２によって生じる誤差について説明す
る。なお、図１ではペリクル枠３は四角形状であるが、
ここでは、ペリクル枠３を直径Ｌの円筒枠として誤差を
算出する。なお、ペリクル膜２は非常に薄く軟らかいた
め、たわみ形状はシャボン玉と同じように球形の一部を
なしていると考えてよい。図２（ａ）のように主光線Ｂ
ｍがペリクル膜２の中心軸３０から距離ｘの位置に入射
した場合を考えると、主光線Ｂｍとペリクル膜面の法線
とのなす角度θは次式（１）で近似することができる。
スク１の断面図、図２（ｂ）はペリクル膜２上の主光線
Ｂｍの入射点近傍の部分拡大図であり、これらの図を用
いてペリクル膜２によって生じる誤差について説明す
る。なお、図１ではペリクル枠３は四角形状であるが、
ここでは、ペリクル枠３を直径Ｌの円筒枠として誤差を
算出する。なお、ペリクル膜２は非常に薄く軟らかいた
め、たわみ形状はシャボン玉と同じように球形の一部を
なしていると考えてよい。図２（ａ）のように主光線Ｂ
ｍがペリクル膜２の中心軸３０から距離ｘの位置に入射
した場合を考えると、主光線Ｂｍとペリクル膜面の法線
とのなす角度θは次式（１）で近似することができる。
【数１】 ここで、ｄはペリクル膜２の中心部のたわみ量であり、
ｄがペリクル枠３の直径Ｌに比べて十分に小さいのでｓ
ｉｎθ≒θと近似した。ペリクル膜２の厚さをｔ、ペリ
クル膜２の収束光Ｂｉに対する屈折率をｎpとすれば、
主光線Ｂｍの位置ずれ量ΔＱは次式（２）で与えられ
る。
ｄがペリクル枠３の直径Ｌに比べて十分に小さいのでｓ
ｉｎθ≒θと近似した。ペリクル膜２の厚さをｔ、ペリ
クル膜２の収束光Ｂｉに対する屈折率をｎpとすれば、
主光線Ｂｍの位置ずれ量ΔＱは次式（２）で与えられ
る。
【数２】 なお、図２のように上に凸状にたわんだ場合には主光線
Ｂｍは中心軸３０方向へ屈折されるので、式（２）では
ΔＱがマイナスとなるように符号を選んだ。
Ｂｍは中心軸３０方向へ屈折されるので、式（２）では
ΔＱがマイナスとなるように符号を選んだ。
【００１１】例えば、Ｌ＝１００ｍｍ，ｔ＝２μｍ，ｎ
p＝１．５，ｄ＝１００μｍの場合には、ｘ＝４０ｍｍ
の位置ではΔＱ＝−２．１ｎｍとなる。すなわち、パタ
ーン位置測定時にこれだけの測定誤差が生じ、必要とさ
れる測定精度に対して無視できない値であることが分か
る。なお、式（１），（２）の導出では円筒形のペリク
ル枠３を仮定したが、四角形状のペリクル枠であっても
同程度の位置ずれが生じる。
p＝１．５，ｄ＝１００μｍの場合には、ｘ＝４０ｍｍ
の位置ではΔＱ＝−２．１ｎｍとなる。すなわち、パタ
ーン位置測定時にこれだけの測定誤差が生じ、必要とさ
れる測定精度に対して無視できない値であることが分か
る。なお、式（１），（２）の導出では円筒形のペリク
ル枠３を仮定したが、四角形状のペリクル枠であっても
同程度の位置ずれが生じる。
【００１２】そこで、本発明によるパターン位置測定装
置では、たわみ測定装置４によってペリクル膜２の表面
形状を検出し、その検出データに基づいて主光線Ｂｍに
対する面の傾きθを算出し、その算出データを用いて位
置ずれ量ΔＱを求めてパターン位置を補正している。図
３は図１の装置を用いたパターン位置補正手順の一例を
示す図であり、この図を参照しながら補正手順を説明す
る。
置では、たわみ測定装置４によってペリクル膜２の表面
形状を検出し、その検出データに基づいて主光線Ｂｍに
対する面の傾きθを算出し、その算出データを用いて位
置ずれ量ΔＱを求めてパターン位置を補正している。図
３は図１の装置を用いたパターン位置補正手順の一例を
示す図であり、この図を参照しながら補正手順を説明す
る。
【００１３】ステップＳ１では、ステージ６をｘ，ｙ方
向に一定間隔ｓ毎にステップ移動させ、碁盤目状の各交
点（ｘi，ｙj）に関してたわみ測定装置４によりペリク
ル膜２の高さを計測する（図４参照）。各測定結果は二
次元配列のデータＨ（ｘi，ｙj）として制御装置２０の
記憶部に記憶される。
向に一定間隔ｓ毎にステップ移動させ、碁盤目状の各交
点（ｘi，ｙj）に関してたわみ測定装置４によりペリク
ル膜２の高さを計測する（図４参照）。各測定結果は二
次元配列のデータＨ（ｘi，ｙj）として制御装置２０の
記憶部に記憶される。
【００１４】ステップＳ２では、データＨ（ｘi，ｙj）
に基づいて座標（ｘi，ｙj）におけるペリクル膜面のｘ
方向，ｙ方向の傾きθx（ｘi，ｙj），θy（ｘi，ｙj）
を次式（３），（４）によりそれぞれ算出する。
に基づいて座標（ｘi，ｙj）におけるペリクル膜面のｘ
方向，ｙ方向の傾きθx（ｘi，ｙj），θy（ｘi，ｙj）
を次式（３），（４）によりそれぞれ算出する。
【数３】 このとき、θx（ｘi，ｙj），θy（ｘi，ｙj）は離散的
な座標（ｘi，ｙj）に対するものしか得られないが、測
定点の間隔ｓをペリクル枠３の大きさ（例えば、円形状
であれば直径Ｌの大きさ）に比べて十分小さくとれば、
座標（ｘi，ｙj）の近傍のペリクル膜面の傾きは上述し
たθx（ｘi，ｙj），θy（ｘi，ｙj）で代用することが
できる。ここでは、座標（ｘ，ｙ）が
な座標（ｘi，ｙj）に対するものしか得られないが、測
定点の間隔ｓをペリクル枠３の大きさ（例えば、円形状
であれば直径Ｌの大きさ）に比べて十分小さくとれば、
座標（ｘi，ｙj）の近傍のペリクル膜面の傾きは上述し
たθx（ｘi，ｙj），θy（ｘi，ｙj）で代用することが
できる。ここでは、座標（ｘ，ｙ）が
【数４】−ｓ／２≦ｘ−ｘi＜ｓ／２ …（５） −ｓ／２≦ｙ−ｙi＜ｓ／２ …（６） であるときには、ペリクル膜面の傾きをθx（ｘi，ｙ
j），θy（ｘi，ｙj）とみなす。
j），θy（ｘi，ｙj）とみなす。
【００１５】ステップＳ３では、ステージ６をｘおよび
ｙ方向に移動させながら、ステージ６の位置をレーザ干
渉計７により測定しつつパターンＰを計測光学系１１で
検出することによってパターン位置を測定する。マスク
３の全面にわたってパターン位置を測定したならば、ス
テップＳ４へ進んでパターンＰの位置補正を行う。位置
補正の方法としては、測定されたパターン位置（ｘ，
ｙ）におけるペリクル膜２の面の傾きθx（ｘi，ｙ
j），θy（ｘi，ｙj）を用いて、次式（７），（８）に
よりｘ方向およびｙ方向の位置ずれΔＱx，ΔＱyを算出
する。
ｙ方向に移動させながら、ステージ６の位置をレーザ干
渉計７により測定しつつパターンＰを計測光学系１１で
検出することによってパターン位置を測定する。マスク
３の全面にわたってパターン位置を測定したならば、ス
テップＳ４へ進んでパターンＰの位置補正を行う。位置
補正の方法としては、測定されたパターン位置（ｘ，
ｙ）におけるペリクル膜２の面の傾きθx（ｘi，ｙ
j），θy（ｘi，ｙj）を用いて、次式（７），（８）に
よりｘ方向およびｙ方向の位置ずれΔＱx，ΔＱyを算出
する。
【数５】 補正後のパターン位置（ｘc，ｙc）は、
【数６】 （ｘc，ｙc）＝（ｘ＋ΔＱx，ｙ＋ΔＱy） …（９） と計算される。この補正をマスク全面にわたって行うこ
とにより、補正されたより正確なパターン位置が求めら
れる。
とにより、補正されたより正確なパターン位置が求めら
れる。
【００１６】なお、測定されたペリクル膜２の高さＨ
（ｘi，ｙj）から面の傾きθx（ｘ，ｙ），θy（ｘ，
ｙ）を算出する方法としては、上述した方法の他に次の
ようにしても良い。二次元配列Ｈ（ｘi，ｙj）から最小
二乗法等によって面の近似式ｆ（ｘ，ｙ）を求め、ペリ
クル膜面のｘ，ｙ方向の傾きθx（ｘ，ｙ），θy（ｘ，
ｙ）を次式（１０），（１１）で計算する。
（ｘi，ｙj）から面の傾きθx（ｘ，ｙ），θy（ｘ，
ｙ）を算出する方法としては、上述した方法の他に次の
ようにしても良い。二次元配列Ｈ（ｘi，ｙj）から最小
二乗法等によって面の近似式ｆ（ｘ，ｙ）を求め、ペリ
クル膜面のｘ，ｙ方向の傾きθx（ｘ，ｙ），θy（ｘ，
ｙ）を次式（１０），（１１）で計算する。
【数７】
【００１７】上述したパターン位置補正方法はペリクル
枠３の形状にかかわらず適用することができる。また、
ペリクル膜２が上に凸状にたわんだ場合について説明し
たが、下に凸状にたわんだ場合も同様に適用できる。
枠３の形状にかかわらず適用することができる。また、
ペリクル膜２が上に凸状にたわんだ場合について説明し
たが、下に凸状にたわんだ場合も同様に適用できる。
【００１８】上述した実施の形態と特許請求の範囲の要
素との対応において、たわみ測定装置４は検出手段を、
制御装置２０はパターン位置補正手段をそれぞれ構成す
る。
素との対応において、たわみ測定装置４は検出手段を、
制御装置２０はパターン位置補正手段をそれぞれ構成す
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ペリクル膜がたわんだ場合であっても、パターン位置測
定ビームの基板上における照射位置ずれ量を算出してパ
ターン位置を補正しているため、従来より正確にパター
ン位置を測定することができる。
ペリクル膜がたわんだ場合であっても、パターン位置測
定ビームの基板上における照射位置ずれ量を算出してパ
ターン位置を補正しているため、従来より正確にパター
ン位置を測定することができる。
【図１】本発明によるパターン位置測定装置の概略構成
図。
図。
【図２】ペリクル膜２によるビームの照射位置ずれを説
明する図であり、（ａ）は基板の断面図、（ｂ）はペリ
クル膜２のビーム入射点近傍の拡大図。
明する図であり、（ａ）は基板の断面図、（ｂ）はペリ
クル膜２のビーム入射点近傍の拡大図。
【図３】パターン位置補正の手順を示す図。
【図４】たわみ測定装置４によるペリクル膜２の高さ測
定を説明する断面図。
定を説明する断面図。
【図５】ペリクル膜２が設けられた基板１の断面図であ
り、（ａ）ペリクル膜２が変形していない場合を、
（ｂ）は上に凸状にたわんだ場合をそれぞれ示す。
り、（ａ）ペリクル膜２が変形していない場合を、
（ｂ）は上に凸状にたわんだ場合をそれぞれ示す。
【図６】従来のパターン位置測定装置の概略構成図。
１ マスク ２ ペリクル膜 ３ ペリクル枠 ４ たわみ測定装置 ５ ホルダ ６ ステージ １１ 計測光学系 ２０ 制御装置 Ｂｉ 収束光 Ｂｍ 主光線 Ｐ パターン
Claims (5)
- 【請求項１】 パターン位置測定ビームをペリクル膜が
設けられたマスクやレチクル等の基板に照射して、前記
基板上に形成されたパターンの位置を測定するパターン
位置測定方法において、 前記ペリクル膜の表面形状を検出し、その検出値に基づ
いて前記基板上における前記ビームの照射位置ずれ量を
算出し、測定されたパターン位置を前記照射位置ずれ量
に基づいて補正することを特徴とするパターン位置測定
方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のパターン位置測定方法
において、 前記ビームの主光線とペリクル膜表面の法線とのなす角
度に基づいて、前記照射位置のずれ量を算出することを
特徴とするパターン位置測定方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のパターン位置測定方法
において、 前記ペリクル膜表面の各位置における変位量を検出し、
その検出値と前記ビームのペリクル膜照射位置とに基づ
いて前記角度を算出することを特徴とするパターン位置
測定方法。 - 【請求項４】 ペリクル膜が設けられたマスクやレチク
ル等の基板のパターン位置を測定するパターン位置測定
装置において、 前記ペリクル膜の表面形状を検出する検出手段と、 測定されたパターン位置を前記検出手段の検出値に基づ
いて補正するパターン位置補正手段とを備えることを特
徴とするパターン位置測定装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載のパターン位置測定装置
において、 前記検出手段を、前記ペリクル膜の表面位置を検出する
超音波センサ，光学式変位センサ，静電容量型変位セン
サまたは磁気変位センサ等の位置検出センサとしたこと
を特徴とするパターン位置測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23182496A JP3644147B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | パターン位置測定方法およびパターン位置測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23182496A JP3644147B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | パターン位置測定方法およびパターン位置測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073407A true JPH1073407A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3644147B2 JP3644147B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=16929600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23182496A Expired - Lifetime JP3644147B2 (ja) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | パターン位置測定方法およびパターン位置測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3644147B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005148620A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルおよびペリクル製品群 |
| JP2008182270A (ja) * | 2003-04-30 | 2008-08-07 | Asml Netherlands Bv | マスク |
| DE102008037465A1 (de) | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position von Materialkanten auf einer Maske für die Halbleiterherstellung |
| DE102010015884A1 (de) | 2010-03-09 | 2012-01-12 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Verfahren zur reproduzierbaren Bestimmung der Position von Strukturen auf einer Maske mit Pellicle-Rahmen |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP23182496A patent/JP3644147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182270A (ja) * | 2003-04-30 | 2008-08-07 | Asml Netherlands Bv | マスク |
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| DE102008037465A1 (de) | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position von Materialkanten auf einer Maske für die Halbleiterherstellung |
| DE102008037465B4 (de) | 2008-10-17 | 2019-06-19 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Verfahren zur Bestimmung der Position von Materialkanten auf einer Maske für die Halbleiterherstellung |
| DE102010015884A1 (de) | 2010-03-09 | 2012-01-12 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Verfahren zur reproduzierbaren Bestimmung der Position von Strukturen auf einer Maske mit Pellicle-Rahmen |
| US8352886B2 (en) | 2010-03-09 | 2013-01-08 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Method for the reproducible determination of the position of structures on a mask with a pellicle frame |
| DE102010015884B4 (de) * | 2010-03-09 | 2015-05-28 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Verfahren zur reproduzierbaren Bestimmung der Position von Strukturen auf einer Maske mit Pellicle-Rahmen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3644147B2 (ja) | 2005-04-27 |
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