JPH01191003A - マーク位置検出装置およびマーク配置方法 - Google Patents
マーク位置検出装置およびマーク配置方法Info
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- JPH01191003A JPH01191003A JP63014527A JP1452788A JPH01191003A JP H01191003 A JPH01191003 A JP H01191003A JP 63014527 A JP63014527 A JP 63014527A JP 1452788 A JP1452788 A JP 1452788A JP H01191003 A JPH01191003 A JP H01191003A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、例えば半導体メモリや演算装置等の高密度集
積回路チップの製造の際に用いる回路パターンの焼付に
おけるレチクルやウェハの位置検出の際にこれらに付さ
れたマークの位置検出に適用して好適な装置およびマー
ク配置方法に関する。
積回路チップの製造の際に用いる回路パターンの焼付に
おけるレチクルやウェハの位置検出の際にこれらに付さ
れたマークの位置検出に適用して好適な装置およびマー
ク配置方法に関する。
［従来技術］
従来、半導体焼付装置のレチクルやウェハの位置検出等
においては、予め位置検出を行なうべき物体に繰返しパ
ターンを付しておき、これらを光電的に検出して位置検
出を行なうような装置が知られている。
においては、予め位置検出を行なうべき物体に繰返しパ
ターンを付しておき、これらを光電的に検出して位置検
出を行なうような装置が知られている。
第１図は、従来例であり本発明の適用対象例でもある半
導体焼付装置の位置検出光学系を示す構成図である。同
図のような構成で、ＣＣＤカメラ１２あるいは光検知器
７により、レチクル１上のレチクルアライメントマーク
１６や装置本体に固着されたレチクルセットマーク１７
を検知して、これらのマーク位置を検出する。そして、
レチクル１を保持する不図示のレチクルステージを駆動
して、レチクルアライメントマーク１６をレチクルセッ
トマーク１７に合せるようにアライメントする。
導体焼付装置の位置検出光学系を示す構成図である。同
図のような構成で、ＣＣＤカメラ１２あるいは光検知器
７により、レチクル１上のレチクルアライメントマーク
１６や装置本体に固着されたレチクルセットマーク１７
を検知して、これらのマーク位置を検出する。そして、
レチクル１を保持する不図示のレチクルステージを駆動
して、レチクルアライメントマーク１６をレチクルセッ
トマーク１７に合せるようにアライメントする。
第３図は、レチクルセットマーク１７およびレチクルア
ライメントマーク１６の例である。
ライメントマーク１６の例である。
一般には、同図のようにして、マークを構成する各パタ
ーン１６−１〜１６−６および１７−１〜１７−６は、
パターン間のピッチ（各パターンの中心間間隔）をすべ
て同一としていた（すなわち図中、α＝βである）。そ
して、レチクルセットマーク１７の方のマークの中心す
なわちパターン群１７−１〜１７−６の中心を求め、ま
たレチクルアライメントマーク１６の方もマークの中心
すなわちパターン群１６−１〜１６−６の中心を求めて
、それら中心間のずれ量を求めることにより、レチクル
１と装置本体との相対的な位置関係を求めることが考え
られる。
ーン１６−１〜１６−６および１７−１〜１７−６は、
パターン間のピッチ（各パターンの中心間間隔）をすべ
て同一としていた（すなわち図中、α＝βである）。そ
して、レチクルセットマーク１７の方のマークの中心す
なわちパターン群１７−１〜１７−６の中心を求め、ま
たレチクルアライメントマーク１６の方もマークの中心
すなわちパターン群１６−１〜１６−６の中心を求めて
、それら中心間のずれ量を求めることにより、レチクル
１と装置本体との相対的な位置関係を求めることが考え
られる。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上述したようにマークを構成する繰返しパタ
ーンのピッチが等間隔である場合、光を照射して反射光
を受はデジタル化（量子化）する際に、誤差が発生する
ことがあることが分った。
ーンのピッチが等間隔である場合、光を照射して反射光
を受はデジタル化（量子化）する際に、誤差が発生する
ことがあることが分った。
第４図を参照して、このような誤差の発生につき説明す
る。
る。
第４図のａで、３０は検知すべき実際のマークあるいは
マークからの反射光に基づく信号を示す。縦に等間隔に
引かれている細線４ｏはデジタル化を行なう際のサンプ
リングの間隔を示す細線である。細線４０の間隔すなわ
ちピッチの値をｐｉｘとする。１ ｐｉｘがサンプリン
グの１画素に対応すると考えてよい。同図ａでは実際の
マークを構成する２つのパターンの位置がサンプリング
の画素の境界にずれがなく載っている。従って、斜線の
領域３１．３２が電気的にパターン有と判別される。求
めるべきは左右のパターンの中心位置である。そのため
に、マーク位置検知装置は、まず左側のパターンについ
て電気的にパターン有と判別した斜線部分３１の中心３
３を求める。右側のパターンについても同様に斜線部分
３２の中心３４を求める。そして、これらの位置３３．
３４の中心位置３５をマークの中心位置とする。この第
４図ａの場合では、実際のマークがサンプリングの画素
上にずれなく載っているため、現実のマーク中心位置３
６と検出した位置３５とは一致している。
マークからの反射光に基づく信号を示す。縦に等間隔に
引かれている細線４ｏはデジタル化を行なう際のサンプ
リングの間隔を示す細線である。細線４０の間隔すなわ
ちピッチの値をｐｉｘとする。１ ｐｉｘがサンプリン
グの１画素に対応すると考えてよい。同図ａでは実際の
マークを構成する２つのパターンの位置がサンプリング
の画素の境界にずれがなく載っている。従って、斜線の
領域３１．３２が電気的にパターン有と判別される。求
めるべきは左右のパターンの中心位置である。そのため
に、マーク位置検知装置は、まず左側のパターンについ
て電気的にパターン有と判別した斜線部分３１の中心３
３を求める。右側のパターンについても同様に斜線部分
３２の中心３４を求める。そして、これらの位置３３．
３４の中心位置３５をマークの中心位置とする。この第
４図ａの場合では、実際のマークがサンプリングの画素
上にずれなく載っているため、現実のマーク中心位置３
６と検出した位置３５とは一致している。
一方、第４図のｂのように実際のマークが画素上でずれ
ていた場合（ａの状態からマークが左側に属ｐｉｘずれ
た場合）、マーク位置検知装置は斜線部分３１．３２を
電気的にパターン有と判別する。実際のパターンがサン
プリングの画素の境界から若干ずれているため、左右の
パターンについてその中心位置は３３．３４のように算
出され、さらに位置３３．３４の中心である位置３５が
マークの中心位置とされる。これは、現実のマークの中
心位置３６と若干ずれている。すなわち、ａの状態から
比較して現実には属ｐｉｘのずれであるのに、Ｈｐｉｘ
のずれがあると計測することとなる。
ていた場合（ａの状態からマークが左側に属ｐｉｘずれ
た場合）、マーク位置検知装置は斜線部分３１．３２を
電気的にパターン有と判別する。実際のパターンがサン
プリングの画素の境界から若干ずれているため、左右の
パターンについてその中心位置は３３．３４のように算
出され、さらに位置３３．３４の中心である位置３５が
マークの中心位置とされる。これは、現実のマークの中
心位置３６と若干ずれている。すなわち、ａの状態から
比較して現実には属ｐｉｘのずれであるのに、Ｈｐｉｘ
のずれがあると計測することとなる。
さらに、第４図のＣのように実際のマークが画素上でａ
の状態からｙ２ｐｉｘずれた場合は再び正しい位置が検
出される。
の状態からｙ２ｐｉｘずれた場合は再び正しい位置が検
出される。
以上のように、半導体焼付装置等では高精度に位置検出
を行なうことが要請されているにもかかわらず、デジタ
ル化における誤差の発生により、この例ではＨｐｊｘよ
り小さいずれ量は検出することができない。
を行なうことが要請されているにもかかわらず、デジタ
ル化における誤差の発生により、この例ではＨｐｊｘよ
り小さいずれ量は検出することができない。
本発明は、上述のようなマーク位置検出を高精度で行な
う要請がある場合に、簡単な構成で、より高精度のマー
ク位置検出を行なう装置およびマーク位置配置方法を提
供することを目的とする。
う要請がある場合に、簡単な構成で、より高精度のマー
ク位置検出を行なう装置およびマーク位置配置方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明に係るマーク位置検
出装置は、物体上に予め繰返しパターンからなるマーク
を付しておき、そのマークの少なくとも１つの繰返しパ
ターンピッチが他のパターンピッチと異なるように設定
してあり、そのようなマークに光を照射し、その反射光
を受光してデジタル信号に変換し、該デジタル信号に基
づいてマーク位置を算出することとしている。
出装置は、物体上に予め繰返しパターンからなるマーク
を付しておき、そのマークの少なくとも１つの繰返しパ
ターンピッチが他のパターンピッチと異なるように設定
してあり、そのようなマークに光を照射し、その反射光
を受光してデジタル信号に変換し、該デジタル信号に基
づいてマーク位置を算出することとしている。
また、本発明に係るマーク位置検出装置およびマーク位
置配置方法においては、Ｎを２以上の整数としてマーク
をＮ個の繰返しパターンで構成し、ｍを任意の整数、ｎ
を１≦ｎ＜Ｎの整数、ｐｉｘを前記デジタル信号変換手
段のサンプリングピッチとした場合、Ｎ個の繰返しパタ
ーンの少なくとも１つのピッチが、 （ｍ＋ｎ／Ｎ） Ｘ ｐｉｘ であるようにしてもよい。
置配置方法においては、Ｎを２以上の整数としてマーク
をＮ個の繰返しパターンで構成し、ｍを任意の整数、ｎ
を１≦ｎ＜Ｎの整数、ｐｉｘを前記デジタル信号変換手
段のサンプリングピッチとした場合、Ｎ個の繰返しパタ
ーンの少なくとも１つのピッチが、 （ｍ＋ｎ／Ｎ） Ｘ ｐｉｘ であるようにしてもよい。
さらに、物体上に予め繰返しパターンからなるマークを
付しておき、そのマークの少なくとも１つの繰返しパタ
ーンピッチが、マークに光を照射しその反射光を受光し
てデジタル信号に変換する手段のサンプリングピッチの
整数倍とならないように設定してあり、該デジタル信号
変換手段の出力に基づいてマーク位置を算出することと
してもよい。
付しておき、そのマークの少なくとも１つの繰返しパタ
ーンピッチが、マークに光を照射しその反射光を受光し
てデジタル信号に変換する手段のサンプリングピッチの
整数倍とならないように設定してあり、該デジタル信号
変換手段の出力に基づいてマーク位置を算出することと
してもよい。
［作 用］
上記の構成によれば、位置検出すべきマークを構成する
パターンのピッチが少なくとも１つは他と異なるように
しているので、デジタル化の際の誤差が、これらのマー
クの中心を算出するときに相殺され、補間されて計測精
度が向上する。
パターンのピッチが少なくとも１つは他と異なるように
しているので、デジタル化の際の誤差が、これらのマー
クの中心を算出するときに相殺され、補間されて計測精
度が向上する。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係るマーク位置検知装置
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図である。
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図である。
同図において、レーザ発生装置５で発生したレーザ光は
、ミラーおよびレンズを介してポリゴンミラー６に至る
。ポリゴンミラー６は所定の角速度で回転しており、こ
れによりレーザ光の走査が行なわれる。ポリゴンミラー
６からの走査レーザ光はビームスプリッタ１１で反射し
、ダハプリズム８で左右２つの光路に分割される。そし
て、分割された走査レーザ光は、それぞれビームスプリ
ッタ１４で反射し、対物レンズおよび対物ミラー等を介
してレチクル１上のレチクルアライメントマーク１６を
走査する。さらに、レチクル１を透過した光は、装置本
体に固着されたレチクルセットマーク１７を走査する。
、ミラーおよびレンズを介してポリゴンミラー６に至る
。ポリゴンミラー６は所定の角速度で回転しており、こ
れによりレーザ光の走査が行なわれる。ポリゴンミラー
６からの走査レーザ光はビームスプリッタ１１で反射し
、ダハプリズム８で左右２つの光路に分割される。そし
て、分割された走査レーザ光は、それぞれビームスプリ
ッタ１４で反射し、対物レンズおよび対物ミラー等を介
してレチクル１上のレチクルアライメントマーク１６を
走査する。さらに、レチクル１を透過した光は、装置本
体に固着されたレチクルセットマーク１７を走査する。
レチクルアライメントマーク１６およびレチクルセット
マーク１７からの反射光は、左右それぞれもと来た光路
を逆進し、ビームスプリッタ１４に至り、これを透過し
て光検知器（フォトダイオード）７に入射する。同時に
、これらのレチクルアライメントマーク１６およびレチ
クルセットマーク１７からの光は、ビームスプリッタ１
４で反射し、ダハプリズム８を介してビームスプリッタ
１１に至り、これを透過する。そして、レンズ１５およ
び長手のプリズムを介して、ＣＣＤカメラ１２に入射す
る。
マーク１７からの反射光は、左右それぞれもと来た光路
を逆進し、ビームスプリッタ１４に至り、これを透過し
て光検知器（フォトダイオード）７に入射する。同時に
、これらのレチクルアライメントマーク１６およびレチ
クルセットマーク１７からの光は、ビームスプリッタ１
４で反射し、ダハプリズム８を介してビームスプリッタ
１１に至り、これを透過する。そして、レンズ１５およ
び長手のプリズムを介して、ＣＣＤカメラ１２に入射す
る。
以上のように、レチクル１上のレチクルアライメントマ
ーク１６および装置本体に固着されたレチクルセットマ
ーク１７の像は、ＣＣＤカメラ１２により左右のマーク
像が合成された画像情報として取込むことができる。ま
た、走査レーザ光を照射した際のマークからの反射光の
強度を光検知器７で検知することができる。
ーク１６および装置本体に固着されたレチクルセットマ
ーク１７の像は、ＣＣＤカメラ１２により左右のマーク
像が合成された画像情報として取込むことができる。ま
た、走査レーザ光を照射した際のマークからの反射光の
強度を光検知器７で検知することができる。
第２図は、本実施例に係る半導体焼付装置の画像処理等
を行なう要部のブロック構成図である。
を行なう要部のブロック構成図である。
同図において、２１はＣＣＤカメラ１２からの画像信号
を入力してマークのずれ量算出等の処理を行なう画像処
理回路、２２は装置全体の制御を行なうマイクコンピュ
ータである。
を入力してマークのずれ量算出等の処理を行なう画像処
理回路、２２は装置全体の制御を行なうマイクコンピュ
ータである。
第３図は、本実施例において用いたレチクルセットマー
クおよびレチクルアライメントマーク１６の例である。
クおよびレチクルアライメントマーク１６の例である。
ここではマークの真中のピッチβを他のピッチαと異な
らせている。検出装置は、レチクルセットマーク１７に
ついてマークを構成するパターンｇｉ７−ｔ〜１７−６
の中心を求め、またレチクルアライメントマーク１６に
ついても同様にパターン群１６−１〜１６−６の中心を
求める。そして、それらの中心間のずれ量を求めること
によりマークの相対的位置関係すなわちレチクル１と装
置本体との相対的な位置関係を求める。
らせている。検出装置は、レチクルセットマーク１７に
ついてマークを構成するパターンｇｉ７−ｔ〜１７−６
の中心を求め、またレチクルアライメントマーク１６に
ついても同様にパターン群１６−１〜１６−６の中心を
求める。そして、それらの中心間のずれ量を求めること
によりマークの相対的位置関係すなわちレチクル１と装
置本体との相対的な位置関係を求める。
第４図を参照して、本実施例の装置でマーク位置検出の
精度が向上することについて説明する。
精度が向上することについて説明する。
第４図のａ ’−ｃは上述した従来例であり、これによ
ればｙ２ｐｉｘまでの計測精度しかない。
ればｙ２ｐｉｘまでの計測精度しかない。
本実施例では、各パターンの幅をデジタル化のサンプリ
ングピッチの整数倍とし、かつパターン間のピッチ（各
パターンの中心間間隔）の１つ（第３図のβ）をデジタ
ル化の際のサンプリングピッチｐｉｘの整数倍とざらに
％ｐｉｘ分の大きさにとっている。これはＣＣＤカメラ
の撮像面上に撮像されるマーク像間のピッチの関係にも
反映される。
ングピッチの整数倍とし、かつパターン間のピッチ（各
パターンの中心間間隔）の１つ（第３図のβ）をデジタ
ル化の際のサンプリングピッチｐｉｘの整数倍とざらに
％ｐｉｘ分の大きさにとっている。これはＣＣＤカメラ
の撮像面上に撮像されるマーク像間のピッチの関係にも
反映される。
従って、マーク間またはマーク像間のピッチがこのよう
なピッチになればよいのである。このようなピッチとし
た場合、マーク位置検出は以下のようになされる。
なピッチになればよいのである。このようなピッチとし
た場合、マーク位置検出は以下のようになされる。
第４図のｄでは、左側パターンがサンプリングの画素の
境界にずれなく載っている。従って、斜線の部分３１．
３２が電気的にパターン有と判別される。求めるべきは
左右のパターンの中心位置である。そのために、マーク
位置検出装置は、まず左側のパターンについて電気的に
パターン有と判別した斜線部分３１の中心３３を求める
。右側のパターンについても同様に斜線部分３２の中心
３４を求める。そして、これらの位置３３．３４の中心
位置３５をマークの中心位置とする。図のように実際の
マーク中心位置３６と検出した位置３５とは一致してい
る。
境界にずれなく載っている。従って、斜線の部分３１．
３２が電気的にパターン有と判別される。求めるべきは
左右のパターンの中心位置である。そのために、マーク
位置検出装置は、まず左側のパターンについて電気的に
パターン有と判別した斜線部分３１の中心３３を求める
。右側のパターンについても同様に斜線部分３２の中心
３４を求める。そして、これらの位置３３．３４の中心
位置３５をマークの中心位置とする。図のように実際の
マーク中心位置３６と検出した位置３５とは一致してい
る。
第４図のｅはｄの状態からさらにＱｐｉｘ分マークが左
側にずれた状態を示し、ｆはｅからさらに％ｐｉｘ分左
側分掌側た状態を示す。いずれの場合も実際のマーク中
心位置が誤差なく検出できていることが分る。すなわち
、この場合は３Ａｐｉｘのずれまで計測でき、同図ａ−
ｃの従来例が％ｐｉｘまでしか検出できないことと比較
して計測精度が向上している。
側にずれた状態を示し、ｆはｅからさらに％ｐｉｘ分左
側分掌側た状態を示す。いずれの場合も実際のマーク中
心位置が誤差なく検出できていることが分る。すなわち
、この場合は３Ａｐｉｘのずれまで計測でき、同図ａ−
ｃの従来例が％ｐｉｘまでしか検出できないことと比較
して計測精度が向上している。
次に、第５図のフローチャートを参照して、本実施例の
動作を説明する。
動作を説明する。
先ず、処理がスタートすると、ステップ８１０１で第１
図の光学系を用いてＣＣＤカメラ１２により画像取込を
する。次に、ステップ５１０２で取込んだ画像データを
２値化する。これは第４図を参照して説明したように同
図の斜線部分３１゜３２を求める処理である。ステップ
５１０３ではマークを構成する各パターンの位置を計算
する。
図の光学系を用いてＣＣＤカメラ１２により画像取込を
する。次に、ステップ５１０２で取込んだ画像データを
２値化する。これは第４図を参照して説明したように同
図の斜線部分３１゜３２を求める処理である。ステップ
５１０３ではマークを構成する各パターンの位置を計算
する。
これは第４図で各パターンの中心位置３３．３４を求め
ることに相当する。次に、ステップ５１０４で全パター
ンについて位置計算が終了したかどうか判別し、未だ終
了していなければステップ５１０３に戻り位置計算を繰
返す。全パターンについて終了したら、ステップ５１０
５でマークの中心位置を計算する。これは第４図でマー
ク中心位置３５を算出する処理である。以上でマーク中
心位置が算出される。
ることに相当する。次に、ステップ５１０４で全パター
ンについて位置計算が終了したかどうか判別し、未だ終
了していなければステップ５１０３に戻り位置計算を繰
返す。全パターンについて終了したら、ステップ５１０
５でマークの中心位置を計算する。これは第４図でマー
ク中心位置３５を算出する処理である。以上でマーク中
心位置が算出される。
なお、上記の実施例ではパターン間のピッチがデジタル
化のサンプリングピッチの整数倍と賜ｐｉｘ分の大きさ
とし、′Ａｐｉｘの計測精度を実現しているが、例えば
第６図のようにマークを４つのパターンで構成し各パタ
ーン間ピッチを、ａ−１７４ｐｉｘ 、 ａ−２／
４ ｐｉｘ 、 ａ−３／４ ｐｉｘとするこ
とにより１／８ ｐｉｘまでの計測精度を実現すること
ができる。一般に次の第１表のようなピッチでマークを
付することができる。
化のサンプリングピッチの整数倍と賜ｐｉｘ分の大きさ
とし、′Ａｐｉｘの計測精度を実現しているが、例えば
第６図のようにマークを４つのパターンで構成し各パタ
ーン間ピッチを、ａ−１７４ｐｉｘ 、 ａ−２／
４ ｐｉｘ 、 ａ−３／４ ｐｉｘとするこ
とにより１／８ ｐｉｘまでの計測精度を実現すること
ができる。一般に次の第１表のようなピッチでマークを
付することができる。
第１表
また、上述の実施例では半導体焼付装置におけるレチク
ルのアライメントに本発明のマーク検知装置を通用した
例を示したが、これをウェハアライメントに適用するこ
ともできる。
ルのアライメントに本発明のマーク検知装置を通用した
例を示したが、これをウェハアライメントに適用するこ
ともできる。
なお、本発明でいうパターンとは、凹凸のパターンの凸
部、凹部のいずれか一方を指し、また白黒のパターンの
白部、黒部のいずれか一方を指している。
部、凹部のいずれか一方を指し、また白黒のパターンの
白部、黒部のいずれか一方を指している。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、位置検出すべき
マークの繰返しパターンのピッチを異なるようにしてい
るので、マーク位置の計測精度を向上させることができ
る。
マークの繰返しパターンのピッチを異なるようにしてい
るので、マーク位置の計測精度を向上させることができ
る。
第１図は、本発明の一実施例に係るマーク位置検出装置
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図、第２図は、本実施例に係る半
導体焼付装置の画像処理等を行なう要部ブロック構成図
、第３図は、レチクルセットマークとレチクルアライメ
ントマークを示す模式図、 第４図は、従来例および本実施例におけるマーク位置検
出について説明するための模式図、第５図は、本実施例
におけるマーク位置検出の手順を説明するためのフロー
チャート、第６図は、本発明の他の実施例に係るマーク
を示す模式図である。 １ レチクル、 ２：投影レンズ、 ３ ウェハ、 ４・ＸＹステージ、 ５：レーザ発生器、 ７：光検知器、 １２・ＣＣＤカメラ、 １６：レチクルアライメントマーク、 １７・レチクルセットマーク、 ２１：画像処理回路、 ２２：マイクロコンピュータ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 １５図 −ｉｘ ｍ−Ｊ４Ｐｉｘ ｃ＜−３／４Ｐｉｘ４６図
を半導体焼付装置のレチクルアライメントに適用した場
合の光学系を示す構成図、第２図は、本実施例に係る半
導体焼付装置の画像処理等を行なう要部ブロック構成図
、第３図は、レチクルセットマークとレチクルアライメ
ントマークを示す模式図、 第４図は、従来例および本実施例におけるマーク位置検
出について説明するための模式図、第５図は、本実施例
におけるマーク位置検出の手順を説明するためのフロー
チャート、第６図は、本発明の他の実施例に係るマーク
を示す模式図である。 １ レチクル、 ２：投影レンズ、 ３ ウェハ、 ４・ＸＹステージ、 ５：レーザ発生器、 ７：光検知器、 １２・ＣＣＤカメラ、 １６：レチクルアライメントマーク、 １７・レチクルセットマーク、 ２１：画像処理回路、 ２２：マイクロコンピュータ。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 哲 也 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 第１図 第２図 第３図 第４図 １５図 −ｉｘ ｍ−Ｊ４Ｐｉｘ ｃ＜−３／４Ｐｉｘ４６図
Claims (5)
- （１）物体上に付した繰返しパターンからなるマークに
光を照射する手段と、その反射光を受光してデジタル信
号に変換する手段と、該デジタル信号に基づいて上記マ
ークの位置を算出する手段とを具備し、上記マークの少
なくとも１つの繰返しパターンピッチが他のピッチと異
なることを特徴とするマーク位置検出装置。 - （２）前記マークの繰返しパターンのピッチの差が、前
記デジタル信号変換手段のサンプリングピッチの１／２
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
マーク位置検出装置。 - （３）Ｎを２以上の整数として前記マークをＮ個の繰返
しパターンで構成し、ｍを任意の整数、ｎを１≦ｎ＜Ｎ
の整数、ｐｉｘを前記デジタル信号変換手段のサンプリ
ングピッチとした場合、Ｎ個の繰返しパターンの少なく
とも１つのピッチが、（ｍ＋ｎ／Ｎ）×ｐｉｘ である特許請求の範囲第１項に記載のマーク位置検出装
置。 - （４）物体上に付した繰返しパターンからなるマークに
光を照射する手段と、その反射光を受光してデジタル信
号に変換する手段と、該デジタル信号に基づいて上記マ
ークの位置を算出する手段とを具備し、上記マークの少
なくとも１つの繰返しパターンピッチが上記デジタル信
号変換手段のサンプリングピッチの整数倍でないことを
特徴とするマーク位置検出装置。 - （５）Ｎを２以上の整数としてアライメントマークをＮ
個の繰返しパターンで構成し、ｍを任意の整数、ｎを１
≦ｎ＜Ｎの整数、ｐｉｘをその繰返しパターンに光を照
射しその反射光を受光してデジタル信号に変換するデジ
タル信号変換手段のサンプリングピッチとした場合、Ｎ
個の繰返しパターンの少なくとも１つのピッチが、 （ｍ＋ｎ／Ｎ）×ｐｉｘ であることを特徴とするマーク配置方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP63014527A JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
| US07/301,366 US4933715A (en) | 1988-01-27 | 1989-01-25 | Method of detecting position of a mark |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014527A JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
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|---|---|
| JPH01191003A true JPH01191003A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2657505B2 JP2657505B2 (ja) | 1997-09-24 |
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ID=11863603
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63014527A Expired - Lifetime JP2657505B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | マーク位置検出装置およびマーク配置方法 |
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| JP (1) | JP2657505B2 (ja) |
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1988
- 1988-01-27 JP JP63014527A patent/JP2657505B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1989
- 1989-01-25 US US07/301,366 patent/US4933715A/en not_active Expired - Lifetime
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| CN111275667A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-06-12 | 武汉科技大学 | 一种加工误差检测方法、装置和加工方法 |
| CN111275667B (zh) * | 2020-01-13 | 2024-05-24 | 武汉科技大学 | 一种加工误差检测方法、装置和加工方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2657505B2 (ja) | 1997-09-24 |
| US4933715A (en) | 1990-06-12 |
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