JPS6342407A - パタ−ン線幅測定方法 - Google Patents
パタ−ン線幅測定方法Info
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- JPS6342407A JPS6342407A JP18600586A JP18600586A JPS6342407A JP S6342407 A JPS6342407 A JP S6342407A JP 18600586 A JP18600586 A JP 18600586A JP 18600586 A JP18600586 A JP 18600586A JP S6342407 A JPS6342407 A JP S6342407A
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- Japan
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プリント基板のパターンや半導体ウェハ上の
パターン線幅測定方法に関するものである。
パターン線幅測定方法に関するものである。
従来の技術
従来、通常の光スポット走査式線幅測定力法文はスリッ
ト走査式線幅測定方法において、パターンを一定速度で
走査して得られるパターン線幅（以下「線幅」と称す）
は、走査方向とパターンの角度をθとした場合、１ ／
ｓｉｎθ に比例する。
ト走査式線幅測定方法において、パターンを一定速度で
走査して得られるパターン線幅（以下「線幅」と称す）
は、走査方向とパターンの角度をθとした場合、１ ／
ｓｉｎθ に比例する。
以下、第４図を用いて従来技術について説明する。通常
の光スポツト走査式線幅測定方法では、レーザ４を出射
した光はレンズ４２ａ、４２ｂをλ 介し光束を広げビームスプリッタ４３．−板４４を通過
し円偏光となった後対物レンズ４６によって試料４６上
に光スポラ）２０を作る。その反射光は、ビームスプリ
ッタ４３で反射し光電素子４９で検出される。ここで試
料４６を走査することにより、光電素子４９の出力は時
間の関数として変化し、たとえば第１図に示される波形
１１が得られ、しきい値を％、走査速度をＶとすると線
幅Ｗは、 Ｗ ＝ ｖ −１３ となる。
の光スポツト走査式線幅測定方法では、レーザ４を出射
した光はレンズ４２ａ、４２ｂをλ 介し光束を広げビームスプリッタ４３．−板４４を通過
し円偏光となった後対物レンズ４６によって試料４６上
に光スポラ）２０を作る。その反射光は、ビームスプリ
ッタ４３で反射し光電素子４９で検出される。ここで試
料４６を走査することにより、光電素子４９の出力は時
間の関数として変化し、たとえば第１図に示される波形
１１が得られ、しきい値を％、走査速度をＶとすると線
幅Ｗは、 Ｗ ＝ ｖ −１３ となる。
発明が解決しようとする問題点
上記従来の方法では、第３図に示されるように走査方向
とパターンがθの傾きをもっている場合、光電素子４９
の出力波形は第１図に示す波形１２となり線幅Ｗ′は、 Ｗ’＝＝ ｖ ｈβ′ ＝ ｖ ＊ ｌ ／Ｓｉｎθ となる。このため、走査方向とパターンの傾きが直角に
なるように規制する必要があった。
とパターンがθの傾きをもっている場合、光電素子４９
の出力波形は第１図に示す波形１２となり線幅Ｗ′は、 Ｗ’＝＝ ｖ ｈβ′ ＝ ｖ ＊ ｌ ／Ｓｉｎθ となる。このため、走査方向とパターンの傾きが直角に
なるように規制する必要があった。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の線幅測定方法は
、一定の大きさの光スポットを検査試料上で一定速度で
走査し、試料からの反射光又は透過光を光検出器で検出
するか、或いはパターンの光学像をスリットで一定速度
で走査しその透過光を光検出器で検出するパターン線幅
測定方法において、パターンのエツジ部分における光検
出器の出力の時間的変化から、走査方向とパターンの角
度を算出し、線幅を補正するものである。
、一定の大きさの光スポットを検査試料上で一定速度で
走査し、試料からの反射光又は透過光を光検出器で検出
するか、或いはパターンの光学像をスリットで一定速度
で走査しその透過光を光検出器で検出するパターン線幅
測定方法において、パターンのエツジ部分における光検
出器の出力の時間的変化から、走査方向とパターンの角
度を算出し、線幅を補正するものである。
作 用
上記方法によれば、パターンのエツジ部分における光検
出器の出力の時間的変化から、走査方向とパターンの角
度を算出し、走査方向とパターンが直角でなくともその
角度を用いて線幅の補正が可能とするものである。
出器の出力の時間的変化から、走査方向とパターンの角
度を算出し、走査方向とパターンが直角でなくともその
角度を用いて線幅の補正が可能とするものである。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図〜第４図に基づき説明す
る。初めに走査方向とパターンが直角な場合について説
明する。第２図に示した光学系において光スポットがパ
ターンに外接した状態２１から内接した状態２２に移動
する間に、光電素子４９の出力は波形１１の点１３から
点１４まで変化する（第１図）。ここで光スポツト径を
り、走査速度を７１点１３から点１４までの時間をＳと
すると次式が成立する。
る。初めに走査方向とパターンが直角な場合について説
明する。第２図に示した光学系において光スポットがパ
ターンに外接した状態２１から内接した状態２２に移動
する間に、光電素子４９の出力は波形１１の点１３から
点１４まで変化する（第１図）。ここで光スポツト径を
り、走査速度を７１点１３から点１４までの時間をＳと
すると次式が成立する。
Ｄ ＝ ｖ −Ｓ ・・・・・・・・・・・・・
・０次に、走査方向と′パターンがθだけ傾いた場合に
ついて説明する。この場合、光スポットとパターンの外
接点及び内接点は一致せず、第３図に示すように、外接
した状態３１から内接した状態３２までの距離は、Ｄ／
ｓｉｎθとなり又光電素子４９から得られる波形１２は
波形１１に比べ時間方向にのびている（第１図）。ここ
で波形１２の点１５から点１６までの時間をＳ′とする
と次式が成立する。
・０次に、走査方向と′パターンがθだけ傾いた場合に
ついて説明する。この場合、光スポットとパターンの外
接点及び内接点は一致せず、第３図に示すように、外接
した状態３１から内接した状態３２までの距離は、Ｄ／
ｓｉｎθとなり又光電素子４９から得られる波形１２は
波形１１に比べ時間方向にのびている（第１図）。ここ
で波形１２の点１５から点１６までの時間をＳ′とする
と次式が成立する。
ＤＡｉｎθ＝ｖａＳ’ ・・・・・・・・・・・・・
・・■上記■式及び０式から走査方向とパターンの傾き
θは θ＝ｓｉｎ （Ｓ／Ｓ’） より求められる。従って線幅ｌ′・Ｖにｓｉｎθを乗す
ることで傾きθを補正した正確な線幅を求めることがで
きる。
・・■上記■式及び０式から走査方向とパターンの傾き
θは θ＝ｓｉｎ （Ｓ／Ｓ’） より求められる。従って線幅ｌ′・Ｖにｓｉｎθを乗す
ることで傾きθを補正した正確な線幅を求めることがで
きる。
以上のように本実施例によれば、走査方向とパターンが
直角な場合の光スポットのエツジ移動時間Ｓを前もって
測定しておくことによって、走査方向とパターンが任意
の角度θで傾いていても、光スポットのエツジ移動時間
Ｓ′からθを算出し、線幅を補正することが可能である
。
直角な場合の光スポットのエツジ移動時間Ｓを前もって
測定しておくことによって、走査方向とパターンが任意
の角度θで傾いていても、光スポットのエツジ移動時間
Ｓ′からθを算出し、線幅を補正することが可能である
。
以上に光スポットが円形な場合について述べたが、任意
の形状でも同様にθを求めることができることは明白で
ある。
の形状でも同様にθを求めることができることは明白で
ある。
発明の効果
以上にのべたごとく、本発明によればエツジ部分の光電
素子の出力の時間変化を用いて走査方向とパターンの角
度を求められるので線幅が補正でき、任意の傾きをもっ
たパターンの線幅測定が可能である。又、一つの試料上
にいろいろな傾きをもったパターンがある場合でも、一
度の走査ですべてのパターンの線幅測定が可能である。
素子の出力の時間変化を用いて走査方向とパターンの角
度を求められるので線幅が補正でき、任意の傾きをもっ
たパターンの線幅測定が可能である。又、一つの試料上
にいろいろな傾きをもったパターンがある場合でも、一
度の走査ですべてのパターンの線幅測定が可能である。
第１図は本発明の実施例における光電素子の出力の波形
図、−第２図は走査方向とパターンが直角な場合の光ス
ポットの状態図、第３図は走査方向とパターンがθだけ
傾いた時の光スポットの状態図、第４図は線幅測定装置
の構成図である。 １１・・・・・・走査方向とパターンが直角の時の光電
素子の出力波形、１２・・・・・・走査方向とパターン
がθだけ傾いている時の光電素子の出力波形、１３・・
・・・・光スポット２１に対応する点、１４・・・・・
・光スポット２２に対応する点、１６・・・・・・光ス
ポット３１に対応する点、１６・・・−・・光スポット
３２に対応する点、２１．３１・・・・・・パターンに
外接している光スポット、２２．３２・・・・・・パタ
ーンに内接している光スポット、４・・・・・Ｈｅ−Ｎ
ｅＶ−ｆ、４６・・・・・試料、４７・・・・・・パタ
ーン、４９・・・・・・光電素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名′５
１図
図、−第２図は走査方向とパターンが直角な場合の光ス
ポットの状態図、第３図は走査方向とパターンがθだけ
傾いた時の光スポットの状態図、第４図は線幅測定装置
の構成図である。 １１・・・・・・走査方向とパターンが直角の時の光電
素子の出力波形、１２・・・・・・走査方向とパターン
がθだけ傾いている時の光電素子の出力波形、１３・・
・・・・光スポット２１に対応する点、１４・・・・・
・光スポット２２に対応する点、１６・・・・・・光ス
ポット３１に対応する点、１６・・・−・・光スポット
３２に対応する点、２１．３１・・・・・・パターンに
外接している光スポット、２２．３２・・・・・・パタ
ーンに内接している光スポット、４・・・・・Ｈｅ−Ｎ
ｅＶ−ｆ、４６・・・・・試料、４７・・・・・・パタ
ーン、４９・・・・・・光電素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名′５
１図
Claims (1)
- 一定の大きさの光スポットを検査試料上で一定速度で走
査し、試料からの反射光は透過光を光検出器で検出する
か、或いはパターンの光学像をスリットで一定速度で走
査し、その透過光を光検出器で検出するパターン線幅測
定方法において、パターンのエッジ部分における光検出
器の出力の時間的変化から、走査方向とパターンの角度
を算出し、パターン線幅を補正することを特徴とするパ
ターン線幅測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600586A JPS6342407A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | パタ−ン線幅測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18600586A JPS6342407A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | パタ−ン線幅測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342407A true JPS6342407A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16180700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18600586A Pending JPS6342407A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | パタ−ン線幅測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6342407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385196B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and scanning electron microscope for measuring width of material on sample |
| CN109458899A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-03-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种快速判定打标线宽的方法 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP18600586A patent/JPS6342407A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385196B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and scanning electron microscope for measuring width of material on sample |
| CN109458899A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-03-12 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种快速判定打标线宽的方法 |
| CN109458899B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-12-18 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种快速判定打标线宽的方法 |
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