KR960018773A - 노광 방법 및 그 장치 - Google Patents

노광 방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960018773A
KR960018773A KR1019950046611A KR19950046611A KR960018773A KR 960018773 A KR960018773 A KR 960018773A KR 1019950046611 A KR1019950046611 A KR 1019950046611A KR 19950046611 A KR19950046611 A KR 19950046611A KR 960018773 A KR960018773 A KR 960018773A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
projection optical
photosensitive substrate
mask
shot
Prior art date
Application number
KR1019950046611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100365602B1 (ko
Inventor
유지 이마이
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 니콘 가부시키가이샤 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR960018773A publication Critical patent/KR960018773A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100365602B1 publication Critical patent/KR100365602B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

[목적]
트루픗을 극단으로 저하시키지 않고 각 노광 쇼트 위치에서 정확하게 레벨링 및 합초를 행한다.
[구성]
웨이퍼 전체의 경사 보정(글로밭레벨링)이 제1노광 쇼트로의 위치 결정을 위한 웨이퍼의 이동중에 행해지며(스텝 110), 각 노광 쇼트로의 위치 결정후에 각 노광 위치에서의 레벨링(칩 레벨링)이 행해진다(스텝 112). 따라서, 레벨링 동작이 분할되고 각 노광 위치에서의 레벨링 보정량이 작아지고 노광 위치에선 단시간으로 레벨링이 완료된다. 또. 스텝(118)에서 스텝(114)에서 구해진 초점에서의 위치 어긋남량에 따른 양만큼 차노광 쇼트 이동중에 웨이퍼를 광축 방향을 따라서 초점측으로 이동시키므로 각 노광 쇼트로 위치 결정된 때엔 대체적인 합초가 이뤄지고 있다.

Description

노광 방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 대한 스텝앤드리피드형의 노광 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 마스크에 형성된 패턴을 투영 광학계를 거쳐서 감광기판상의 복수의 쇼트 영역의 각각에 순차 전사하는 스텝앤드리피트 방식의 노광 방법에 있어서, 상기 감광기판상의 복수의 계측점의 각각에 있어서의 투영 광학계의 광축 방향의 위치를 계측하는 제1공정과, 상기 복수의 쇼트 영역의 1개를 투영 광학계의 이미지 필드내에 위치 결정하기 위한 상기 감광기판의 이동중에 상기 계측 결과에 의거해서 상기 투영 광학계의 상면과 상기 감광기판의 표면과의 상대적인 경사를 보정하는 제2공정과, 상기 투영 광학계의 상면에 대한 상기 1개의 쇼트영역의 표면의 경사량과 초점 어긋남량을 검출하고 그 검출 결과에 의거해서 감광기판을 경사시킴과 더불어 광축 방향으로 이동하는 제3의 공정과, 상기 마스크패턴을 1개의 쇼트영역에 전사하는 동시에 제3의 공정에서의 감광기판의 경사량에 의거해서 다음에 마스크패턴을 전사해야 할 1개의 쇼트 영역과는 다른 쇼트 영역의 표면의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량을 구하는 제4공정과; 상기 다른 쇼트 영역을 투영 광학계의 이미지 필드내에 위치 결정하기 위한 감광기판의 이동중에 상기 구해진 위치 어굿남량에 따른 양만큼 감광기판을 광축 방향으로 이동하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서 감광 기판상의 계측점은 적어도 3개의 쇼트 영역의 각각의 동일 위치에 실정되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1공정은 감광 기판상의 몇개의 쇼트 영역의 각각에 부설된 어라이먼트마크의 위치를 계측하는 공정과 계측된 복수의 위치를 통계 처리하므로서 감광기판상의 모든 쇼트 영역의 위치를 결정하는 공정을 포함하며, 상기 계측점이 설정되는 적어도 3개의 쇼트 영역은 상기 얼라이먼트 마크의 위치가 계측되는 몇개의 쇼트 영역에 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서 감광기판상의 계측점은 마스크의 패턴을 전사가능한 모든 쇼트 영역의 각각에 설정되는 동시에 그 각 쇼트 영역내의 계측점은 프로세스 단차가 비교적 작아지는 위치에 정해지고, 상기 제4공정에 있어서 다른 쇼트 영역의 표면의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량을 구할 때, 제1의 공정에서 얻어진 쇼트 영역간의 편차를 사용하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 마스크의 패턴을 감광 기판상의 쇼트 영역에 전사하는데 앞서서 그 쇼트 영역의 표면을 투영 광학계의 상면에 합치시킬 때, 상기 제1공정에서 얻어진 모든 쇼트 영역의 위치 정보중, 해당 쇼트 영역에 인접하는 쇼트 영역의 위치 정보를 써서 감광기판을 경사하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  6. 마스크를 조명하면서 그 마스크상의 조명 영역에 대해서 마스크를 주사하는 동시에 조명 영역과 투영광학계에 관해서 공역인 노광 영역에 대해서 감광기판을 마스크의 주사에 동기해서 주사하므로서 마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐서 감광 기판의 복수의 쇼트 영역상에 순차 노광하는 주사현 노광 방법에 있어서, 상기 감광기판상의 복수의 계측점의 각각에 있어서의 투영 광학계의 광축 방향의 위치를 계측하는 제1공정과, 상기 복수의 소트 영역의 1개를 노광 개시 위치에 위치 결정하기 위한 상기 감광기판의 이동중에 계측 결과에 의거해서 투영 광학계의 상면과 감광기판의 표면과의 상대적인 경사를 보정하는 제2공정과; 상기 감광기판의 1개의 쇼트 영역과 마스크를 동기해서 주사 노광하면서 투영 광학계의 상면에 대한 1개의 쇼트 영역의 표면의 경사량과 초점 어긋남량을 검출하고 그 검출결과에 의거해서 노광 영역에 있어서의 1개의 쇼트 영역의 표면이 투영 광학계의 상면과 평행으로 되는 동시에 투영 광학계의 초점 위치와 일치하게 감광 기판을 경사하는 동시에 광축 방향으로 이동하는 제3공정과, 상기 1개의 쇼트 영역의 주사 노광 종료시의 감광기판의 경사량에 의거해서 다음에 마스크 패턴을 전사해야 할 1개의 쇼트 영역과는 다른 쇼트 영역의 표면의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량을 구하는 제4공정과, 상기 다른 쇼트 영역을 노광 개시 위치에 위치 결정하기 위한 감광기판의 이동중에 구해진 위치 어굿남량에 따른 양만큼 감광 기판을 광축 방향으로 이동하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 마스크의 주사간에 생기는 마스크의 광축 방향에 있어서의 위치 변동에 의한 투영광학계의 상면의 광측 방향의 위치의 변동분을 제3공정에 있어서의 검출결과에 의거해서 감광 기판을 광축 방향으로 이동하기 위한 이동량에 들이고 또한, 제4공정에 있어서의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량에 들이는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  8. 마스크에 형성된 패턴의 상을 감광기판상에 투영하는 투영 광학계를 가지며 마스크의 패턴상을 감광기판상의 복수의 쇼트 영역의 각각에 순차 전사하는 스텝 앤드리피트방식의 노광 장치에 있어서, 상기 감광기판을 유지하고 투영 광학계의 광축 방향으로 이동하는 동시에 투영 광학계의 상면에 대해서 경사가능한 가동 부재와, 그 가동 부재를 얹고 투영 광학계의 광축과 수직인 면내에서 2차원 이동하는 기판 스테이지와, 상기 기판 감광기판 표면의 투영 광학계의 광축 방향의 위치를 광학적으로 검출하는 제1검출 수단과, 상기 투영 광학계의 상면에 대한 감광기판상의 쇼트 영역의 표면의 경사를 광학적으로 검출하는 제2검출 수단과, 상기 제1검출수단을 써서 감광기판의 복수의 계측점의 각각에 있어서의 광축방향의 위치를 계측하고 그 계측된 복수의 위치에 의거해서 가동부재를 경사시키므로서 투영 광학계의 상면과 감광기판의 표면과의 상대적인 경사를 보정하는 제1레벨링 수단과, 상기 기판 스테이지의 이동 위치를 모니터하면서 감광기관상의 복수의 쇼트 영역이 마스크의 패턴상으로 순차 노광되게 기판 스테이지의 이동 위치를 제어하는 제1제어 수단과, 상기 경사 보정된 감광기판상의 1개의 쇼트 영역의 표면이 투영 광학계의 초점 위치에 일치하게 제1검출 수단의 출력에 의거해서 가동 부재를 구동하는 합초 수단과, 상기 1개의 쇼트 영역의 표면이 투영 광학계의 상면과 평행으로 상기 제2검출 수단의 출력에 의거해서 가동부재를 구동하는 제2레벨링 수단과, 상기 제2레벨링 수단에 의해서 구동되는 감광 기판상의 쇼트 영역의 표면의 경사량에 의거해서 다음에 마스크 패턴을 전사해야 할 1개의 쇼트 영역과는 다른 쇼트 영역의 표면의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량을 구하고 제1제어 수단에 의한 기판 스테이지의 이동중에 위치 어긋남량에 따른 양만큼 감광기판을 광축 방향으로 이동하게 가동 부재의 이동을 제어하는 제2제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  9. 마스크상의 조명 영역에 대해서 그 마스크를 주사하는 마스크스테이지와, 상기 마스크상의 패턴의 상을 감광기판상에 투영하는 투영 광학계와, 조명 영역과 투영 광학계에 관해서 공역인 노광 영역에 대해서 감광기판을 마스크의 주사와 동기해서 주사하는 2차원 이동가능한 기판 스테이지를 구비하고, 상기 감광기판상의 복수의 쇼트 영역을 순차 노광하는 주사형 노광 장치이며, 상기 2차원 이동가능한 기판상에 설치되고 또한 감광기판을 유지한 채 상기 투영 광학계의 광축 방향으로 이동하는 동시에 투영 광학계의 상면에 대해서 경사가능한 가동부재와, 상기 감광기판 표면의 투영 광학계의 광축 방향의 위치 및 투영 광학계의 상면에 대한 경사를 광학적으로 검출하는 검출 수단과, 상기 검출 수단을 써서 감광 기판상의 복수의 계측점의 각각에 있어서의 광축 방향의 위치를 계측하고 그 계측된 복수의 위치에 의거해서 가동 부재를 기울이므로서 투영 광학계의 상면과 감광기판의 표면과의 상대적인 경사를 보정하는 제1레벨링 수단과, 상기 기판 스테이지의 이동 위치를 모니터하면서 감광 기판상의 복수의 소트영역이 마스크의 패턴상으르 순차 노광되게 기판 스테이지의 이동 위치를 제어하는 제1제어 수단과, 상기 감광 기판의 1개의 쇼트 영역과 마스크가 동기해서 주사되어 있는 동안에 노광 영역내에 존재하는 그 1개의 쇼트 영역의 표면이 투영 광학계의 초점 위치에 일치하고 또한 투영 광학계의 상면과 평행으로 되게 검출 수단의 출력에 의거해서 가동 부재를 구동하는 제2레벨링 수단과, 상기 제2레벨링 수단에 의해서 구동된 감광 기판상의 쇼트 영역의 표면의 주사 노광 종료시의 경사량에 의거해서 다음에 마스크패턴을 전사해야 할 1개의 쇼트 영역과는 다른 쇼트 영역의 표면의 투영 광학계의 상면에서의 위치 어긋남량을 구하고 제1제어 수단에 의한 기판 스테이지의 이동중에 위치 어긋남량에 따른 양만큼 상기 감광 기판을 상기 광축 방향으로 이동하게 상기 가동 부재의 이동을 제어하는 제2제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950046611A 1994-11-29 1995-11-29 노광방법및장치와반도체디바이스제조방법 KR100365602B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-294270 1994-11-29
JP29427094 1994-11-29
JP95-322131 1995-11-16
JP32213195A JP3572430B2 (ja) 1994-11-29 1995-11-16 露光方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960018773A true KR960018773A (ko) 1996-06-17
KR100365602B1 KR100365602B1 (ko) 2003-08-21

Family

ID=26559751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950046611A KR100365602B1 (ko) 1994-11-29 1995-11-29 노광방법및장치와반도체디바이스제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5742067A (ko)
JP (1) JP3572430B2 (ko)
KR (1) KR100365602B1 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010049589A1 (en) 1993-01-21 2001-12-06 Nikon Corporation Alignment method and apparatus therefor
US6278957B1 (en) * 1993-01-21 2001-08-21 Nikon Corporation Alignment method and apparatus therefor
JP3584314B2 (ja) * 1995-07-11 2004-11-04 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH09180989A (ja) 1995-12-26 1997-07-11 Toshiba Corp 露光装置および露光方法
JPH09320933A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 走査型露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3696702B2 (ja) * 1996-10-16 2005-09-21 沖電気工業株式会社 露光装置のためのアライメント方法及び装置
JP4078683B2 (ja) * 1996-11-28 2008-04-23 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法
JPH10270305A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Nikon Corp 露光方法
JPH10326733A (ja) * 1997-05-23 1998-12-08 Mitsubishi Electric Corp スリットスキャン式投影露光装置及び投影露光方法並びにこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3454497B2 (ja) * 1997-07-15 2003-10-06 キヤノン株式会社 投影露光方法および装置
JP3441930B2 (ja) * 1997-07-22 2003-09-02 キヤノン株式会社 走査型露光装置およびデバイス製造方法
JP3428872B2 (ja) * 1997-08-29 2003-07-22 キヤノン株式会社 露光方法および装置
JPH11162832A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
JP3809268B2 (ja) 1997-12-19 2006-08-16 キヤノン株式会社 デバイス製造方法
TW396395B (en) * 1998-01-07 2000-07-01 Nikon Corp Exposure method and scanning-type aligner
JP2000082651A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp 走査露光装置及び走査露光方法
JP2000216077A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Nec Corp 重ね合わせ精度測定装置の焦点位置調整方法及び調整装置
JP4434372B2 (ja) * 1999-09-09 2010-03-17 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US6381004B1 (en) * 1999-09-29 2002-04-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002203773A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Canon Inc 露光装置
US7239371B2 (en) * 2005-10-18 2007-07-03 International Business Machines Corporation Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems
JP4143101B2 (ja) * 2006-08-10 2008-09-03 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 試料検査装置、画像位置合わせ方法、位置ずれ量推定方法及びプログラム
US9046788B2 (en) * 2008-05-19 2015-06-02 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus on an integrated wafer
JP4746081B2 (ja) * 2008-09-29 2011-08-10 キヤノン株式会社 走査露光装置およびデバイス製造方法
US8203695B2 (en) * 2008-11-03 2012-06-19 Micron Technology, Inc. Photolithography systems and associated methods of focus correction
JP6253269B2 (ja) * 2013-06-14 2017-12-27 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、それを用いた物品の製造方法
JP2015032800A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP6327861B2 (ja) 2014-01-07 2018-05-23 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
JP6762746B2 (ja) * 2015-04-15 2020-09-30 キヤノン株式会社 露光装置および露光方法、ならびに物品の製造方法
KR20160123236A (ko) 2015-04-15 2016-10-25 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법
CN107450287B (zh) * 2016-05-31 2019-10-25 上海微电子装备(集团)股份有限公司 调焦调平测量装置及方法
CN107966880B (zh) 2017-03-15 2019-01-11 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种用于光刻机的垂向控制方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58113706A (ja) * 1981-12-26 1983-07-06 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 水平位置検出装置
US4780617A (en) * 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JP2679186B2 (ja) * 1988-12-05 1997-11-19 株式会社ニコン 露光装置
JP3391470B2 (ja) * 1992-01-17 2003-03-31 株式会社ニコン 投影露光装置、及び投影露光方法
KR100300618B1 (ko) * 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5461237A (en) * 1993-03-26 1995-10-24 Nikon Corporation Surface-position setting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08227854A (ja) 1996-09-03
JP3572430B2 (ja) 2004-10-06
KR100365602B1 (ko) 2003-08-21
US5742067A (en) 1998-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960018773A (ko) 노광 방법 및 그 장치
KR940015697A (ko) 노광방법 및 그 장치
JP3181050B2 (ja) 投影露光方法およびその装置
JP3376179B2 (ja) 面位置検出方法
JP2773147B2 (ja) 露光装置の位置合わせ装置及び方法
KR950012572A (ko) 노광 방법
KR970072024A (ko) 투영노광장치
KR960011563A (ko) 투영 노광 시스템
US6975384B2 (en) Exposure apparatus and method
JP3880155B2 (ja) 位置決め方法及び位置決め装置
US5361122A (en) Autofocusing device and projection exposure apparatus with the same
JPH09293676A (ja) 投影光学系及び投影露光装置
US5475490A (en) Method of measuring a leveling plane
US7072027B2 (en) Exposure apparatus, method of controlling same, and method of manufacturing devices
JP3551570B2 (ja) 走査型露光装置及び露光方法
JP2004247476A (ja) 面位置計測方法
JP3754743B2 (ja) 表面位置設定方法、ウエハ高さ設定方法、面位置設定方法、ウエハ面位置検出方法および露光装置
JP3255299B2 (ja) 位置検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP3428825B2 (ja) 面位置検出方法および面位置検出装置
JP3285105B2 (ja) ステージ駆動方法、及び走査露光方法
JP3376219B2 (ja) 面位置検出装置および方法
JP2001313241A (ja) 露光装置および露光方法
JPH11135411A (ja) 走査型露光装置
JP3495868B2 (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3339630B2 (ja) 走査型露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051123

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee