JP2657505B2 - マーク位置検出装置およびマーク配置方法 - Google Patents
マーク位置検出装置およびマーク配置方法Info
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- JP2657505B2 JP2657505B2 JP63014527A JP1452788A JP2657505B2 JP 2657505 B2 JP2657505 B2 JP 2657505B2 JP 63014527 A JP63014527 A JP 63014527A JP 1452788 A JP1452788 A JP 1452788A JP 2657505 B2 JP2657505 B2 JP 2657505B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体メモリや演算装置等の高密度
集積回路チップの製造の際に用いる回路パターンの焼付
におけるレチクルやウエハの位置検出の際にこれらに付
されたマークの位置検出に適用して好適な装置およびマ
ーク配置方法に関する。
集積回路チップの製造の際に用いる回路パターンの焼付
におけるレチクルやウエハの位置検出の際にこれらに付
されたマークの位置検出に適用して好適な装置およびマ
ーク配置方法に関する。
［従来技術］ 従来、半導体焼付装置のレチクルやウエハの位置検出
等においては、予め位置検出を行なうべき物体に繰返し
パターンを付しておき、これらを光電的に検出して位置
検出を行なうような装置が知られている。
等においては、予め位置検出を行なうべき物体に繰返し
パターンを付しておき、これらを光電的に検出して位置
検出を行なうような装置が知られている。
第１図は、従来例であり本発明の適用対象例でもある
半導体焼付装置の位置検出光学系を示す構成図である。
同図のような構成で、CCDカメラ12あるいは光検知器７
により、レチクル１上のレチクルアライメントマーク16
や装置本体に固着されたレチクルセットマーク17を検知
して、これらのマーク位置を検出する。そして、レチク
ル１を保持する不図示のレチクルステージを駆動して、
レチクルアライメントマーク16をレチクルセットマーク
17に合せるようにアライメントする。
半導体焼付装置の位置検出光学系を示す構成図である。
同図のような構成で、CCDカメラ12あるいは光検知器７
により、レチクル１上のレチクルアライメントマーク16
や装置本体に固着されたレチクルセットマーク17を検知
して、これらのマーク位置を検出する。そして、レチク
ル１を保持する不図示のレチクルステージを駆動して、
レチクルアライメントマーク16をレチクルセットマーク
17に合せるようにアライメントする。
第３図は、レチクルセットマーク17およびレチクルア
ライメントマーク16の例である。
ライメントマーク16の例である。
一般には、同図のようにして、マークを構成する各パ
ターン16−１〜16−６および17−１〜17−６は、パター
ン間のピッチ（各パターンの中心間間隔）をすべて同一
としていた（すなわち図中、α＝βである）。そして、
レチクルセットマーク17の方のマークの中心すなわちパ
ターン群17−１〜17−６の中心を求め、またレチクルア
ライメントマーク16の方もマークの中心すなわちパター
ン群16−１〜16−６の中心を求めて、それら中心間のず
れ量を求めることにより、レチクル１と装置本体との相
対的な位置関係を求めることが考えられる。
ターン16−１〜16−６および17−１〜17−６は、パター
ン間のピッチ（各パターンの中心間間隔）をすべて同一
としていた（すなわち図中、α＝βである）。そして、
レチクルセットマーク17の方のマークの中心すなわちパ
ターン群17−１〜17−６の中心を求め、またレチクルア
ライメントマーク16の方もマークの中心すなわちパター
ン群16−１〜16−６の中心を求めて、それら中心間のず
れ量を求めることにより、レチクル１と装置本体との相
対的な位置関係を求めることが考えられる。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、上述したようにマークを構成する繰返しパ
ターンのピッチが等間隔である場合、光を照射して反射
光を受けデジタル化（量子化）する際に、誤差が発生す
ることがあることが分った。第４図を参照して、このよ
うな誤差の発生につき説明する。
ターンのピッチが等間隔である場合、光を照射して反射
光を受けデジタル化（量子化）する際に、誤差が発生す
ることがあることが分った。第４図を参照して、このよ
うな誤差の発生につき説明する。
第４図のａで、30は検知すべき実際のマークあるいは
マークからの反射光に基づく信号を示す。縦に等間隔に
引かれている細線40はデジタル化を行なう際のサンプリ
ングの間隔を示す細線である。細線40の間隔すなわちピ
ッチの値をpixとする。1pixがサンプリングの１画素に
対応すると考えてよい。同図ａでは実際のマークを構成
する２つのパターンの位置がサンプリングの画素の境界
にずれがなく載っている。従って、斜線の領域31,32が
電気的にパターン有と判別される。求めるべきは左右の
パターンの中心位置である。そのために、マーク位置検
知装置は、まず左側のパターンについて電気的にパター
ン有と判別した斜線部分31の中心33を求める。右側のパ
ターンについても同様に斜線部分32の中心34を求める。
そして、これらの位置33,34の中心位置35をマークの中
心位置とする。この第４図ａの場合では、実際のマーク
がサンプリングの画素上にずれなく載っているため、現
実のマーク中心位置36と検出した位置35とは一致してい
る。
マークからの反射光に基づく信号を示す。縦に等間隔に
引かれている細線40はデジタル化を行なう際のサンプリ
ングの間隔を示す細線である。細線40の間隔すなわちピ
ッチの値をpixとする。1pixがサンプリングの１画素に
対応すると考えてよい。同図ａでは実際のマークを構成
する２つのパターンの位置がサンプリングの画素の境界
にずれがなく載っている。従って、斜線の領域31,32が
電気的にパターン有と判別される。求めるべきは左右の
パターンの中心位置である。そのために、マーク位置検
知装置は、まず左側のパターンについて電気的にパター
ン有と判別した斜線部分31の中心33を求める。右側のパ
ターンについても同様に斜線部分32の中心34を求める。
そして、これらの位置33,34の中心位置35をマークの中
心位置とする。この第４図ａの場合では、実際のマーク
がサンプリングの画素上にずれなく載っているため、現
実のマーク中心位置36と検出した位置35とは一致してい
る。
一方、第４図のｂのように実際のマークが画素上でず
れていた場合（ａの状態からマークが左側に1/4 pixず
れた場合）、マーク位置検知装置は斜線部分31,32を電
気的にパターン有と判別する。実際のパターンがサンプ
リングの画素の境界から若干ずれているため、左右のパ
ターンについてその中心位置は33,34のように算出さ
れ、さらに位置33,34の中心である位置35がマークの中
心位置とされる。これは、現実のマークの中心位置36と
若干ずれている。すなわち、ａの状態から比較して現実
には1/4 pixのずれであるのに、1/2 pixのずれがあると
計測することとなる。
れていた場合（ａの状態からマークが左側に1/4 pixず
れた場合）、マーク位置検知装置は斜線部分31,32を電
気的にパターン有と判別する。実際のパターンがサンプ
リングの画素の境界から若干ずれているため、左右のパ
ターンについてその中心位置は33,34のように算出さ
れ、さらに位置33,34の中心である位置35がマークの中
心位置とされる。これは、現実のマークの中心位置36と
若干ずれている。すなわち、ａの状態から比較して現実
には1/4 pixのずれであるのに、1/2 pixのずれがあると
計測することとなる。
さらに、第４図のｃのように実際のマークが画素上で
ａの状態から1/2 pixずれた場合は再び正しい位置が検
出される。
ａの状態から1/2 pixずれた場合は再び正しい位置が検
出される。
以上のように、半導体焼付装置等では高精度に位置検
出を行なうことが要請されているにもかかわらず、デジ
タル化における誤差の発生により、この例では1/2 pix
より小さいずれ量を検出することができない。
出を行なうことが要請されているにもかかわらず、デジ
タル化における誤差の発生により、この例では1/2 pix
より小さいずれ量を検出することができない。
本発明は、上述のようなマーク位置検出を高精度で行
なう要請がある場合に、簡単な構成で、より高精度のマ
ーク位置検出を行なう装置およびマーク位置配置方法を
提供することを目的とする。
なう要請がある場合に、簡単な構成で、より高精度のマ
ーク位置検出を行なう装置およびマーク位置配置方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するため、本発明に係るマーク位置
検出装置およびマーク配置方法では、２つのパターンを
有するマークに光を照射し、該マークからの光を受光
し、デジタル信号変換手段によってデジタル変換し、該
デジタル信号に基づいて上記マーク位置を算出する際の
上記２つのパターンの中心間間隔を、前記デジタル信号
変換手段のサンプリング間隔の整数倍とは異なるように
している。
検出装置およびマーク配置方法では、２つのパターンを
有するマークに光を照射し、該マークからの光を受光
し、デジタル信号変換手段によってデジタル変換し、該
デジタル信号に基づいて上記マーク位置を算出する際の
上記２つのパターンの中心間間隔を、前記デジタル信号
変換手段のサンプリング間隔の整数倍とは異なるように
している。
［作 用］ 上記の構成によれば、位置検出すべきマークを構成す
る２つのパターンのピッチがサンプリング間隔の整数倍
とは異なるようにしているので、デジタル化の際の誤差
が、これらのマークの中心を算出するときに相殺され、
補間されて計測精度が向上する。
る２つのパターンのピッチがサンプリング間隔の整数倍
とは異なるようにしているので、デジタル化の際の誤差
が、これらのマークの中心を算出するときに相殺され、
補間されて計測精度が向上する。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るマーク位置検知装
置を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した
場合の光学系を示す構成図である。
置を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した
場合の光学系を示す構成図である。
同図において、レーザ発生装置５で発生したレーザ光
は、ミラーおよびレンズを介してポリゴンミラー６に至
る。ポリゴンミラー６は所定の角速度で回転しており、
これによりレーザ光の走査が行なわれる。ポリゴンミラ
ー６からの走査レーザ光はビームスプリッタ11で反射
し、ダハプリズム８で左右２つの光路に分割される。そ
して、分割された走査レーザ光は、それぞれビームスプ
リッタ14で反射し、対物レンズおよび対物ミラー等を介
してレチクル１上のレチクルアライメントマーク16を走
査する。さらに、レチクル１を透過した光は、装置本体
に固着されたレチクルセットマーク17を走査する。
は、ミラーおよびレンズを介してポリゴンミラー６に至
る。ポリゴンミラー６は所定の角速度で回転しており、
これによりレーザ光の走査が行なわれる。ポリゴンミラ
ー６からの走査レーザ光はビームスプリッタ11で反射
し、ダハプリズム８で左右２つの光路に分割される。そ
して、分割された走査レーザ光は、それぞれビームスプ
リッタ14で反射し、対物レンズおよび対物ミラー等を介
してレチクル１上のレチクルアライメントマーク16を走
査する。さらに、レチクル１を透過した光は、装置本体
に固着されたレチクルセットマーク17を走査する。
レチクルアライメントマーク16およびレチクルセット
マーク17からの反射光は、左右それぞれもと来た光路を
逆進し、ビームスプリッタ14に至り、これを透過して光
検知器（フォトダイオード）７に入射する。同時に、こ
れらのレチクルアライメントマーク16およびレチクルセ
ットマーク17からの光は、ビームスプリッタ14で反射
し、ダハプリズム８を介してビームスプリッタ11に至
り、これを透過する。そして、レンズ15および長手のプ
リズムを介して、CCDカメラ12に入射する。
マーク17からの反射光は、左右それぞれもと来た光路を
逆進し、ビームスプリッタ14に至り、これを透過して光
検知器（フォトダイオード）７に入射する。同時に、こ
れらのレチクルアライメントマーク16およびレチクルセ
ットマーク17からの光は、ビームスプリッタ14で反射
し、ダハプリズム８を介してビームスプリッタ11に至
り、これを透過する。そして、レンズ15および長手のプ
リズムを介して、CCDカメラ12に入射する。
以上のように、レチクル１上のレチクルアライメント
マーク16および装置本体に固着されたレチクルセットマ
ーク17の像は、CCDカメラ12により左右のマーク像が合
成された画像情報として取込むことができる。また、走
査レーザ光を照射した際のマークからの反射光の強度を
光検知器７で検知することができる。
マーク16および装置本体に固着されたレチクルセットマ
ーク17の像は、CCDカメラ12により左右のマーク像が合
成された画像情報として取込むことができる。また、走
査レーザ光を照射した際のマークからの反射光の強度を
光検知器７で検知することができる。
第２図は、本実施例に係る半導体焼付装置の画像処理
等を行なう要部のブロック構成図である。
等を行なう要部のブロック構成図である。
同図において、21はCCDカメラ12からの画像信号を入
力してマークのずれ量算出等の処理を行なう画像処理回
路、22は装置全体の制御を行なうマイクコンピュータで
ある。
力してマークのずれ量算出等の処理を行なう画像処理回
路、22は装置全体の制御を行なうマイクコンピュータで
ある。
第３図は、本実施例において用いたレチクルセットマ
ークおよびレチクルアライメントマーク16の例である。
ークおよびレチクルアライメントマーク16の例である。
ここではマークの真中のピッチβを他のピッチαと異
ならせている。すなわち、左側の３つのパターンで１つ
の左側パターンを構成し、右側の３つのパターンで１つ
の右側パターンを構成し、これら２つのパターンでレチ
クルセットマークあるいはレチクルアライメントマーク
を構成していると考えることもできる。検出装置は、レ
チクルセットマーク17についてマークを構成するパター
ン群17−１〜17−６の中心を求め、またレチクルアライ
メントマーク16についても同様にパターン群16−１〜16
−６の中心を求める。そして、それらの中心間のずれ量
を求めることによりマークの相対的位置関係すなわちレ
チクル１と装置本体との相対的な位置関係を求める。
ならせている。すなわち、左側の３つのパターンで１つ
の左側パターンを構成し、右側の３つのパターンで１つ
の右側パターンを構成し、これら２つのパターンでレチ
クルセットマークあるいはレチクルアライメントマーク
を構成していると考えることもできる。検出装置は、レ
チクルセットマーク17についてマークを構成するパター
ン群17−１〜17−６の中心を求め、またレチクルアライ
メントマーク16についても同様にパターン群16−１〜16
−６の中心を求める。そして、それらの中心間のずれ量
を求めることによりマークの相対的位置関係すなわちレ
チクル１と装置本体との相対的な位置関係を求める。
第４図を参照して、本実施例の装置でマーク位置検出
の精度が向上することについて説明する。
の精度が向上することについて説明する。
第４図のａ〜ｃは上述した従来例であり、これによれ
ば1/2 pixまでの計測精度しかない。
ば1/2 pixまでの計測精度しかない。
本実施例では、各パターンの幅をデジタル化のサンプ
リングピッチの整数倍とし、かつパターン間のピッチ
（各パターンの中心間間隔）の１つの（第３図のβ）を
デジタル化の際のサンプリングピッチpixの整数倍とさ
らに1/2 pix分の大きさにとっている。これはCCDカメラ
の撮像面上に撮像されるマーク像間のピッチの関係にも
反映される。
リングピッチの整数倍とし、かつパターン間のピッチ
（各パターンの中心間間隔）の１つの（第３図のβ）を
デジタル化の際のサンプリングピッチpixの整数倍とさ
らに1/2 pix分の大きさにとっている。これはCCDカメラ
の撮像面上に撮像されるマーク像間のピッチの関係にも
反映される。
従って、マーク間またはマーク像間のピッチがこのよ
うなピッチになればよいのである。このようなピッチと
した場合、マーク位置検出は以下のようになされる。
うなピッチになればよいのである。このようなピッチと
した場合、マーク位置検出は以下のようになされる。
第４図のｄでは、簡単のため、左側及び右側のパター
ンはそれぞれ１つのパターンで構成されているものとし
て考えている。そして、左側パターンがサンプリングの
画素の境界にずれなく載っている。従って、斜線の部分
31,32が電気的にパターン有と判別される。求めるべき
は左右のパターンの中心位置である。そのために、マー
ク位置検出装置は、まず左側のパターンについて電気的
にパターン有と判別した斜線部分31の中心33を求める。
右側のパターンについても同様に斜線部分32の中心34を
求める。そして、これらの位置33,34の中心位置35をマ
ークの中心位置とする。図のように実際のマーク中心位
置36と検出した位置35とは一致している。
ンはそれぞれ１つのパターンで構成されているものとし
て考えている。そして、左側パターンがサンプリングの
画素の境界にずれなく載っている。従って、斜線の部分
31,32が電気的にパターン有と判別される。求めるべき
は左右のパターンの中心位置である。そのために、マー
ク位置検出装置は、まず左側のパターンについて電気的
にパターン有と判別した斜線部分31の中心33を求める。
右側のパターンについても同様に斜線部分32の中心34を
求める。そして、これらの位置33,34の中心位置35をマ
ークの中心位置とする。図のように実際のマーク中心位
置36と検出した位置35とは一致している。
第４図のｅはｄの状態からさらに1/4 pix分マークが
左側にずれた状態を示し、ｆはｅからさらに1/4 pix分
左側にずれた状態を示す。いずれの場合も実際のマーク
中心位置が誤差なく検出できていることが分る。すなわ
ち、この場合は1/4 pixのずれまで計測でき、同図ａ〜
ｃの従来例が1/2 pixまでしか検出できないことと比較
して計測精度が向上している。
左側にずれた状態を示し、ｆはｅからさらに1/4 pix分
左側にずれた状態を示す。いずれの場合も実際のマーク
中心位置が誤差なく検出できていることが分る。すなわ
ち、この場合は1/4 pixのずれまで計測でき、同図ａ〜
ｃの従来例が1/2 pixまでしか検出できないことと比較
して計測精度が向上している。
次に、第５図のフローチャートを参照して、本実施例
の動作を説明する。
の動作を説明する。
先ず、処理がスタートすると、ステップS101で第１図
の光学系を用いてCCDカメラ12により画像取込をする。
次に、ステップS102で取込んだ画像データを２値化す
る。これは第４図を参照して説明したように同図の斜線
部分31,32を求める処理である。ステップS103ではマー
クを構成する各パターンの位置を計算する。これは第４
図で各パターンの中心位置33,34を求めることに相当す
る。次に、ステップS104で全パターンについて位置計算
が終了したかどうかを判別し、未だ終了していなければ
ステップS103に戻り位置計算を繰返す。全パターンにつ
いて終了したら、ステップS105でマークの中心位置を計
算する。これは第４図でマーク中心位置35を算出する処
理である。以上でマーク中心位置が算出される。
の光学系を用いてCCDカメラ12により画像取込をする。
次に、ステップS102で取込んだ画像データを２値化す
る。これは第４図を参照して説明したように同図の斜線
部分31,32を求める処理である。ステップS103ではマー
クを構成する各パターンの位置を計算する。これは第４
図で各パターンの中心位置33,34を求めることに相当す
る。次に、ステップS104で全パターンについて位置計算
が終了したかどうかを判別し、未だ終了していなければ
ステップS103に戻り位置計算を繰返す。全パターンにつ
いて終了したら、ステップS105でマークの中心位置を計
算する。これは第４図でマーク中心位置35を算出する処
理である。以上でマーク中心位置が算出される。
上記の実施例では左右のパターン間のピッチがデジタ
ル化のサンプリングピッチの整数倍と1/2 pix分の大き
さとし、1/4 pixの計測精度を実現しているが、このよ
うに、２つのパターンの中心間間隔をサンプリングピッ
チの整数倍とは異なるようにすることにより、より高精
度の計測を行なうことができる。
ル化のサンプリングピッチの整数倍と1/2 pix分の大き
さとし、1/4 pixの計測精度を実現しているが、このよ
うに、２つのパターンの中心間間隔をサンプリングピッ
チの整数倍とは異なるようにすることにより、より高精
度の計測を行なうことができる。
また、上述の実施例では半導体焼付装置におけるレチ
クルのアライメントに本発明のマーク検知装置を適用し
た例を示したが、これをウエハアライメントに適用する
こともできる。
クルのアライメントに本発明のマーク検知装置を適用し
た例を示したが、これをウエハアライメントに適用する
こともできる。
なお、本発明でいうパターンとは、凹凸のパターンの
凸部、凹部のいずれか一方を指し、また白黒のパターン
の白部、黒部のいずれか一方を指している。
凸部、凹部のいずれか一方を指し、また白黒のパターン
の白部、黒部のいずれか一方を指している。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、２つのパター
ンの中心間間隔をサンプリング間隔の整数倍とは異なる
ようにしているため、マーク位置の計測精度を向上させ
ることができる。
ンの中心間間隔をサンプリング間隔の整数倍とは異なる
ようにしているため、マーク位置の計測精度を向上させ
ることができる。
第１図は、本発明の一実施例に係るマーク位置検出装置
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図、 第２図は、本実施例に係る半導体焼付装置の画像処理等
を行なう要部ブロック構成図、 第３図は、レチクルセットマークとレチクルアライメン
トマークを示す模式図、 第４図は、従来例および本実施例におけるマーク位置検
出について説明するための模式図、 第５図は、本実施例におけるマーク位置検出の手順を説
明するためのフローチャートである。 1:レチクル、 2:投影レンズ、 3:ウエハ、 4:XYステージ、 5:レーザ発生器、 7:光検知器、 12:CCDカメラ、 16:レチクルアライメントマーク、 17:レチクルセットマーク、 21:画像処理回路、 22:マイクロコンピュータ。
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図、 第２図は、本実施例に係る半導体焼付装置の画像処理等
を行なう要部ブロック構成図、 第３図は、レチクルセットマークとレチクルアライメン
トマークを示す模式図、 第４図は、従来例および本実施例におけるマーク位置検
出について説明するための模式図、 第５図は、本実施例におけるマーク位置検出の手順を説
明するためのフローチャートである。 1:レチクル、 2:投影レンズ、 3:ウエハ、 4:XYステージ、 5:レーザ発生器、 7:光検知器、 12:CCDカメラ、 16:レチクルアライメントマーク、 17:レチクルセットマーク、 21:画像処理回路、 22:マイクロコンピュータ。
Claims (4)
- 【請求項１】物体に付した２つのパターンを有するマー
クに光を照射する手段と、該マークからの光を受光して
デジタル信号に変換する手段と、該デジタル信号に基づ
いて上記マークの位置を算出する手段とを具備し、該２
つのパターンの中心間間隔が前記デジタル信号変換手段
のサンプリング間隔の整数倍とは異なることを特徴とす
るマーク位置検出装置。 - 【請求項２】前記２つのパターンの中心間間隔が前記デ
ジタル信号変換手段のサンプリング間隔の整数倍に該サ
ンプリング間隔の1/2を加えたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマーク位置検出装置。 - 【請求項３】２つのパターンを有するマークに光を照射
し、該マークからの光を受光し、デジタル信号変換手段
によってデジタル信号に変換し、該デジタル信号に基づ
いて上記マークの位置が算出される際に用いられるマー
クの配置方法において、該２つのパターンの中心間間隔
が前記デジタル信号変換手段のサンプリング間隔の整数
倍とは異なることを特徴とするマークの配置方法。 - 【請求項４】前記２つのパターンの中心間間隔が前記デ
ジタル信号変換手段のサンプリング間隔の整数倍に該サ
ンプリング間隔の1/2を加えたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第３項記載のマークの配置方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014527A JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
| US07/301,366 US4933715A (en) | 1988-01-27 | 1989-01-25 | Method of detecting position of a mark |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014527A JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191003A JPH01191003A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2657505B2 true JP2657505B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=11863603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014527A Expired - Lifetime JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4933715A (ja) |
| JP (1) | JP2657505B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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