KR970012018A - 면위치검출방법 및 이것을 이용한 주사노광방법 - Google Patents
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Abstract
패턴구조가 형성된 영역을 지닌 물체를 면위치검출수단에 대해서 상대주사이동시키는 것에 의해 상기 영역내의 복수의 검출점의 면위치를 상기 면위치검출수단으로 측정하는 면위치검출방법에 있어서, 상기 면위치검출수단을 통해서 면위치를 검출하는 동안 상기 검출점간의 패턴구조의 차이에 의해 생긴 각 검출점마다 오차를 검출하는 단계; 상기 물체를 상기 면위치검출수단에 대해서 상대주사이동하여 상기 면위치검출수단에 의해 상기 영역내의 상기 각 검출점의 면위치를 검출할 때 상기 검출점에 대응하는 오차에 의거해서 각 검출점에서의 검출결과를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 면위치검출방법이 개시되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 면위치검출방법을 적용할 수 있는 슬릿주사형투영노광장치의 부분개략도.
Claims (7)
- 패턴구조가 형성된 영역을 지닌 물체를 면위치검출수단에 대해서 상대주사이동시키는 것에 의해 상기 영역내의 복수의 검출점의 면위치를 상기 면위치검출수단으로 측정하는 면위치검출방법에 있어서, 상기 면위치검출수단을 통해서 면위치를 거출하는 동안 상기 검출점간의 패턴구조의 차이에 의해 생긴 각 검출점마다의 오차를 검출하는 단계와; 상기 물체를 상기 면위치검출수단에 대해서 상대주사이동하여 상기 면위치검출수단에 의해 상기 영역내의 상기 각 검출점의 면위치를 검출할 때 상기 검출점에 대응하는 오차에 의거해서 각검출점에서의 검출결과를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 면위치검출방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물체에는 상기 영역과 동일한 패턴구조를 지닌 복수의 영역이 있고, 상기 방법은, 상기 물체를 상김 면위치검출수단에 대해서 상대주사이동하여 상기 면위치검출수단에 의해 상기 검출점에 대응하는 상기 영역내의 장소에서의 면위치를 검출할 때 상기 검출점에 대응하는 오차에 의거해서 각 검출점에서의 검출결과를 보정하는 단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 면위치검출방법.
- 제2항에 있어서, 상기 오차검출단계는 상기 영역내에 있어서 대응하는 장소에 관한 면위치데이터에 의거해서 물체의 면형상을 검출하는 단계와, 상기 면형상에 의거해서 오차를 검출하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 면위치검출방법.
- 레티클과 웨이퍼를 투영광학계에 대해서 동기하여 주사이동시킴과 동시에 상기 투영광학계를 통해서 상기 레티클의 패턴을 상기 웨이퍼상으로 투영할때, 상기 웨이퍼상의 동일한 패턴구조를 지닌 노광영역내의 주사방향으로 배열된 복수의 검출점의 면위치를 순차 검출하여 상기 노광영역을 상기 투영광학계의 상면위치에 위치시키는 주사형노광방법에 있어서 : 면위치를 검출하는 동안 상기 검출점간의 패턴구조의 차이에 의해 생긴 각 검출점마다의 오차를 검출하는 단계와; 상기 검출점의 면위치를 순차 검출할 때 상기 검출점에 대응하는 오차에 의거해서 각 검출점에서의 검출결과를 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 주사형노광방법.
- 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼에는 상기 영역과 동일한 패턴구조를 지닌 복수의 영역이 있고, 상기 방법은, 상기 검출점에 대응하는 상기 영역내의 장소에서의 면위치를 순차 검출할 때 상기 검출점에 대응하는 오차에 의거해서, 각 검출점에서의 검출결과를 보정하는 단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 주사형노광방법.
- 제5항에 있어서, 상기 오차검출단계는 상기 영역내에 있어서 대응하는 장소에 관한 면위치데이터에 의거해서 웨이퍼의 면형상을 검출하는 단계와, 상기 면형상에 의거해서 오차를 검출하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 주사형노광방법.
- 물체에 대해서 비스듬히 투영된 광에 의해서 면위치를 검출하는 면위치검출수단을 이용하여 물체의 영역내의 대응하는 장소의 면위치를 검출하는, 동일패턴구조를 지닌 영역의 물체의 면위치검출방법에 있어서, 상기 면위치검출수단을 이용하여 상기 영역내의 대응하는 장소의 면위치를 검출하는 제1검출단계와; 상기 제1검출단계의 검출에 의거해서 상기 물체를 소정위치로 구동하는 구동단계와; 상기 구동단계후, 상기 면위치검출수단을 이용하여 상기 영역내의 대응하는 장소의 면위치를 다시 검출하는 제2검출단계와; 상기 구동단계시의 구동량과 상기 제2검출단계의 검출에 의거해서 상기 영역의 면위치를 산출하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 면형상검출방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19864895A JP3376179B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 面位置検出方法 |
JP95-198648 | 1995-08-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970012018A true KR970012018A (ko) | 1997-03-29 |
KR100240371B1 KR100240371B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=16394715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960032446A KR100240371B1 (ko) | 1995-08-03 | 1996-08-03 | 면위치검출방법 및 이것을 이용한 주사노광방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6081614A (ko) |
EP (2) | EP0762215B1 (ko) |
JP (1) | JP3376179B2 (ko) |
KR (1) | KR100240371B1 (ko) |
DE (1) | DE69632615D1 (ko) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140924 Year of fee payment: 16 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |