JP2010114265A - 走査露光装置およびその制御方法、ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板表面位置(高さ)と傾きを計測する精度の過度な悪化を防止しつつ、計測時間を短縮する制御技術、及び走査露光装置を提供する。
【解決手段】複数の計測用光束は基板の表面における複数の計測ポイントに入射し反射される。複数の計測ポイントは、露光ステーションにおける露光スリットの非走査方向の幅とほぼ等しいか、又はそれ以上の長さにわたって配置されている。複数の計測ポイントのうち基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定し、少なくとも2つのショット領域の表面位置を同時に計測する。例えばショット領域の列613における計測目標位置601および602を計測するための計測ポイントを701および702に決定する。さらに列614〜618における計測目標位置603〜612に対し、列613と同時に計測することが可能な列を決定する。
【選択図】図7
【解決手段】複数の計測用光束は基板の表面における複数の計測ポイントに入射し反射される。複数の計測ポイントは、露光ステーションにおける露光スリットの非走査方向の幅とほぼ等しいか、又はそれ以上の長さにわたって配置されている。複数の計測ポイントのうち基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定し、少なくとも2つのショット領域の表面位置を同時に計測する。例えばショット領域の列613における計測目標位置601および602を計測するための計測ポイントを701および702に決定する。さらに列614〜618における計測目標位置603〜612に対し、列613と同時に計測することが可能な列を決定する。
【選択図】図7
Description
本発明は、走査露光装置およびその制御方法、ならびに該走査露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
半導体デバイス、表示デバイス素子、磁気ヘッドデバイス等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程において露光装置が使用される。露光装置は、基板に対して原版(マスクまたはレチクルとも呼ばれる)のパターンを投影光学系によって投影し該基板を露光する。
露光装置においては、集積回路の微細化及び高密度化に伴って、原版のパターンを高い解像力で基板に投影することが要求されている。この解像力は、投影光学系の開口数(NA)と露光波長に依存するので、投影光学系の高NA化や、露光波長の短波長化の取り組みが行われている。
露光装置には、原版および基板を静止させた状態で基板を露光する露光装置(いわゆるステッパ)や、原版および基板を投影光学系に対して走査しながら該基板をスリット光で露光する走査露光装置(いわゆるスキャナ)とが含まれる。
スキャナ(走査露光装置)では、基板の表面位置を最適露光像面位置に制御しながら該基板を走査することができるので、基板の平面度の影響を低減することができる。また、スキャナでは、ステッパと同等の投影光学系を使いながら、露光領域とNAを大きくすることができる。そのため、露光装置の主流は、スキャナとなってきている。
スキャナでは、基板を走査しながら該基板の表面位置が計測される。この計測には、例えば、光斜入射方式のセンサの他、エアマイクロセンサや静電容量センサ等のギャップセンサを使用することができる。
走査方向に直交する方向である非走査方向には、表面位置(高さ)のみならず表面の傾きを計測するために、複数の計測ポイントが配置されている。図4に示すように、スリット光の非走査方向における幅(又は、ショット領域の非走査方向における幅)を超えて複数の計測ポイントを配置することで、1回の走査において非走査方向における少なくとも2つのショット領域を同時に計測することができる。これにより、全てのショット領域における表面位置を計測するために要する時間が短縮される。
特開平9−45608号公報
従来の計測方法では、基板上のショット領域の配置が計測器の計測ポイントの非走査方向における配置間隔に適合していないと、計測目標位置と実際に計測がなされる箇所との間にずれが生じうる。図4は、計測目標位置と実際に計測がなされる箇所との間に生じうるずれを例示的に示している。図4において、X方向(非走査方向)における計測目標位置402、403、408、409は、X方向における計測ポイント410、411、415、416の位置と一致している。しかしながら、X方向における計測目標位置404〜407は、X方向における計測ポイントの位置と異なる。特許文献1に示すように、計測目標位置と実際の計測位置とのずれは、基板上の繰り返しパターンによる計測騙されを引き起こすため、基板の露光時に像面からの基板のデフォーカスを生じさせる。そのため、焦点深度に余裕がないプロセスにおいては、デフォーカスによる解像不良を引き起こすという問題があった。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、計測精度の過度な悪化を防止しつつ計測時間を短縮することに有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の第1の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置に係り、前記走査露光装置は、前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントで、前記基板の少なくとも2つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する制御部を備える。
本発明の第2の側面は、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置の制御方法に係り、前記制御方法は、前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定する工程と、決定された計測ポイントで、前記基板の少なくとも2つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する工程とを含む。
本発明の第3の側面は、デバイス製造方法に係り、前記デバイス製造方法は、上記の走査露光装置によって基板を露光する工程と、該基板を現像する工程とを含む。
本発明によれば、計測精度の過度な悪化を防止しつつ計測時間を短縮することに有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図1は、本発明の好適な実施形態の走査露光装置の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の走査露光装置EXは、複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器Mを有し、計測器Mによる計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成される。
該複数の計測ポイントが配列された領域の非走査方向(X方向)における幅は、該基板の走査方向(Y方向)に直交する非走査方向(X方向)におけるスリット光の幅よりも大きい。例えば、該複数の計測ポイントが配列された領域の非走査方向(X方向)における幅は、該基板の走査方向(Y方向)に直交する非走査方向(X方向)におけるスリット光の幅(換言すると、最大ショット領域の幅)の2倍以上であることが好ましい。
走査露光装置EXは、計測器Mを使って基板を計測する計測ステーションと、計測器Mによる計測結果に基づいて基板を制御しながら該基板を露光する露光ステーションとを有することが好ましい。計測器Mによる計測が終了した基板を保持した基板ステージは、計測ステーションから露光ステーションに移動し、露光ステーションにおいて、計測器Mによる計測結果に基づいて基板が制御されながら該基板が露光される。このような走査露光装置EXは、2つの基板ステージ6、22を備え、2つの基板ステージ6、22のスワップ動作を繰り返しながら、計測ステーションにおける計測と露光ステーションにおける露光とが並行して実行される。
露光ステーションでは、原版(レチクル)2は原版ステージ(レチクルステージ)3上に保持され、原版2のパターンは投影光学系1によってその像面に配置された基板(例えば、ウエハ)4に縮小投影される。
表面に感光剤(フォトレジスト)が塗布された基板4には、複数のショット領域が配列されている。基板4は、基板チャック5によって保持される。基板チャック5は、基板ステージ6によって駆動される。基板ステージ6は、例えば、基板チャック5(基板4)の6軸を制御する。露光ステーションにおいて、基板ステージ6(または、基板ステージ22)は、定盤7の上で移動する。
計測ステーションには、計測器Mが配置されている。計測器Mは、基板の表面位置および傾きを計測する。計測器Mは、例えば、構成要素10〜19を含んで構成されうる。光源10は、例えば、白色ランプ、または相異なる複数のピーク波長を持つ高輝度発光ダイオードを含む。コリメータレンズ11は、光源10から提供される光を断面の強度分布がほほ均一な平行光束として射出する。スリット部材12は、複数の開口(例えば25個のピンホール)を有するクロム等の遮光膜を介して一対のプリズムの斜面を結合して構成される。両テレセントリック系の光学系13は、スリット部材12の複数のピンホールを通過した独立の複数(例えば25)の光束を、ミラー14を介して、基板4の表面上の複数の計測ポイントに照射する。ピンホールが形成されている平面と、基板4の表面を含む平面とは、光学系13に対して、シャインプルーフの条件を満足する。
この実施形態において、構成要素10〜14で構成される光照射部から射出される各光束の基板4の表面に対する入射角Φ(基板面に立てた垂線と光束とがなす角)は、70°以上である。基板4の表面には、図2に例示するように、同一パターン構造を有する複数個のショット領域が配列されている。光学系13を通過した複数の光束は、図3に例示するように、基板の表面における複数の計測ポイントに入射し反射される。図3における複数(ここでは、25個)の計測ポイントは、露光ステーションにおける露光スリットの非走査方向の幅とほぼ等しいか、又はそれ以上の長さにわたって配置している。25個の計測ポイントを、例えば露光ステーションにおける露光スリット幅の倍の領域にわたって配置することで、少なくとも2個のショット領域を同時に計測することができ、全ショット領域を計測する時間が短縮される。25個の計測ポイントが基板4の面内で互いに独立して観察されるように、X方向(スキャン方向6a)からXY平面内でθ°(例えば22.5°)回転させた方向より入射させる。
両テレセントリック系の受光光学系16は、ミラー15を介して、基板4の表面で反射された複数の光束を受光する。受光光学系16内に設けたストッパ絞り17は複数の計測ポイントに対して共通に設けられ、基板4上に存在するパターンによって発生する高次の回折光(ノイズ光)をカットする。両テレセントリック系の受光光学系16を通過した複数の光束は、補正光学系群18の複数の個別の補正レンズにより、光電変換器群19の計測面上に互いに同一の大きさのスポット光(ピンホール像)となるように再結像する。受光する側の要素16〜18は、基板4の表面上の複数の計測ポイントと光電変換器群19の計測面とが、互いに共役となるように倒れ補正がなされている。そのため、各計測ポイントの局所的な傾きにより計測面でのスポット光の位置が変化することはなく、各計測ポイントにおける基板4の表面位置(投影光学系1の光軸AXに平行な方向における位置)の変化に応答して、計測面上でスポット光の位置が変化する。光電変換器群19は、例えば、光束の本数と同数の一次元ラインセンサまたはイメージセンサで構成されうる。
原版ステージ3によって保持された原版2は、図1に示す矢印3aで示される走査方向(Y方向)には一定速度で走査され、この際に、矢印3aと直交する非走査方向(X方向)における位置は一定に維持される。原版ステージのX、Y方向における位置は、原版ステージ3に固定されたXYバーミラー20と、それにレーザービームを照射する干渉計21とを含む計測器によって常時計測される。
照明光学系8は、エキシマレーザ等のパルス光を発生する光源、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレイダ、コリメータ及びミラー等で構成されうる。照明光学系8は、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過或いは反射する材料で形成されうる。ビーム整形光学系は、入射ビームの断面形状を目標形状に整形する。オプティカルインテグレータは、光束の配光特性を均一にして原版2を均一照度で照明する。
照明光学系8内のマスキングブレードは、チップサイズに対応する矩形の照明領域を設定する。その照明領域で部分照明された原版2上のパターンが、投影光学系1を介して、感光剤が塗布された基板4に投影される。
計測ステーションに配置された計測器Mは、基板ステージ22(または基板ステージ6)に搭載された基板チャック5の基準面9に対する基板4の表面位置(高さ位置)を計測し、計測結果をメモリ130に格納する。基板チャック5の基準面9は、計測精度を高めるために基板4と同一の高さとなるように、例えば、基板チャック5に金属薄膜や金属板等を付して構成されうる。
計測ステーションで計測がなされた基板4は、基板チャック5によって保持されたままで露光ステーションに移動する。計測器100は、基準面9を利用して光軸AXの方向における基板4の表面位置を計測し、その計測結果に基づいて光軸AXの方向における基板4の表面位置が調整される。
具体的には、原版2上のパターン領域内またはその境界線上に設けられたマーク23と基準面9とを利用して基板4の表面位置の調整(合焦操作)がなされうる。マーク23は、例えばピンホールを含み、照明光学系8からの光が該ピンホールを通過して投影光学系1によって基板チャック5上の基準面9に結像する。基準面9で反射された光は、再び投影光学系1でマーク23の近傍に再結像する。原版2と基準面9とが完全に合焦状態となったとき、マーク23を構成するピンホールを通過する光の量が最大となる。マークを構成するピンホールを通過した光は、ハーフミラー24および集光レンズ25を介して受光素子26に入射する。基板ステージ6(または基板ステージ22)のZステージを駆動しながら受光素子26によって計測される光量が最大となる位置を探し、その位置にZステージが位置決めされる。
ドライバ120は、基板4の複数のショット領域が設定ユニット140によって設定された順に露光されるように、露光ステーションに配置されている基板ステージ6(または基板ステージ22)を駆動する。ドライバ120は、計測ステーションで計測されメモリ130に格納された情報(基準面9を基準とする基板4の表面位置の計測結果)に基づいて、各ショット領域が投影光学系1の像面位置(合焦位置)に一致するように基板ステージのZステージを駆動する。
図5は、図1に示す走査露光装置EXの動作を概略的に示す図である。図5に示す動作は、メイン制御部110によって制御される。なお、メイン制御部110は、特許請求の範囲に記載された制御部の一例である。
ステップ502において、メイン制御部110は、不図示の搬送ハンドに基板4を計測ステーションに配置された基板ステージ22(または基板ステージ6)の基板チャック5の上に搬送させ、基板チャック5に基板4を保持させる。
ステップ503において、メイン制御部110は、計測条件に基づいて、ショット領域内における計測間隔と、1回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域を決定する。ここで、計測条件は、例えば、計測ポイントの配置間隔、基板のサイズ、ショット領域の配列情報、走査スピード、光電変換器群19における電荷蓄積時間等を含みうる。
図6〜図10を参照しながら、1回の走査において表面位置を同時に計測する非走査方向におけるショット領域の決定方法を説明する。
図6、図7、図9、図10は、計測器Mの計測ポイント701〜707が配列された領域700の非走査方向(X方向)における幅が4つのショット領域の該非走査方向における幅をカバーする例を示している。ここで、非走査方向(X方向)は、計測時における基板の走査方向(Y方向)に直交する方向である。図6は、計測目標位置601〜612と、複数のショット領域からなる配列におけるショット領域の列613〜618との関係を示している。例えば、列613についての非走査方向における計測目標位置は、601と602であり、列614についての非走査方向における計測目標位置は、603と604である。
列613と他の列とを同時に計測する場合に使用する計測ポイントの決定方法について、図7を参照しながら説明する。図7は、計測ポイント701〜707と、計測目標位置601〜612との関係を示している。
最初に、メイン制御部110は、列613における計測目標位置601および602を計測するための計測器Mの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント701〜707のうち左側に位置する計測ポイント701および702で計測目標位置601および602における表面位置を計測するように決定されうる。
次に、メイン制御部110は、列613と同時に計測することが可能な列を探す。具体的には、メイン制御部110は、列614〜618における計測目標位置603〜612と計測ポイント703〜707の位置とに基づいて、(1)式に従って、列613と同時に計測することが可能な列を決定する。ここで、(1)式は、計測目標位置からの距離が許容距離(T)内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定するための条件を与える。即ち、(1)式を満たす計測ポイントは、計測目標位置からの距離が許容距離(T)内の箇所を計測可能な計測ポイントである。(1)式を満たす計測ポイントで計測が可能な列は、列613と同時に計測することが可能な列である。ここで、列613と同時に計測可能な列内の計測目標位置(または当該計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所)のすべてを同時に計測することができることが好ましいが、そうでない場合には、1つの列の計測を2回以上の走査によって行うことになる。
|(非走査方向における計測目標位置)−(非走査方向における計測ポイントの位置)|≦T ・・・(1)
(1)式が成立した場合、該当する計測ポイントで該当する列の計測目標X位置を計測する。すなわち、(1)式が成立した列を、列613と同時に計測する。
(1)式が成立した場合、該当する計測ポイントで該当する列の計測目標X位置を計測する。すなわち、(1)式が成立した列を、列613と同時に計測する。
図8は、(1)式の意味を模式的に示す図である。図8において、非走査方向(X方向)における計測目標位置801、計測ポイント802、および許容距離(T)803の相互の関係が模式的に示されている。計測ポイント802の中心位置が計測目標位置からの距離が許容距離内の領域に位置する場合には、その計測ポイント802で基板の表面位置の計測がなされる。
図7では、列616については、計測目標位置607および608との関係で計測ポイント706および707が(1)式を満たす。よって、列613の計測目標位置607および608と列616の計測目標位置607および608とが同時に計測される。他方、列614〜615および列617〜618の計測目標位置は、(1)式を満たさないため、同時計測の対象とされない。
次に、列614と他の列とを同時に計測する場合について、図9を参照しながら説明する。列613を計測する場合における決定方法と同様に、メイン制御部110は、列614における計測目標位置603および604を計測するための計測器Mの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント701〜707のうち左側に位置する計測ポイント701および702で計測目標位置603および604における表面位置を計測するように決定されうる。
次に、メイン制御部110は、列614と同時に計測することが可能な列を探す。図9に示す例では、列617における計測目標位置609および610が、計測ポイント706および707に対して(1)式を満たす。よって、列614の計測と同時に列617が計測される。
次に、列615と他の列を同時に計測する場合について、図10を参照しながら説明する。列613を計測する場合における決定方法と同様に、メイン制御部110は、列615における計測目標位置605および606を計測するための計測器Mの計測ポイントを決定する。ここでは、計測ポイント701〜707のうち左側に位置する計測ポイント701および702で計測目標位置605および606における表面位置を計測するように決定されうる。
次に、メイン制御部110は、列615と同時に計測することが可能な列を探す。図10に示す例では、列618における計測目標位置611および612が、計測ポイント706および707に対して(1)式を満たす。よって、列615の計測と同時に列618が計測される。
上記の例において、複数のショット領域からなる配列における複数の列が第1列(613)と、第2列(614)と、第3列(616)と、第4列(617)とを含むものとして考えることができる。前記第2列は前記第1列と前記第3列との間に位置し、前記第3列は前記第2列と前記第4列との間に位置する。メイン制御部110は、前記第1列に属するショット領域および前記第3列に属するショット領域の表面位置が1つの走査で同時に計測されるように、計測器Mによる計測を制御しうる。メイン制御部110はまた、前記第2列に属するショット領域および前記第4列に属するショット領域の表面位置が他の1つの走査で同時に計測されるように、計測器Mによる計測を制御しうる。
以上のように、1回の走査において同時に計測する非走査方向における複数のショット領域を決定した後、図5におけるステップ504において、メイン制御部110は、計測器Mによる計測の実行を制御する。この際に、図2に例示する順に従って基板の表面位置が計測されうる。図2は、1回の走査において同時に計測する非走査方向におけるショット領域の個数を2または1とした例である。"1"は、最も右側のショット領域の列である。
ショット領域212の手前で基板ステージを加速して一定速度に達した後、等速でショット領域212内の計測目標位置を該当する計測ポイントで連続的に計測する。次いで、ショット領域201及び211、ショット領域202及び210、ショット領域203及び209、ショット領域204及び208、ショット領域205及び207、ショット領域206と、Y方向の複数ショット領域を連続的に計測する。ショット領域206の領域内での計測が完了したら、速やかに減速しつつX方向に移動し、次に計測対象となる列へ移る。加速開始ポイントに達したら基板ステージを反対方向に加速し、等速でY方向の複数ショット領域を連続的に計測することを繰り返す。このようにすれば、ショット領域毎にステージを加速/減速する必要が無くなるため、短時間で基板全面の面位置計測が実現できる。メモリ130には、計測された基板の全面の表面位置のデータが格納される。
ステップ505において、メイン制御部110は、有効な計測ポイントと面位置の決定を行う。有効な計測ポイントとは、ステップ503において該当する列のショット領域の表面位置の計測のために使用するものとして決定された計測ポイントである。有効ではない計測ポイント、即ち無効な計測ポイントは、ステップ503において該当する列のショット領域の表面位置の計測のために使用するものとして決定されなかった計測ポイントである。無効な計測ポイントでの計測によって得られた情報がメモリ130に蓄積される場合には、当該情報は無効とされ破棄される。有効な計測ポイントでの計測によって得られた情報(表面位置を示す情報)は、継続してメモリ130に保存される。
ステップ506では、メイン制御部110は、有効な計測ポイントでの計測によって得られた情報に基づいて各ショット領域の表面位置を決定してメモリ130に格納する。
ステップ507では、メイン制御部110は、計測ステーションから露光ステーションに基板ステージ(およびそれによって保持された基板)を移動させる。
ステップ508では、メイン制御部110は、マーク23と基板チャック5上の基準面9とに基づいて、基準面9が投影光学系1の像面に一致するようにZステージの高さを調整する。
ステップ509では、メイン制御部110による制御の下で、基板チャック5上の基準面9を基準とする基板の表面位置(高さ位置)を示すメモリ130に格納された情報に基づいてショット領域を投影光学系1の像面に一致させながら基板が露光される。
ステップ510では、メイン制御部110は、基板上の全てのショット領域の露光が終了したかを判断し、全てのショット領域の露光が終了していない場合には、ステップ509に処理を戻す。一方、全てのショット領域の露光が終了した場合には、ステップ511において、基板を露光ステーションから搬出し、一連の露光シーケンスを終了する。本発明の好適な実施形態のデバイス製造方法は、例えば、半導体デバイス、液晶デバイス等のデバイスの製造に好適である。前記方法は、感光剤が塗布された基板を、上記の走査露光装置を用いて露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、前記デバイス製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。
1 投影光学系
2 原版
3 原版ステージ
4 基板
5 基板チャック
6、22 基板ステージ
7、31 定盤
8 照明光学系
9 基準面
10 光源
11 コリメータレンズ
12 スリット部材
13、16 計測レンズ
14、15 折り曲げミラー
17 ストッパ絞り
18 補正光学系群
19 光電変換器群
110 メイン制御部
120 ドライバ
130 メモリ
402〜409、601〜612、801 計測目標位置
410〜416、701〜707、802 計測ポイント
2 原版
3 原版ステージ
4 基板
5 基板チャック
6、22 基板ステージ
7、31 定盤
8 照明光学系
9 基準面
10 光源
11 コリメータレンズ
12 スリット部材
13、16 計測レンズ
14、15 折り曲げミラー
17 ストッパ絞り
18 補正光学系群
19 光電変換器群
110 メイン制御部
120 ドライバ
130 メモリ
402〜409、601〜612、801 計測目標位置
410〜416、701〜707、802 計測ポイント
Claims (6)
- 複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置であって、
前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントで、前記基板の少なくとも2つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する制御部を備えることを特徴とする走査露光装置。 - 前記制御部は、前記複数の計測ポイントのうち前記計測目標位置からの距離が前記許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定し、決定した計測ポイントで前記基板の少なくとも2つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の走査露光装置。 - 前記複数のショット領域からなる配列における複数の列は、第1列と、第2列と、第3列と、第4列とを含み、前記第2列は前記第1列と前記第3列との間に位置し、前記第3列は前記第2列と前記第4列との間に位置し、
前記制御部は、前記第1列に属するショット領域および前記第3列に属するショット領域の表面位置が1つの走査で同時に計測され、前記第2列に属するショット領域および前記第4列に属するショット領域の表面位置が他の1つの走査で同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の走査露光装置。 - 前記制御部は、前記複数の計測ポイントのうち前記計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測することができない計測ポイントで計測された情報を無効とする、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の走査露光装置。 - 複数の計測ポイントで基板の表面位置を計測する計測器を有し、前記計測器による計測結果に基づいて該基板の表面位置を制御しながらスリット光によって該基板を走査露光するように構成され、該基板の走査方向に直交する非走査方向における前記スリット光の幅よりも前記複数の計測ポイントが配列された領域の前記非走査方向における幅が大きい走査露光装置の制御方法であって、
前記複数の計測ポイントのうち前記基板の上の計測目標位置からの距離が許容距離内の箇所を計測可能な計測ポイントを決定する工程と、
決定された計測ポイントで、前記基板の少なくとも2つのショット領域の表面位置が同時に計測されるように、前記計測器による計測を制御する工程と、
を含むことを特徴とする走査露光装置の制御方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の走査露光装置によって基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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